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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4497650B2 (ja) * 2000-04-26 2010-07-07 キヤノン株式会社 レーザ発振装置、露光装置および半導体デバイス製造方法
KR100624081B1 (ko) * 2002-01-31 2006-09-19 캐논 가부시끼가이샤 레이저장치, 노광장치 및 노광방법
JP2005191503A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Canon Inc レーザ装置、露光方法及び装置
JP5457873B2 (ja) * 2010-02-18 2014-04-02 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 波長可変レーザの制御方法
WO2014038584A1 (ja) * 2012-09-07 2014-03-13 ギガフォトン株式会社 レーザ装置及びレーザ装置の制御方法
JP6223014B2 (ja) * 2013-06-26 2017-11-01 キヤノン株式会社 被検体情報取得装置
WO2017026000A1 (ja) 2015-08-07 2017-02-16 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
JP6595012B2 (ja) 2016-02-02 2019-10-23 ギガフォトン株式会社 狭帯域化レーザ装置
US10480877B1 (en) 2017-04-14 2019-11-19 Kent J. Myers Detachable box magazine with follower retraction member
US10234220B2 (en) 2017-04-14 2019-03-19 Kent J. Myers Detachable box magazine with follower retraction member
US10480878B2 (en) 2017-04-14 2019-11-19 Kent J Myers Detachable box magazine with follower retraction member
JP7325452B2 (ja) * 2019-01-29 2023-08-14 ギガフォトン株式会社 レーザ装置の波長制御方法及び電子デバイスの製造方法
US11581692B2 (en) 2019-06-18 2023-02-14 KLA Corp. Controlling pressure in a cavity of a light source
CN113904213B (zh) * 2021-12-08 2022-04-01 杭州拓致光电科技有限公司 一种基于光热折变玻璃的多波长锁波器及其制备方法

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3588012T2 (de) 1984-06-21 1995-09-14 At & T Corp., New York, N.Y. Lithographie im fernen UV-Gebiet.
WO1989000779A1 (en) * 1987-07-17 1989-01-26 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Apparatus for controlling laser wavelength
JPH01106426A (ja) * 1987-10-19 1989-04-24 Canon Inc 露光装置
US5142543A (en) * 1988-01-27 1992-08-25 Kabushiki Kaisha Komatsu Seisakusho Method and system for controlling narrow-band oscillation excimer laser
JP2711667B2 (ja) * 1988-01-27 1998-02-10 株式会社小松製作所 狭帯域エキシマレーザの起動方法及び装置
JP2557691B2 (ja) * 1988-07-29 1996-11-27 株式会社小松製作所 狭帯域発振エキシマレーザ
JPH04223386A (ja) * 1990-12-25 1992-08-13 Mitsubishi Electric Corp 狭帯域エキシマレーザ発振器
JPH0513862A (ja) * 1991-07-02 1993-01-22 Mitsubishi Electric Corp レーザー装置
JPH05312646A (ja) 1992-05-15 1993-11-22 Mitsubishi Electric Corp 波長測定装置およびこれを搭載したレーザ装置
US5420877A (en) * 1993-07-16 1995-05-30 Cymer Laser Technologies Temperature compensation method and apparatus for wave meters and tunable lasers controlled thereby
JP2631080B2 (ja) * 1993-10-05 1997-07-16 株式会社小松製作所 レーザ装置の出力制御装置
JPH07120326A (ja) * 1993-10-22 1995-05-12 Komatsu Ltd 波長検出装置
JPH08274399A (ja) * 1995-04-03 1996-10-18 Komatsu Ltd パルスレーザ装置のパルスエネルギ制御装置と方法
JP3402850B2 (ja) 1995-05-09 2003-05-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
JP3782486B2 (ja) * 1995-06-21 2006-06-07 キヤノン株式会社 レーザ出力制御装置、露光装置およびデバイス製造方法
JPH097927A (ja) * 1995-06-26 1997-01-10 Canon Inc 照明装置及び露光装置
JPH10173274A (ja) * 1996-12-12 1998-06-26 Komatsu Ltd エキシマレーザ装置
US6078599A (en) * 1997-07-22 2000-06-20 Cymer, Inc. Wavelength shift correction technique for a laser
JP3697036B2 (ja) * 1997-10-03 2005-09-21 キヤノン株式会社 露光装置及びそれを用いた半導体製造方法
AU6142399A (en) * 1998-09-11 2000-04-03 New Focus, Inc. Tunable laser
JP2001148344A (ja) * 1999-09-09 2001-05-29 Nikon Corp 露光装置、エネルギ源の出力制御方法、該方法を用いるレーザ装置、及びデバイス製造方法
JP2001196679A (ja) * 2000-01-12 2001-07-19 Komatsu Ltd 狭帯域化レーザ装置及びその波長制御装置
JP4497650B2 (ja) * 2000-04-26 2010-07-07 キヤノン株式会社 レーザ発振装置、露光装置および半導体デバイス製造方法
US6813287B2 (en) * 2001-03-29 2004-11-02 Gigaphoton Inc. Wavelength control device for laser device
KR100624081B1 (ko) * 2002-01-31 2006-09-19 캐논 가부시끼가이샤 레이저장치, 노광장치 및 노광방법

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