JP2001308512A - リフロー炉 - Google Patents

リフロー炉

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JP2001308512A JP2000127551A JP2000127551A JP2001308512A JP 2001308512 A JP2001308512 A JP 2001308512A JP 2000127551 A JP2000127551 A JP 2000127551A JP 2000127551 A JP2000127551 A JP 2000127551A JP 2001308512 A JP2001308512 A JP 2001308512A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】回路基板に実装される電気、電子部品として、
熱容量の異なる部品や長い時間の加熱に弱い部品が混在
する場合でも、これら部品に熱劣化、破損を起こすこと
なくはんだ付けをすることができるリフロー炉を提供す
る。 【解決手段】回路基板11を加熱する加熱ゾーン13
と、加熱ゾーン13に回路基板11を搬送する搬送路1
5とを備えたリフロー炉において、加熱ゾーン13の後
段又は加熱ゾーン13の一部に、回路基板11を一定ピ
ーク温度に維持又は加熱維持するピーク加熱ゾーン33
と、一定ピーク温度に到達した回路基板11を冷却する
冷却ゾーン35と、ピーク加熱ゾーン33と冷却ゾーン
35の長さの比率を変更するゾーン長比率変更手段37
とを設けてなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線板
(PWB)、回路基板等(以下回路基板と総称する)に
実装されるコイル、抵抗体、コンデンサ、半導体部品、
素子等の電気、電子部品にはんだ付けをするリフロー炉
に関するものである。
【0002】
【従来の技術】最近、回路基板に実装されるコイル、抵
抗体、半導体部品等の電気、電子部品にはんだ付けをす
るために、リフロー炉が広く用いられている。このリフ
ロー炉は、例えば、図8に示すように、はんだ付けを行
う回路基板1を加熱する加熱ゾーン2と、加熱ゾーン2
に回路基板1を搬送する搬送路3とを備えている。
【0003】加熱ゾーン2は、更に予備加熱ゾーン4、
中間加熱ゾーン5、6及びリフローゾーン7で形成さ
れ、各々独立して温度制御される。予備加熱ゾーン4は
搬送路3の上下に配置され、回路基板1を輻射加熱する
輻射パネルヒータ8と、上部の輻射パネルヒータ8の外
側(上方)に配置され、ヒータ9で加熱された熱風を循
環させて、回路基板1を対流加熱する熱風循環器10と
を有する。中間加熱ゾーン5、6はいずれも搬送路3の
上方に配置された熱風循環器10を有する。更にリフロ
ーゾーン7は搬送路3の上下に配置された輻射パネルヒ
ータ8と、上部の輻射パネルヒータ8の外側(上方)に
配置された熱風循環器10とを有している。
【0004】このリフロー炉により、回路基板1に実装
される電気、電子部品にはんだ付けを行う場合には、先
ず、搬送路3により、はんだ付けを行う回路基板1を搬
送してリフロー炉の左側から加熱ゾーン2内に投入し、
該ゾーン内を矢印方向へ搬送させる。次に、加熱ゾーン
2における予備加熱ゾーン4で、回路基板1を図9に示
すように、常温Taから温度Tbまで予備加熱する。次
に、中間加熱ゾーン5、6で温度Tbに保持した後、リ
フローゾーン7で、温度Tbからはんだの溶融温度であ
る温度Tcまで更に加熱し、前記部品にはんだ付けを行
う。
【0005】なお、図9において、太線は回路基板に実
装された熱容量の小さい部品の接合部(はんだ付け部)
における温度プロファイルを示し、細線は熱容量の大き
い部品の接合部(はんだ付け部)における温度プロファ
イルを示し、全体的に熱容量の小さい部品の方が、熱容
量の大きい部品よりも接合部の温度が高くなる。そし
て、リフローゾーン7の出口付近で両部品の接合部の温
度がピークに達し、温度プロファイルピーク部でΔTの
温度差を生じる。
【0006】ところで、回路基板1に実装される電気、
電子部品には、熱容量の大きい部品と熱容量の小さい部
品とが混在している場合が多い。このため、各接合部間
に温度差が生じる。そこで、はんだ付け不良を防止する
ため、熱容量の大きい部品に合せて加熱ゾーン2におけ
るリフローゾーン7の温度を上昇させると、熱容量の小
さい部品が過熱して劣化するという問題がある。
【0007】更に、最近では、地球環境保護対策とし
て、回路基板1のはんだ付けに多用されていた錫−鉛は
んだの使用を差し控える動きが加速している。これに代
わる材料としては、錫−銀はんだ、錫−亜鉛はんだの実
用化が検討されている。錫−亜鉛はんだは接合強度が弱
いため、すぐに実用化される可能性が小さく、現在有力
視されているのが錫−銀はんだの方である。
【0008】ところが、このはんだは、融点が210〜
220℃程度と従来の錫−鉛共晶はんだの融点183℃
よりも30℃程度高い。一方、回路基板上に前記部品の
はんだ付けを行う場合、リフロー炉のような連続炉を使
用することが多いので、基板上に熱容量の大きい部品と
小さな部品が混在していると、各接合部間に更に大きな
温度差を生じ易い。即ち、従来の錫−鉛はんだの場合、
熱容量の大きい部品の接合部の温度を200℃程度とす
ると、熱容量の小さい部品の接合部の温度を240℃の
温度に抑えることができたのに対して、錫−銀はんだを
使用することにより、熱容量の大きい部品の接合部の温
度を230℃以上に上昇させる必要があるため、熱容量
の小さい部品の温度が270℃の高温度にまで上昇し、
もはや部品自身の耐熱温度を越して、該部品が劣化、破
損する恐れがある。
【0009】このような問題を解決するために、リフロ
ーゾーン7の後段に、特に熱容量の小さい部品の温度プ
ロファイルピーク部の温度を下げて台形状に平坦にする
均熱ゾーンを設けることが提案されている。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】このような均熱手段を
設けると、熱容量の小さい部品の温度プロファイル(太
線)と熱容量の大きい部品の温度プロファイル(細線)
の温度プロファイルピーク部における温度差が、均熱ゾ
ーンを備えないリフロー炉では、図10(イ)に示すよ
うにΔT1と大きくなるのに対し、均熱ゾーンを備えた
リフロー炉では、図10(ロ)に示すようにΔT2と小
さくなる。従って、熱容量の小さい部品が過熱するのを
抑えながら熱容量の大きい部品の温度をはんだの溶融温
度にまで上昇させてはんだ付けを行うことが期待でき
る。
【0011】しかしながら、回路基板1に実装される部
品がアルミ電解コンデンサ等のような部品の場合、ある
温度以上、例えば、はんだの溶融温度又はこれに近い温
度に加熱される時間が長過ぎると、容量抜け等の重大な
欠陥が発生し、部品を劣化、破損させるという問題があ
る。このような問題を解決するために、搬送路3の搬送
速度を変更して、回路基板の加熱時間を調整する方法も
考えられるが、予熱条件まで変わってしまうので、加熱
条件の設定が面倒になり好ましくない。
【0012】本発明は上記の問題を解決し、回路基板に
実装される電気、電子部品として、熱容量の異なる部品
や長い時間の加熱に弱い部品が混在する場合でも、これ
ら部品に熱劣化、破損を起こすことなくはんだ付けをす
ることができるリフロー炉を提供する。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の手段として、本発明の請求項1に記載されたリフロー
炉は、回路基板を加熱する加熱ゾーンと、加熱ゾーンに
回路基板を搬送する搬送路とを備えたものにおいて、加
熱ゾーンの後段又は加熱ゾーンの一部に、回路基板を一
定ピーク温度に維持又は加熱維持するピーク加熱ゾーン
と、一定ピーク温度状態の回路基板を冷却する冷却ゾー
ンと、ピーク加熱ゾーンと冷却ゾーンの長さの比率を変
更するゾーン長比率変更手段とを設けてなるものであ
る。
【0014】本発明の請求項2に記載されたリフロー炉
は、前記ゾーン長比率変更手段が、ピーク加熱ゾーンと
冷却ゾーンとの境界部分に、回路基板の搬送方向に沿っ
て前後に移動調節可能に配設される仕切り体と仕切り体
移動調節機構とを備えて構成されるものである。
【0015】本発明の請求項1記載のリフロー炉による
と、回路基板に実装される電気、電子部品として、熱容
量の大きい部品と熱容量の小さい部品とが混在している
場合でも、特に熱容量の小さい部品の温度プロファイル
ピーク部の温度を下げて台形状に平坦にし、熱容量の小
さい部品と大きい部品の温度プロファイルピーク部にお
ける温度差を小さくして、加熱温度の均熱化を図ること
が可能となる。従って、熱容量の小さい部品が過熱する
のを抑えながら熱容量の大きい部品の温度をはんだの溶
融温度にまで上昇させることが可能で、これら部品に良
好なはんだ付けを行うことができる。
【0016】また、ピーク加熱ゾーンと冷却ゾーンの長
さの比率を変更できるので、特に熱容量の小さい部品に
おける温度プロファイルピーク部(台形状の頭部平坦
部)の長さ、即ち、温度ピーク部分の加熱時間を任意に
調整することが可能となる。従って、アルミ電解コンデ
ンサ等のようなはんだの溶融温度に近い高温度に長く曝
されることにより熱劣化する恐れのある部品に対して
も、良好にはんだ付けを施すことができる。
【0017】
【発明の実施の形態】(実施形態1)次に、本発明に係
るリフロー炉の第1実施形態について、図1〜6により
詳細に説明する。本実施形態のリフロー炉は、回路基板
11に実装されるコイル、抵抗体、コンデンサ、半導体
部品、素子等の電気、電子部品にはんだ付けをするため
に、回路基板11を加熱する加熱ゾーン13と、加熱ゾ
ーン13内へはんだ付けを行う回路基板11を搬送する
コンベヤ及び搬送レール等からなる搬送路15とを備え
ている(図1〜3参照)。
【0018】加熱ゾーン13は、予備加熱ゾーン17、
中間加熱ゾーン19、21及びリフローゾーン23から
なり、各々独立して温度制御される。予備加熱ゾーン1
7は搬送路15の上下に配置され、回路基板11を赤外
線加熱方式により輻射加熱する輻射加熱する輻射パネル
ヒータ25と、上部の輻射パネルヒータ25の外側(上
方)に配置され、ヒータ27で加熱された熱風を循環さ
せて、回路基板11を対流加熱する送風ファン、送風機
等からなる熱風循環器29とを有する。中間加熱ゾーン
19、21はいずれも搬送路15の上方に配置された熱
風循環器29を有する。更にリフローゾーン23は搬送
路15の上下に配置された輻射パネルヒータ25と、上
部の輻射パネルヒータ25の外側(上方)に配置された
熱風循環器29とを有している。
【0019】熱風循環器29はモータ、チェーン等の駆
動源31からの動力を得て、熱風を加熱ゾーン13の各
ゾーン内に循環するようになっており、熱風循環器29
より吐出された熱風を輻射パネルヒータ25に設けられ
た複数の通し穴(図示せず)を通して、搬送路15に沿
って矢印方向に搬送される回路基板11に供給し、回路
基板11を前記輻射パネルヒータ25により輻射加熱す
るほかに、対流加熱するようになっている。
【0020】前記加熱ゾーン13の後段、即ち、そのリ
フローゾーン23の後段には、図1、3に示すように、
回路基板11をはんだの溶融温度(一定ピーク温度)に
維持し、熱容量の小さな部品の過熱を抑えて、熱容量の
小さい部品と大きい部品との温度プロファイルピーク部
における温度差を小さくするピーク加熱ゾーン33と、
一定ピーク温度に到達した回路基板11を冷却する冷却
ゾーン35と、ピーク加熱ゾーン33と冷却ゾーン35
の長さの比率を変更するゾーン長比率変更手段37とが
設けられている。ピーク加熱ゾーン33はリフローゾー
ン23側に配設され、冷却ゾーン35はピーク加熱ゾー
ン33の後段に隣接させて配設される。また、ピーク加
熱ゾーン33及び冷却ゾーン35は断熱性を有する仕切
り壁36に遮断され、各々独立して温度制御されるよう
になっている。
【0021】ピーク加熱ゾーン33は搬送路15の下方
に配置され、回路基板11を下側から輻射加熱する輻射
パネルヒータ25と、搬送路15の上方に、前記加熱ゾ
ーン13の各ゾーンに配置された熱風循環器29と同じ
高さ位置に配置された熱風循環器29とを有している。
この熱風循環器29も同様にヒータ27で加熱された熱
風を循環させて、回路基板11を対流加熱するようにな
っている。
【0022】冷却ゾーン35はピーク加熱ゾーン33の
後段に配置される。この冷却ゾーン35は、その搬送路
15の上方にピーク加熱ゾーン33の熱風循環器29と
同じ高さ位置に配置された熱風循環器29を有してい
る。このゾーン35ではヒータ27の温度をピーク加熱
ゾーン33のヒータ27の温度よりも下げて、ピーク加
熱ゾーン33内を循環する熱風よりも低い温度の熱風を
循環させて、ピーク加熱ゾーン33で一定ピーク温度に
到達した回路基板11を冷却するようになっている。こ
の熱風循環器29はピーク加熱ゾーン33内に設けられ
た熱風循環器と同様に回路基板11を対流加熱すること
も可能な構成を備えている。
【0023】なお、ピーク加熱ゾーン33では、該ゾー
ン33内の回路基板11を一定ピーク温度に維持するた
めに必要なければ、搬送路15の下方に配置した輻射パ
ネルヒータ25を撤去してもよいし、逆に、そこへ熱風
循環器29を配置して、回路基板11を上下方向から対
流加熱するようにしてもよい。更に、冷却ゾーン35に
おいて、搬送路15の下方にも熱風循環器29を配置し
て回路基板11を上下方向から冷却するようにしてもよ
い。
【0024】ゾーン長比率変更手段37は、ピーク加熱
ゾーン33と冷却ゾーン35との境界部分に、回路基板
11の搬送方向に沿って前後に移動調節可能に配設され
る仕切り体39と仕切り体移動調節機構41とを備えて
いる。仕切り体39は、例えば、仕切り板からなり、ピ
ーク加熱ゾーン及び冷却ゾーンに跨って前記仕切り壁3
6の下部に設けられたガイド枠43に沿って前後に移動
可能に支持される。
【0025】仕切り体移動調節機構41は、例えば、図
4に記載されているように、仕切り体39の長さ方向
(回路基板11の搬送方向に垂直な方向)の両端に形成
され、ガイド枠43の横長孔43aを通して引き出され
た支持軸39aに固定された1対のエンドレスチェーン
45と、仕切り体39が前後方向へ往復移動する両端位
置に設けられて、各エンドレスチェーン45とかみ合う
1対のチェーンホイール47と、仕切り体39の長さ方
向の両端に設けられたチェーンホイール47同士を連結
する駆動伝動軸49及び伝動軸51と、駆動伝動軸49
の一端部に取り付けられて駆動伝動軸49等を作動させ
ることにより、仕切り体39を回路基板11の搬送方向
に沿って前後に移動調節するパルス制御型の電動機53
とより構成される。
【0026】このリフロー炉を用いて回路基板11に実
装される電気、電子部品にはんだ付けを行う場合には、
図1に示すように、搬送路15により、はんだ付けを行
う回路基板11を搬送して、リフロー炉の左側から加熱
ゾーン13内に投入し、該ゾーン内を矢印方向へ搬送さ
せる。次に、加熱ゾーン13における予備加熱ゾーン1
7で、回路基板11を図9に示すように、常温Taから
温度Tbまで予備加熱する。次に、中間加熱ゾーン1
9、21で温度Tbに保持した後、リフローゾーン23
で、温度Tbからはんだの溶融温度である温度Tcまで
更に加熱し、前記部品のはんだ付けを開始する。
【0027】引き続いて、この回路基板11を後段のピ
ーク加熱ゾーン33及び冷却ゾーン35内に順次通過さ
せる。そうすると、先ず、ピーク加熱ゾーン33におい
て、回路基板11に実装される電気、電子部品のうち、
特に熱容量の小さい部品の温度プロファイルが、図5
(ロ)、図6(ロ)に示すように、そのピーク部の温度
が下がって台形状に平坦となり、一定ピーク温度に維持
される。これにより、熱容量の小さい部品と大きい部品
の温度プロファイルピーク部における温度差が小さくな
り、両部品の加熱温度が均熱化される。このような状態
で部品のはんだ付けが行われ、一定ピーク温度状態に所
定時間維持された回路基板11は、冷却ゾーン35に入
って冷却され、はんだ付け作業を終了し、該部品が回路
基板11へ実装される。
【0028】特に、回路基板11に実装される部品とし
て、熱容量の小さい部品が多く混在する場合とか、熱容
量のより小さい部品が混在する場合には、図5(イ)に
示すように、ピーク加熱ゾーン33の長さを冷却ゾーン
35の長さよりも長くして、その温度プロファイルを図
5(ロ)のように設定する。このようにして、温度プロ
ファイルピーク部(台形状の頭部平坦部)の長さを長く
して均熱時間を多くし、熱容量の大きい部品のはんだ付
けが終了するまで、これら熱容量の小さい部品が過熱さ
れないようにすることができる。
【0029】一方、回路基板11に実装される部品とし
ては、例えば、アルミ電解コンデンサのように、はんだ
の溶融温度又はこれに近い高温状態に長く置かれると、
容量抜け等の重大な欠陥を生じ易い部品も混在する。こ
のような場合には、図6(イ)に示すように、ピーク加
熱ゾーン33の長さを冷却ゾーン35の長さよりも短く
して、その温度プロファイルを図6(ロ)のように設定
する。このようにして、温度プロファイルピーク部(台
形状の頭部平坦部)の長さを短くして均熱時間を少なく
し、ピーク温度下での加熱時間が過大にならないように
することができる。
【0030】なお、上記のようなピーク加熱ゾーン33
と冷却ゾーン35の長さの比率を変更することは、前記
ゾーン長比率変更手段37において、前記仕切り体39
を仕切り体移動調節機構41の電動機53を正逆転駆動
させて、仕切り体39を図5、6で左右に移動調節する
ことにより行う。仕切り体39の移動調節はリフロー炉
の運転開始前に行うことが理想であるが、必要に応じて
リフロー炉運転中に行ってもよい。電動機53としてパ
ルス制御型のものを用いると、仕切り体39を所定の位
置に迅速且つ正確に移動させることができる。
【0031】(実施形態2)前記実施形態1のリフロー
炉では、加熱ゾーン13の後段にピーク加熱ゾーン33
と冷却ゾーン35を設ける構成になっているが、加熱ゾ
ーンの一部に、ピーク加熱ゾーン33と冷却ゾーン35
を設けるようにしてもよい。実施形態2のリフロー炉
は、例えば、図7に示すように、実施形態1の加熱ゾー
ン13におけるリフローゾーン23に代わってピーク加
熱ゾーン33と冷却ゾーン35を設けるようにしたもの
である。従って、実施形態2の加熱ゾーン55は予備加
熱ゾーン17、中間加熱ゾーン19、21、ピーク加熱
ゾーン33及び冷却ゾーン35で構成される。この場
合、ピーク加熱ゾーン33はリフローゾーンとしての機
能を兼ねるので、回路基板11をはんだの溶融温度(一
定ピーク温度)に加熱維持する機能を有する。その他の
構成部品の構成及び機能は実施形態1に示すものと実質
的に同じなので、これらの詳細説明を省略する。
【0032】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るリフ
ロー炉は、加熱ゾーンの後段又は加熱ゾーンの一部に、
回路基板を一定ピーク温度に維持又は加熱維持するピー
ク加熱ゾーンと、一定ピーク温度状態の回路基板を冷却
する冷却ゾーンと、ピーク加熱ゾーンと冷却ゾーンの長
さの比率を変更するゾーン長比率変更手段とを設けて構
成される。
【0033】これにより、回路基板に実装される部品に
熱容量の大きい部品と熱容量の小さい部品が混在してい
ても、両部品の温度プロファイルピーク部における温度
差が小さくなり、加熱温度の均熱化を図ることが可能と
なる。従って、熱容量の小さい部品が過熱するのを抑え
ながら熱容量の大きい部品の温度をはんだの溶融温度に
まで上昇させることが可能となり、両部品に熱劣化を生
じさせずに、良好なはんだ付けを施すことができる。
【0034】また、ピーク加熱ゾーンと冷却ゾーンの長
さの比率を変更できるようにしたので、特に熱容量の小
さい部品における温度プロファイルピーク部(台形状の
頭部平坦部)の長さ、即ち、温度ピーク部分の加熱時間
を長短任意に調整することが可能となる。このため、ア
ルミ電解コンデンサ等のようなはんだの溶融温度に近い
高温度に長く曝されることにより熱劣化する恐れのある
部品に対しても、良好にはんだ付けを施すことができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係るリフロー炉の実施形態1を示す全
体構成図である。
【図2】図1のX−X矢視断面図である。
【図3】図1のY−Y矢視断面図である。
【図4】実施形態1のリフロー炉において、仕切り体移
動調節機構の概要を示すもので、(イ)は平面図、
(ロ)は側面図である。
【図5】実施形態1のリフロー炉において、ピーク加熱
ゾーンの長さを冷却ゾーンの長さよりも長くした場合を
示すもので、(イ)は概要図、(ロ)は熱容量の小さい
部品の温度プロファイル図である。
【図6】実施形態1のリフロー炉において、ピーク加熱
ゾーンの長さを冷却ゾーンの長さよりも短くした場合を
示すもので、(イ)は概要図、(ロ)は熱容量の小さい
部品の温度プロファイル図である。
【図7】本発明に係るリフロー炉の実施形態2を示す全
体構成図である。
【図8】従来のリフロー炉の全体構成図である。
【図9】従来のリフロー炉の加熱ゾーンにおける部品の
接合部の温度プロファイルを示す図である。
【図10】従来のリフロー炉のリフローゾーン内におけ
る部品の各接合部の温度プロファイルを示すもので、
(イ)は均熱ゾーンを備えないリフロー炉の温度プロフ
ァイル図、(ロ)は均熱ゾーンを備えたリフロー炉の温
度プロファイル図である。
【符号の説明】
11 回路基板 13 加熱ゾーン 15 搬送路 17 予備加熱ゾーン 19 中間加熱ゾーン 21 中間加熱ゾーン 23 リフローゾーン 25 輻射パネルヒータ 27 ヒータ 29 熱風循環器 31 駆動源 33 ピーク加熱ゾーン 35 冷却ゾーン 36 仕切り壁 37 ゾーン長比率変更手段 39 仕切り体 39a 支持軸 41 仕切り体移動調節機構 43 ガイド枠 43a 横長孔 45 エンドレスチェーン 47 チェーンホイール 49 駆動伝動軸 51 伝動軸 53 パルス制御型電動機 55 加熱ゾーン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) // B23K 101:42 B23K 101:42

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 回路基板を加熱する加熱ゾーンと、加熱
    ゾーンに回路基板を搬送する搬送路とを備えたリフロー
    炉において、加熱ゾーンの後段又は加熱ゾーンの一部
    に、回路基板を一定ピーク温度に維持又は加熱維持する
    ピーク加熱ゾーンと、一定ピーク温度状態の回路基板を
    冷却する冷却ゾーンと、ピーク加熱ゾーンと冷却ゾーン
    の長さの比率を変更するゾーン長比率変更手段とを設け
    たことを特徴とするリフロー炉。
  2. 【請求項2】 前記ゾーン長比率変更手段は、ピーク加
    熱ゾーンと冷却ゾーンとの境界部分に、回路基板の搬送
    方向に沿って前後に移動調節可能に配設される仕切り体
    と仕切り体移動調節機構とを備えたことを特徴とする請
    求項1記載のリフロー炉。
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