JP2001315437A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JP2001315437A JP2001315437A JP2000136500A JP2000136500A JP2001315437A JP 2001315437 A JP2001315437 A JP 2001315437A JP 2000136500 A JP2000136500 A JP 2000136500A JP 2000136500 A JP2000136500 A JP 2000136500A JP 2001315437 A JP2001315437 A JP 2001315437A
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- Pending
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】短波長に発振波長を有する半導体レーザーを用
いた高密度記録に適した製膜性の良好な光情報記録媒体
用色素の開発 【解決手段】下記式で示される新規なベンゾピラン系化
合物を含有する記録層を有する光情報記録媒体。 【化1】 (式(1)においてR1,R2は、それぞれ独立に、水素
原子、アリル基、炭素総数12迄のアルコキシアルキル
基、炭素総数12迄のアルコキシアルコキシアルキル
基、又はC1−12の直鎖状ないし分岐状の弗化炭素鎖
を示す。Xは水素原子、C1−4のアルキル基、C1−
4のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
又は置換されていても良いカルバモイル基、スルファモ
イル基もしくはC1ー4のカルボアルコキシ基を、Yは
酸素原子、硫黄原子又はNR(Rは水素原子、置換され
ていても良い炭化水素基、アシル基又はスルフォニル基
を示す)をそれぞれ示す。環Aは置換されていても良い
芳香族炭素環又は芳香族複素炭素環を示す。)
いた高密度記録に適した製膜性の良好な光情報記録媒体
用色素の開発 【解決手段】下記式で示される新規なベンゾピラン系化
合物を含有する記録層を有する光情報記録媒体。 【化1】 (式(1)においてR1,R2は、それぞれ独立に、水素
原子、アリル基、炭素総数12迄のアルコキシアルキル
基、炭素総数12迄のアルコキシアルコキシアルキル
基、又はC1−12の直鎖状ないし分岐状の弗化炭素鎖
を示す。Xは水素原子、C1−4のアルキル基、C1−
4のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基
又は置換されていても良いカルバモイル基、スルファモ
イル基もしくはC1ー4のカルボアルコキシ基を、Yは
酸素原子、硫黄原子又はNR(Rは水素原子、置換され
ていても良い炭化水素基、アシル基又はスルフォニル基
を示す)をそれぞれ示す。環Aは置換されていても良い
芳香族炭素環又は芳香族複素炭素環を示す。)
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は光情報記録媒体に関
する。更に詳しくは、特定の有機色素を含有する記録膜
を有する書き込み可能な追記型の光情報記録媒体に関す
る。
する。更に詳しくは、特定の有機色素を含有する記録膜
を有する書き込み可能な追記型の光情報記録媒体に関す
る。
【0002】
【従来の技術】光情報記録媒体は、一般に記憶容量が大
きく、しかも記録または再生が非接触で行われる為記録
の保存性が優れている等の特徴を有することから広く普
及するに至っている。追記型の光ディスク(例えばWO
RM、CD−R)では記録膜の微少面積にレーザーを集
光させ、記録膜にピットを形成し、ピット部とピットが
形成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の違
いによって再生を行うような構造を有している。そし
て、この追記型の光記録媒体の記録膜に有機色素が用い
られていることは一般によく知られている。そして情報
量の増大に伴い、最近は半導体レーザーの波長をCD−
Rなどに用いられている波長よりも短くし、さらに高密
度記録を行う試みが特開平9−194748号公報など
で提案され、例えばDVD−Rのような光情報記録媒体
が実用化されるに至った。
きく、しかも記録または再生が非接触で行われる為記録
の保存性が優れている等の特徴を有することから広く普
及するに至っている。追記型の光ディスク(例えばWO
RM、CD−R)では記録膜の微少面積にレーザーを集
光させ、記録膜にピットを形成し、ピット部とピットが
形成されていない部分の反射光量もしくは透過光量の違
いによって再生を行うような構造を有している。そし
て、この追記型の光記録媒体の記録膜に有機色素が用い
られていることは一般によく知られている。そして情報
量の増大に伴い、最近は半導体レーザーの波長をCD−
Rなどに用いられている波長よりも短くし、さらに高密
度記録を行う試みが特開平9−194748号公報など
で提案され、例えばDVD−Rのような光情報記録媒体
が実用化されるに至った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】近年コストダウンのた
めに光記録媒体製造時の記録層溶液をリサイクルする動
きが活発となっている他、色素自体の製造が容易である
ことや、モル吸光係数や溶剤に対する溶解度が高く、製
膜性に優れていること等の品質特性に対する要望が一段
と高く、このような特性を満たす色素の開発が望まれて
いる。
めに光記録媒体製造時の記録層溶液をリサイクルする動
きが活発となっている他、色素自体の製造が容易である
ことや、モル吸光係数や溶剤に対する溶解度が高く、製
膜性に優れていること等の品質特性に対する要望が一段
と高く、このような特性を満たす色素の開発が望まれて
いる。
【0004】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、短波長に発振波長を有する半導体レーザー
を用いた高密度記録にも適し、感度が高く、溶剤への溶
解性に優れ、しかも製膜性の良好な光情報記録媒体用色
素を提供することにある。
ものであり、短波長に発振波長を有する半導体レーザー
を用いた高密度記録にも適し、感度が高く、溶剤への溶
解性に優れ、しかも製膜性の良好な光情報記録媒体用色
素を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは前記したよ
うな課題を解決すべく鋭意努力した結果、特定の構造を
有するベンゾピラン系化合物が前記課題を満たすもので
あることを見出し、本発明を完成させた。
うな課題を解決すべく鋭意努力した結果、特定の構造を
有するベンゾピラン系化合物が前記課題を満たすもので
あることを見出し、本発明を完成させた。
【0006】すなわち本発明は、(1)基板上に有機色
素層を有する光情報記録媒体に於いて、該有機色素層
が、下記一般式(1)で表されるベンゾピラン系化合物
を含有することを特徴とする波長620〜690nmの
レーザー光で記録再生するための光情報記録媒体、
素層を有する光情報記録媒体に於いて、該有機色素層
が、下記一般式(1)で表されるベンゾピラン系化合物
を含有することを特徴とする波長620〜690nmの
レーザー光で記録再生するための光情報記録媒体、
【0007】
【化2】
【0008】(式(1)においてR1,R2は、それぞれ
独立に、水素原子、アリル基、炭素総数12迄のアルコ
キシアルキル基、炭素総数12迄のアルコキシアルコキ
シアルキル基、又はC1−12の直鎖状ないし分岐状の
弗化炭素鎖を示す。Xは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は置換さ
れていても良いカルバモイル基、スルファモイル基もし
くはカルボアルコキシ基を、Yは酸素原子、硫黄原子又
はNR(Rは水素原子、置換されていても良い炭化水素
基、アシル基又はスルフォニル基を示す)をそれぞれ示
す。環Aは置換されていても良い芳香族炭素環又は芳香
族複素炭素環を示す。)、(2)式(1)においてR1
およびR2のいずれか一方が水素原子である(1)に記
載の光情報記録媒体、(3)式(1)においてR1およ
びR2のいずれか一方がアリル基である(1)に記載の
光情報記録媒体、(4)1重項酸素クエンチャーを記録
層中に含有する(1)〜(3)のいずれか1項に記載の
光情報記録媒体、(5)記録層上に金属反射層および保
護層を有し、該金属反射層が金、銀およびアルミニウム
のうちのいずれかを主成分とし、該保護層が紫外線硬化
型樹脂からなる(1)〜(4)のいずれか1項に記載の
光情報記録媒体、に関する。
独立に、水素原子、アリル基、炭素総数12迄のアルコ
キシアルキル基、炭素総数12迄のアルコキシアルコキ
シアルキル基、又はC1−12の直鎖状ないし分岐状の
弗化炭素鎖を示す。Xは水素原子、アルキル基、アルコ
キシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基又は置換さ
れていても良いカルバモイル基、スルファモイル基もし
くはカルボアルコキシ基を、Yは酸素原子、硫黄原子又
はNR(Rは水素原子、置換されていても良い炭化水素
基、アシル基又はスルフォニル基を示す)をそれぞれ示
す。環Aは置換されていても良い芳香族炭素環又は芳香
族複素炭素環を示す。)、(2)式(1)においてR1
およびR2のいずれか一方が水素原子である(1)に記
載の光情報記録媒体、(3)式(1)においてR1およ
びR2のいずれか一方がアリル基である(1)に記載の
光情報記録媒体、(4)1重項酸素クエンチャーを記録
層中に含有する(1)〜(3)のいずれか1項に記載の
光情報記録媒体、(5)記録層上に金属反射層および保
護層を有し、該金属反射層が金、銀およびアルミニウム
のうちのいずれかを主成分とし、該保護層が紫外線硬化
型樹脂からなる(1)〜(4)のいずれか1項に記載の
光情報記録媒体、に関する。
【0009】本発明を詳細に説明する。本発明で使用す
る一般式(1)で示したベンゾピラン系化合物における
R1,R2は、水素原子;アリル基;メトキシメチル基、
メトキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシエチ
ル基、エトキシプロピル基のような炭素総数12迄のア
ルコキシアルキル基;メトキシメトキシメチル基、メト
キシメトキシエチル基、メトキシメトキシプロピル基の
ような炭素総数12のアルコキシアルコキシアルキル
基;炭素数1−12の直鎖状ないし分岐状の弗化炭素鎖
を示すが、好ましいものは水素原子、アリル基、メトキ
シエチル基に代表される(C1−4)アルコキシ(C1
−4)アルキル基、CF3,C2F5、C3F7に代表され
る(C1−4)弗化炭素基等である。
る一般式(1)で示したベンゾピラン系化合物における
R1,R2は、水素原子;アリル基;メトキシメチル基、
メトキシエチル基、メトキシプロピル基、エトキシエチ
ル基、エトキシプロピル基のような炭素総数12迄のア
ルコキシアルキル基;メトキシメトキシメチル基、メト
キシメトキシエチル基、メトキシメトキシプロピル基の
ような炭素総数12のアルコキシアルコキシアルキル
基;炭素数1−12の直鎖状ないし分岐状の弗化炭素鎖
を示すが、好ましいものは水素原子、アリル基、メトキ
シエチル基に代表される(C1−4)アルコキシ(C1
−4)アルキル基、CF3,C2F5、C3F7に代表され
る(C1−4)弗化炭素基等である。
【0010】次にXは、水素原子;メチル基、エチル
基、n−プロピル基、iso−プロピル基等のC1−4
のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基のようなC1−
4のアルコキシ基;塩素原子、弗素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;ニトロ基;置換されていてもよいカルバ
モイル基、スルファモイル基もしくはC1−4カルボア
ルコキシ基を示す。好ましいものはシアノ基、ニトロ
基、塩素原子、弗素原子等である。
基、n−プロピル基、iso−プロピル基等のC1−4
のアルキル基;メトキシ基、エトキシ基のようなC1−
4のアルコキシ基;塩素原子、弗素原子等のハロゲン原
子;シアノ基;ニトロ基;置換されていてもよいカルバ
モイル基、スルファモイル基もしくはC1−4カルボア
ルコキシ基を示す。好ましいものはシアノ基、ニトロ
基、塩素原子、弗素原子等である。
【0011】更にYは、酸素原子;硫黄原子;イミノ
基;NR(Rは水素原子、置換されていても良い炭素総
数12迄のアルキル基、置換されていてもよい炭素総数
12迄のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素総数
12迄のアシル基またはスルフォニル基を示す。)を示
す。好ましいものはイミノ基、ニトロ基、塩素原子、弗
素原子等である。
基;NR(Rは水素原子、置換されていても良い炭素総
数12迄のアルキル基、置換されていてもよい炭素総数
12迄のアルコキシ基、置換されていてもよい炭素総数
12迄のアシル基またはスルフォニル基を示す。)を示
す。好ましいものはイミノ基、ニトロ基、塩素原子、弗
素原子等である。
【0012】環Aは置換されていても良い芳香族炭素環
または芳香族複素炭素環を示すが、その具体例として
は、例えばフェニル環、ナフチル環、チオフェン環、ベ
ンゾチオフェン環等が挙げられ、環Aに置換していても
良い置換基としては、弗素原子、塩素原子、メチル基、
エチル基、シアノ基、ヒドロキシ基またはメトキシ基、
エトキシ基等挙げられる。環Aとしてはベンゼン環が好
ましい。
または芳香族複素炭素環を示すが、その具体例として
は、例えばフェニル環、ナフチル環、チオフェン環、ベ
ンゾチオフェン環等が挙げられ、環Aに置換していても
良い置換基としては、弗素原子、塩素原子、メチル基、
エチル基、シアノ基、ヒドロキシ基またはメトキシ基、
エトキシ基等挙げられる。環Aとしてはベンゼン環が好
ましい。
【0013】一般式(1)における各置換基の好ましい
組み合わせとしては、R1およびR2が水素原子、アリル
基、メトキシエチル基、CF3又はC2F7、Xがシアノ
基、塩素原子又は弗素原子、Yがイミノ基、ニトロ基、
塩素原子又は弗素原子、環Aがベンゼン好ましい。より
好ましい組み合わせとしては、R1およびR2がアリル基
又はCF3、Xがシアノ基又は塩素原子、Yがイミノ
基、環Aがベンゼン環である組み合わせが挙げられる。
組み合わせとしては、R1およびR2が水素原子、アリル
基、メトキシエチル基、CF3又はC2F7、Xがシアノ
基、塩素原子又は弗素原子、Yがイミノ基、ニトロ基、
塩素原子又は弗素原子、環Aがベンゼン好ましい。より
好ましい組み合わせとしては、R1およびR2がアリル基
又はCF3、Xがシアノ基又は塩素原子、Yがイミノ
基、環Aがベンゼン環である組み合わせが挙げられる。
【0014】本発明おける一般式(1)で示される化合
物の具体例を表1に示すが、これらに限定されるもので
はない。表1中、Phはフェニル環、Naphはナフチル環を
示す。
物の具体例を表1に示すが、これらに限定されるもので
はない。表1中、Phはフェニル環、Naphはナフチル環を
示す。
【0015】 表1 No. R1 R2 X Y A 1 CH2CH=CH2 CH2CH=CH2 CN S Ph 2 CH2CH=CH2 H F NH Ph 3 CH2CH=CH2 C2H4OCH3 Br O Ph 4 CH2CH=CH2 C2H4OC2H4OC2H5 OCH3 NH Naph 5 CH2CH=CH2 CH2CH=CH2 CN NH Ph 6 CH2CH=CH2 H NO2 NH Ph-Cl 7 CH2CH=CH2 C2H4OCH3 CH3 NH Ph 8 CH2CH=CH2 C2H4OC2H4OC2H5 Cl NH Ph-CN 9 H C2H4OCH3 CN NH Naph 10 H C2H4OC2H4OC2H5 NO2 S Ph 11 C2H4OCH3 C2H4OCH3 CN NH Naph 12 C2H4OCH3 C2H4OC2H4OC2H5 F NH Ph 13 C2H4OC2H4OC2H5 C2H4OC2H4OC2H5 CN NH Ph-CH3 14 H C2H4OCH3 CN HCON Ph 15 H C2H4OC2H4OC2H5 Br C6H5CON Ph 16 C2H4OCH3 C2H4OCH3 F NH Ph-OCH3 17 C2H4OCH3 C2H4OC2H4OC2H5 OCH3 CH3CON Ph 18 H C2H4OC2H4OC2H5 CN S Ph 19 C2H4OCH3 C2H4OCH3 CN NH Naph 20 C2H4OCH3 C2H4OC2H4OC2H5 F O Ph
【0016】 21 CF3 CF3 Br C6H5CON Ph 22 C4F9 C4F9 CN NH Naph 23 H CF3 F CH3CON Ph 24 CH2CH=CH2 C4F9 CH3 NH Ph 25 C2H4OCH3 CF3 CN NH Ph-OCH3 26 C2H4OC2H4OC2H5 C4F9 F O Ph 27 CF3 C4F9 NO2 S Ph 28 C4F9 C4F9 CN CH3CON Ph 29 H C2F5 F O Ph-CH3 30 CH2CH=CH2 CF3 CN NH Ph 31 C2H4OCH3 C4F9 Cl NH Ph 32 C2H4OC2H4OC2H5 C4F9 F NH Naph-OCH3
【0017】上記一般式(1)で表される化合物は、特
公昭54−13257に記載の方法に従い、下記式に示
す合成ルートにより合成できる。
公昭54−13257に記載の方法に従い、下記式に示
す合成ルートにより合成できる。
【0018】
【化3】
【0019】(上記合成ル−トにおいてR1、R2、X、
Y、 Aは前記と同じ意味を表し、又Bは塩化物、臭化
物、硝酸塩、ロダン酸塩、硫酸塩、酢酸塩、P−トルエ
ンスルホン酸塩又はテトラフルオロ硼酸塩のアニオンに
相当する原子又は原子団を表す。)
Y、 Aは前記と同じ意味を表し、又Bは塩化物、臭化
物、硝酸塩、ロダン酸塩、硫酸塩、酢酸塩、P−トルエ
ンスルホン酸塩又はテトラフルオロ硼酸塩のアニオンに
相当する原子又は原子団を表す。)
【0020】より具体的には、メタノール、エタノー
ル、iso-プロピルアルコール、グリコール、ジメチルホ
ルムアミド等の溶媒中で、(イ)なる原料と(ロ)なる
原料を仕込み、反応温度50℃〜140℃で2時間〜1
2時間反応させ、(I)の化合物を得る。この反応にお
いて、場合により、触媒としてピペラジン、ピペリジン
等の塩基触媒を加えても良い。その後(I)の化合物に
(ハ)なる原料を仕込み、前述した同様の溶媒中で反応
温度50〜140℃で2〜12時間反応させるとによ
り、目的のベンゾピラン化合物を得る。
ル、iso-プロピルアルコール、グリコール、ジメチルホ
ルムアミド等の溶媒中で、(イ)なる原料と(ロ)なる
原料を仕込み、反応温度50℃〜140℃で2時間〜1
2時間反応させ、(I)の化合物を得る。この反応にお
いて、場合により、触媒としてピペラジン、ピペリジン
等の塩基触媒を加えても良い。その後(I)の化合物に
(ハ)なる原料を仕込み、前述した同様の溶媒中で反応
温度50〜140℃で2〜12時間反応させるとによ
り、目的のベンゾピラン化合物を得る。
【0021】本発明の光情報記録媒体において用いられ
る一般式(1)で表される化合物は、単独で用いてもよ
いが、最大吸収波長が500〜600nmにあり、一般
式(1)で表される化合物とは吸収波長の異なる有機色
素を併用して用いてもよい。このような有機色素として
は、例えばトリメチンシアニン系色素、スクワリリウム
系色素、インドアニリン系色素、フタロシアニン系色
素、アゾ金属キレート色素等が挙げられ、より好ましい
ものとしてはトリメチンシアニン色素、フタロシアニン
色素およびアゾ金属キレート色素があげられる。
る一般式(1)で表される化合物は、単独で用いてもよ
いが、最大吸収波長が500〜600nmにあり、一般
式(1)で表される化合物とは吸収波長の異なる有機色
素を併用して用いてもよい。このような有機色素として
は、例えばトリメチンシアニン系色素、スクワリリウム
系色素、インドアニリン系色素、フタロシアニン系色
素、アゾ金属キレート色素等が挙げられ、より好ましい
ものとしてはトリメチンシアニン色素、フタロシアニン
色素およびアゾ金属キレート色素があげられる。
【0022】また、本発明の光情報記録媒体において
は、読み取り耐久性向上や耐光性向上のため種々の酸化
防止剤や紫外線吸収剤、一重項酸素クエンチャーを一般
式(1)で表される化合物と併用してもよい。用いうる
一重項酸素クエンチャーとしては、例えば一般的なニッ
ケル錯体、銅錯体等の遷移金属錯体、ジフェニルアミン
のニトロソ化合物、アミニウム系もしくはジイモニウム
系化合物(例えば日本化薬製IRG−022、IRG−
023、IRG−040、IRG−140等)があげら
れる。クエンチャーは一般式(1)の化合物1モルに対
して、通常0.01〜10モル、好ましくは0.03〜
2.0モルの範囲で使用される。更に、種々の樹脂を併
用してもよい。
は、読み取り耐久性向上や耐光性向上のため種々の酸化
防止剤や紫外線吸収剤、一重項酸素クエンチャーを一般
式(1)で表される化合物と併用してもよい。用いうる
一重項酸素クエンチャーとしては、例えば一般的なニッ
ケル錯体、銅錯体等の遷移金属錯体、ジフェニルアミン
のニトロソ化合物、アミニウム系もしくはジイモニウム
系化合物(例えば日本化薬製IRG−022、IRG−
023、IRG−040、IRG−140等)があげら
れる。クエンチャーは一般式(1)の化合物1モルに対
して、通常0.01〜10モル、好ましくは0.03〜
2.0モルの範囲で使用される。更に、種々の樹脂を併
用してもよい。
【0023】本発明の光情報記録媒体は基板上に一般式
(1)で表される化合物を含有する記録層を設けたもの
で、必要に応じ、反射層、保護層が設けられる。基板と
しては公知のものを任意に使用することが出来る。用い
うる基板としては、ガラス板、金属板又はプラスチック
板もしくはフィルム等があげられ、プラスチック板もし
くはフィルムの原料となる樹脂としてはアクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、ポリスルホン
樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂等があげられる。
基板の形状については、特に制限はなく、ディスク状、
カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものが
採用されうる。ガラスまたはプラスチック基板上には記
録時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成さ
せてもよい。また、ガラスまたはプラスチック基板には
プラスチックバインダーまたは無機酸化物、無機硫化物
等の下引き層を設けてもよく、下引層は基板より熱伝導
率の低いものが好ましい。
(1)で表される化合物を含有する記録層を設けたもの
で、必要に応じ、反射層、保護層が設けられる。基板と
しては公知のものを任意に使用することが出来る。用い
うる基板としては、ガラス板、金属板又はプラスチック
板もしくはフィルム等があげられ、プラスチック板もし
くはフィルムの原料となる樹脂としてはアクリル樹脂、
ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、ポリスルホン
樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポリオレフィン樹脂、ポ
リエステル樹脂、ポリプロピレン樹脂等があげられる。
基板の形状については、特に制限はなく、ディスク状、
カード状、シート状、ロールフィルム状等種々のものが
採用されうる。ガラスまたはプラスチック基板上には記
録時のトラッキングを容易にするために案内溝を形成さ
せてもよい。また、ガラスまたはプラスチック基板には
プラスチックバインダーまたは無機酸化物、無機硫化物
等の下引き層を設けてもよく、下引層は基板より熱伝導
率の低いものが好ましい。
【0024】本発明における記録層は、例えば一般式
(1)で表される化合物および必要に応じてクエンチャ
ーを有機溶剤、例えばテトラフルオロプロパノール(T
FP)、オクタフルオロペンタノール(OFP)、ダイ
アセトンアルコール、メタノール、エタノール、ブタノ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジクロロ
エタン、イソホロン、シクロヘキサノン等に溶解し、必
要に応じて、バインダーを加え、その溶液をスピンコー
ター、バーコーター、ロールコーター等により基板上に
塗布することにより得ることが出来る。その他の方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレ
ード法、キャスト法もしくは基板を溶液中に漬けるディ
ッピング法によっても得ることができる。バインダ−と
してはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリ
ル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポ
リオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロプレン
樹脂等種々のものが用いられる。この場合 一般式
(1)で表される化合物は前記有機溶媒に通常0.1〜
30重量%、好ましくは1.0〜5.0重量%溶解させ
て使用に供される。
(1)で表される化合物および必要に応じてクエンチャ
ーを有機溶剤、例えばテトラフルオロプロパノール(T
FP)、オクタフルオロペンタノール(OFP)、ダイ
アセトンアルコール、メタノール、エタノール、ブタノ
ール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジクロロ
エタン、イソホロン、シクロヘキサノン等に溶解し、必
要に応じて、バインダーを加え、その溶液をスピンコー
ター、バーコーター、ロールコーター等により基板上に
塗布することにより得ることが出来る。その他の方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、ドクターブレ
ード法、キャスト法もしくは基板を溶液中に漬けるディ
ッピング法によっても得ることができる。バインダ−と
してはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリ
ル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリイミド樹脂、非晶質ポ
リオレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリプロプレン
樹脂等種々のものが用いられる。この場合 一般式
(1)で表される化合物は前記有機溶媒に通常0.1〜
30重量%、好ましくは1.0〜5.0重量%溶解させ
て使用に供される。
【0025】記録層の乾燥時の膜厚は、0.01μm〜
5μm、好ましくは0.02μm〜3μmである。この
値が0.01μm未満であると、記録感度および反射率
が不足し、理想的な記録ができなくなることがある。一
方、この値が7μmを越えると、記録感度が不足すると
いう不都合が生じることがある。
5μm、好ましくは0.02μm〜3μmである。この
値が0.01μm未満であると、記録感度および反射率
が不足し、理想的な記録ができなくなることがある。一
方、この値が7μmを越えると、記録感度が不足すると
いう不都合が生じることがある。
【0026】本発明の光情報記録媒体には、必要により
記録層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設ける
ことが出来、さらに記録層と保護層の間に反射層を設け
ることが出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、
銀、銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀もしくはア
ルミニウムから構成され、これらは単独で使用してもよ
く、2種以上の合金としてもよい。これらのものは真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
で成膜される。このような反射層の厚さは、0.02〜
2μmである。反射層の上に設けられることのある保護
層は、通常、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗
装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形成され
るものである。その他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形成材料に
用いられる。このような保護膜の厚さは、通常、0.0
1〜100μmである。
記録層の下に下引層を、また記録層上に保護層を設ける
ことが出来、さらに記録層と保護層の間に反射層を設け
ることが出来る。反射層を設ける場合、反射層は金、
銀、銅、アルミニウム等、好ましくは金、銀もしくはア
ルミニウムから構成され、これらは単独で使用してもよ
く、2種以上の合金としてもよい。これらのものは真空
蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等
で成膜される。このような反射層の厚さは、0.02〜
2μmである。反射層の上に設けられることのある保護
層は、通常、紫外線硬化樹脂をスピンコート法により塗
装した後、紫外線を照射し、塗膜を硬化させて形成され
るものである。その他、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、
シリコーン樹脂、ウレタン樹脂等も保護膜の形成材料に
用いられる。このような保護膜の厚さは、通常、0.0
1〜100μmである。
【0027】本発明の光情報記録媒体は、好ましくはD
VD−R用に使用される。情報の記録、あるいは画像の
形成はレーザー、例えば半導体レーザー、ヘリウム−ネ
オンレーザー、He−Cdレーザー、YAGレーザー、
Arレーザー等の集光したスポット状の高エネルギービ
ームを基板を通して、もしくは基板と反対側から記録層
に照射することにより行われ、記録された情報あるいは
画像の読み出しは、低出力のレーザービームを照射する
ことにより、ピット部とピットが形成されていない部分
の反射光量もしくは透過光量の差を検出することにより
行われる。
VD−R用に使用される。情報の記録、あるいは画像の
形成はレーザー、例えば半導体レーザー、ヘリウム−ネ
オンレーザー、He−Cdレーザー、YAGレーザー、
Arレーザー等の集光したスポット状の高エネルギービ
ームを基板を通して、もしくは基板と反対側から記録層
に照射することにより行われ、記録された情報あるいは
画像の読み出しは、低出力のレーザービームを照射する
ことにより、ピット部とピットが形成されていない部分
の反射光量もしくは透過光量の差を検出することにより
行われる。
【0028】
【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。尚、実施例中、部は特に限定しない限り重量
部を表す。
明するが、本発明が、これらの実施例に限定されるもの
ではない。尚、実施例中、部は特に限定しない限り重量
部を表す。
【0029】合成例1 3−ベンゾイミダゾリル−(2')−7−ジアリルアミ
ノー2−イミノクマリン5部およびマロン酸ジニトリル
1部を、グリコールモノエチルエーテル45部中で還流
冷却下に二時間煮沸し、ついで5℃に冷却し、沈殿した
結晶を吸引濾過し、メタノール10部で洗浄し、乾燥す
ると、表1No.5に示す化合物3部が得られる。
ノー2−イミノクマリン5部およびマロン酸ジニトリル
1部を、グリコールモノエチルエーテル45部中で還流
冷却下に二時間煮沸し、ついで5℃に冷却し、沈殿した
結晶を吸引濾過し、メタノール10部で洗浄し、乾燥す
ると、表1No.5に示す化合物3部が得られる。
【0030】合成例2 合成例1と同様に操作し、ただし3−ベンゾイミダゾリ
ル−(2')−7−アリルトリフルオロエチルアミノー
2−イミノクマリン5部を用い、触媒としてピペリジン
等を用いると、表1No.30に示す化合物3部が得られ
る。
ル−(2')−7−アリルトリフルオロエチルアミノー
2−イミノクマリン5部を用い、触媒としてピペリジン
等を用いると、表1No.30に示す化合物3部が得られ
る。
【0031】合成例3〜30 上記合成例1あるいは2に準じてNo.1〜No.4、てNo.
6〜No.29、No.31〜No.32の化合物を得る。
6〜No.29、No.31〜No.32の化合物を得る。
【0032】実施例1 前記合成例1で得られた化合物0.08部をテトラフル
オロプロパノール4部に溶解し塗布液を得た。この溶液
2mlをグルーヴ付5インチポリカーボネート樹脂基板
上にピペットにて滴下し、スピンコーターにて塗布、5
0℃にて5分間乾燥し、記録層を形成した。塗布膜の最
大吸収波長は560nmであった。得られた塗布膜に金
をスパッタリング法で成膜し、反射層とした。この塗布
基板に中心波長635nmの半導体レーザー光を出力9
mWで照射したところ輪郭の明瞭なピットが形成され
た。更に、この塗布基板を3.8m/sで回転させなが
ら、中心波長635nmの半導体レーザー光で記録周波
数1MHzで照射し、評価したところ、反射率45%、
C/N比56dbを得た。この塗布膜の保存安定性は6
0℃X80%RHの条件下で20日以上良好であった。
オロプロパノール4部に溶解し塗布液を得た。この溶液
2mlをグルーヴ付5インチポリカーボネート樹脂基板
上にピペットにて滴下し、スピンコーターにて塗布、5
0℃にて5分間乾燥し、記録層を形成した。塗布膜の最
大吸収波長は560nmであった。得られた塗布膜に金
をスパッタリング法で成膜し、反射層とした。この塗布
基板に中心波長635nmの半導体レーザー光を出力9
mWで照射したところ輪郭の明瞭なピットが形成され
た。更に、この塗布基板を3.8m/sで回転させなが
ら、中心波長635nmの半導体レーザー光で記録周波
数1MHzで照射し、評価したところ、反射率45%、
C/N比56dbを得た。この塗布膜の保存安定性は6
0℃X80%RHの条件下で20日以上良好であった。
【0033】実施例2 前記合成例2で得られた化合物を用い、前記実施例1で
行った方法に準じて記録層を形成した。塗布膜の最大吸
収波長は554nmであった。得られた塗布膜に実施例
1と同様に反射層を設け、中心波長635nmの半導体
レーザー光を出力11mWで照射したところ輪郭の明瞭
なピットが形成された。更に、この塗布基板を3.8m
/sで回転させながら、中心波長635nmの半導体レ
ーザー光で記録周波数1MHzで照射し、評価したとこ
ろ、反射率62%、C/N比42dbを得た。この塗布
膜の保存安定性は60℃X80%RHの条件下で20日
以上良好であった。
行った方法に準じて記録層を形成した。塗布膜の最大吸
収波長は554nmであった。得られた塗布膜に実施例
1と同様に反射層を設け、中心波長635nmの半導体
レーザー光を出力11mWで照射したところ輪郭の明瞭
なピットが形成された。更に、この塗布基板を3.8m
/sで回転させながら、中心波長635nmの半導体レ
ーザー光で記録周波数1MHzで照射し、評価したとこ
ろ、反射率62%、C/N比42dbを得た。この塗布
膜の保存安定性は60℃X80%RHの条件下で20日
以上良好であった。
【0034】実施例3〜30 前記合成例3〜30で得られた各化合物を用い、前記実
施例1で行った方法に準じて記録層を形成したところ、
塗布膜の最大吸収波長は540〜570nmであった。
得られた塗布膜に金をスパッタリング法で成膜し、反射
層とした。これらの塗布基板に中心波長635nmの半
導体レーザー光を出力9mWで照射したところ輪郭の明
瞭なピットが形成された。更に、これらの塗布基板を
3.8m/sで回転させながら、中心波長635nmの
半導体レーザー光で記録周波数1MHzで照射し、評価
したところ、反射率45〜65%、C/N比40〜58
dbを得た。これらの塗布膜の保存安定性は60℃X8
0%RHの条件下で20日以上良好であった。
施例1で行った方法に準じて記録層を形成したところ、
塗布膜の最大吸収波長は540〜570nmであった。
得られた塗布膜に金をスパッタリング法で成膜し、反射
層とした。これらの塗布基板に中心波長635nmの半
導体レーザー光を出力9mWで照射したところ輪郭の明
瞭なピットが形成された。更に、これらの塗布基板を
3.8m/sで回転させながら、中心波長635nmの
半導体レーザー光で記録周波数1MHzで照射し、評価
したところ、反射率45〜65%、C/N比40〜58
dbを得た。これらの塗布膜の保存安定性は60℃X8
0%RHの条件下で20日以上良好であった。
【0035】
【発明の効果】本発明の光情報記録媒体は、特定の構造
を有する化合物を含有する記録膜を基板上に備える構造
としたので、700nm以下のレーザー光に対して、特
に635nm付近のレーザー光を使用するDVD−R用
として充分な感度及び反射率を有し、又テトラフルオロ
プロパノール(TFP)等の溶剤に対する溶解度が高
く、良好な記録、再生が可能な高密度記録に好適に用い
られる。又、この色素は安価に製造が可能であり、更に
モル吸光係数が高く、製膜性に優れているので、膜厚の
コントロールが容易であり、光情報記録媒体の製造コス
トを下げるという点からも利用価値が高い。
を有する化合物を含有する記録膜を基板上に備える構造
としたので、700nm以下のレーザー光に対して、特
に635nm付近のレーザー光を使用するDVD−R用
として充分な感度及び反射率を有し、又テトラフルオロ
プロパノール(TFP)等の溶剤に対する溶解度が高
く、良好な記録、再生が可能な高密度記録に好適に用い
られる。又、この色素は安価に製造が可能であり、更に
モル吸光係数が高く、製膜性に優れているので、膜厚の
コントロールが容易であり、光情報記録媒体の製造コス
トを下げるという点からも利用価値が高い。
Claims (5)
- 【請求項1】基板上に有機色素層を有する光情報記録媒
体に於いて、該有機色素層が、下記一般式(1)で表さ
れるベンゾピラン系化合物を含有することを特徴とする
波長620〜690nmのレーザー光で記録、再生する
ための光情報記録媒体。 【化1】 (式(1)においてR1,R2は、それぞれ独立に、水素
原子、アリル基、炭素総数12迄のアルコキシアルキル
基、炭素総数12迄のアルコキシアルコキシアルキル
基、又はC1−12の直鎖状ないし分岐状の弗化アルキ
ル基を示す。Xは水素原子、C1−4のアルキル基、C
1−4のアルコキシ基、ハロゲン原子、シアノ基、ニト
ロ基又は置換されていても良いカルバモイル基、スルフ
ァモイル基もしくは、C1−4のカルボアルコキシ基
を、Yは酸素原子、硫黄原子又はNR(Rは水素原子、
置換されていても良いアルキル基、ベンゾイル基、アシ
ル基又はスルフォニル基を示す)をそれぞれ示す。環A
は置換されていても良い芳香族炭素環又は芳香族複素炭
素環を示す。) - 【請求項2】式(1)においてR1およびR2のいずれか
一方が水素原子である請求項1に記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項3】式(1)においてR1およびR2のいずれか
一方がアリル基である請求項1に記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項4】1重項酸素クエンチャーを記録層中に含有
する請求項1〜3のいずれか1項に記載の光情報記録媒
体。 - 【請求項5】記録層上に金属反射層および保護層を有
し、該金属反射層が金、銀およびアルミニウムのうちの
いずれかを主成分とし、該保護層が紫外線硬化型樹脂か
らなる請求項1〜4のいずれか1項に記載の光情報記録
媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000136500A JP2001315437A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000136500A JP2001315437A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 光情報記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001315437A true JP2001315437A (ja) | 2001-11-13 |
Family
ID=18644430
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000136500A Pending JP2001315437A (ja) | 2000-05-10 | 2000-05-10 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001315437A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010074325A1 (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Labeling composition for intraocular tissue, labeling method of intraocular tissue, and screening method |
-
2000
- 2000-05-10 JP JP2000136500A patent/JP2001315437A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010074325A1 (en) * | 2008-12-25 | 2010-07-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Labeling composition for intraocular tissue, labeling method of intraocular tissue, and screening method |
US9764046B2 (en) | 2008-12-25 | 2017-09-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Labeling composition for intraocular tissue, labeling method of intraocular tissue, and screening method |
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