JP2001316174A - Composite material and its manufacturing method - Google Patents
Composite material and its manufacturing methodInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、加工性の良い複合
材料に関するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a composite material having good workability.
【０００２】[0002]
【従来の技術】石英ガラスは、耐熱衝撃性が高いので、
熱にさらされる構造部材として広く使用されている。ま
た、石英ガラスは、純度の非常に高い原料が容易に入手
可能である。このため、高純度の、珪素以外の金属元素
をほとんど含有しない石英ガラスを低コストで製造でき
る。こうした利点のため、石英ガラスは、金属元素によ
るコンタミネーションを嫌う用途、特に、半導体製造装
置内の構造部品として使用されている。2. Description of the Related Art Quartz glass has high thermal shock resistance.
Widely used as structural members exposed to heat. In addition, very high purity raw materials of quartz glass can be easily obtained. Therefore, high-purity quartz glass containing almost no metal element other than silicon can be manufactured at low cost. Due to these advantages, quartz glass is used for applications that do not like contamination by metal elements, particularly as a structural component in a semiconductor manufacturing apparatus.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】石英ガラスからなる各
種の構造部材を製造するためには、石英ガラスからなる
原材料を切削加工し、所定の形状とする必要がある。し
かし、切削加工時に、石英ガラスの表面領域にチッピン
グやマイクロクラックが発生しやすい。この結果、構造
部材の表面に微細なパーティクルが発生し、付着し、残
留する傾向がある。特にパーティクルによる汚染を嫌う
半導体製造用途においては、こうしたパーティクルを除
去する必要がある。しかし、このためには煩雑な洗浄工
程が必要であるし、また構造部材の表面の形態が複雑で
ある場合には、洗浄後にもパーティクルが残留しやす
い。In order to manufacture various structural members made of quartz glass, it is necessary to cut a raw material made of quartz glass into a predetermined shape. However, chipping and microcracks are likely to occur in the surface region of quartz glass during cutting. As a result, fine particles tend to be generated, adhere and remain on the surface of the structural member. In particular, in a semiconductor manufacturing application where contamination by particles is disliked, it is necessary to remove such particles. However, this requires a complicated cleaning step, and when the surface of the structural member is complicated, particles are likely to remain even after the cleaning.
【０００４】また、半導体製造装置内では、ハロゲン系
腐食性ガスやそのプラズマに対して構造部材が曝露され
ることが多い。このとき、石英ガラスの表面に微細なク
ラックやチッピング跡が残留していると、こうした部分
から腐食が進行し、パーティクル発生の原因となるかも
しれない。これを防止するためには、やはり煩雑な後処
理工程によって、微細なクラックやチッピング跡を消去
することが必要である。In a semiconductor manufacturing apparatus, a structural member is often exposed to a halogen-based corrosive gas or its plasma. At this time, if fine cracks and traces of chipping remain on the surface of the quartz glass, corrosion may proceed from such portions, which may cause generation of particles. In order to prevent this, it is necessary to eliminate fine cracks and traces of chipping by a complicated post-processing step.
【０００５】本発明の課題は、機械加工後におけるマイ
クロクラック、チッピングやパーティクルの発生を防止
できるような、耐熱性の、石英ガラスを代替し得るよう
な材料を提供することである。An object of the present invention is to provide a heat-resistant material which can prevent the occurrence of microcracks, chipping and particles after machining, and which can replace quartz glass.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、石英ガラス相
と、石英ガラス相に複合化された、炭化珪素、窒化珪
素、珪素、窒化チタンおよび炭化チタンからなる群より
選ばれた一種以上の化合物からなる複合相とを主体とす
ることを特徴とする、複合材料に係るものである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a quartz glass phase and at least one kind selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, silicon, titanium nitride and titanium carbide, which are combined with the quartz glass phase. A composite material characterized by being mainly composed of a composite phase composed of a compound.
【０００７】こうした複合材料は、耐熱性や耐熱衝撃性
の高さという石英ガラスの特徴を有するのに加えて、切
削加工等の機械加工を行ったときにマイクロクラック、
チッピングが発生しにくく、加工後の表面にパーティク
ルも残留しにくい。[0007] In addition to the characteristics of quartz glass such as high heat resistance and high thermal shock resistance, such composite materials have micro cracks when machined such as cutting.
Chipping hardly occurs, and particles hardly remain on the processed surface.
【０００８】前述のように、複合材料の加工後のパーテ
ィクル発生を防止できることから、本複合材料は、半導
体製造装置用途に対して特に好ましい。As described above, the present composite material is particularly preferable for use in semiconductor manufacturing equipment because it can prevent the generation of particles after processing the composite material.
【０００９】前記化合物を、炭化珪素、窒化珪素または
珪素とすることによって、複合材料の主要構成成分から
珪素以外の金属元素が排除されるので、特にシリコン半
導体製造装置用途に好ましい。When the compound is silicon carbide, silicon nitride, or silicon, metal elements other than silicon are excluded from the main constituent components of the composite material, which is particularly preferable for use in silicon semiconductor manufacturing equipment.
【００１０】石英ガラス相の割合は、１０重量％以上と
することが好ましく、これによって複合材料の耐熱性、
耐熱衝撃性を高く保持できる。この観点からは、石英ガ
ラスの割合を５０重量％以上とすることが更に好まし
い。The proportion of the quartz glass phase is preferably not less than 10% by weight, whereby the heat resistance of the composite material is improved.
High thermal shock resistance can be maintained. From this viewpoint, the ratio of quartz glass is more preferably set to 50% by weight or more.
【００１１】石英ガラスの割合を９５重量％以下とする
ことによって、加工性を一層向上させることができる。
また、石英ガラスの割合を８５重量％以下とすることに
よって、複合材料の強度を一層高くすることができる。By setting the proportion of quartz glass to 95% by weight or less, workability can be further improved.
Further, by setting the proportion of quartz glass to 85% by weight or less, the strength of the composite material can be further increased.
【００１２】また、前記化合物を、炭化珪素、珪素、窒
化チタンまたは炭化チタンとすることができる。これら
は、石英ガラスよりも高い導電性（低い体積抵抗率）を
有する材質であるので、一般にこれらの材料を添加する
ことによって、複合材料の導電性の制御が可能である。Further, the compound can be silicon carbide, silicon, titanium nitride or titanium carbide. Since these are materials having higher conductivity (lower volume resistivity) than quartz glass, the conductivity of the composite material can be generally controlled by adding these materials.
【００１３】ただし、これらの材料を添加した場合であ
っても、特に石英ガラス相の重量比が８０−９５重量％
である場合には、複合材料の体積抵抗率が、石英ガラス
の体積抵抗率よりも高くなることがある。前記化合物の
体積抵抗率が石英ガラスの体積抵抗率よりも低いことを
考慮すると、この結果は驚くべきことである。この原因
は明らかではない。However, even when these materials are added, the weight ratio of the quartz glass phase is particularly 80 to 95% by weight.
In some cases, the volume resistivity of the composite material may be higher than the volume resistivity of the quartz glass. This result is surprising considering that the volume resistivity of the compound is lower than that of quartz glass. The cause is not clear.
【００１４】石英ガラスの重量比が７８重量％以下であ
る場合には、石英ガラスよりも低い体積抵抗率が得られ
る。複合材料の体積抵抗率を一層低下させるためには、
石英ガラスの割合は７５重量％以下が好ましく、７０重
量％以下が更に好ましい。こうした体積抵抗率の低い複
合材料は、従来石英ガラスが使用できなかった導電性や
半導性の求められる用途に好適に使用できる。When the weight ratio of quartz glass is 78% by weight or less, a volume resistivity lower than that of quartz glass can be obtained. In order to further reduce the volume resistivity of the composite material,
The proportion of quartz glass is preferably at most 75% by weight, more preferably at most 70% by weight. Such a composite material having a low volume resistivity can be suitably used for applications requiring conductivity and semiconductivity where quartz glass could not be used conventionally.
【００１５】また、本発明の複合材料は、比較的緻密質
である場合には、石英ガラスよりも高い強度やヤング率
を実現できるものである。石英ガラスの強度およびヤン
グ率は、アルミナ等のセラミックスよりも低いため、構
造部材の厚さを大きくする必要があった。本発明の複合
材料は、こうした点でも石英ガラスよりも有利な材料で
ある。When the composite material of the present invention is relatively dense, it can achieve higher strength and Young's modulus than quartz glass. Since the strength and the Young's modulus of quartz glass are lower than those of ceramics such as alumina, it is necessary to increase the thickness of the structural member. The composite material of the present invention is also an advantageous material over quartz glass in these respects.
【００１６】ただし、本発明の複合材料は、後述するよ
うに粉末焼結法によって製造されるので、多孔質となる
場合と緻密質になる場合とがある。複合材料を構造部材
として使用する場合には、所定の強度とヤング率とが必
要である。このため、石英ガラスとほぼ同等の強度やヤ
ング率を得るという観点からは、複合材料の開気孔率を
２０重量％以下とすることが好ましい。また、石英ガラ
スよりもかなり高い強度とヤング率とを得るという観点
からは、複合材料の開気孔率を１５重量％以下とするこ
とが好ましく、１０重量％以下とすることが一層好まし
い。However, since the composite material of the present invention is produced by a powder sintering method as described later, it may be porous or dense. When a composite material is used as a structural member, predetermined strength and Young's modulus are required. For this reason, from the viewpoint of obtaining strength and Young's modulus almost equal to those of quartz glass, it is preferable to set the open porosity of the composite material to 20% by weight or less. From the viewpoint of obtaining considerably higher strength and Young's modulus than quartz glass, the open porosity of the composite material is preferably 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less.
【００１７】また、特に半導体製造用途等の汚染を嫌う
用途においては、石英ガラスおよび前記化合物を構成す
る元素およびハロゲン以外の不純物の含有量は、０．１
重量％以下とすることが好ましく、開気孔率を５％以下
とすることが好ましい。[0017] In addition, particularly in applications where contamination is reluctant, such as in semiconductor manufacturing applications, the content of impurities other than the elements constituting the quartz glass and the compound and halogens is 0.1%.
% Or less, and the open porosity is preferably 5% or less.
【００１８】こうした不純物金属の制御という観点から
も、本発明の複合材料は有利である。例えばアルミナや
窒化アルミニウム等のセラミックス原料は、高純度であ
る場合にはコストが高く、焼結が困難である。これに対
して、本発明の複合材料の主成分である石英ガラスは、
高純度原材料が低コストで容易に得られる。The composite material of the present invention is advantageous from the viewpoint of controlling the impurity metal. For example, ceramic raw materials such as alumina and aluminum nitride are expensive and difficult to sinter if they have high purity. In contrast, quartz glass, which is the main component of the composite material of the present invention,
High purity raw materials can be easily obtained at low cost.
【００１９】本発明の複合材料は、腐食性ガスに対して
曝露される、半導体製造装置や液晶ディスプレイ製造装
置内の部材やチャンバーに対して好適に使用できる。こ
うした部材としては、発熱体、静電チャック用電極、高
周波発生用電極が埋設されているサセプター、このサセ
プターに対して接合されているシャフトや裏板、シャワ
ー板、ドーム、ルーフおよびリング類などを例示でき
る。The composite material of the present invention can be suitably used for a member or a chamber in a semiconductor manufacturing apparatus or a liquid crystal display manufacturing apparatus which is exposed to corrosive gas. Examples of such members include a susceptor in which a heating element, an electrode for an electrostatic chuck, and an electrode for high frequency generation are embedded, a shaft and a back plate, a shower plate, a dome, a roof, and rings that are joined to the susceptor. Can be illustrated.
【００２０】また、石英ガラスの割合が８０−９５重量
％である場合には、複合材料の体積抵抗率が大きいの
で、マイクロ波透過窓などの絶縁性が必要な部材として
使用できる。When the proportion of quartz glass is 80 to 95% by weight, the composite material has a large volume resistivity, and can be used as a member requiring insulation such as a microwave transmission window.
【００２１】本発明の複合材料は、石英ガラス粉末と、
前記化合物の粉末との混合粉末を成形して成形体を得、
石英ガラスの融点以下および化合物の融点以下の温度で
成形体を焼結させることによって得られる。The composite material of the present invention comprises: a quartz glass powder;
A molded body is obtained by molding a mixed powder with the powder of the compound,
It is obtained by sintering a compact at a temperature below the melting point of quartz glass and below the melting point of the compound.
【００２２】前記化合物の粉末の純度は、金属元素によ
る汚染を嫌う用途においては、９９．９％以上とするこ
とが好ましい。炭化珪素および窒化珪素は、α型でもβ
型でもよい。前記化合物粉末の平均粒径は１０μｍ以下
とすることが好ましく、３μｍ以下が更に好ましい。The purity of the powder of the compound is preferably 99.9% or more in applications in which contamination by metal elements is disliked. Silicon carbide and silicon nitride have β
It may be a type. The average particle size of the compound powder is preferably 10 μm or less, more preferably 3 μm or less.
【００２３】石英ガラスの粉末の純度は、９９．９％以
上であることが好ましい。この粉末の製法は限定され
ず、例えば粉砕法、化学的気相成長法、溶解噴霧法を例
示できる。石英ガラス粉末の平均粒径は１０μｍ以下が
好ましく、３μｍ以下が特に好ましい。The purity of the quartz glass powder is preferably 99.9% or more. The method for producing this powder is not limited, and examples thereof include a pulverization method, a chemical vapor deposition method, and a dissolution spraying method. The average particle size of the quartz glass powder is preferably 10 μm or less, particularly preferably 3 μm or less.
【００２４】混合粉末の成形時には、有機バインダーを
使用することもできる。また、噴霧乾燥法による造粒粉
末を成形することもできる。At the time of molding the mixed powder, an organic binder may be used. Further, a granulated powder can be formed by a spray drying method.
【００２５】焼成時の雰囲気は、真空、アルゴン、大
気、窒素雰囲気のいずれでもよい。ただし、複合材料の
開気孔率を減少させるためには、真空雰囲気が好まし
く、１．０Ｔｏｒｒ以下とすることが更に好ましい。The atmosphere during firing may be any of vacuum, argon, air, and nitrogen atmosphere. However, in order to reduce the open porosity of the composite material, a vacuum atmosphere is preferable, and the pressure is more preferably 1.0 Torr or less.
【００２６】焼成時に若干の結晶相（クリストバライト
相）が生成する場合がある。これを避けるためには、焼
成時の最高温度を１５５０℃以下とすることが好まし
く、１５００℃以下とすることが更に好ましく、１４５
０℃以下とすることが最も好ましい。また、焼結を進行
させる上で、焼成時の最高温度を１３００℃以上とする
ことが好ましい。A small crystal phase (cristobalite phase) may be formed during firing. In order to avoid this, the maximum temperature during firing is preferably set to 1550 ° C. or lower, more preferably 1500 ° C. or lower.
Most preferably, it is 0 ° C. or lower. In order to advance sintering, the maximum temperature during firing is preferably set to 1300 ° C. or higher.
【００２７】また、クリストバライト相の生成を抑制す
るという観点からは、１１００℃と焼成時の最高温度と
の間の昇温速度、降温速度を２００℃／時間以上、１０
００℃／時間以下とすることが好ましい。Further, from the viewpoint of suppressing the formation of the cristobalite phase, the rate of temperature rise and fall between 1100 ° C. and the maximum temperature during firing is 200 ° C./hour or more.
It is preferable that the temperature is not higher than 00 ° C./hour.
【００２８】焼成時に成形体に対して圧力を負荷するこ
とは、複合材料の緻密性を向上させ、クリストバライト
相の生成を抑制するという観点から好ましい。圧力負荷
方法は、ホットプレス法やホットアイソスタティックプ
レス法を例示できる。負荷される軸圧力は、１０ＭＰａ
以上が好ましい。軸圧力の上限は特になく、設備の限界
によってのみ制限を受ける。Applying a pressure to the compact during firing is preferable from the viewpoint of improving the compactness of the composite material and suppressing the formation of the cristobalite phase. Examples of the pressure loading method include a hot press method and a hot isostatic press method. The applied shaft pressure is 10MPa
The above is preferred. There is no particular upper limit for the shaft pressure, which is limited only by equipment limitations.
【００２９】[0029]
【実施例】以下、更に具体的な実験結果について述べ
る。平均粒径２．１μｍのベータ型炭化珪素の粉末を使
用した。この粉末中の珪素および炭素以外の不純物成分
の合計割合は１００ｐｐｍ未満である。また、平均粒径
０．６μｍグレードの石英ガラス粉末を使用した。両方
の粉末を秤量し、有機バインダーを添加することなく混
合した。混合比率は、表１−表３に示す。混合粉末を一
軸プレス機で成形し、厚さ５ｍｍ、直径１００ｍｍの円
盤形状の成形体を得た。この成形体をホットプレス装置
内に収容し、ホットプレスした。このホットプレス機
は、カーボンからなる炉材と、拡散ポンプからなる排気
装置とを備えていた。１１００℃と最高温度との間の昇
温速度、降温速度は４００℃／時間とし、最高温度でそ
れぞれ３０分間保持した。各最高温度、焼成時雰囲気お
よびプレス圧力は、表１−表３に示す。EXAMPLES Hereinafter, more specific experimental results will be described. Beta-type silicon carbide powder having an average particle size of 2.1 μm was used. The total proportion of impurity components other than silicon and carbon in this powder is less than 100 ppm. Further, quartz glass powder having an average particle diameter of 0.6 μm was used. Both powders were weighed and mixed without adding an organic binder. The mixing ratio is shown in Table 1 to Table 3. The mixed powder was molded with a uniaxial press to obtain a disk-shaped compact having a thickness of 5 mm and a diameter of 100 mm. This compact was housed in a hot press device and hot-pressed. This hot press machine was provided with a furnace material made of carbon and an exhaust device made up of a diffusion pump. The rate of temperature rise and fall between 1100 ° C. and the maximum temperature was set to 400 ° C./hour, and each was held at the maximum temperature for 30 minutes. Tables 1 to 3 show the maximum temperature, firing atmosphere, and press pressure.
【００３０】各例の生成物の表面を、♯８００の砥石で
研削加工し、加工面を目視および顕微鏡によって観察
し、チッピングまたはマイクロクラックが認められた場
合は「不良」と表記し、認められない場合には「良好」
と表記した。また、開気孔率をアルキメデス法によって
測定し、体積抵抗率を三端子法によって測定した。さら
に、曲げ強度はＪＩＳのＲ１６０１に定められる室温４
点曲げ法により求めた。The surface of the product of each example was ground with a # 800 grindstone, and the processed surface was visually observed and observed with a microscope. If chipping or microcracks were found, it was described as "poor", and Otherwise good
It was written. The open porosity was measured by the Archimedes method, and the volume resistivity was measured by the three-terminal method. Further, the bending strength is the room temperature 4 defined in JIS R1601.
It was determined by the point bending method.
【００３１】また、炭化珪素以外の珪素（Ｓｉ）、窒化
珪素（Ｓｉ３Ｎ４）、窒化チタン（ＴｉＮ）および炭化
チタン（ＴｉＣ）等の化合物を使用した焼結体を上述し
た方法に従って製造し、焼結体の各特性を上述した方法
と同様の方法で測定した。結果を表４に示す。ここで、
実施例１６及び１７では、平均粒子径が０．９μｍで純
度９９．９９％のＳｉ粉末を使用した。実施例１８及び
１９では、スプレードライ後の造粒粉の平均粒子径が４
５μｍ（１次粒として０．５μｍ）でＳｉ及びＮ以外の
不純物が１００ｐｐｍ未満のＳｉ３Ｎ４粉末を使用し
た。A sintered body using a compound other than silicon carbide, such as silicon (Si), silicon nitride (Si 3 N 4 ), titanium nitride (TiN), and titanium carbide (TiC), is manufactured according to the method described above. Each characteristic of the sintered body was measured by the same method as described above. Table 4 shows the results. here,
In Examples 16 and 17, Si powder having an average particle diameter of 0.9 μm and a purity of 99.99% was used. In Examples 18 and 19, the average particle size of the granulated powder after spray drying was 4
An Si 3 N 4 powder having a particle size of 5 μm (0.5 μm as a primary particle) and less than 100 ppm of impurities other than Si and N was used.
【００３２】[0032]
【表１】 [Table 1]
【００３３】[0033]
【表２】 [Table 2]
【００３４】[0034]
【表３】 [Table 3]
【００３５】[0035]
【表４】 [Table 4]
【００３６】実施例１−３においては、焼成時の最高温
度を１３００℃とした。石英ガラスからなる比較例１、
２と比べて、加工性が良いだけでなく、室温および２０
０℃における各体積抵抗率が低下していた。また，開気
孔率が１３％である実施例の複合材料は、曲げ強度が石
英ガラスに比べて著しく向上していた。In Example 1-3, the maximum temperature during firing was 1300 ° C. Comparative Example 1 made of quartz glass,
As compared with 2, not only the workability is better, but also room temperature and 20
Each volume resistivity at 0 ° C. was lower. Further, the bending strength of the composite material of the example having an open porosity of 13% was remarkably improved as compared with that of quartz glass.
【００３７】実施例４−７では、最高温度を１５００℃
とし、プレス圧力を４０ＭＰａとした。この結果、開気
孔率が０−４％となった。この場合には、全体として曲
げ強度が比較例１、２よりも著しく向上していた。更
に、実施例５、６、７では、炭化珪素相の作用によっ
て、体積抵抗率が低下している。ただし、実施例４にお
いては、かえって体積抵抗率が上昇していた。In Example 4-7, the maximum temperature was set to 1500 ° C.
And the press pressure was 40 MPa. As a result, the open porosity was 0-4%. In this case, the bending strength as a whole was significantly improved as compared with Comparative Examples 1 and 2. Further, in Examples 5, 6, and 7, the volume resistivity is lowered due to the action of the silicon carbide phase. However, in Example 4, the volume resistivity was rather increased.
【００３８】実施例８−１５では、焼成時の最高温度を
１４００℃とし、石英ガラスの割合を種々変更した。実
施例８、９においては、体積抵抗率の高い複合材料が得
られた。実施例１０−１５においては、体積抵抗率は低
下していた。また、実施例８−１５では、いずれも開気
孔率が低く、曲げ強度も比較的に大きい。In Examples 8 to 15, the maximum temperature during firing was 1400 ° C., and the ratio of quartz glass was variously changed. In Examples 8 and 9, a composite material having a high volume resistivity was obtained. In Examples 10 to 15, the volume resistivity was low. In Examples 8 to 15, the open porosity is low and the bending strength is relatively high.
【００３９】比較例３では、炭化珪素のみを使用してお
り、１６００℃で熱処理しているが、粉末が焼結しなか
った。比較例４では、石英ガラス粉末と炭化珪素粉末と
の混合物を１６５０℃でプレス圧力なしで熱処理した
が、この条件では充分に焼結が進行しなかった。In Comparative Example 3, only silicon carbide was used and heat treatment was performed at 1600 ° C., but the powder did not sinter. In Comparative Example 4, the mixture of the quartz glass powder and the silicon carbide powder was heat-treated at 1650 ° C. without pressing pressure, but sintering did not sufficiently proceed under these conditions.
【００４０】炭化珪素以外の各種類の化合物を使用した
実施例１６−２３では、実施例１−１５とほぼ同様の優
秀な特性を得ることができた。In Examples 16 to 23 using various kinds of compounds other than silicon carbide, almost the same excellent characteristics as in Examples 1 to 15 could be obtained.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、機
械加工後におけるマイクロクラック、チッピングやパー
ティクルの発生を防止できるような、石英ガラスの代替
材料を提供できる。As described above, according to the present invention, it is possible to provide an alternative material to quartz glass which can prevent the occurrence of microcracks, chipping and particles after machining.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大橋 玄章 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 川崎 真司 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (72) Inventor Gensho Ohashi 2-56 Sudacho, Mizuho-ku, Nagoya, Aichi Prefecture Inside Nihon Insulators Co., Ltd. (72) Inventor Shinji Kawasaki 2nd Sudacho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi No. 56 Nihon Insulators Co., Ltd.
Claims (8)
化された、炭化珪素、窒化珪素、珪素、窒化チタンおよ
び炭化チタンからなる群より選ばれた一種以上の化合物
からなる複合相とを主体とすることを特徴とする、複合
材料。1. A quartz glass phase and a composite phase composed of at least one compound selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, silicon, titanium nitride and titanium carbide, which are composited with the quartz glass phase. A composite material characterized by being mainly used.
量％であることを特徴とする、請求項１記載の複合材
料。2. The composite material according to claim 1, wherein the weight ratio of said quartz glass phase is 10-95% by weight.
量％であることを特徴とする、請求項２記載の複合材
料。3. The composite material according to claim 2, wherein the weight ratio of said quartz glass phase is 80-95% by weight.
珪素からなる群より選ばれていることを特徴とする、請
求項１−３のいずれか一つの請求項に記載の複合材料。4. The composite material according to claim 1, wherein said compound is selected from the group consisting of silicon carbide, silicon nitride, and silicon.
ンおよび炭化チタンからなる群より選ばれていることを
特徴とする、請求項１−３のいずれか一つの請求項に記
載の複合材料。5. The composite material according to claim 1, wherein said compound is selected from the group consisting of silicon carbide, silicon, titanium nitride and titanium carbide. .
する、請求項１−５のいずれか一つの請求項に記載の複
合材料。6. The composite material according to claim 1, wherein the open porosity is 15% or less.
る元素およびハロゲン以外の不純物の含有量が０．１重
量％以下であり、開気孔率が５％以下であることを特徴
とする、請求項６記載の複合材料。7. The method according to claim 1, wherein the content of impurities other than halogen and elements constituting said quartz glass and said compound is 0.1% by weight or less, and the open porosity is 5% or less. 7. The composite material according to 6.
珪素、窒化チタンおよび炭化チタンからなる群より選ば
れた一種以上の化合物の粉末との混合粉末を成形して成
形体を得、前記石英ガラスの融点以下および前記化合物
の融点以下の温度で前記成形体を焼結させることを特徴
とする、複合材料の製造方法。8. A quartz glass powder, silicon carbide, silicon nitride,
Forming a mixed powder with a powder of one or more compounds selected from the group consisting of silicon, titanium nitride and titanium carbide to obtain a compact, and forming the compact at a temperature below the melting point of the quartz glass and below the melting point of the compound A method for producing a composite material, comprising sintering a body.
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