JP2001319776A - Preparing method of el panel - Google Patents
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はＥＬ（エレクトロル
ミネッセンス）素子を基板上に作り込んで形成された電
子ディスプレイ（ＥＬディスプレイ）の作製方法に関す
る。特に、ＥＬディスプレイが有するＥＬパネルのセル
組立技術に関する。The present invention relates to a method for manufacturing an electronic display (EL display) formed by forming an EL (electroluminescence) element on a substrate. In particular, the present invention relates to a technique for assembling cells of an EL panel included in an EL display.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、基板上にＴＦＴを形成する技術が
大幅に進歩し、アクティブマトリクス型の電子ディスプ
レイへの応用開発が進められている。特に、ポリシリコ
ン膜を用いたＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜
を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度（モビリティとも
いう）が高いので、高速動作が可能である。そのため、
従来基板の外に設けられた駆動回路で行っていた画素の
制御を、画素と同一の基板上に形成した駆動回路で行う
ことが可能となっている。2. Description of the Related Art In recent years, the technology for forming a TFT on a substrate has been greatly advanced, and its application to an active matrix type electronic display has been developed. In particular, a TFT using a polysilicon film has higher field-effect mobility (also referred to as mobility) than a TFT using a conventional amorphous silicon film, and thus can operate at high speed. for that reason,
The control of pixels, which has been performed by a drive circuit provided outside the substrate in the related art, can be performed by a drive circuit formed on the same substrate as the pixels.
【０００３】このようなアクティブマトリクス型の電子
ディスプレイは、同一基板上に様々な回路や素子を作り
込むことで製造コストの低減、電子ディスプレイの小型
化、歩留まりの上昇、スループットの低減など、様々な
利点が得られる。[0003] Such an active matrix type electronic display can be manufactured by various circuits and elements on the same substrate to reduce various manufacturing costs, downsize the electronic display, increase the yield, and reduce the throughput. Benefits are obtained.
【０００４】そしてさらに、自発光型素子としてＥＬ素
子を有したアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイ
の研究が活発化している。ＥＬディスプレイは有機ＥＬ
ディスプレイ（ＯＥＬＤ：Organic EL Display）又は有
機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Organi
c Light Emitting Diode）とも呼ばれている。Further, active matrix EL displays having EL elements as self-luminous elements have been actively studied. EL display is organic EL
Display (OELD: Organic EL Display) or Organic Light Emitting Diode (OLED: Organic)
c Light Emitting Diode).
【０００５】ＥＬディスプレイは、液晶ディスプレイと
異なり自発光型である。ＥＬ素子は一対の電極（陽極と
陰極）間にＥＬ層が挟まれた構造となっているが、ＥＬ
層は通常、積層構造となっている。代表的には、コダッ
ク・イーストマン・カンパニーのTangらが提案した「正
孔輸送層／発光層／電子輸送層」という積層構造が挙げ
られる。この構造は非常に発光効率が高く、現在、研究
開発が進められているＥＬディスプレイは殆どこの構造
を採用している。An EL display is a self-luminous type unlike a liquid crystal display. An EL element has a structure in which an EL layer is sandwiched between a pair of electrodes (anode and cathode).
The layers usually have a laminated structure. A typical example is a laminated structure of “hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer” proposed by Tang et al. Of Kodak Eastman Company. This structure has a very high luminous efficiency, and almost all EL displays currently under research and development adopt this structure.
【０００６】また他にも、陽極上に正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層、または正孔注入層／正孔輸
送層／発光層／電子輸送層／電子注入層の順に積層する
構造でも良い。発光層に対して蛍光性色素等をドーピン
グしても良い。In addition, a hole injection layer / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer, or a hole injection layer / hole transport layer / light-emitting layer / electron transport layer / electron injection layer may be provided on the anode. A structure in which layers are sequentially stacked may be used. The light emitting layer may be doped with a fluorescent dye or the like.
【０００７】本明細書において陰極と陽極の間に設けら
れる全ての層を総称してＥＬ層と呼ぶ。よって上述した
正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注
入層等は、全てＥＬ層に含まれる。In this specification, all layers provided between a cathode and an anode are collectively called an EL layer. Therefore, the above-described hole injection layer, hole transport layer, light-emitting layer, electron transport layer, electron injection layer, and the like are all included in the EL layer.
【０００８】そして、上記構造でなるＥＬ層に一対の電
極から所定の電圧をかけ、それにより発光層においてキ
ャリアの再結合が起こって発光する。なお本明細書にお
いてＥＬ素子が発光することを、ＥＬ素子が駆動すると
呼ぶ。また、本明細書中では、陽極、ＥＬ層及び陰極で
形成される発光素子をＥＬ素子と呼ぶ。Then, a predetermined voltage is applied to the EL layer having the above structure from a pair of electrodes, whereby recombination of carriers occurs in the light emitting layer to emit light. Note that in this specification, emission of an EL element is referred to as driving of the EL element. In this specification, a light-emitting element including an anode, an EL layer, and a cathode is referred to as an EL element.
【０００９】図６に一般的なＥＬパネルの構成を示す。
図６（Ａ）はＥＬパネルの上面図であり、図６（Ｂ）は
Ａ−Ａ’における断面図である。FIG. 6 shows the structure of a general EL panel.
FIG. 6A is a top view of the EL panel, and FIG. 6B is a cross-sectional view along AA ′.
【００１０】図６（Ａ）、（Ｂ）において、４００１は
基板、４００２は画素部、４００３はソース信号線駆動
回路、４００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線４００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）４００６に至り、外部機器へと
接続される。6A and 6B, reference numeral 4001 denotes a substrate; 4002, a pixel portion; 4003, a source signal line driving circuit; and 4004, a gate signal line driving circuit. An FPC (flexible print circuit) 4006 is reached and connected to an external device.
【００１１】基板４００１の上にソース信号線駆動回路
４００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここではｎチャ
ネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示している。）
４２０１及び画素部４００２に含まれる電流制御用ＴＦ
Ｔ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）４２０２が形
成されている。なおここでは画素部が有するＴＦＴとし
て電流制御用ＴＦＴ４２０２のみ示しているが、電流制
御用ＴＦＴ４２０２以外にＴＦＴを有していても良い。A driving TFT included in a source signal line driving circuit 4003 on a substrate 4001 (here, an n-channel TFT and a p-channel TFT are illustrated).
4201 and current control TF included in pixel portion 4002
A T (TFT for controlling current to the EL element) 4202 is formed. Although only the current control TFT 4202 is shown here as a TFT included in the pixel portion, a TFT may be provided in addition to the current control TFT 4202.
【００１２】駆動ＴＦＴ４２０１及び電流制御用ＴＦＴ
４２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）４３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ４
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）４３０２が形成される。画素電極４３０２としては
仕事関数が大きく、光を透過することが可能な透明導電
膜が用いられる。Driving TFT 4201 and current controlling TFT
An interlayer insulating film (planarization film) 4301 made of a resin material is formed on 4202, and a current controlling TFT 4301 is formed thereon.
A pixel electrode (anode) 4302 electrically connected to the drain region 202 is formed. As the pixel electrode 4302, a transparent conductive film which has a high work function and can transmit light is used.
【００１３】そして、画素電極４３０２の上には絶縁膜
４３０３が形成され、絶縁膜４３０３は画素電極４３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極４３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層４３０４が形成される。Then, an insulating film 4303 is formed on the pixel electrode 4302, and the insulating film 4303 is formed on the pixel electrode 430.
2, an opening is formed. In this opening, an EL (electroluminescence) layer 4304 is formed on the pixel electrode 4302.
【００１４】ＥＬ層４３０４の上には遮光性を有する導
電膜からなる陰極４３０５が形成される。このように、
画素電極（陽極）４３０２、ＥＬ層４３０４及び陰極４
３０５からＥＬ素子が形成されている。そして陰極４３
０５は４３０６で示される領域において配線４００５に
電気的に接続される。配線４００５は陰極４３０５に所
定の電圧を与えるための配線であり、異方導電性フィル
ム４３０７を介してＦＰＣ４００６に電気的に接続され
る。On the EL layer 4304, a cathode 4305 made of a light-shielding conductive film is formed. in this way,
Pixel electrode (anode) 4302, EL layer 4304, and cathode 4
From 305, an EL element is formed. And the cathode 43
05 is electrically connected to the wiring 4005 in a region indicated by 4306. A wiring 4005 is a wiring for applying a predetermined voltage to the cathode 4305, and is electrically connected to the FPC 4006 via the anisotropic conductive film 4307.
【００１５】画素部４００２、ソース信号線駆動回路４
００３及びゲート信号線駆動回路４００４を覆うように
してシール材４１０１が設けられている。そしてシール
材４１０１上にカバー材４１０２が設けられている。Ｅ
Ｌ素子からの光の放射方向がカバー材４１０２側に向か
う場合には、カバー材は透明でなければならない。また
ＥＬ素子からの光の放射方向が基板４００１側に向かう
場合には基板は透明でなければならない。Pixel unit 4002, source signal line drive circuit 4
A seal member 4101 is provided so as to cover the gate signal line driver circuit 4003 and the gate signal line driver circuit 4004. A cover material 4102 is provided over the seal material 4101. E
When the direction of light emission from the L element is directed toward the cover member 4102, the cover member must be transparent. When the direction of light emission from the EL element is directed toward the substrate 4001, the substrate must be transparent.
【００１６】ＥＬディスプレイを実用化する上で問題と
なっているのが、水分や酸素によってＥＬ層の劣化が促
進されることである。しかしこのように、ＥＬ素子、特
にＥＬ層４３０４をシール材４１０１によって基板４０
０１とカバー材４１０２の間に封入することで、水分や
酸素によりＥＬ層の劣化が促進されるのを防ぐことがで
きる。A problem in putting the EL display into practical use is that the deterioration of the EL layer is promoted by moisture or oxygen. However, as described above, the EL element, in particular, the EL layer
By enclosing the EL layer between the cover material 4 and the cover material 4102, deterioration of the EL layer due to moisture or oxygen can be prevented from being promoted.
【００１７】[0017]
【発明が解決しようとする課題】図６に示したＥＬパネ
ルに用いられるシール材４１０１として、一般的に熱硬
化樹脂または紫外線硬化樹脂が用いられている。熱硬化
樹脂は、熱を加えることによって硬化する樹脂であり、
紫外線硬化樹脂は紫外線を照射することによって硬化す
る樹脂である。As the sealing material 4101 used for the EL panel shown in FIG. 6, a thermosetting resin or an ultraviolet curable resin is generally used. Thermosetting resin is a resin that is cured by applying heat,
An ultraviolet curable resin is a resin that is cured by irradiating ultraviolet rays.
【００１８】紫外線硬化樹脂は、熱硬化樹脂に比べて硬
化する時間が短く、保存安定性に優れている。The ultraviolet curing resin has a shorter curing time than the thermosetting resin, and is excellent in storage stability.
【００１９】図６に示したＥＬパネルのシール材４１０
１として紫外線硬化樹脂を用い、シール材４１０１によ
って基板４００１とカバー材４１０２の間にＥＬ素子を
封入する工程について、詳しく説明するThe sealing material 410 of the EL panel shown in FIG.
The step of enclosing the EL element between the substrate 4001 and the cover material 4102 with the sealing material 4101 using an ultraviolet curable resin as 1 will be described in detail.
【００２０】図７（Ａ）に、シール材の硬化を行うチャ
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体７０１の内部に固
定台７０２が設けられており、固定台７０２の上にＥＬ
パネル７０４が設置される。固定台７０２の下方に紫外
光を発する光源７０５が設けられている。ＥＬパネル７
０４と光源７０５との間には、石英ガラス等の透過性を
有する透過窓７０３が設けられており、光源７０５から
発せられた紫外光は透過窓７０３を透過してから、ＥＬ
パネル７０４に照射される。FIG. 7A is a simplified cross-sectional view of the inside of a chamber for curing the sealing material. A fixed base 702 is provided inside the housing 701, and an EL is mounted on the fixed base 702.
A panel 704 is provided. A light source 705 that emits ultraviolet light is provided below the fixed base 702. EL panel 7
A transmission window 703 having a transmissive property such as quartz glass is provided between the light source 705 and the light source 705. Ultraviolet light emitted from the light source 705 passes through the transmission window 703 and then passes through the EL.
The light is emitted to the panel 704.
【００２１】７０７はゲートであり、ここからチャンバ
ーにＥＬパネルを出し入れすることができる。Reference numeral 707 denotes a gate from which an EL panel can be taken in and out of the chamber.
【００２２】ＥＬパネルのＡで示した部分の拡大図を、
図７（Ｂ）に示す。基板４００１とカバー材４１０２の
間にＥＬ素子が設けられている。ＥＬ素子は、陽極（画
素電極）４３０２と、ＥＬ層４３０４と、陰極４３０５
とで形成されており、基板に近い方から陽極（画素電
極）４３０２、ＥＬ層４３０４、陰極４３０５の順にせ
きそうされている。電流制御用ＴＦＴ４２０２のドレイ
ン領域は陽極（画素電極）４３０２に接続されている。An enlarged view of the portion indicated by A of the EL panel is shown in FIG.
As shown in FIG. An EL element is provided between the substrate 4001 and the cover member 4102. The EL element includes an anode (pixel electrode) 4302, an EL layer 4304, and a cathode 4305.
And an anode (pixel electrode) 4302, an EL layer 4304, and a cathode 4305 are likely to be caught in this order from the side closer to the substrate. The drain region of the current controlling TFT 4202 is connected to an anode (pixel electrode) 4302.
【００２３】陰極４３０５とカバー材４１０２との間に
は、ＥＬ層４３０４を完全に覆うようにシール材４１０
１が充填されている。光源７０５から発せられる紫外光
は、陰極４３０５に対してＥＬ層４３０４と反対の側か
らＥＬパネル７０４に照射され、シール材４１０１を硬
化させる。よって、ＥＬ層４３０４と陰極４３０５との
間には光を透過しない陰極４３０５が設けられているこ
とになるため、光源７０５から発せられる紫外光は、理
想的にはＥＬ層４３０４に照射されない。A sealing material 410 is provided between the cathode 4305 and the cover material 4102 so as to completely cover the EL layer 4304.
1 is filled. Ultraviolet light emitted from the light source 705 is applied to the EL panel 704 from the side opposite to the EL layer 4304 with respect to the cathode 4305 to cure the sealant 4101. Therefore, since the cathode 4305 which does not transmit light is provided between the EL layer 4304 and the cathode 4305, the EL layer 4304 is not ideally irradiated with ultraviolet light emitted from the light source 705.
【００２４】しかし陰極４３０５を形成する際に不本意
に形成されたピンホールなどが存在した場合、図７
（Ｂ）のＢ部に示すように、紫外光がＥＬ層に照射され
る。紫外光がＥＬ層４３０４に照射されるとＥＬ層４３
０４の劣化が促進されてしまう。However, if there is a pinhole or the like that is formed reluctantly when forming the cathode 4305, FIG.
As shown in part B of (B), the EL layer is irradiated with ultraviolet light. When ultraviolet light is applied to the EL layer 4304, the EL layer 43
04 is accelerated.
【００２５】またＥＬパネル７０４の陰極４３０５が形
成されていない部分においては、紫外光はＥＬパネルを
透過する。透過した紫外光は筐体内部で乱反射し、ＥＬ
パネル７０４に照射される。陽極４３０２は透光性を有
する材料で形成されているため、基板４００１側からＥ
Ｌパネル７０４に照射された紫外光は、ＥＬ層４３０４
に照射される。よって、ＥＬ層４３０４の劣化が促進さ
れてしまう。In a portion of the EL panel 704 where the cathode 4305 is not formed, ultraviolet light passes through the EL panel. The transmitted ultraviolet light is irregularly reflected inside the housing,
The light is emitted to the panel 704. Since the anode 4302 is formed using a material having a light-transmitting property, the anode 4302 is formed from the substrate
The ultraviolet light applied to the L panel 704 is
Is irradiated. Therefore, deterioration of the EL layer 4304 is promoted.
【００２６】本発明は上述したことに鑑み、ＥＬ層の劣
化を促進させることなく、ＥＬパネルを封ずる方法を提
供する。In view of the above, the present invention provides a method for sealing an EL panel without promoting the deterioration of the EL layer.
【００２７】[0027]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、陰極にピ
ンホールが形成されることを前提とし、ＥＬ層が形成さ
れている部分に紫外光を照射しないでＥＬパネルを封ず
るために、紫外線硬化樹脂でなるシール材を、ＥＬ層が
形成されている部分を囲むように基板とカバー材との間
に設け、シール材の部分のみに紫外光が照射されるよう
にした。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have presupposed that a pinhole is formed in a cathode, and in order to seal an EL panel without irradiating a portion where an EL layer is formed with ultraviolet light. A sealing material made of an ultraviolet curable resin is provided between the substrate and the cover material so as to surround the portion where the EL layer is formed, so that only the sealing material portion is irradiated with ultraviolet light.
【００２８】上述したように、ＥＬ層が形成されている
部分に紫外光を照射しないことで、紫外光を含む光によ
るＥＬ層の劣化を抑えることができ、なおかつＥＬパネ
ルを封ずることで、酸素や水分によるＥＬ層の劣化を抑
えることができる。As described above, by not irradiating ultraviolet light to the portion where the EL layer is formed, deterioration of the EL layer due to light including ultraviolet light can be suppressed, and by sealing the EL panel, Deterioration of the EL layer due to oxygen or moisture can be suppressed.
【００２９】以下に、本発明の構成を示す。The configuration of the present invention will be described below.
【００３０】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。The present invention relates to a substrate having an EL layer,
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin between the cover material facing the substrate with the L layer interposed therebetween so as to surround the EL layer; and a surface of the cover material opposite to the substrate. Irradiating ultraviolet light to a surface of the cover material opposite to the substrate through a light-shielding mask formed in contact with the substrate, the method comprising the steps of: A method for manufacturing an EL panel, wherein a mask covers the EL layer, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
【００３１】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記カバー材の前記基板とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記カバー材の前記基板とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。The present invention relates to a substrate having an EL layer,
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin between the cover material facing the substrate with the L layer interposed therebetween so as to surround the EL layer; and a surface of the cover material opposite to the substrate. Irradiating ultraviolet light to a surface of the cover material opposite to the substrate through a light-shielding mask formed in contact with the substrate, the method comprising the steps of: A method of manufacturing an EL panel, wherein a mask covers all of the plurality of EL layers, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
【００３２】本発明は、前記カバー材が透光性を有して
いることを特徴としていても良い。The present invention may be characterized in that the cover material has a light transmitting property.
【００３３】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、前
記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なって
いることを特徴とするＥＬパネルの作製方法である。The present invention relates to a substrate having an EL layer,
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin between the cover material facing the substrate with the L layer interposed therebetween so as to surround the EL layer; and a surface of the substrate opposite to the cover material. Irradiating ultraviolet light to a surface of the substrate opposite to the cover material through a light-shielding mask formed in contact with the substrate, the method comprising the steps of: A method for manufacturing an EL panel, wherein a mask covers the EL layer, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
【００３４】本発明は、ＥＬ層を有する基板と、前記Ｅ
Ｌ層を間に挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間
に、前記ＥＬ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなる
シール材を設ける工程と、前記基板の前記カバー材とは
反対側の面に接して形成された遮光性を有するマスクを
間に介して、前記基板の前記カバー材とは反対側の面に
紫外光を照射する工程と、を有するＥＬパネルの作製方
法であって、前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆
っており、前記マスクが有する開口部は前記シール材全
体と重なっていることを特徴とするＥＬパネルの作製方
法である。According to the present invention, a substrate having an EL layer is provided.
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin between the cover material facing the substrate with the L layer interposed therebetween so as to surround the EL layer; and a surface of the substrate opposite to the cover material. Irradiating ultraviolet light to a surface of the substrate opposite to the cover material through a light-shielding mask formed in contact with the substrate, the method comprising the steps of: A method of manufacturing an EL panel, wherein a mask covers all of the plurality of EL layers, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
【００３５】本発明は、前記基板が透光性を有している
ことを特徴としていても良い。The present invention may be characterized in that the substrate has a light transmitting property.
【００３６】本発明は、前記紫外線硬化樹脂は、アクリ
ル系紫外線硬化樹脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂で
あることを特徴としていても良い。In the present invention, the ultraviolet curable resin may be an acrylic ultraviolet curable resin or an epoxy ultraviolet curable resin.
【００３７】[0037]
【発明の実施の形態】以下に、本発明のＥＬパネルを封
じる方法について説明する。図１（Ａ）に、本発明で用
いるＥＬパネルの上面図と、図１（Ｂ）にＣ−Ｃ’にお
けるその断面図を示す。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for sealing an EL panel according to the present invention will be described. FIG. 1A shows a top view of an EL panel used in the present invention, and FIG. 1B shows a cross-sectional view taken along CC ′.
【００３８】図１（Ａ）、（Ｂ）において、１０１は基
板、１０２はカバー材であり、基板１０１とカバー材１
０２との間にＥＬ層１０４が設けられている。なお本発
明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッシブ
型のＥＬパネルにも適用することが可能である。In FIGS. 1A and 1B, 101 is a substrate, 102 is a cover material, and the substrate 101 and the cover material 1 are provided.
02 is provided with an EL layer 104. Note that the present invention can be applied to not only an active EL panel but also a passive EL panel.
【００３９】紫外線硬化樹脂からなるシール材１０３
は、基板１０１とカバー材１０２との間においてＥＬ層
１０４を完全に囲むように形成されている。そしてマス
ク１０５は、カバー材１０２の基板１０１とは反対の側
に、カバー材１０２に接して形成されている。なお本発
明はこの構成に限定されず、マスク１０５が基板１０１
のカバー材１０２とは反対の側に、基板１０１に接して
形成されていても良い。A sealing material 103 made of an ultraviolet curable resin
Is formed so as to completely surround the EL layer 104 between the substrate 101 and the cover material 102. The mask 105 is formed on the side of the cover 102 opposite to the substrate 101 and in contact with the cover 102. Note that the present invention is not limited to this configuration.
May be formed in contact with the substrate 101 on the side opposite to the cover material 102.
【００４０】マスク１０５はＥＬ層１０４を完全に覆っ
ており、なおかつシール材１０３上に開口部１０６を有
している。そして、マスク１０５は紫外光を透過しずら
い材料で形成されている。なお矢印は、光源から発せら
れる紫外光が照射される方向を示している。The mask 105 completely covers the EL layer 104, and has an opening 106 on the sealing material 103. The mask 105 is formed of a material that hardly transmits ultraviolet light. Note that the arrow indicates the direction in which ultraviolet light emitted from the light source is irradiated.
【００４１】なお、基板１０１とカバー材１０２とシー
ル材１０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。The portion surrounded by the substrate 101, the cover member 102, and the seal member 103 may be filled with an inert gas such as nitrogen or a rare gas, or may have transparency other than the ultraviolet curable resin. A resin may be filled.
【００４２】なお図１ではＥＬパネルが１枚の場合につ
いて示したが、１枚の基板から複数のＥＬパネルを形成
する場合についても、本発明を適用することが可能であ
る。複数のＥＬパネルを、切断する前の状態においてシ
ール材で封じる場合について、図２を用いて説明する。
なお図２では、４枚のＥＬパネルを同時に形成する場合
について説明するが、ＥＬパネルの数はこれに限定され
ない。Although FIG. 1 shows the case where one EL panel is used, the present invention can be applied to a case where a plurality of EL panels are formed from one substrate. A case where a plurality of EL panels are sealed with a sealing material before cutting will be described with reference to FIG.
Note that FIG. 2 illustrates a case where four EL panels are formed simultaneously, but the number of EL panels is not limited to this.
【００４３】図２（Ａ）に、本発明で用いる切断前のＥ
Ｌパネルの上面図と、図２（Ｂ）にＤ−Ｄ’におけるそ
の断面図を示す。FIG. 2A shows E before cutting used in the present invention.
FIG. 2B is a top view of the L panel, and FIG.
【００４４】図２（Ａ）、（Ｂ）において、２０１は基
板、２０２はカバー材であり、基板２０１とカバー材２
０２との間にＥＬ層２０４が複数設けられている。なお
本発明はアクティブ型のＥＬパネルだけではなく、パッ
シブ型のＥＬパネルにも適用することが可能である。In FIGS. 2A and 2B, reference numeral 201 denotes a substrate, and 202 denotes a cover material.
02 is provided with a plurality of EL layers 204. Note that the present invention can be applied to not only an active EL panel but also a passive EL panel.
【００４５】紫外線硬化樹脂からなるシール材２０３
は、基板２０１とカバー材２０２との間において各ＥＬ
層２０４を完全に囲むように形成されている。そしてマ
スク２０５は、カバー材２０２の基板２０１とは反対の
側に、カバー材２０２に接して形成されている。なお本
発明はこの構成に限定されず、マスク２０５が基板２０
１のカバー材２０２とは反対の側に、基板２０１に接し
て形成されていても良い。Sealing material 203 made of ultraviolet curing resin
Are each EL between the substrate 201 and the cover material 202.
It is formed so as to completely surround the layer 204. The mask 205 is formed on the side of the cover member 202 opposite to the substrate 201 and in contact with the cover member 202. Note that the present invention is not limited to this configuration.
The cover member 202 may be formed on the side opposite to the cover member 202 in contact with the substrate 201.
【００４６】マスク２０５は全てのＥＬ層２０４を完全
に覆っており、なおかつシール材２０３上に開口部２０
６を有している。そして、マスク２０５は紫外光を透過
しずらい材料で形成されている。なお矢印は、光源から
発せられる紫外光が照射される方向を示している。The mask 205 completely covers all the EL layers 204 and has the opening 20 on the sealing material 203.
6. The mask 205 is formed of a material that hardly transmits ultraviolet light. Note that the arrow indicates the direction in which ultraviolet light emitted from the light source is irradiated.
【００４７】なお、基板２０１とカバー材２０２とシー
ル材２０３とで囲まれた部分に、窒素または希ガスなど
の不活性な気体を充填しても良いし、紫外線硬化樹脂以
外で透過性を有する樹脂を充填しても良い。The portion surrounded by the substrate 201, the cover member 202, and the seal member 203 may be filled with an inert gas such as nitrogen or a rare gas, or has a transparency other than the ultraviolet curable resin. A resin may be filled.
【００４８】次に、図２に示した切断前のＥＬパネル
を、チャンバー内で封じる工程について説明する。Next, a process of sealing the EL panel before cutting shown in FIG. 2 in a chamber will be described.
【００４９】図３（Ａ）に、シール材の硬化を行うチャ
ンバー内の断面図を簡単に示す。筐体３０１の内部に固
定台３０２が設けられており、固定台３０２の上に切断
前のＥＬパネル３０４が設置される。固定台３０２の下
方に紫外光を発する光源３０５が設けられている。切断
前のＥＬパネル３０４と光源３０５との間には、石英ガ
ラス等の透過性を有する透過窓３０３が設けられてお
り、光源３０５から発せられた紫外光は透過窓３０３を
透過してから、切断前のＥＬパネル３０４に照射され
る。FIG. 3A is a simplified cross-sectional view of the inside of a chamber where the sealing material is cured. A fixed base 302 is provided inside a housing 301, and an EL panel 304 before cutting is set on the fixed base 302. A light source 305 that emits ultraviolet light is provided below the fixed base 302. Between the EL panel 304 before cutting and the light source 305, there is provided a transmission window 303 having a transmissivity such as quartz glass. Ultraviolet light emitted from the light source 305 passes through the transmission window 303, The EL panel 304 before cutting is irradiated.
【００５０】３０７はゲートであり、ここからチャンバ
ーに切断前のＥＬパネルを出し入れすることができる。Reference numeral 307 denotes a gate from which the EL panel before cutting can be taken in and out of the chamber.
【００５１】切断前のＥＬパネル３０４のＥで示した部
分の拡大図を、図３（Ｂ）に示す。基板２０１とカバー
材２０２の間にＥＬ層２０４が設けられている。FIG. 3B is an enlarged view of a portion indicated by E of the EL panel 304 before cutting. An EL layer 204 is provided between the substrate 201 and the cover member 202.
【００５２】光源３０５から発せられる紫外光はマスク
２０５において吸収され、マスク２０５の開口部２０６
を通過した紫外光がシール材２０３に照射される。紫外
線の照射により、シール材４１０１は硬化され、る。The ultraviolet light emitted from the light source 305 is absorbed by the mask 205 and the opening 206 of the mask 205
The ultraviolet light that has passed through is irradiated onto the sealing material 203. The irradiation of the ultraviolet rays cures the sealing material 4101.
【００５３】なおマスクは、切断前のＥＬパネルが封じ
られたあとに除去する。The mask is removed after the EL panel before cutting is sealed.
【００５４】なお図３では、切断前のＥＬパネルを封じ
る工程について説明したが、図１に示したＥＬパネルを
同様に封じることは可能である。Although the process of sealing the EL panel before cutting has been described with reference to FIG. 3, the EL panel shown in FIG. 1 can be similarly sealed.
【００５５】本発明は上記構成によって、陰極にピンホ
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。According to the present invention, the EL layer can be prevented from being irradiated with ultraviolet light even if a pinhole is formed in the cathode, by the above configuration. Irradiation of ultraviolet light from the anode side to the EL layer due to irregular reflection of ultraviolet light in the chamber can be prevented.
【００５６】よって本発明は、ＥＬ層に紫外光が照射さ
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。Therefore, according to the present invention, it is possible to effectively prevent the EL layer from being irradiated with ultraviolet light, and to suppress deterioration of the EL layer due to light including ultraviolet light. Then, by sealing the EL panel, deterioration of the EL layer due to oxygen or moisture can be suppressed.
【００５７】なお、従来においてＥＬ素子は、基板側か
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつ図１において示したＥＬパネル
と図２において示した切断前のＥＬパネルとが有するＥ
Ｌ素子は、陰極と陽極が互いに入れ替わっても良い。Conventionally, the EL element has to be laminated in the order of an anode, an EL layer and a cathode from the substrate side, and to irradiate ultraviolet light from the side of the cover material opposite to the substrate. However, in the present invention, by controlling the position of the mask, it is possible to irradiate the ultraviolet light even from the side of the cover material opposite to the substrate or from the side of the substrate opposite to the cover material. The EL panel shown in FIG. 1 and the EL panel before cutting shown in FIG.
In the L element, the cathode and the anode may be interchanged.
【００５８】また、シール材１０３、２０３としては、
紫外線硬化樹脂を用いることが必要であり、アクリル系
紫外線硬化樹脂と、エポキシ系紫外線硬化樹脂を用いる
ことが可能である。As the sealing materials 103 and 203,
It is necessary to use an ultraviolet curing resin, and an acrylic ultraviolet curing resin and an epoxy ultraviolet curing resin can be used.
【００５９】図１で示したＥＬパネルと、図２で示した
切断前のＥＬパネルにおいて、ＥＬ層１０４、２０４の
形成方法は公知の蒸着技術もしくは塗布法技術を用いれ
ば良い。また、ＥＬ層１０４、２０４の構造は正孔注入
層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層または電子注入層
を自由に組み合わせて積層構造または単層構造とすれば
良い。In the EL panel shown in FIG. 1 and the EL panel before cutting shown in FIG. 2, the EL layers 104 and 204 may be formed by a known vapor deposition technique or coating technique. The structure of the EL layers 104 and 204 may be a stacked structure or a single-layer structure by freely combining a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, or an electron injection layer.
【００６０】またＥＬ層１０４、２０４は公知の有機Ｅ
Ｌ材料または無機ＥＬ材料を用いることができる。ま
た、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー系）材料と高
分子系（ポリマー系）材料があるがどちらを用いても良
い。The EL layers 104 and 204 are made of a known organic E
An L material or an inorganic EL material can be used. As the organic EL material, there are a low-molecular (monomer) material and a high-molecular (polymer) material, and either may be used.
【００６１】またカバー材１０２、２０２としては、ガ
ラス材、金属材（代表的にはステンレス材）、セラミッ
クス材、プラスチック材（プラスチックフィルムも含
む）を用いることができる。プラスチック材としては、
ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ
Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオラ
イド）フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィ
ルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができ
る。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイ
ラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもでき
る。As the cover members 102 and 202, a glass material, a metal material (typically, a stainless steel material), a ceramic material, and a plastic material (including a plastic film) can be used. As plastic materials,
FRP (Fiberglass-Reinforced)
(Plastics) plate, PVF (polyvinyl fluoride) film, mylar film, polyester film or acrylic resin film. Further, a sheet having a structure in which an aluminum foil is sandwiched between PVF films or mylar films can also be used.
【００６２】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。However, the cover material is transparent when the light is emitted from the EL element toward the cover material and when the ultraviolet light from the light source is irradiated from the side opposite to the substrate of the cover material. There must be. In that case, a transparent material such as a glass plate, a plastic plate, a polyester film, or an acrylic film is used.
【００６３】[0063]
【実施例】以下に、本発明の実施例について説明する。Embodiments of the present invention will be described below.
【００６４】（実施例１）本実施例では、本発明によっ
て形成されるＥＬパネルの詳しい構成について説明す
る。Embodiment 1 In this embodiment, a detailed structure of an EL panel formed according to the present invention will be described.
【００６５】図４（Ａ）、（Ｂ）において、２００１は
基板、２００２は画素部、２００３はソース信号線駆動
回路、２００４はゲート信号線駆動回路であり、それぞ
れの駆動回路は配線２００５を経てＦＰＣ（フレキシブ
ルプリントサーキット）２００６に至り、外部機器へと
接続される。4A and 4B, reference numeral 2001 denotes a substrate; 2002, a pixel portion; 2003, a source signal line driving circuit; 2004, a gate signal line driving circuit; An FPC (Flexible Print Circuit) 2006 is reached and connected to an external device.
【００６６】このとき、画素部２００２、ソース信号線
駆動回路２００３及びゲート信号線駆動回路２００４を
囲むようにしてシール材２１０１、カバー材２１０２、
充填材２１０３が設けられている。At this time, the sealing member 2101, the cover member 2102, and the like surround the pixel portion 2002, the source signal line driving circuit 2003, and the gate signal line driving circuit 2004.
A filler 2103 is provided.
【００６７】図４（Ｂ）は図４（Ａ）をＦ−Ｆ’で切断
した断面図に相当し、基板２００１の上にソース信号線
駆動回路２００３に含まれる駆動ＴＦＴ（但し、ここで
はｎチャネル型ＴＦＴとｐチャネル型ＴＦＴを図示して
いる。）２２０１及び画素部２００２に含まれる電流制
御用ＴＦＴ（ＥＬ素子への電流を制御するＴＦＴ）２２
０２が形成されている。なお図４では、電流制御用ＴＦ
Ｔ２２０２のみ示しているが、画素部４００２が電流制
御用ＴＦＴ２２０２の他にＴＦＴを有していても良い。FIG. 4B corresponds to a cross-sectional view taken along line FF ′ of FIG. 4A, and a driving TFT (here, n) included in a source signal line driving circuit 2003 is mounted on a substrate 2001. A channel type TFT and a p-channel type TFT are illustrated.) 2201 and a current control TFT (TFT controlling current to an EL element) 22 included in the pixel portion 2002
02 is formed. In FIG. 4, the current control TF
Although only T2202 is illustrated, the pixel portion 4002 may include a TFT in addition to the current control TFT 2202.
【００６８】本実施例では、駆動ＴＦＴ２２０１には公
知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャ
ネル型ＴＦＴが用いられ、電流制御用ＴＦＴ２２０２に
は公知の方法で作製されたｐチャネル型ＴＦＴが用いら
れる。また、画素部２００２には電流制御用ＴＦＴ２２
０２のゲート電極に接続された保持容量（図示せず）が
設けられる。In this embodiment, a p-channel TFT or an n-channel TFT manufactured by a known method is used for the driving TFT 2201, and a p-channel TFT manufactured by a known method is used for the current control TFT 2202. Used. The pixel portion 2002 includes a current control TFT 22.
A storage capacitor (not shown) connected to the gate electrode 02 is provided.
【００６９】駆動ＴＦＴ２２０１及び電流制御用ＴＦＴ
２２０２の上には樹脂材料でなる層間絶縁膜（平坦化
膜）２３０１が形成され、その上に電流制御用ＴＦＴ２
２０２のドレイン領域と電気的に接続する画素電極（陽
極）２３０２が形成される。画素電極２３０２としては
仕事関数の大きい透明の導電膜が用いられる。透明の導
電膜としては、酸化インジウムと酸化スズとの化合物、
酸化インジウムと酸化亜鉛との化合物、酸化亜鉛、酸化
スズまたは酸化インジウムを用いることができる。ま
た、前記透明導電膜にガリウムを添加したものを用いて
も良い。Driving TFT 2201 and current controlling TFT
An interlayer insulating film (planarizing film) 2301 made of a resin material is formed on the upper surface 2202, and the current controlling TFT 2 is formed thereon.
A pixel electrode (anode) 2302 electrically connected to the drain region 202 is formed. As the pixel electrode 2302, a transparent conductive film having a large work function is used. As a transparent conductive film, a compound of indium oxide and tin oxide,
A compound of indium oxide and zinc oxide, zinc oxide, tin oxide, or indium oxide can be used. Further, a material obtained by adding gallium to the transparent conductive film may be used.
【００７０】そして、画素電極２３０２の上には絶縁膜
２３０３が形成され、絶縁膜２３０３は画素電極２３０
２の上に開口部が形成されている。この開口部におい
て、画素電極２３０２の上にはＥＬ（エレクトロルミネ
ッセンス）層２３０４が形成される。ＥＬ層２３０４は
公知の有機ＥＬ材料または無機ＥＬ材料を用いることが
できる。また、有機ＥＬ材料には低分子系（モノマー
系）材料と高分子系（ポリマー系）材料があるがどちら
を用いても良い。Then, an insulating film 2303 is formed on the pixel electrode 2302, and the insulating film 2303 is
2, an opening is formed. In this opening, an EL (electroluminescence) layer 2304 is formed on the pixel electrode 2302. As the EL layer 2304, a known organic EL material or inorganic EL material can be used. As the organic EL material, there are a low-molecular (monomer) material and a high-molecular (polymer) material, and either may be used.
【００７１】ＥＬ層２３０４の形成方法は公知の蒸着技
術もしくは塗布法技術を用いれば良い。また、ＥＬ層の
構造は正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層ま
たは電子注入層を自由に組み合わせて積層構造または単
層構造とすれば良い。As a method for forming the EL layer 2304, a known evaporation technique or coating technique may be used. The EL layer may have a stacked structure or a single-layer structure by freely combining a hole injection layer, a hole transport layer, a light-emitting layer, an electron transport layer, or an electron injection layer.
【００７２】ＥＬ層２３０４の上には遮光性を有する導
電膜（代表的にはアルミニウム、銅もしくは銀を主成分
とする導電膜またはそれらと他の導電膜との積層膜）か
らなる陰極２３０５が形成される。また、陰極２３０５
とＥＬ層２３０４の界面に存在する水分や酸素は極力排
除しておくことが望ましい。従って、真空中で両者を連
続成膜するか、ＥＬ層２３０４を窒素または希ガス雰囲
気で形成し、酸素や水分に触れさせないまま陰極２３０
５を形成するといった工夫が必要である。本実施例では
マルチチャンバー方式（クラスターツール方式）の成膜
装置を用いることで上述のような成膜を可能とする。On the EL layer 2304, a cathode 2305 made of a light-shielding conductive film (typically, a conductive film containing aluminum, copper, or silver as a main component or a laminated film of these and another conductive film) is provided. It is formed. In addition, the cathode 2305
It is desirable to remove moisture and oxygen existing at the interface between the EL layer and the EL layer 2304 as much as possible. Therefore, the two layers are continuously formed in a vacuum, or the EL layer 2304 is formed in a nitrogen or rare gas atmosphere, and the cathode 230 is not exposed to oxygen or moisture.
5 is required. In this embodiment, the above-described film formation is made possible by using a multi-chamber type (cluster tool type) film formation apparatus.
【００７３】そして陰極２３０５は２３０６で示される
領域において配線２００５に電気的に接続される。配線
２００５は陰極２３０５に所定の電圧を与えるための配
線であり、異方導電性フィルム２３０７を介してＦＰＣ
２００６に電気的に接続される。The cathode 2305 is electrically connected to the wiring 2005 in a region indicated by 2306. The wiring 2005 is a wiring for applying a predetermined voltage to the cathode 2305, and an FPC through an anisotropic conductive film 2307.
2006 is electrically connected.
【００７４】以上のようにして、画素電極（陽極）２３
０２、ＥＬ層２３０４及び陰極２３０５からなるＥＬ素
子が形成される。このＥＬ素子は、シール材２１０１に
よって基板２００１に貼り合わされたカバー材２１０２
で囲まれ、充填材２１０３により封入されている。本実
施例においてシール材２１０１としてノーランド製ＮＯ
Ａ０６５の紫外線硬化樹脂を用いた。As described above, the pixel electrode (anode) 23
02, an EL element including the EL layer 2304 and the cathode 2305 is formed. This EL element is formed by a cover material 2102 bonded to a substrate 2001 by a seal material 2101.
And enclosed by a filler 2103. In this embodiment, NOLAND NO.
A065 ultraviolet curable resin was used.
【００７５】カバー材２１０２としては、ガラス材、金
属材（代表的にはステンレス材）、セラミックス材、プ
ラスチック材（プラスチックフィルムも含む）を用いる
ことができる。プラスチック材としては、ＦＲＰ（Ｆｉ
ｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔ
ｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィル
ム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはア
クリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アル
ミニウムホイルをＰＶＦフィルムやマイラーフィルムで
挟んだ構造のシートを用いることもできる。As the cover material 2102, a glass material, a metal material (typically, a stainless steel material), a ceramic material, and a plastic material (including a plastic film) can be used. As a plastic material, FRP (Fi
Berglass-Reinforced Plast
ics) plate, PVF (polyvinyl fluoride) film, mylar film, polyester film or acrylic resin film. Further, a sheet having a structure in which an aluminum foil is sandwiched between PVF films or mylar films can also be used.
【００７６】但し、ＥＬ素子からの光の放射方向がカバ
ー材側に向かう場合と、光源からの紫外光がカバー材の
基板とは反対の側から照射される場合とにおいて、カバ
ー材は透明でなければならない。その場合には、ガラス
板、プラスチック板、ポリエステルフィルムまたはアク
リルフィルムのような透明な物質を用いる。However, the cover material is transparent when the light is emitted from the EL element toward the cover material and when the ultraviolet light from the light source is irradiated from the side opposite to the substrate of the cover material. There must be. In that case, a transparent material such as a glass plate, a plastic plate, a polyester film, or an acrylic film is used.
【００７７】また、充填材２１０３の内部に吸湿性物質
（好ましくは酸化バリウム）もしくは酸素を吸着しうる
物質を設けておくとＥＬ素子の劣化を抑制できる。When a hygroscopic substance (preferably barium oxide) or a substance capable of adsorbing oxygen is provided inside the filler 2103, deterioration of the EL element can be suppressed.
【００７８】また、充填材２１０３の中にスペーサを含
有させてもよい。このとき、スペーサを酸化バリウムで
形成すればスペーサ自体に吸湿性をもたせることが可能
である。また、スペーサを設けた場合、スペーサからの
圧力を緩和するバッファ層として陰極２３０５上に樹脂
膜を設けることも有効である。Further, the filler 2103 may contain a spacer. At this time, if the spacer is made of barium oxide, the spacer itself can have hygroscopicity. In the case where a spacer is provided, it is also effective to provide a resin film on the cathode 2305 as a buffer layer for relaxing pressure from the spacer.
【００７９】また、シール材２１０１の露呈部及びＦＰ
Ｃ２００６の一部を覆うように第２シール材２１０４を
設け、ＥＬ素子を徹底的に外気から遮断する構造として
も良い。こうして図４（Ｂ）の断面構造を有するＥＬパ
ネルとなる。The exposed portion of the sealing material 2101 and the FP
The second sealing material 2104 may be provided so as to cover a part of the C2006, and the EL element may be completely shut off from the outside air. Thus, an EL panel having the cross-sectional structure of FIG.
【００８０】（実施例２）本実施例では、上記各実施例
において、ＥＬ層を形成する際に使用する成膜装置の例
を示す。(Embodiment 2) In this embodiment, an example of a film forming apparatus used for forming an EL layer in each of the above embodiments will be described.
【００８１】本実施例の成膜装置について図５を用いて
説明する。図５において、１１０１は搬送室（Ａ）であ
り、搬送室（Ａ）１１０１には搬送機構（Ａ）１１０２
が備えられ、基板１１０３の搬送が行われる。搬送室
（Ａ）１１０１は減圧雰囲気にされており、各処理室と
はゲートによって遮断されている。各処理室への基板の
受け渡しは、ゲートを開けた際に搬送機構（Ａ）によっ
て行われる。また、搬送室（Ａ）１１０１を減圧するに
は、油回転ポンプ、メカニカルブースターポンプ、ター
ボ分子ポンプ若しくはクライオポンプなどの排気ポンプ
を用いることが可能であるが、水分の除去に効果的なク
ライオポンプが好ましい。The film forming apparatus of this embodiment will be described with reference to FIG. In FIG. 5, reference numeral 1101 denotes a transfer chamber (A), and a transfer mechanism (A) 1102 is provided in the transfer chamber (A) 1101.
The substrate 1103 is transported. The transfer chamber (A) 1101 is in a reduced-pressure atmosphere, and is isolated from each processing chamber by a gate. The transfer of the substrate to each processing chamber is performed by the transfer mechanism (A) when the gate is opened. To reduce the pressure in the transfer chamber (A) 1101, an exhaust pump such as an oil rotary pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or a cryopump can be used. Is preferred.
【００８２】図５の成膜装置では、搬送室（Ａ）１１０
１の側面に排気ポート１１０４が設けられ、その下に排
気ポンプが設置される。このような構造とすると排気ポ
ンプのメンテナンスが容易になるという利点がある。In the film forming apparatus shown in FIG. 5, the transfer chamber (A) 110
An exhaust port 1104 is provided on one side surface, and an exhaust pump is installed below it. With such a structure, there is an advantage that maintenance of the exhaust pump is facilitated.
【００８３】以下に、各処理室についての説明を行う。
なお、搬送室（Ａ）１１０１は減圧雰囲気となるので、
搬送室（Ａ）１１０１に直接的に連結された処理室には
全て排気ポンプ（図示せず）が備えられている。排気ポ
ンプとしては油回転ポンプ、メカニカルブースターポン
プ、ターボ分子ポンプ若しくはクライオポンプが用いら
れる。Hereinafter, each processing chamber will be described.
Since the transfer chamber (A) 1101 has a reduced pressure atmosphere,
All processing chambers directly connected to the transfer chamber (A) 1101 are provided with exhaust pumps (not shown). An oil rotary pump, a mechanical booster pump, a turbo molecular pump, or a cryopump is used as the exhaust pump.
【００８４】まず、１１０５は基板のセッティング（設
置）を行うストック室であり、ロードロック室とも呼ば
れる。ストック室１１０５はゲート１１００aにより搬
送室（Ａ）１１０１と遮断され、ここに基板１１０３を
セットしたキャリア（図示せず）が配置される。なお、
ストック室１１０５は基板搬入用と基板搬出用とで部屋
が区別されていても良い。また、ストック室１１０５は
上述の排気ポンプと高純度の窒素ガスまたは希ガスを導
入するためのパージラインを備えている。First, reference numeral 1105 denotes a stock room for setting (installing) a substrate, which is also called a load lock room. The stock chamber 1105 is shut off from the transfer chamber (A) 1101 by a gate 1100a, and a carrier (not shown) on which the substrate 1103 is set is disposed here. In addition,
The stock room 1105 may be divided into a room for carrying in the substrate and a room for carrying out the substrate. The stock chamber 1105 includes the above-described exhaust pump and a purge line for introducing high-purity nitrogen gas or rare gas.
【００８５】また、本実施例では基板１１０３を、素子
形成面を下向きにしてキャリアにセットする。これは後
に気相成膜（スパッタまたは蒸着による成膜）を行う際
に、フェイスダウン方式（デポアップ方式ともいう）を
行いやすくするためである。フェイスダウン方式とは、
基板の素子形成面が下を向いた状態で成膜する方式をい
い、この方式によればゴミの付着などを抑えることがで
きる。In this embodiment, the substrate 1103 is set on a carrier with the element forming surface facing downward. This is for facilitating a face-down method (also referred to as a deposit-up method) when performing a vapor phase film formation (film formation by sputtering or vapor deposition) later. What is the face-down method?
A method of forming a film in a state where the element formation surface of the substrate faces downward. According to this method, adhesion of dust and the like can be suppressed.
【００８６】次に、１１０６は搬送室（Ｂ）であり、ス
トック室１１０５とはゲート１１００bを介して連結さ
れ、搬送機構（Ｂ）１１０７を備えている。また、１１
０８は焼成室（ベーク室）であり、ゲート１１００cを
介して搬送室（Ｂ）１１０６と連結している。なお、焼
成室１１０８は基板の面の上下を反転させる機構を有す
る。即ち、フェイスダウン方式で搬送されてきた基板は
ここで一旦フェイスアップ方式に切り替わる。これは次
のスピンコータ１１０９での処理がフェイスアップ方式
で行えるようにするためである。また逆に、スピンコー
タ１１０９で処理を終えた基板は再び焼成室１１０８に
戻ってきて焼成され、再び上下を反転させてフェイスダ
ウン方式に切り替わり、ストック室１１０５へ戻る。Next, reference numeral 1106 denotes a transfer chamber (B), which is connected to the stock chamber 1105 via a gate 1100b, and has a transfer mechanism (B) 1107. Also, 11
Reference numeral 08 denotes a baking chamber (bake chamber), which is connected to the transfer chamber (B) 1106 via a gate 1100c. Note that the baking chamber 1108 has a mechanism for inverting the surface of the substrate. That is, the substrate transported by the face-down method is temporarily switched to the face-up method here. This is to enable the next processing in the spin coater 1109 to be performed in a face-up manner. Conversely, the substrate that has been processed by the spin coater 1109 returns to the firing chamber 1108 again and is fired, is turned upside down again, switches to the face-down method, and returns to the stock chamber 1105.
【００８７】ところでスピンコータを備えた成膜室１１
０９はゲート１１００dを介して搬送室（Ｂ）１１０６
と連結している。スピンコータを備えた成膜室１１０９
はＥＬ材料を含む溶液を基板上に塗布することでＥＬ材
料を含む膜を形成する成膜室であり、本実施例ではスピ
ンコータを備えた成膜室１１０９で高分子系（ポリマー
系）有機ＥＬ材料を成膜する。なお、成膜されるＥＬ材
料は、発光層として用いるものだけでなく、電荷注入層
または電荷輸送層をも含む。また、公知のいかなる高分
子系有機ＥＬ材料を用いても良い。By the way, a film forming chamber 11 equipped with a spin coater
09 is a transfer chamber (B) 1106 via a gate 1100d.
It is linked to Film forming chamber 1109 equipped with spin coater
Is a film forming chamber for forming a film containing an EL material by applying a solution containing the EL material on a substrate. In this embodiment, a film-forming chamber 1109 equipped with a spin coater is used to form a polymer (organic) organic EL. The material is deposited. Note that the EL material to be formed includes not only a material used as a light emitting layer but also a charge injection layer or a charge transport layer. Further, any known polymer organic EL material may be used.
【００８８】発光層となる代表的な有機ＥＬ材料として
は、ＰＰＶ（ポリパラフェニレンビニレン）誘導体、Ｐ
ＶＫ（ポリビニルカルバゾール）誘導体またはポリフル
オレン誘導体が挙げられる。これはπ共役ポリマーとも
呼ばれる。また、電荷注入層としては、ＰＥＤＯＴ（ポ
リチオフェン）またはＰＡｎｉ（ポリアニリン）が挙げ
られる。As typical organic EL materials for the light emitting layer, PPV (polyparaphenylene vinylene) derivatives, PPV
VK (polyvinyl carbazole) derivatives or polyfluorene derivatives are mentioned. This is also called a π-conjugated polymer. The charge injection layer includes PEDOT (polythiophene) or PAni (polyaniline).
【００８９】なお、本実施例ではスピンコータを用いた
成膜室を示したが、スピンコータに限定する必要はな
く、スピンコータに代えてディスペンサー、印刷または
インクジェットを用いた成膜室であっても構わない。In this embodiment, a film forming chamber using a spin coater is shown. However, the present invention is not limited to the spin coater, and may be a film forming chamber using a dispenser, printing, or ink jet instead of the spin coater. .
【００９０】本発明は、封止室１１１２においてＥＬパ
ネルを封じるのに用いられる。手作業でシール材を塗布
し基板とカバー材を張り合わせた後、受渡室１１１４に
入れられたＥＬパネル（または切断前のＥＬパネル）
は、ゲート１１００ｈから封止室１１１２に搬入され
る。The present invention is used to seal an EL panel in a sealing chamber 1112. After applying the sealing material by hand and bonding the substrate and the cover material, the EL panel placed in the delivery room 1114 (or the EL panel before cutting)
Is carried into the sealing chamber 1112 from the gate 1100h.
【００９１】そして紫外光照射機構１１１３が有する光
源からの紫外光によって、ＥＬパネルが封じられる。The EL panel is sealed by ultraviolet light from a light source included in the ultraviolet light irradiation mechanism 1113.
【００９２】なおマスクはシール材を塗布する前に形成
されても良いし、シール材を塗布し受渡室１１１４に入
れる前に形成しても良い。The mask may be formed before applying the sealing material, or may be formed before applying the sealing material and putting it into the delivery chamber 1114.
【００９３】また、本実施例の成膜装置は、実施例１の
構成と組み合わせて実施することが可能である。Further, the film forming apparatus of this embodiment can be implemented in combination with the structure of the first embodiment.
【００９４】[0094]
【００９５】本発明は上記構成によって、陰極にピンホ
ールが形成されていても、ＥＬ層に紫外光が照射される
ことを防ぐことができる。またチャンバー内の紫外光の
乱反射によって、紫外光が陽極側からＥＬ層に照射され
ることを防ぐことができる。According to the present invention, the EL layer can be prevented from being irradiated with ultraviolet light even if a pinhole is formed in the cathode by the above configuration. Irradiation of ultraviolet light from the anode side to the EL layer due to irregular reflection of ultraviolet light in the chamber can be prevented.
【００９６】よって本発明は、ＥＬ層に紫外光が照射さ
れることを効果的に防ぐことができ、紫外光を含む光に
よるＥＬ層の劣化を抑えることがでる。そしてＥＬパネ
ルを封ずることによって、酸素や水分によるＥＬ層の劣
化を抑えることもできる。Therefore, according to the present invention, it is possible to effectively prevent the EL layer from being irradiated with ultraviolet light, and to suppress deterioration of the EL layer due to light including ultraviolet light. Then, by sealing the EL panel, deterioration of the EL layer due to oxygen or moisture can be suppressed.
【００９７】なお、従来においてＥＬ素子は、基板側か
ら陽極、ＥＬ層、陰極の順に積層し、なおかつカバー材
の基板とは反対の側から紫外光を照射しなくてはならな
かった。しかし本発明ではマスクの位置を制御すること
で、カバー材の基板とは反対の側からでも、基板のカバ
ー材とは反対の側からでも紫外光を照射することが可能
である。そしてなおかつＥＬ素子は、陰極と陽極が互い
に入れ替わっていても良い。Conventionally, the EL element has to be laminated in the order of an anode, an EL layer and a cathode from the substrate side, and to irradiate ultraviolet light from the side of the cover material opposite to the substrate. However, in the present invention, by controlling the position of the mask, it is possible to irradiate ultraviolet light from the side of the cover material opposite to the substrate or from the side of the substrate opposite to the cover material. Further, the cathode and the anode of the EL element may be exchanged with each other.
【図１】 本発明で用いるＥＬパネルの上面図と断面
図。FIG. 1 is a top view and a cross-sectional view of an EL panel used in the present invention.
【図２】 本発明で用いるＥＬパネルの上面図と断面
図。FIG. 2 is a top view and a cross-sectional view of an EL panel used in the present invention.
【図３】 本発明で用いるチャンバーの断面図とＥＬパ
ネルの拡大図。FIG. 3 is a cross-sectional view of a chamber used in the present invention and an enlarged view of an EL panel.
【図４】 本発明で用いるＥＬパネルの詳細な上面図と
断面図。FIG. 4 is a detailed top view and a cross-sectional view of an EL panel used in the present invention.
【図５】 本発明で用いるスピンコータの図。FIG. 5 is a diagram of a spin coater used in the present invention.
【図６】 従来のＥＬパネルの上面図と断面図。FIG. 6 is a top view and a cross-sectional view of a conventional EL panel.
【図７】 従来用いられていたチャンバーの断面図とＥ
Ｌパネルの拡大図。FIG. 7 is a cross-sectional view of a conventionally used chamber and E
The enlarged view of an L panel.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3K007 AB13 BA06 BB01 BB02 BB04 CB01 DB03 EB00 FA00 FA02 FA03 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 3K007 AB13 BA06 BB01 BB02 BB04 CB01 DB03 EB00 FA00 FA02 FA03
Claims (7)
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記カバー材の前記基板とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記カバー材
の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。An E-layer is provided between a substrate having an EL layer and a cover material facing the substrate with the EL layer interposed therebetween.
Providing a seal material made of an ultraviolet curable resin so as to surround the L layer; and interposing a light-shielding mask formed in contact with the surface of the cover material on the side opposite to the substrate. Irradiating the surface of the material opposite to the substrate with ultraviolet light,
A method for manufacturing an EL panel, comprising: the mask covering the EL layer; and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記カバー材の前記基板とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記カバー材
の前記基板とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。2. The method according to claim 1, wherein the substrate having an EL layer and a cover material facing the substrate with the EL layer interposed between the substrate and the cover member.
Providing a seal material made of an ultraviolet curable resin so as to surround the L layer; and interposing a light-shielding mask formed in contact with the surface of the cover material on the side opposite to the substrate. Irradiating the surface of the material opposite to the substrate with ultraviolet light,
A manufacturing method of an EL panel, wherein the mask covers all of the plurality of EL layers, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material. Method.
バー材が透光性を有していることを特徴とするＥＬパネ
ルの作製方法。3. The method for manufacturing an EL panel according to claim 1, wherein the cover material has a light-transmitting property.
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記基板の前記カバー材とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記基板の前
記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記ＥＬ層を覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。4. The method according to claim 1, wherein the substrate having the EL layer and the cover material facing the substrate with the EL layer interposed between the substrate and the substrate.
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin so as to surround the L layer; and interposing a light-shielding mask formed in contact with a surface of the substrate opposite to the cover material. Irradiating the surface of the opposite side of the cover material with ultraviolet light,
A method for manufacturing an EL panel, comprising: the mask covering the EL layer; and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material.
挟んで前記基板と向かい合うカバー材との間に、前記Ｅ
Ｌ層を囲むように、紫外線硬化樹脂からなるシール材を
設ける工程と、 前記基板の前記カバー材とは反対側の面に接して形成さ
れた遮光性を有するマスクを間に介して、前記基板の前
記カバー材とは反対側の面に紫外光を照射する工程と、
を有するＥＬパネルの作製方法であって、 前記マスクは前記複数のＥＬ層の全てを覆っており、 前記マスクが有する開口部は前記シール材全体と重なっ
ていることを特徴とするＥＬパネルの作製方法。5. The method according to claim 1, wherein the E layer is provided between a substrate having an EL layer and a cover material facing the substrate with the EL layer interposed therebetween.
Providing a sealing material made of an ultraviolet curable resin so as to surround the L layer; and interposing a light-shielding mask formed in contact with a surface of the substrate opposite to the cover material. Irradiating the surface of the opposite side of the cover material with ultraviolet light,
A manufacturing method of an EL panel, wherein the mask covers all of the plurality of EL layers, and an opening of the mask overlaps with the entire sealing material. Method.
板が透光性を有していることを特徴とするＥＬパネルの
作製方法。6. The method for manufacturing an EL panel according to claim 4, wherein the substrate has a light-transmitting property.
いて、前記紫外線硬化樹脂は、アクリル系紫外線硬化樹
脂またはエポキシ系紫外線硬化樹脂であることを特徴と
するＥＬパネルの作製方法。7. The method for manufacturing an EL panel according to claim 1, wherein the ultraviolet curable resin is an acrylic ultraviolet curable resin or an epoxy ultraviolet curable resin.
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