JP2001326210A - Substrate treating device - Google Patents

Substrate treating device

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JP2001326210A
JP2001326210A JP2000146308A JP2000146308A JP2001326210A JP 2001326210 A JP2001326210 A JP 2001326210A JP 2000146308 A JP2000146308 A JP 2000146308A JP 2000146308 A JP2000146308 A JP 2000146308A JP 2001326210 A JP2001326210 A JP 2001326210A
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JP
Japan
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substrate
ozone water
ozone
temperature
water
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JP2000146308A
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Japanese (ja)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate treating device which can quickly decompose organic matters adhering to a substrate. SOLUTION: The ozone water generated from an ozone water generator 50 is ejected upon a substrate W from an eject nozzle 20 through a pipeline 40. When the ozone water is ejected upon the substrate W, the substrate W is heated to a temperature higher than that of the ozone water by means of an induction heating coil 60. Therefore, the ozone water is heated and supersaturated ozone water is temporarily generated in a local area near the interface which is in direct contact with the surface of the substrate W. The ozone concentration of the supersaturated ozone water is the same as that of the ozone water supplied from the nozzle 20, but the temperature of the supersaturated ozone water becomes higher, because the water is heated by the substrate W. Consequently, the high-temperature ozone water containing ozone at a high concentration comes into contact with and quickly decomposes the organic matters adhering to the substrate W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板の如きFPD(FlatPane
l Display)用基板、フォトマスク用ガラス基
板および光ディスク用基板など(以下、単に「基板」と
称する)にオゾン水を供給することによって当該基板の
処理、例えば基板に付着した有機物の除去処理等を行う
基板処理装置に関する。
The present invention relates to a flat panel display (FPD) such as a semiconductor substrate or a glass substrate for a liquid crystal display device.
l Display), a substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, and the like (hereinafter, simply referred to as a “substrate”) by supplying ozone water to the substrate, for example, a process for removing organic substances attached to the substrate. The present invention relates to an apparatus for performing a substrate processing.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、上記基板の製造工程において
は、基板の洗浄処理が不可欠である。基板の洗浄処理を
行う洗浄処理装置の1つにオゾン水を用いた枚葉式洗浄
処理装置がある。この装置は、基板の表面にオゾン水を
供給し、オゾンによってレジスト等の有機物を酸化する
ことによりその有機物を除去して基板の表面洗浄を行う
装置である。周知のようにオゾンは極めて強力な酸化力
を有しており、そのようなオゾンの強力な酸化力を利用
して基板の洗浄処理を行うのである。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a process of manufacturing the above substrate, a cleaning process of the substrate has been indispensable. As one of the cleaning apparatuses for performing the substrate cleaning processing, there is a single-wafer cleaning apparatus using ozone water. This apparatus supplies ozone water to the surface of a substrate and oxidizes organic substances such as a resist with ozone to remove the organic substances and clean the surface of the substrate. As is well known, ozone has an extremely strong oxidizing power, and the substrate is cleaned using such a strong oxidizing power of ozone.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】オゾン水を用いた洗浄
処理を行うときには、オゾン水中のオゾン濃度が高いほ
ど有機物の分解速度が速くなり、洗浄処理に要する時間
を短くすることができる。一般に気体の水に対する溶解
度は水の温度が低いほど大きくなり、オゾン水について
も同様の傾向を示す。すなわち、オゾン水の温度を下げ
るほど多量のオゾンが水中に溶解し、高濃度のオゾン水
を得ることができるのである。
When a cleaning process using ozone water is performed, the higher the ozone concentration in the ozone water, the faster the decomposition rate of organic substances is increased, and the time required for the cleaning process can be shortened. In general, the solubility of gas in water increases as the temperature of the water decreases, and the same tendency applies to ozone water. That is, as the temperature of the ozone water is lowered, a large amount of ozone is dissolved in the water, so that a high-concentration ozone water can be obtained.

【0004】一方、有機物の分解速度は、オゾン水中の
オゾン濃度のみならず、反応時の温度にも依存する。反
応温度が大きくなるほど酸化反応が活性化され、有機物
の分解速度が速くなるのである。
On the other hand, the decomposition rate of organic substances depends not only on the concentration of ozone in ozone water but also on the temperature during the reaction. As the reaction temperature increases, the oxidation reaction is activated, and the decomposition rate of organic substances increases.

【0005】従って、低温のオゾン水を供給した場合に
は、オゾン水中のオゾン濃度を高めることはできるもの
の、反応温度が低いため結果として有機物の分解速度を
顕著に速くすることはできない。これとは逆に、高温の
オゾン水を供給した場合には、反応温度は高いものの、
オゾン水中のオゾン濃度が低く成らざるを得ないため、
その結果上記と同様に、有機物の分解速度を顕著に速く
することはできなかった。すなわち、従来のオゾン水洗
浄においては、オゾン水中のオゾン濃度および有機物の
分解速度の温度に対する特性が相反することに起因して
有機物の分解速度を顕著に速くすることができず、その
結果洗浄処理にも比較的長時間を要し、装置のスループ
ットが低下するという問題が生じていたのである。
Therefore, when low-temperature ozone water is supplied, the ozone concentration in the ozone water can be increased, but the reaction temperature is low, so that the decomposition rate of organic substances cannot be remarkably increased. Conversely, when high-temperature ozone water is supplied, the reaction temperature is high,
Because the ozone concentration in the ozone water must be low,
As a result, similarly to the above, the decomposition rate of organic substances could not be remarkably increased. In other words, in the conventional ozone water cleaning, the decomposition rate of organic substances cannot be remarkably increased due to the inconsistency of the characteristics of the ozone concentration in the ozone water and the decomposition rate of organic substances with respect to temperature. However, a relatively long time is required, and the throughput of the apparatus is reduced.

【0006】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板に付着した有機物を迅速に分解することが
できる基板処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of rapidly decomposing organic substances attached to a substrate.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板にオゾン水を供給すること
によって当該基板の処理を行う基板処理装置であって、
基板を保持する保持手段と、前記保持手段によって保持
された基板にオゾン水を供給するオゾン水供給手段と、
前記オゾン水供給手段によって供給されるオゾン水より
も高い温度に前記基板を加熱する加熱手段と、を備えて
いる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying ozone water to the substrate.
Holding means for holding the substrate, ozone water supply means for supplying ozone water to the substrate held by the holding means,
Heating means for heating the substrate to a higher temperature than ozone water supplied by the ozone water supply means.

【0008】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段を、保持す
る基板の平面サイズよりも大きな平面サイズを有する載
置台とし、前記オゾン水供給手段に、前記載置台に保持
された基板を挟んで前記載置台と対向配置され、前記基
板の平面サイズよりも大きな平面サイズを有する雰囲気
遮断板を含ませるとともに、基板を保持する前記載置台
と前記雰囲気遮断板との間にオゾン水を供給させ、前記
載置台に保持された基板の外周であって、前記載置台と
前記雰囲気遮断板との間に流体の通過を抑制する流体抵
抗付与手段を設けている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the holding means is a mounting table having a plane size larger than the plane size of the substrate to be held, and the ozone water supply is performed. The means includes an atmosphere blocking plate that is disposed to face the mounting table across the substrate held by the mounting table and has a plane size larger than the plane size of the substrate, and the mounting table holds the substrate. Means for supplying ozone water between the atmosphere blocking plate and the outer periphery of the substrate held by the mounting table, and a fluid resistance applying means for suppressing passage of fluid between the mounting table and the atmosphere blocking plate; Is provided.

【0009】また、請求項3の発明は、請求項1または
請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記加熱
手段に、前記保持手段を加熱することによって基板を加
熱する保持手段加熱手段を含ませている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the heating means includes a holding means heating means for heating the substrate by heating the holding means. Included.

【0010】また、請求項4の発明は、請求項1または
請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記加熱
手段に、輻射熱によって前記保持手段に保持された基板
を直接加熱する輻射熱加熱手段を含ませている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, wherein the heating means directly heats the substrate held by the holding means by radiant heat. Is included.

【0011】また、請求項5の発明は、請求項1から請
求項4のいずれかの発明に係る基板処理装置において、
前記オゾン水供給手段によって供給されるオゾン水を飽
和オゾン水としている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to any one of the first to fourth aspects,
The ozone water supplied by the ozone water supply means is saturated ozone water.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0013】<1.第1実施形態>図1は、本発明に係
る基板処理装置の一例の全体構成を示す図である。この
基板処理装置は、基板にオゾン水を吐出することによっ
て基板に付着したレジスト等の有機物等を除去するオゾ
ン水洗浄装置であり、主として基板Wを保持するための
スピンベース10と、オゾン水を吐出する吐出ノズル2
0と、オゾン水を生成するオゾン水発生器50と、生成
されたオゾン水を吐出ノズル20まで導く配管40と、
誘導加熱コイル60とを備えている。
<1. First Embodiment> FIG. 1 is a view showing an entire configuration of an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is an ozone water cleaning apparatus that removes organic substances such as a resist attached to a substrate by discharging ozone water onto the substrate, and mainly includes a spin base 10 for holding the substrate W, and an ozone water cleaning apparatus. Discharge nozzle 2 to discharge
0, an ozone water generator 50 that generates ozone water, a pipe 40 that guides the generated ozone water to the discharge nozzle 20,
And an induction heating coil 60.

【0014】スピンベース10は、フェライト系合金
(例えばフェライト系ステンレス)で構成された円盤状
の部材である。スピンベース10は、その上面に立設さ
れた複数の保持ピン15によって基板Wの端縁部を把持
することにより1枚の基板Wを略水平姿勢にて保持す
る。なお、スピンベース10の上面には3つまたは4つ
の保持ピン15が立設されている(図1にはそのうち2
つのみ図示している)。
The spin base 10 is a disk-shaped member made of a ferrite-based alloy (for example, ferrite-based stainless steel). The spin base 10 holds one substrate W in a substantially horizontal posture by gripping the edge of the substrate W with a plurality of holding pins 15 erected on its upper surface. Note that three or four holding pins 15 are provided upright on the upper surface of the spin base 10.
Only one is shown).

【0015】また、スピンベース10は、その下面中心
部がモータ12のモータ軸11に接続されている。従っ
て、モータ12はスピンベース10を回転させることが
でき、スピンベース10を回転させることによって、そ
のスピンベース10に保持された基板Wを鉛直方向を軸
として略水平面内にて回転させることができる。なお、
スピンベース10は、基板Wの端縁部を機械的に把持す
る形態に限定されず、基板Wを真空吸着によって保持す
る形態であっても良い。
The center of the lower surface of the spin base 10 is connected to the motor shaft 11 of the motor 12. Accordingly, the motor 12 can rotate the spin base 10, and by rotating the spin base 10, the substrate W held on the spin base 10 can be rotated in a substantially horizontal plane about the vertical direction as an axis. . In addition,
The spin base 10 is not limited to a mode in which the edge of the substrate W is mechanically gripped, but may be a mode in which the substrate W is held by vacuum suction.

【0016】吐出ノズル20は、スピンベース10に保
持された基板Wの主面に対して略垂直に、すなわち略鉛
直方向下向きに直線状(棒状)にオゾン水を吐出するス
トレートタイプのノズルである。吐出ノズル20は、オ
ゾン水発生器50と配管40を介して接続されており、
その配管40の途中にはバルブ41が設けられている。
なお、吐出ノズル20は、ストレートタイプのノズルに
限定されるものではなく、オゾン水をシャワー状に吐出
するシャワータイプのノズルであっても良いし、オゾン
水を噴霧状に吐出するスプレイタイプのノズルであって
も良い。
The discharge nozzle 20 is a straight type nozzle that discharges ozone water in a straight line (rod shape) substantially perpendicularly to the main surface of the substrate W held by the spin base 10, that is, substantially vertically downward. The discharge nozzle 20 is connected to the ozone water generator 50 via a pipe 40,
A valve 41 is provided in the middle of the pipe 40.
Note that the discharge nozzle 20 is not limited to a straight type nozzle, and may be a shower type nozzle that discharges ozone water in a shower shape, or a spray type nozzle that discharges ozone water in a spray shape. There may be.

【0017】オゾン水発生器50には、純水供給源52
とオゾンガス供給源53とが接続されている。オゾン水
発生器50には、純水供給源52からポンプ51によっ
て純水が送給されるとともに、オゾンガス供給源53か
らオゾンガスが送られる。オゾン水発生器50は、送給
された純水中にオゾンガスを溶解することによってオゾ
ン水を生成する。
The ozone water generator 50 has a pure water supply source 52.
And the ozone gas supply source 53 are connected. The ozone water generator 50 is supplied with pure water from a pure water supply source 52 by a pump 51 and is supplied with ozone gas from an ozone gas supply source 53. The ozone water generator 50 generates ozone water by dissolving ozone gas in the supplied pure water.

【0018】また、オゾン水発生器50には、冷却部5
5が設けられている。冷却部55は送給された純水また
は生成中のオゾン水を冷却する機能を有する。
The ozone water generator 50 includes a cooling unit 5.
5 are provided. The cooling unit 55 has a function of cooling the supplied pure water or the generated ozone water.

【0019】誘導加熱コイル60は、スピンベース10
の周辺に配設されたコイルであり、高周波電源65に電
気的に接続されている。誘導加熱コイル60は、高周波
電源65から電力供給を受けて、スピンベース10を高
周波誘導電流により加熱する。スピンベース10をフェ
ライト系合金としているのは誘導加熱のためであり、誘
導加熱を行うことができる材質であれば他の素材、例え
ばカーボンによってスピンベース10を構成しても良
い。なお、スピンベース10を加熱するのに誘導加熱コ
イル60に代えて、抵抗発熱体をスピンベース10の内
部に配設するようにしても良い。
The induction heating coil 60 includes the spin base 10
, And is electrically connected to the high-frequency power supply 65. The induction heating coil 60 receives power supply from the high frequency power supply 65 and heats the spin base 10 with a high frequency induction current. The spin base 10 is made of a ferrite-based alloy for induction heating, and the spin base 10 may be made of another material, for example, carbon as long as the material can perform induction heating. Note that a resistance heating element may be provided inside the spin base 10 in place of the induction heating coil 60 to heat the spin base 10.

【0020】なお、本実施形態においては、スピンベー
ス10が保持手段に、吐出ノズル20がオゾン水供給手
段に、誘導加熱コイル60が加熱手段に、それぞれ相当
する。
In this embodiment, the spin base 10 corresponds to a holding unit, the discharge nozzle 20 corresponds to an ozone water supply unit, and the induction heating coil 60 corresponds to a heating unit.

【0021】次に、上記構成を有する基板処理装置にお
けるオゾン水による洗浄処理の手順について説明する。
まず、オゾン水発生器50が純水供給源52から送給さ
れた純水にオゾンガス供給源53から供給されたオゾン
ガスを溶解してオゾン水を生成する。このときに、オゾ
ン水発生器50は、オゾンガスを限界(溶解度)まで溶
解した飽和オゾン水を生成する。また、オゾン水生成時
に、冷却部55が純水または生成中のオゾン水を冷却
し、オゾンの溶解度を高めてオゾン水中のオゾン濃度を
さらに高めるようにしても良い。
Next, a procedure of a cleaning process using ozone water in the substrate processing apparatus having the above configuration will be described.
First, the ozone water generator 50 dissolves the ozone gas supplied from the ozone gas supply source 53 into the pure water supplied from the pure water supply source 52 to generate ozone water. At this time, the ozone water generator 50 generates saturated ozone water in which ozone gas is dissolved to the limit (solubility). Further, at the time of generating ozone water, the cooling unit 55 may cool the pure water or the ozone water being generated to increase the solubility of ozone to further increase the ozone concentration in the ozone water.

【0022】次に、バルブ41が開放され、生成された
オゾン水が配管40中を流れ、吐出ノズル20から基板
Wに向けてオゾン水が吐出される。オゾン水が吐出され
るときには、誘導加熱コイル60によってスピンベース
10が加熱されており、スピンベース10の熱が熱伝導
によって基板Wに伝わり基板Wが加熱されることとな
る。すなわち、誘導加熱コイル60はスピンベース10
を介して間接的に基板Wを加熱しているのである。この
ときに、誘導加熱コイル60は、吐出ノズル20によっ
て基板Wに供給されるオゾン水よりも高い温度に基板W
を加熱している。
Next, the valve 41 is opened, the generated ozone water flows through the pipe 40, and the ozone water is discharged from the discharge nozzle 20 toward the substrate W. When the ozone water is discharged, the spin base 10 is heated by the induction heating coil 60, and the heat of the spin base 10 is transmitted to the substrate W by heat conduction, so that the substrate W is heated. That is, the induction heating coil 60 is connected to the spin base 10.
The substrate W is indirectly heated via the substrate. At this time, the induction heating coil 60 sets the substrate W to a temperature higher than ozone water supplied to the substrate W by the discharge nozzle 20.
Is heating.

【0023】吐出ノズル20から基板W上に供給された
オゾン水は、基板Wに付着した有機物等を酸化により分
解・除去し、基板Wを洗浄する。なお、オゾン水供給時
に、モータ12によってスピンベース10に保持された
基板Wを回転させつつ吐出ノズル20から基板Wにオゾ
ン水を吐出するようにしても良い。
The ozone water supplied from the discharge nozzle 20 onto the substrate W decomposes and removes organic substances and the like attached to the substrate W by oxidation, and cleans the substrate W. When supplying the ozone water, the ozone water may be discharged from the discharge nozzle 20 to the substrate W while the substrate W held on the spin base 10 is rotated by the motor 12.

【0024】上述のように、本実施形態においては、吐
出ノズル20によって供給されるオゾン水よりも高い温
度に基板Wが加熱されている。簡便な表現をすれば、低
温のオゾン水を高温の基板Wに供給することにより基板
Wの洗浄を行っている。このような洗浄手法の意義およ
びオゾン水と基板Wとの間に生じる現象についてさらに
詳細に説明する。
As described above, in the present embodiment, the substrate W is heated to a higher temperature than the ozone water supplied by the discharge nozzle 20. In simple terms, the substrate W is cleaned by supplying low-temperature ozone water to the high-temperature substrate W. The significance of such a cleaning method and the phenomenon occurring between the ozone water and the substrate W will be described in more detail.

【0025】図2は、オゾン水中のオゾン濃度と有機物
分解速度との相関を示す図である。なお、図2におい
て、オゾン水の温度は一定である。同図に示すように、
温度一定という条件下では、有機物分解速度はオゾン水
中のオゾン濃度にほぼ比例し、オゾン濃度が高くなるほ
ど有機物分解速度は速くなる。
FIG. 2 is a diagram showing the correlation between the concentration of ozone in ozone water and the decomposition rate of organic substances. In FIG. 2, the temperature of the ozone water is constant. As shown in the figure,
Under the condition of constant temperature, the organic substance decomposition rate is almost proportional to the ozone concentration in the ozone water, and the organic substance decomposition rate increases as the ozone concentration increases.

【0026】図3は、オゾン水の温度と有機物分解速度
との相関を示す図である。なお、図3において、オゾン
水中のオゾン濃度は一定である。同図に示すように、オ
ゾン濃度一定という条件下では、オゾン水の温度が高く
なるほど、酸化反応が活性化され、有機物分解速度は速
くなる。
FIG. 3 is a diagram showing the correlation between the temperature of ozone water and the decomposition rate of organic substances. In FIG. 3, the ozone concentration in the ozone water is constant. As shown in the figure, under the condition that the ozone concentration is constant, the higher the temperature of the ozone water, the more the oxidation reaction is activated, and the faster the decomposition rate of organic substances.

【0027】これらのことより、基板Wに付着した有機
物等を迅速に分解・除去するためには、オゾン濃度が高
く、かつ温度の高いオゾン水を基板Wに供給するのが好
ましいと言える。
From the above, it can be said that it is preferable to supply ozone water having a high ozone concentration and high temperature to the substrate W in order to quickly decompose and remove organic substances and the like attached to the substrate W.

【0028】一方、図4は、オゾン水の温度とオゾン水
中のオゾン濃度との相関を示す図であり、いわゆるオゾ
ンの水に対する溶解度曲線である。一般的な気体と同様
に、温度が高くなるほどオゾンの水に対する溶解度は低
下する。このことは、オゾン濃度が高く、かつ温度の高
いオゾン水、すなわち有機物の分解に適したオゾン水を
平衡状態(安定な形態)で得ることが不可能であること
を意味している。
FIG. 4 is a graph showing the correlation between the temperature of ozone water and the concentration of ozone in the ozone water, and is a so-called solubility curve of ozone in water. As with general gases, the higher the temperature, the lower the solubility of ozone in water. This means that it is impossible to obtain ozone water having a high ozone concentration and high temperature, that is, ozone water suitable for decomposing organic substances in an equilibrium state (stable form).

【0029】また、図3および図4は、オゾン水中のオ
ゾン濃度および有機物分解速度のそれぞれの温度に対す
る特性が相反することを示しており、既述したように、
従来においてはこのことに起因して有機物の分解速度を
顕著に速くすることができなかったのである。
FIG. 3 and FIG. 4 show that the characteristics of the ozone concentration in the ozone water and the decomposition rate of the organic matter with respect to the respective temperatures are contradictory.
Conventionally, the decomposition rate of organic substances cannot be remarkably increased due to this.

【0030】このため、従来においては、有機物の分解
に最適なバランスが得られる温度およびオゾン濃度のオ
ゾン水を基板Wに供給するようにしていた。図5は、オ
ゾン水の温度およびオゾン濃度を考慮した実際の有機物
分解速度を説明するための図である。図中の実線L1
は、温度と有機物分解速度との相関を示す図であり、図
3と同じものである。また、一点鎖線L2は、温度とオ
ゾン濃度との相関を示す図であり、図4と同じものであ
る。これら有機物分解速度およびオゾン濃度の双方に対
する温度の影響を包含した実際の有機物分解速度は図中
の一点鎖線L3のようになる。実際の有機物分解速度は
温度に対して上に凸の曲線となり、曲線L3における有
機物分解速度が最大となる点P1が基板洗浄に最適な点
である。従って、従来においては、点P1に対応する温
度のオゾン水を基板に供給するようにしていた。
For this reason, conventionally, ozone water having a temperature and an ozone concentration at which an optimum balance for the decomposition of organic substances is obtained is supplied to the substrate W. FIG. 5 is a diagram for explaining the actual organic matter decomposition rate in consideration of the temperature and the ozone concentration of the ozone water. Solid line L1 in the figure
FIG. 3 is a diagram showing a correlation between a temperature and an organic matter decomposition rate, which is the same as FIG. A dashed line L2 is a diagram showing a correlation between the temperature and the ozone concentration, and is the same as that in FIG. The actual organic substance decomposition rate including the influence of temperature on both the organic substance decomposition rate and the ozone concentration is as shown by a dashed line L3 in the figure. The actual decomposition rate of the organic substance is a curve that projects upward with respect to the temperature, and the point P1 in the curve L3 where the decomposition rate of the organic substance is maximized is the optimum point for cleaning the substrate. Therefore, conventionally, ozone water at a temperature corresponding to the point P1 is supplied to the substrate.

【0031】これに対して、本実施形態においては、低
温のオゾン水をそれよりも高温の基板Wに供給してい
る。図4から明らかなように、低温であればオゾン濃度
の高いオゾン水を平衡状態で得ることができる。このよ
うな低温・高オゾン濃度の飽和オゾン水を高温の基板W
に供給する。オゾン水は基板Wに接触するまで加熱され
ることがないため、安定な状態(飽和状態)を維持し続
けることができる。
On the other hand, in the present embodiment, low-temperature ozone water is supplied to the substrate W having a higher temperature. As is clear from FIG. 4, if the temperature is low, ozone water having a high ozone concentration can be obtained in an equilibrium state. The high temperature substrate W
To supply. Since the ozone water is not heated until it comes into contact with the substrate W, a stable state (saturated state) can be maintained.

【0032】図6は、低温のオゾン水を高温の基板Wに
供給した状態を示す図である。ここでは、供給されるオ
ゾン水OWの温度をT1とし、基板Wおよびそれに付着
するレジストRの温度をT2とする(但し、T2>T
1)。低温・高オゾン濃度の飽和オゾン水OWが高温の
基板Wに供給され、レジストRに接触すると、基板Wお
よびレジストRからオゾン水OWに向けて熱伝導が生
じ、レジストRとオゾン水OWとの界面近傍の局所的な
領域において、オゾン水OWの温度が上昇する。供給さ
れるオゾン水OWは飽和状態であるため、その温度がT
1よりも上昇すると過飽和オゾン水となる。
FIG. 6 is a diagram showing a state in which low-temperature ozone water is supplied to a high-temperature substrate W. Here, the temperature of the supplied ozone water OW is T1, and the temperature of the substrate W and the resist R attached thereto is T2 (where T2> T
1). When the low temperature / high ozone concentration saturated ozone water OW is supplied to the high temperature substrate W and comes into contact with the resist R, heat conduction occurs from the substrate W and the resist R toward the ozone water OW. In a local region near the interface, the temperature of the ozone water OW rises. Since the supplied ozone water OW is in a saturated state, its temperature is T
If it rises above 1, it becomes supersaturated ozone water.

【0033】つまり、レジストRに直接接触するレジス
トRとオゾン水OWとの界面近傍のローカルな領域にお
いては、一時的に過飽和オゾン水が生成されることとな
り、この過飽和オゾン水によって基板Wに付着したレジ
ストRが分解・除去されるのである。レジストRとオゾ
ン水OWとの界面近傍に生成された過飽和オゾン水のオ
ゾン濃度は、吐出ノズル20から供給されるオゾン水
(オゾン水発生器50によって生成されたオゾン水)と
同じ高濃度であり、しかもその温度はT1よりも高温で
ある。すなわち、オゾン濃度が高く、かつ温度の高いオ
ゾン水が基板Wに付着した有機物に接触することとなる
ため、基板Wに付着した有機物を迅速に分解することが
できるのである。
That is, in a local region near the interface between the resist R and the ozone water OW which is in direct contact with the resist R, supersaturated ozone water is generated temporarily, and the supersaturated ozone water adheres to the substrate W. The resist R is decomposed and removed. The ozone concentration of the supersaturated ozone water generated near the interface between the resist R and the ozone water OW is as high as that of the ozone water supplied from the discharge nozzle 20 (the ozone water generated by the ozone water generator 50). Moreover, the temperature is higher than T1. That is, since the ozone water having a high ozone concentration and a high temperature comes into contact with the organic matter attached to the substrate W, the organic matter attached to the substrate W can be rapidly decomposed.

【0034】これを図5を参照しつつさらに説明する
と、レジストRとオゾン水OWとの界面近傍のローカル
な領域においてはオゾン水OWが加熱されて過飽和オゾ
ン水となり、温度とオゾン濃度との相関を示す一点鎖線
L2が高温側にシフトして実線L4に移動する。つま
り、当該領域のオゾン水については実際の溶解度を超え
た実線L4にて示すような温度とオゾン濃度との相関関
係となっている。従って、有機物分解速度(L1)およ
びオゾン濃度(L4)の双方に対する温度の影響を包含
した実際の有機物分解速度も図中の実線L5のようにな
る。この有機物分解速度も温度に対して上に凸の曲線と
なり、曲線L5における有機物分解速度が最大となる点
P2が基板洗浄に最適な点である。従って、本実施形態
においては、基板Wの温度を点P2に対応する温度とす
れば有機物分解速度を最高にすることができる。図5に
示すように、点P2の有機物分解速度は点P1の有機物
分解速度よりも速くなっており、基板Wに付着した有機
物を従来よりも迅速に分解できる。
This will be further described with reference to FIG. 5. In a local region near the interface between the resist R and the ozone water OW, the ozone water OW is heated to become supersaturated ozone water, and the correlation between the temperature and the ozone concentration is obtained. Is shifted to the high temperature side and moves to the solid line L4. That is, the ozone water in the region has a correlation between the temperature and the ozone concentration as indicated by a solid line L4 exceeding the actual solubility. Accordingly, the actual organic substance decomposition rate including the effect of temperature on both the organic substance decomposition rate (L1) and the ozone concentration (L4) is as shown by the solid line L5 in the figure. The decomposition rate of the organic substance also becomes a curve protruding upward with respect to the temperature, and the point P2 in the curve L5 where the decomposition rate of the organic substance is the maximum is the optimum point for the substrate cleaning. Therefore, in the present embodiment, if the temperature of the substrate W is set to a temperature corresponding to the point P2, the organic matter decomposition rate can be maximized. As shown in FIG. 5, the decomposition rate of the organic substance at the point P2 is higher than the decomposition rate of the organic substance at the point P1, and the organic substances attached to the substrate W can be decomposed more rapidly than in the related art.

【0035】ところで、オゾン水OWの温度T1と基板
Wおよびそれに付着するレジストRの温度T2との温度
差が比較的小さい場合は、上述のように界面近傍のロー
カルな領域において過飽和オゾン水が生成されるが、そ
の温度差が比較的大きい場合には図6に示すようにオゾ
ンの発泡が生じる場合がある。このような発泡は、過飽
和状態を維持できなくなったオゾン水が飽和状態に戻る
ときに起きる現象である。発泡が生じると、オゾン水O
Wのオゾン濃度がその温度での溶解度にまで低下する。
When the temperature difference between the temperature T1 of the ozone water OW and the temperature T2 of the substrate W and the resist R attached thereto is relatively small, supersaturated ozone water is generated in a local region near the interface as described above. However, if the temperature difference is relatively large, ozone foaming may occur as shown in FIG. Such foaming is a phenomenon that occurs when ozone water that cannot maintain a supersaturated state returns to a saturated state. When foaming occurs, ozone water O
The ozone concentration of W drops to its solubility at that temperature.

【0036】しかしながら、このような泡状のオゾンガ
スは、有機物の分解に消費されたオゾン水中のオゾンを
補償する役割を有する。すなわち、有機物の分解は酸化
反応によって進行されるものであり、分解された有機物
の量に応じてオゾン水中のオゾンが消費され、上記界面
近傍におけるローカル領域のオゾン水OWのオゾン濃度
が溶解度よりも低下する。このようなオゾン濃度が溶解
度よりも低下したオゾン水OWに発泡したオゾンガスが
再溶解し、オゾン水OWのオゾン濃度を溶解度まで(飽
和状態まで)戻すのである。
However, such a bubble-like ozone gas has a role of compensating ozone in ozone water consumed for decomposing organic substances. That is, the decomposition of the organic matter is caused by the oxidation reaction, the ozone in the ozone water is consumed according to the amount of the decomposed organic matter, and the ozone concentration of the ozone water OW in the local region near the interface is higher than the solubility. descend. The ozone gas foamed in the ozone water OW in which the ozone concentration is lower than the solubility is redissolved, and the ozone concentration of the ozone water OW is returned to the solubility (to a saturated state).

【0037】従って、発泡したオゾンガスも無駄になる
のではなく、再溶解して有機物の分解に寄与することと
なるため、オゾン水OWのオゾン濃度が長期間にわたっ
て溶解度に維持される(飽和状態に維持される)ことと
なり、基板Wに付着した有機物を従来よりも迅速に分解
することができる。
Therefore, the foamed ozone gas is not wasted, but is redissolved and contributes to the decomposition of the organic matter. Therefore, the ozone concentration of the ozone water OW is maintained at the solubility for a long period of time (at a saturated state). Thus, the organic substances attached to the substrate W can be decomposed more quickly than before.

【0038】<2.第2実施形態>図7は、本発明に係
る基板処理装置の他の例の要部構成を示す図である。こ
の基板処理装置も基板にオゾン水を吐出することによっ
て基板に付着したレジスト等の有機物等を除去するオゾ
ン水洗浄装置であり、オゾン水供給手段として雰囲気遮
断板25を用いるとともに、加熱手段としてランプヒー
タ70を用い、さらにスピンベース10と雰囲気遮断板
25との間に流体抵抗付与手段たるラビリンス機構80
を設けている。
<2. Second Embodiment> FIG. 7 is a diagram showing a main part configuration of another example of the substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is also an ozone water cleaning apparatus that removes organic substances such as resist adhering to the substrate by discharging ozone water onto the substrate, and uses an atmosphere blocking plate 25 as an ozone water supply means and a lamp as a heating means. A labyrinth mechanism 80 as a fluid resistance applying means is provided between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 using the heater 70.
Is provided.

【0039】基板の保持手段たるスピンベース10は、
保持する基板Wの平面サイズよりも大きな平面サイズを
有する載置台であり、第1実施形態と同様に、その上面
に立設された複数の保持ピン15によって基板Wの端縁
部を把持することにより1枚の基板Wを略水平姿勢にて
保持する。また、スピンベース10はモータ軸11を介
してモータ(図示省略)と接続され、略水平面内にて回
転可能とされている。
The spin base 10, which is a means for holding the substrate,
This is a mounting table having a plane size larger than the plane size of the substrate W to be held. Like the first embodiment, the edge of the substrate W is gripped by the plurality of holding pins 15 erected on the upper surface thereof. Holds one substrate W in a substantially horizontal posture. The spin base 10 is connected to a motor (not shown) via a motor shaft 11 and is rotatable in a substantially horizontal plane.

【0040】雰囲気遮断板25は、スピンベース10に
保持された基板Wを挟んでスピンベース10と対向配置
され、基板Wの平面サイズよりも大きな平面サイズを有
する中空の板状部材である。雰囲気遮断板25は、光を
良好に透過する材質(例えば石英)にて構成されてい
る。また、雰囲気遮断板25は配管40を介してオゾン
水発生器50(図1に示したのと同じもの)と接続され
るとともに、その底部には多数の小孔26が設けられて
いる。オゾン水発生器50から送給されたオゾン水は雰
囲気遮断板25の内部を流れ、多数の小孔26から基板
Wを保持するスピンベース10と雰囲気遮断板25との
間の空間に供給される。
The atmosphere shielding plate 25 is a hollow plate-shaped member which is disposed to face the spin base 10 with the substrate W held by the spin base 10 therebetween and has a plane size larger than the plane size of the substrate W. The atmosphere shielding plate 25 is made of a material (for example, quartz) that transmits light well. The atmosphere blocking plate 25 is connected to an ozone water generator 50 (the same as that shown in FIG. 1) through a pipe 40, and has a number of small holes 26 at the bottom thereof. The ozone water sent from the ozone water generator 50 flows inside the atmosphere blocking plate 25 and is supplied from a number of small holes 26 to the space between the spin base 10 holding the substrate W and the atmosphere blocking plate 25. .

【0041】ランプヒータ70は、図外の電源に接続さ
れ、その電源からの電力供給によって光照射を行う光源
である。ランプヒータ70は、基板Wに向けて光を照射
し、光照射にともなう輻射熱によって基板Wを直接加熱
する輻射熱加熱手段である。
The lamp heater 70 is a light source that is connected to a power supply (not shown) and emits light by supplying power from the power supply. The lamp heater 70 is a radiant heat heating unit that irradiates light to the substrate W and directly heats the substrate W by radiant heat accompanying the light irradiation.

【0042】ランプヒータ70と雰囲気遮断板25との
間にはUVカットフィルタ71が配置されている。UV
カットフィルタ71は、ランプヒータ70から照射され
る光のうち紫外線を遮断するとともに、他の波長の光は
透過する部材である。ランプヒータ70から照射される
光のうち紫外線のみを遮断するのは、紫外線がオゾンを
分解して酸素に変化させるからである。また、雰囲気遮
断板25を石英等によって構成しているのは、ランプヒ
ータ70から照射される光を基板Wに向けて透過させる
ためである。
A UV cut filter 71 is arranged between the lamp heater 70 and the atmosphere blocking plate 25. UV
The cut filter 71 is a member that blocks ultraviolet light of light emitted from the lamp heater 70 and transmits light of other wavelengths. The reason that only the ultraviolet light out of the light emitted from the lamp heater 70 is blocked is that the ultraviolet light decomposes ozone and changes it into oxygen. The reason why the atmosphere blocking plate 25 is made of quartz or the like is to transmit light emitted from the lamp heater 70 toward the substrate W.

【0043】ラビリンス機構80は、スピンベース10
に保持された基板Wの外周であって、スピンベース10
と雰囲気遮断板25との間に設けられている。ラビリン
ス機構80は、スピンベース10上に設けられた3つの
固定板81と雰囲気遮断板25の下部に設けられた2つ
の固定板82とを交互に組み合わせて構成されている。
図7に示すように、雰囲気遮断板25とスピンベース1
0との間の空間は外部空間と連通されているものの、ラ
ビリンス機構80が流体の通過を抑制する通過障害とし
て存在している。すなわち、小孔26からスピンベース
10と雰囲気遮断板25との間の空間に供給されたオゾ
ン水はラビリンス機構80を通過して外部へ流れ出るの
であるが、ラビリンス機構80がそのオゾン水流に対す
る流体抵抗となっているのである。なお、流体抵抗とな
り得るものであればラビリンス機構80に代えて、例え
ば細管を設けるようにしても良い。
The labyrinth mechanism 80 includes the spin base 10
Outer periphery of the substrate W held by the spin base 10
And the atmosphere blocking plate 25. The labyrinth mechanism 80 is configured by alternately combining three fixed plates 81 provided on the spin base 10 and two fixed plates 82 provided below the atmosphere blocking plate 25.
As shown in FIG. 7, the atmosphere shielding plate 25 and the spin base 1
Although the space between 0 and 0 is communicated with the external space, the labyrinth mechanism 80 exists as a passage obstacle that suppresses the passage of the fluid. That is, the ozone water supplied from the small holes 26 to the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 flows through the labyrinth mechanism 80 and flows out to the outside. It is. Note that a thin tube may be provided in place of the labyrinth mechanism 80 as long as it can be a fluid resistance.

【0044】上記以外の構成(例えば、オゾン水発生器
50)については第1実施形態と同じであり、その説明
は省略する。
The configuration other than the above (for example, the ozone water generator 50) is the same as that of the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0045】第2実施形態の装置におけるオゾン水によ
る洗浄処理の手順は第1実施形態と同様のものである。
すなわち、オゾン水発生器50にてオゾン水が生成さ
れ、そのオゾン水が配管40を経て雰囲気遮断板25の
小孔26からスピンベース10と雰囲気遮断板25との
間の空間に供給される。供給されたオゾン水は基板Wの
外周へ向かう液流を形成し、ラビリンス機構80を通過
して外部へと流れ出る。オゾン水が基板Wに供給される
ときには、ランプヒータ70からの光照射が行われ、輻
射熱によって基板Wが加熱されている。このときに、供
給されるオゾン水よりも高い温度に基板Wが加熱されて
いるのは上記第1実施形態と同じである。
The procedure of the cleaning process using ozone water in the apparatus of the second embodiment is the same as that of the first embodiment.
That is, ozone water is generated in the ozone water generator 50, and the ozone water is supplied to the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 from the small holes 26 of the atmosphere blocking plate 25 via the pipe 40. The supplied ozone water forms a liquid flow toward the outer periphery of the substrate W, and flows out through the labyrinth mechanism 80 to the outside. When ozone water is supplied to the substrate W, light irradiation from the lamp heater 70 is performed, and the substrate W is heated by radiant heat. At this time, the substrate W is heated to a temperature higher than the supplied ozone water as in the first embodiment.

【0046】低温のオゾン水をそれよりも高温の基板W
に供給することによる効果は上述した通りであり、基板
Wに付着した有機物を従来よりも迅速に分解することが
できる。
The low-temperature ozone water is replaced with the substrate W having a higher temperature.
The effect of supplying to the substrate W is as described above, and the organic substances attached to the substrate W can be decomposed more quickly than in the past.

【0047】また、第2実施形態においては、ラビリン
ス機構80が流体抵抗となるため、ラビリンス機構80
から装置外部に流れ出るオゾン水量よりも雰囲気遮断板
25から供給されるオゾン水量の方が多くなり、スピン
ベース10と雰囲気遮断板25との間の空間にはオゾン
水が満たされた状態となる。そして、雰囲気遮断板25
からさらにオゾン水が供給されるとスピンベース10と
雰囲気遮断板25との間の空間に大気圧よりも高い圧力
が付与される。
In the second embodiment, since the labyrinth mechanism 80 has fluid resistance, the labyrinth mechanism 80
The amount of ozone water supplied from the atmosphere blocking plate 25 is larger than the amount of ozone water flowing out of the apparatus from outside, and the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 is filled with ozone water. Then, the atmosphere shielding plate 25
When the ozone water is further supplied from, a pressure higher than the atmospheric pressure is applied to the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25.

【0048】従って、オゾン水発生器50から過飽和に
オゾンが溶解した過飽和オゾン水を供給したとしても、
スピンベース10と雰囲気遮断板25との間の空間にお
けるオゾンの発泡を抑制することができ、基板Wと接す
るオゾン水のオゾン濃度の低下を防止することができ
る。よって、第1実施形態よりも高いオゾン濃度のオゾ
ン水によって基板Wの表面洗浄を行うことができ、基板
Wに付着した有機物をより迅速に分解することができ
る。
Therefore, even if supersaturated ozone water in which ozone is dissolved in supersaturation is supplied from the ozone water generator 50,
Bubbling of ozone in the space between the spin base 10 and the atmosphere blocking plate 25 can be suppressed, and a decrease in ozone concentration of ozone water in contact with the substrate W can be prevented. Therefore, the surface of the substrate W can be cleaned with ozone water having a higher ozone concentration than in the first embodiment, and organic substances attached to the substrate W can be more quickly decomposed.

【0049】<3.変形例>以上、本発明の実施の形態
について説明したが、この発明は上記の例に限定される
ものではない。例えば、第1実施形態において誘導加熱
コイル60に代えて第2実施形態のランプヒータ70を
加熱手段として用いても良い。逆に、第2実施形態にお
いてランプヒータ70に代えて第1実施形態の誘導加熱
コイル60または抵抗発熱体を加熱手段として用いても
良い。この場合、雰囲気遮断板25の材質は石英に限ら
ず、光を透過しないセラミックや樹脂であっても良い。
すなわち、第1実施形態または第2実施形態のいずれで
あっても、供給されるオゾン水よりも高い温度に基板W
を加熱できる加熱手段を設けていれば良い。
<3. Modifications> While the preferred embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the above-described examples. For example, the lamp heater 70 of the second embodiment may be used as a heating unit instead of the induction heating coil 60 in the first embodiment. Conversely, in the second embodiment, instead of the lamp heater 70, the induction heating coil 60 or the resistance heating element of the first embodiment may be used as a heating unit. In this case, the material of the atmosphere shielding plate 25 is not limited to quartz, but may be ceramic or resin that does not transmit light.
That is, in either the first embodiment or the second embodiment, the substrate W is heated to a higher temperature than the supplied ozone water.
What is necessary is just to provide the heating means which can heat.

【0050】誘導加熱コイル60または抵抗発熱体を加
熱手段として用いた場合は、スピンベース10を介して
間接的に基板Wを加熱しているため、スピンベース10
の温度を基板Wよりも相当高温にしなければならず、熱
のロスが大きくなるものの、オゾン水は基板Wに接触す
るまで全く加熱されることがない。従って、基板Wに供
給されるよりも前におけるオゾン発泡によるオゾン濃度
の低下を防止することができ、低温・高オゾン濃度のオ
ゾン水を高温の基板Wに供給することができる。
When the induction heating coil 60 or the resistance heating element is used as a heating means, the substrate W is indirectly heated via the spin base 10.
Must be considerably higher than the temperature of the substrate W, and the heat loss increases, but the ozone water is not heated at all until it comes into contact with the substrate W. Accordingly, it is possible to prevent a decrease in ozone concentration due to ozone foaming before the substrate W is supplied, and to supply ozone water having a low temperature and a high ozone concentration to the substrate W having a high temperature.

【0051】一方、ランプヒータ70を加熱手段として
用いた場合は、光照射による輻射熱によって供給された
オゾン水自体が加熱され、オゾン発泡によるオゾン濃度
の低下(オゾンロス)が若干生じるものの、加熱方式が
簡単であり、基板Wを容易に均一に加熱することができ
る。しかも、基板Wを直接加熱することができるため、
熱のロスも最小限に抑制することができる。
On the other hand, when the lamp heater 70 is used as a heating means, the supplied ozone water itself is heated by radiant heat due to light irradiation, and the ozone concentration is slightly reduced (ozone loss) due to ozone foaming. It is simple and can easily and uniformly heat the substrate W. Moreover, since the substrate W can be directly heated,
Heat loss can also be minimized.

【0052】また、第2実施形態においては、雰囲気遮
断板25の底部に多数の小孔26を設けていたが、これ
に代えて雰囲気遮断板25の底部に配管40に直接つな
がる1つの吐出口を設け、その吐出口からオゾン水を供
給するようにしても良い。
In the second embodiment, a large number of small holes 26 are provided at the bottom of the atmosphere shielding plate 25. Instead, one discharge port directly connected to the pipe 40 is provided at the bottom of the atmosphere shielding plate 25. And ozone water may be supplied from the discharge port.

【0053】また、供給するオゾン水を必ずしも飽和オ
ゾン水とする必要はなく、溶解度以下のオゾン水として
も良い。もっとも、飽和オゾン水を供給した方がより高
オゾン濃度であるため、基板Wに付着した有機物をより
迅速に分解することができる。
Further, the ozone water to be supplied does not necessarily need to be saturated ozone water, but may be ozone water having a solubility equal to or lower than the solubility. However, since the supply of the saturated ozone water has a higher ozone concentration, the organic substances attached to the substrate W can be decomposed more quickly.

【0054】[0054]

【発明の効果】以上、説明したように、請求項1の発明
によれば、オゾン水供給手段によって供給されるオゾン
水よりも高い温度に基板を加熱しているため、低温高オ
ゾン濃度のオゾン水を高温の基板に供給していることと
なり、基板に接触したオゾン水が加熱されてオゾン濃度
が高くかつ温度の高いオゾン水が基板に付着した有機物
に接触することとなるため、基板に付着した有機物を迅
速に分解することができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the substrate is heated to a higher temperature than the ozone water supplied by the ozone water supply means, the ozone having a low temperature and a high ozone concentration can be obtained. Since the water is supplied to the high-temperature substrate, the ozone water in contact with the substrate is heated, and the ozone water having a high ozone concentration and high temperature comes into contact with the organic substances adhered to the substrate. The decomposed organic matter can be rapidly decomposed.

【0055】また、請求項2の発明によれば、流体の通
過を抑制する流体抵抗付与手段を設けているため、載置
台と雰囲気遮断板との間の空間に大気圧よりも高い圧力
を付与することができ、その結果、過飽和のオゾン水を
供給することができ、基板に付着した有機物をより迅速
に分解することができる。
According to the second aspect of the present invention, since the fluid resistance applying means for suppressing the passage of the fluid is provided, a pressure higher than the atmospheric pressure is applied to the space between the mounting table and the atmosphere blocking plate. As a result, supersaturated ozone water can be supplied, and organic substances attached to the substrate can be decomposed more quickly.

【0056】また、請求項3の発明によれば、保持手段
を加熱することによって基板を加熱しているため、基板
に供給されるよりも前にオゾン水が加熱されることはな
く、オゾンの発泡によるオゾン濃度の低下を防止するこ
とができる。
According to the third aspect of the present invention, since the substrate is heated by heating the holding means, the ozone water is not heated before being supplied to the substrate. A decrease in ozone concentration due to foaming can be prevented.

【0057】また、請求項4の発明によれば、輻射熱に
よって保持手段に保持された基板を直接加熱しているた
め、基板を容易に均一に加熱することができ、しかも、
基板熱のロスを最小限に抑制することができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the substrate held by the holding means is directly heated by radiant heat, the substrate can be easily and uniformly heated.
Substrate heat loss can be minimized.

【0058】また、請求項5の発明によれば、供給され
るオゾン水は飽和オゾン水であるため、基板に付着した
有機物をより迅速に分解することができる。
According to the fifth aspect of the present invention, since the supplied ozone water is saturated ozone water, it is possible to decompose organic substances attached to the substrate more quickly.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一例の全体構成を
示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an overall configuration of an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】オゾン水中のオゾン濃度と有機物分解速度との
相関を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a correlation between an ozone concentration in ozone water and an organic matter decomposition rate.

【図3】オゾン水の温度と有機物分解速度との相関を示
す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the correlation between the temperature of ozone water and the decomposition rate of organic substances.

【図4】オゾン水の温度とオゾン水中のオゾン濃度との
相関を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing the correlation between the temperature of ozone water and the concentration of ozone in ozone water.

【図5】オゾン水の温度およびオゾン濃度を考慮した実
際の有機物分解速度を説明するための図である。
FIG. 5 is a diagram for explaining an actual organic matter decomposition rate in consideration of the temperature and ozone concentration of ozone water.

【図6】低温のオゾン水を高温の基板に供給した状態を
示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a state in which low-temperature ozone water is supplied to a high-temperature substrate.

【図7】本発明に係る基板処理装置の他の例の要部構成
を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing a main part configuration of another example of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 スピンベース 20 吐出ノズル 25 雰囲気遮断板 60 誘導加熱コイル 70 ランプヒータ 80 ラビリンス機構 OW オゾン水 R レジスト W 基板 Reference Signs List 10 spin base 20 discharge nozzle 25 atmosphere blocking plate 60 induction heating coil 70 lamp heater 80 labyrinth mechanism OW ozone water R resist W substrate

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板にオゾン水を供給することによって
当該基板の処理を行う基板処理装置であって、 基板を保持する保持手段と、 前記保持手段によって保持された基板にオゾン水を供給
するオゾン水供給手段と、 前記オゾン水供給手段によって供給されるオゾン水より
も高い温度に前記基板を加熱する加熱手段と、を備える
ことを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying ozone water to the substrate, comprising: holding means for holding the substrate; and ozone for supplying ozone water to the substrate held by the holding means. A substrate processing apparatus comprising: a water supply unit; and a heating unit that heats the substrate to a temperature higher than ozone water supplied by the ozone water supply unit.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記保持手段は、保持する基板の平面サイズよりも大き
な平面サイズを有する載置台であり、 前記オゾン水供給手段は、前記載置台に保持された基板
を挟んで前記載置台と対向配置され、前記基板の平面サ
イズよりも大きな平面サイズを有する雰囲気遮断板を含
むとともに、基板を保持する前記載置台と前記雰囲気遮
断板との間にオゾン水を供給し、 前記載置台に保持された基板の外周であって、前記載置
台と前記雰囲気遮断板との間に流体の通過を抑制する流
体抵抗付与手段を設けることを特徴とする基板処理装
置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the holding unit is a mounting table having a plane size larger than a plane size of the substrate to be held, and the ozone water supply unit is held on the mounting table. An atmosphere blocking plate that is disposed to face the mounting table with the substrate sandwiched therebetween and has a plane size larger than the plane size of the substrate, and that ozone is placed between the mounting table and the atmosphere blocking plate that hold the substrate. A substrate processing unit that supplies water and is provided on a periphery of the substrate held by the mounting table, wherein a fluid resistance applying unit that suppresses passage of a fluid is provided between the mounting table and the atmosphere blocking plate. apparatus.
【請求項3】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、前記加熱手段は、 前記保持手段を加熱することによって基板を加熱する保
持手段加熱手段を含むことを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit includes a holding unit heating unit configured to heat the substrate by heating the holding unit. apparatus.
【請求項4】 請求項1または請求項2に記載の基板処
理装置において、 前記加熱手段は、 輻射熱によって前記保持手段に保持された基板を直接加
熱する輻射熱加熱手段を含むことを特徴とする基板処理
装置。
4. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the heating unit includes a radiant heat heating unit that directly heats the substrate held by the holding unit by radiant heat. Processing equipment.
【請求項5】 請求項1から請求項4のいずれかに記載
の基板処理装置において、 前記オゾン水供給手段によって供給されるオゾン水は飽
和オゾン水であることを特徴とする基板処理装置。
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the ozone water supplied by the ozone water supply means is a saturated ozone water.
JP2000146308A 2000-05-18 2000-05-18 Substrate treating device Pending JP2001326210A (en)

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