JP2001308043A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2001308043A5 JP2001308043A5 JP2000131550A JP2000131550A JP2001308043A5 JP 2001308043 A5 JP2001308043 A5 JP 2001308043A5 JP 2000131550 A JP2000131550 A JP 2000131550A JP 2000131550 A JP2000131550 A JP 2000131550A JP 2001308043 A5 JP2001308043 A5 JP 2001308043A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- water
- polishing
- additive
- cerium oxide
- organic polymer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Description
【特許請求の範囲】
【請求項１】 酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤を調整するためのＣＭＰ研磨剤キットであって、
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
を構成要素として含むＣＭＰ研磨剤キット。
【請求項２】 酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤の保存方法であって、
前記ＣＭＰ研磨剤を、
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
の構成要素に分け、別々に保存することを特徴とするＣＭＰ研磨剤の保存方法。
【請求項３】 研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤を研磨定盤上に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法であって、
前記ＣＭＰ研磨剤は研磨直前に
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
を混合することにより得られる基板の研磨方法。
【請求項４】 ＣＭＰ研磨剤が研磨直前に混合される請求項３記載の基板の研磨方法。
【請求項５】 陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水からなるＣＭＰ研磨剤調整用添加液。
【請求項１】 酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤を調整するためのＣＭＰ研磨剤キットであって、
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
を構成要素として含むＣＭＰ研磨剤キット。
【請求項２】 酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤の保存方法であって、
前記ＣＭＰ研磨剤を、
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
の構成要素に分け、別々に保存することを特徴とするＣＭＰ研磨剤の保存方法。
【請求項３】 研磨する膜を形成した基板を研磨定盤の研磨布に押しあて加圧し、酸化セリウム粒子、分散剤、陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含むＣＭＰ研磨剤を研磨定盤上に供給しながら、基板と研磨定盤を動かして研磨する膜を研磨する基板の研磨方法であって、
前記ＣＭＰ研磨剤は研磨直前に
酸化セリウム粒子、分散剤及び水を含む酸化セリウムスラリーと、
陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水を含む添加液と、
を混合することにより得られる基板の研磨方法。
【請求項４】 ＣＭＰ研磨剤が研磨直前に混合される請求項３記載の基板の研磨方法。
【請求項５】 陰イオン性の水溶性有機高分子から選ばれた添加剤及び水からなるＣＭＰ研磨剤調整用添加液。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131550A JP2001308043A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000131550A JP2001308043A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001308043A JP2001308043A (ja) | 2001-11-02 |
| JP2001308043A5 true JP2001308043A5 (ja) | 2006-08-31 |
Family
ID=18640427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000131550A Pending JP2001308043A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | Ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001308043A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009187984A (ja) * | 2008-02-01 | 2009-08-20 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP5858050B2 (ja) * | 2011-12-22 | 2016-02-10 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材再生方法 |
| JP6107669B2 (ja) | 2012-02-16 | 2017-04-05 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材再生方法 |
| KR20150030237A (ko) * | 2012-07-25 | 2015-03-19 | 코니카 미놀타 가부시키가이샤 | 연마재 재생 방법 |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000131550A patent/JP2001308043A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP1175965A3 (en) | Polishing tool, manufacturing method therefor, polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer and method of polishing a substrate | |
| EP1691401A3 (en) | CMP abrasive, method for polishing substrate and method for manufacturing semiconductor device using the same, and additive for CMP abrasive | |
| US6387289B1 (en) | Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies | |
| CA2101679C (en) | Plastic flexible grinding stone | |
| WO2006054732A3 (en) | Polishing apparatus and polishing method | |
| WO2010120784A8 (en) | Chemical mechanical polishing of silicon carbide comprising surfaces | |
| WO2004083328A3 (en) | Slurry compositions for use in a chemical-mechanical planarization process having non-spherical abrasive particles | |
| CN101568613B (zh) | 化学-机械平面化组合物、系统及使用方法 | |
| WO2010060004A3 (en) | Slurry composition for gst phase change memory materials polishing | |
| SG142143A1 (en) | Abrading plate and polishing method using the same | |
| WO2004101221A3 (en) | Improved chemical mechanical polishing compositions for copper and associated materials and method of using same | |
| MXPA02006319A (es) | Abrasivos disenados mejorados. | |
| TW200718647A (en) | Method for preparing of cerium oxide powder for chemical mechanical polishing and method for preparing of chemical mechanical polishing slurry using the same | |
| SG148912A1 (en) | Chemical mechanical polishing slurry composition for polishing phase- change memory device and method for polishing phase-change memory device using the same | |
| CN104002252A (zh) | 超细磨料生物高分子柔性抛光膜及其制备方法 | |
| JP4938654B2 (ja) | 改善された酸化物除去速度のためのｃｍｐ組成物 | |
| JP2001308043A5 (ja) | ||
| JP2004025415A (ja) | 研磨体およびその製造方法 | |
| TW364867B (en) | Polishing method, abrasive material, and polishing apparatus | |
| WO2008022277A3 (en) | Selective chemistry for fixed abrasive cmp | |
| CN101239453A (zh) | 平坦化研磨法和半导体装置的制造方法 | |
| CN110757329A (zh) | 一种金属的表面抛光处理工艺 | |
| JP2004331686A (ja) | 水系研磨加工液 | |
| JPWO2003005431A1 (ja) | 半導体集積回路用化学機械的研磨スラリー、研磨方法、及び半導体集積回路 | |
| Wang et al. | A Review on the CMP of SiC and Sapphire Wafers |