JP2001307996A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 １枚のフォトマスクを用いてＡパターンとそ
の周囲を囲むＢパターンを形成できる半導体装置の製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
シリコン基板１上にポジ型レジスト膜を塗布し、フォト
マスクを用いて上記ポジ型レジスト膜を露光、現像して
該基板１上にレジストパターンＡを形成し、レジストパ
ターンＡをマスクとしてイオン注入して該基板１にＡパ
ターンからなる不純物拡散層４を形成し、レジストパタ
ーンＡを剥離し、該基板１上にネガ型レジスト膜９を塗
布し、その上にポジ型レジスト膜１１を塗布し、フォト
マスク５を用いてレジスト膜１１，９を露光、現像して
該基板１上にレジストパターンＢを形成し、レジストパ
ターンＢをマスクとしてイオン注入して該基板１にＡパ
ターンの周囲を囲むＢパターンからなる不純物拡散層を
形成するものである。
の周囲を囲むＢパターンを形成できる半導体装置の製造
方法を提供する。 【解決手段】 本発明に係る半導体装置の製造方法は、
シリコン基板１上にポジ型レジスト膜を塗布し、フォト
マスクを用いて上記ポジ型レジスト膜を露光、現像して
該基板１上にレジストパターンＡを形成し、レジストパ
ターンＡをマスクとしてイオン注入して該基板１にＡパ
ターンからなる不純物拡散層４を形成し、レジストパタ
ーンＡを剥離し、該基板１上にネガ型レジスト膜９を塗
布し、その上にポジ型レジスト膜１１を塗布し、フォト
マスク５を用いてレジスト膜１１，９を露光、現像して
該基板１上にレジストパターンＢを形成し、レジストパ
ターンＢをマスクとしてイオン注入して該基板１にＡパ
ターンの周囲を囲むＢパターンからなる不純物拡散層を
形成するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１枚のフォトマス
クを用いてＡパターンとその周囲を囲むＢパターンを形
成する半導体装置の製造方法に関する。
クを用いてＡパターンとその周囲を囲むＢパターンを形
成する半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０（ａ）は、従来の半導体装置の製
造方法を説明するための平面図であり、図１０（ｂ）
は、図１０（ａ）に示す１０ｂ−１０ｂ線に沿った断面
図である。
造方法を説明するための平面図であり、図１０（ｂ）
は、図１０（ａ）に示す１０ｂ−１０ｂ線に沿った断面
図である。
【０００３】この半導体装置の製造方法は、図１０
（ａ）に示すような平面形状が四角形のＡパターンから
なる不純物拡散層１０３及びＡパターンの周囲を囲むＢ
パターンからなるシリコン酸化膜１０５をシリコン基板
１０１上に形成する方法であって、Ａパターンを形成す
るためのフォトマスクＡとＢパターンを形成するための
フォトマスクＢをそれぞれ準備し、ＡパターンとＢパタ
ーンを別工程でパターニングする方法である。
（ａ）に示すような平面形状が四角形のＡパターンから
なる不純物拡散層１０３及びＡパターンの周囲を囲むＢ
パターンからなるシリコン酸化膜１０５をシリコン基板
１０１上に形成する方法であって、Ａパターンを形成す
るためのフォトマスクＡとＢパターンを形成するための
フォトマスクＢをそれぞれ準備し、ＡパターンとＢパタ
ーンを別工程でパターニングする方法である。
【０００４】すなわち、まず、図１０（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板１０１上にレジスト膜（図示せず）を
塗布し、フォトマスクＡをマスクとしてレジスト膜を露
光、現像することにより、シリコン基板１０１上にはレ
ジストパターンＡ（図示せず）が形成される。次に、レ
ジストパターンＡをマスクとして不純物イオンをシリコ
ン基板に注入することにより、シリコン基板１０１には
Ａパターンからなる不純物拡散層１０３が形成される。
に、シリコン基板１０１上にレジスト膜（図示せず）を
塗布し、フォトマスクＡをマスクとしてレジスト膜を露
光、現像することにより、シリコン基板１０１上にはレ
ジストパターンＡ（図示せず）が形成される。次に、レ
ジストパターンＡをマスクとして不純物イオンをシリコ
ン基板に注入することにより、シリコン基板１０１には
Ａパターンからなる不純物拡散層１０３が形成される。
【０００５】この後、レジストパターンＡを剥離した
後、シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜を堆積す
る。次に、このシリコン酸化膜上にレジスト膜（図示せ
ず）を塗布し、フォトマスクＢをマスクとしてレジスト
膜を露光、現像することにより、シリコン酸化膜上には
レジストパターンＢ（図示せず）が形成される。この
後、レジストパターンＢをマスクとしてエッチングする
ことにより、シリコン基板１０１上には不純物拡散層１
０３の周囲を囲むようなＢパターンからなるシリコン酸
化膜１０５が形成される。
後、シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜を堆積す
る。次に、このシリコン酸化膜上にレジスト膜（図示せ
ず）を塗布し、フォトマスクＢをマスクとしてレジスト
膜を露光、現像することにより、シリコン酸化膜上には
レジストパターンＢ（図示せず）が形成される。この
後、レジストパターンＢをマスクとしてエッチングする
ことにより、シリコン基板１０１上には不純物拡散層１
０３の周囲を囲むようなＢパターンからなるシリコン酸
化膜１０５が形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、半導体装置
を製造する場合において上記のようなＡパターンとその
周囲を囲むＢパターンを形成する工程は比較的多くあ
る。そして、上述したように従来の半導体装置の製造方
法では、Ａパターンからなる不純物拡散層１０３及びＡ
パターンの周囲を囲むＢパターンからなるシリコン酸化
膜１０５を形成する際に２枚のフォトマスクが必要とな
る。一方、フォトマスクは高価なものであるので、半導
体装置の製造の際に用いるフォトマスク数は少ない方が
製造コストを低減できる。
を製造する場合において上記のようなＡパターンとその
周囲を囲むＢパターンを形成する工程は比較的多くあ
る。そして、上述したように従来の半導体装置の製造方
法では、Ａパターンからなる不純物拡散層１０３及びＡ
パターンの周囲を囲むＢパターンからなるシリコン酸化
膜１０５を形成する際に２枚のフォトマスクが必要とな
る。一方、フォトマスクは高価なものであるので、半導
体装置の製造の際に用いるフォトマスク数は少ない方が
製造コストを低減できる。
【０００７】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、１枚のフォトマスクを用
いてＡパターンとその周囲を囲むＢパターンを形成でき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
れたものであり、その目的は、１枚のフォトマスクを用
いてＡパターンとその周囲を囲むＢパターンを形成でき
る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体装置
の製造方法は、下地層上に第１のポジ型レジスト膜を塗
布する第１工程と、フォトマスクを用いて第１のポジ型
レジスト膜を露光し、現像することにより、下地層上に
レジストパターンＡを形成する第２工程と、レジストパ
ターンＡを剥離する第３工程と、下地層上にネガ型レジ
スト膜を塗布する第４工程と、このネガ型レジスト膜上
に第２のポジ型レジスト膜を塗布する第５工程と、上記
フォトマスクを用いて第２のポジ型レジスト膜及び上記
ネガ型レジスト膜を露光、現像することにより、下地層
上にレジストパターンＢを形成する第６工程と、を具備
することを特徴とする。
の製造方法は、下地層上に第１のポジ型レジスト膜を塗
布する第１工程と、フォトマスクを用いて第１のポジ型
レジスト膜を露光し、現像することにより、下地層上に
レジストパターンＡを形成する第２工程と、レジストパ
ターンＡを剥離する第３工程と、下地層上にネガ型レジ
スト膜を塗布する第４工程と、このネガ型レジスト膜上
に第２のポジ型レジスト膜を塗布する第５工程と、上記
フォトマスクを用いて第２のポジ型レジスト膜及び上記
ネガ型レジスト膜を露光、現像することにより、下地層
上にレジストパターンＢを形成する第６工程と、を具備
することを特徴とする。
【０００９】本発明に係る半導体装置の製造方法は、下
地層上に第１のネガ型レジスト膜を塗布する第１工程
と、フォトマスクを用いて第１のネガ型レジスト膜を露
光し、現像することにより、下地層上にレジストパター
ンＡを形成する第２工程と、レジストパターンＡを剥離
する第３工程と、下地層上にポジ型レジスト膜を塗布す
る第４工程と、このポジ型レジスト膜上に第２のネガ型
レジスト膜を塗布する第５工程と、上記フォトマスクを
用いて第２のネガ型レジスト膜及び上記ポジ型レジスト
膜を露光、現像することにより、下地層上にレジストパ
ターンＢを形成する第６工程と、を具備することを特徴
とする。
地層上に第１のネガ型レジスト膜を塗布する第１工程
と、フォトマスクを用いて第１のネガ型レジスト膜を露
光し、現像することにより、下地層上にレジストパター
ンＡを形成する第２工程と、レジストパターンＡを剥離
する第３工程と、下地層上にポジ型レジスト膜を塗布す
る第４工程と、このポジ型レジスト膜上に第２のネガ型
レジスト膜を塗布する第５工程と、上記フォトマスクを
用いて第２のネガ型レジスト膜及び上記ポジ型レジスト
膜を露光、現像することにより、下地層上にレジストパ
ターンＢを形成する第６工程と、を具備することを特徴
とする。
【００１０】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下地
層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成する
工程を含み、第６工程の後に、レジストパターンＢをマ
スクとしてイオン注入することにより、下地層にＡパタ
ーンの周囲を囲むＢパターンからなる第２の不純物拡散
層を形成する工程を含むことが好ましい。
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下地
層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成する
工程を含み、第６工程の後に、レジストパターンＢをマ
スクとしてイオン注入することにより、下地層にＡパタ
ーンの周囲を囲むＢパターンからなる第２の不純物拡散
層を形成する工程を含むことが好ましい。
【００１１】上記半導体装置の製造方法によれば、第４
の工程で下地層上にネガ型レジスト膜を塗布し、第５の
工程でネガ型レジスト膜上に第２のポジ型レジスト膜を
塗布している。このため、第６の工程で、Ａパターンか
らなる第１の不純物拡散層を形成する際に用いたフォト
マスクをマスクとして、第２のポジ型レジスト膜及びネ
ガ型レジスト膜を露光、現像することにより、Ａパター
ンの周囲を囲む開口部を有するレジストパターンＢを形
成することができる。従って、Ａパターンとその周囲を
囲むＢパターンを、１枚のフォトマスクにより形成する
ことが可能となる。
の工程で下地層上にネガ型レジスト膜を塗布し、第５の
工程でネガ型レジスト膜上に第２のポジ型レジスト膜を
塗布している。このため、第６の工程で、Ａパターンか
らなる第１の不純物拡散層を形成する際に用いたフォト
マスクをマスクとして、第２のポジ型レジスト膜及びネ
ガ型レジスト膜を露光、現像することにより、Ａパター
ンの周囲を囲む開口部を有するレジストパターンＢを形
成することができる。従って、Ａパターンとその周囲を
囲むＢパターンを、１枚のフォトマスクにより形成する
ことが可能となる。
【００１２】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下地
層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成する
工程を含み、第３工程と第４工程の間に、下地層上に膜
を形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパタ
ーンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることによ
り、下地層上にＡパターンの周囲を囲むＢパターンから
なる膜を形成する工程を含むことが好ましい。
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下地
層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成する
工程を含み、第３工程と第４工程の間に、下地層上に膜
を形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパタ
ーンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることによ
り、下地層上にＡパターンの周囲を囲むＢパターンから
なる膜を形成する工程を含むことが好ましい。
【００１３】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとして下地層をエッチングすることによ
り、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含み、
第６工程の後に、レジストパターンＢをマスクとしてイ
オン注入することにより、Ａパターンの周囲を囲むＢパ
ターンからなる不純物拡散層を形成する工程を含むこと
が好ましい。
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとして下地層をエッチングすることによ
り、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含み、
第６工程の後に、レジストパターンＢをマスクとしてイ
オン注入することにより、Ａパターンの周囲を囲むＢパ
ターンからなる不純物拡散層を形成する工程を含むこと
が好ましい。
【００１４】また、本発明に係る半導体装置の製造方法
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとして下地層をエッチングすることによ
り、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含み、
第３工程と第４工程の間に、下地層を含む全面上に膜を
形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパター
ンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることによ
り、Ａパターンの周囲を囲むＢパターンからなる膜を形
成する工程を含むことが好ましい。
においては、第２工程と第３工程の間に、レジストパタ
ーンＡをマスクとして下地層をエッチングすることによ
り、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含み、
第３工程と第４工程の間に、下地層を含む全面上に膜を
形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパター
ンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることによ
り、Ａパターンの周囲を囲むＢパターンからなる膜を形
成する工程を含むことが好ましい。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図１〜図６は、本発明の第
１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。この半導体装置はダイオードである。
施の形態について説明する。図１〜図６は、本発明の第
１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面
図である。この半導体装置はダイオードである。
【００１６】まず、図１に示すように、シリコン基板１
上にポジ型レジスト膜３を塗布する。次に、このシリコ
ン基板１を図示せぬ露光装置のステージ上に載置し、Ａ
パターンを備えたフォトマスク５を露光装置内に設置す
る。この後、フォトマスク５をマスクとしてポジ型レジ
スト膜３を露光する。これにより、フォトマスク５を通
過した露光光６が照射された部分３ａのレジスト膜が露
光される。
上にポジ型レジスト膜３を塗布する。次に、このシリコ
ン基板１を図示せぬ露光装置のステージ上に載置し、Ａ
パターンを備えたフォトマスク５を露光装置内に設置す
る。この後、フォトマスク５をマスクとしてポジ型レジ
スト膜３を露光する。これにより、フォトマスク５を通
過した露光光６が照射された部分３ａのレジスト膜が露
光される。
【００１７】次に、図２に示すように、ポジ型レジスト
膜３を現像することにより、シリコン基板１上には露光
光の照射部分が開口されたレジストパターンＡが形成さ
れる。この後、レジストパターンＡをマスクとして不純
物イオン７をシリコン基板１にイオン注入する。これに
より、図３に示すように、シリコン基板１にはＡパター
ンからなる不純物拡散層４が形成される。
膜３を現像することにより、シリコン基板１上には露光
光の照射部分が開口されたレジストパターンＡが形成さ
れる。この後、レジストパターンＡをマスクとして不純
物イオン７をシリコン基板１にイオン注入する。これに
より、図３に示すように、シリコン基板１にはＡパター
ンからなる不純物拡散層４が形成される。
【００１８】次に、レジストパターンＡを剥離した後、
図４に示すように、シリコン基板１上にネガ型レジスト
膜９を塗布する。この後、このネガ型レジスト膜９上に
ポジ型レジスト膜１１を塗布する。このポジ型レジスト
膜１１としてはネガ型レジスト膜９より露光光に対する
感度の高いものを用いる。次に、このシリコン基板１を
図示せぬ露光装置のステージ上に載置し、前記フォトマ
スク５を露光装置内に設置する。この後、フォトマスク
５をマスクとしてポジ型レジスト膜１１及びネガ型レジ
スト膜９を同時に露光する。これにより、フォトマスク
５を通過した露光光１６が照射された部分１１ａ，９ａ
のレジスト膜が露光される。上述したようにポジ型レジ
スト膜１１の方がネガ型レジスト膜９より高感度のもの
を用いているため、ポジ型レジスト膜の露光部分１１ａ
をネガ型レジスト膜の露光部分９ａより大きくすること
ができる。
図４に示すように、シリコン基板１上にネガ型レジスト
膜９を塗布する。この後、このネガ型レジスト膜９上に
ポジ型レジスト膜１１を塗布する。このポジ型レジスト
膜１１としてはネガ型レジスト膜９より露光光に対する
感度の高いものを用いる。次に、このシリコン基板１を
図示せぬ露光装置のステージ上に載置し、前記フォトマ
スク５を露光装置内に設置する。この後、フォトマスク
５をマスクとしてポジ型レジスト膜１１及びネガ型レジ
スト膜９を同時に露光する。これにより、フォトマスク
５を通過した露光光１６が照射された部分１１ａ，９ａ
のレジスト膜が露光される。上述したようにポジ型レジ
スト膜１１の方がネガ型レジスト膜９より高感度のもの
を用いているため、ポジ型レジスト膜の露光部分１１ａ
をネガ型レジスト膜の露光部分９ａより大きくすること
ができる。
【００１９】この後、図５に示すように、ポジ型レジス
ト膜１１及びネガ型レジスト膜９を現像することによ
り、ポジ型レジスト膜１１には露光光の照射部分が開口
され、ネガ型レジスト膜９には露光光の照射されてない
部分が開口されたレジストパターンＢが形成される。な
お、ネガ型レジスト膜９の開口部分の大きさの調整はオ
ーバー現像量を調整することにより行う。
ト膜１１及びネガ型レジスト膜９を現像することによ
り、ポジ型レジスト膜１１には露光光の照射部分が開口
され、ネガ型レジスト膜９には露光光の照射されてない
部分が開口されたレジストパターンＢが形成される。な
お、ネガ型レジスト膜９の開口部分の大きさの調整はオ
ーバー現像量を調整することにより行う。
【００２０】次に、レジストパターンＢをマスクとして
不純物イオン１７をシリコン基板１にイオン注入する。
この後、レジストパターンＢを剥離し、シリコン基板１
に熱処理を施す。これにより、図６に示すように、シリ
コン基板１には不純物拡散層４の周囲を囲むようなＢパ
ターンからなる不純物拡散層１９が形成され、両拡散層
４，１９によってダイオードが構成される。
不純物イオン１７をシリコン基板１にイオン注入する。
この後、レジストパターンＢを剥離し、シリコン基板１
に熱処理を施す。これにより、図６に示すように、シリ
コン基板１には不純物拡散層４の周囲を囲むようなＢパ
ターンからなる不純物拡散層１９が形成され、両拡散層
４，１９によってダイオードが構成される。
【００２１】上記実施の形態によれば、図４に示す工程
で、シリコン基板１上にネガ型レジスト膜９を塗布し、
このネガ型レジスト膜９上にポジ型レジスト膜１１を塗
布している。このため、Ａパターンからなる不純物拡散
層４を形成する際に用いたフォトマスク５をマスクとし
て、ポジ型レジスト膜１１及びネガ型レジスト膜９を露
光することにより、Ａパターンの周囲を囲む開口部を有
するレジストパターンＢを形成することができる。従っ
て、従来の半導体装置の製造方法では２枚のフォトマス
クを用いなければ形成できなかったＡパターンとその周
囲を囲むＢパターンを、１枚のフォトマスク５により形
成することが可能となる。その結果、フォトマスク数が
少なくなり、製造コストを低減することができる。
で、シリコン基板１上にネガ型レジスト膜９を塗布し、
このネガ型レジスト膜９上にポジ型レジスト膜１１を塗
布している。このため、Ａパターンからなる不純物拡散
層４を形成する際に用いたフォトマスク５をマスクとし
て、ポジ型レジスト膜１１及びネガ型レジスト膜９を露
光することにより、Ａパターンの周囲を囲む開口部を有
するレジストパターンＢを形成することができる。従っ
て、従来の半導体装置の製造方法では２枚のフォトマス
クを用いなければ形成できなかったＡパターンとその周
囲を囲むＢパターンを、１枚のフォトマスク５により形
成することが可能となる。その結果、フォトマスク数が
少なくなり、製造コストを低減することができる。
【００２２】図７〜図９は、本発明の第２の実施の形態
による半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１
〜図６と同一部分には同一符号を付す。第１の実施の形
態による図１〜図３に示す工程は第２の実施の形態にお
いても同様であるので、図１〜図３に示す工程は省略
し、その後の工程から説明する。
による半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１
〜図６と同一部分には同一符号を付す。第１の実施の形
態による図１〜図３に示す工程は第２の実施の形態にお
いても同様であるので、図１〜図３に示す工程は省略
し、その後の工程から説明する。
【００２３】図７に示すように、シリコン基板１の全面
上に例えばＣＶＤ（Chemical VaporDeposition）法によ
りシリコン酸化膜２１を堆積する。次に、シリコン酸化
膜２１上に、第１の実施の形態と同様にネガ型レジスト
膜９を塗布し、このネガ型レジスト膜９上にポジ型レジ
スト膜１１を塗布する。この後、フォトマスク５を用い
て露光、現像することにより、図８に示すように、シリ
コン酸化膜２１上にはレジストパターンＢが形成され
る。
上に例えばＣＶＤ（Chemical VaporDeposition）法によ
りシリコン酸化膜２１を堆積する。次に、シリコン酸化
膜２１上に、第１の実施の形態と同様にネガ型レジスト
膜９を塗布し、このネガ型レジスト膜９上にポジ型レジ
スト膜１１を塗布する。この後、フォトマスク５を用い
て露光、現像することにより、図８に示すように、シリ
コン酸化膜２１上にはレジストパターンＢが形成され
る。
【００２４】次に、レジストパターンＢをマスクとして
シリコン酸化膜２１をエッチングすることにより、図９
に示すように、シリコン基板１上には不純物拡散層４の
周囲を囲むようなＢパターンからなるシリコン酸化膜２
１ａが形成される。
シリコン酸化膜２１をエッチングすることにより、図９
に示すように、シリコン基板１上には不純物拡散層４の
周囲を囲むようなＢパターンからなるシリコン酸化膜２
１ａが形成される。
【００２５】上記第２の実施の形態においても第１の実
施の形態と同様の効果を得ることができる。
施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００２６】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記第１及び第２の実施の形態では、レジストパターン
Ａを形成するためのレジスト膜としてポジ型レジスト膜
３を用い、レジストパターンＢを形成するためのレジス
ト膜としてネガ型レジスト膜９とその上に塗布したポジ
型レジスト膜１１を用いているが、レジストパターンＡ
を形成するためのレジスト膜としてネガ型レジスト膜を
用い、レジストパターンＢを形成するためのレジスト膜
としてポジ型レジスト膜とその上に塗布したネガ型レジ
スト膜を用いることも可能である。
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記第１及び第２の実施の形態では、レジストパターン
Ａを形成するためのレジスト膜としてポジ型レジスト膜
３を用い、レジストパターンＢを形成するためのレジス
ト膜としてネガ型レジスト膜９とその上に塗布したポジ
型レジスト膜１１を用いているが、レジストパターンＡ
を形成するためのレジスト膜としてネガ型レジスト膜を
用い、レジストパターンＢを形成するためのレジスト膜
としてポジ型レジスト膜とその上に塗布したネガ型レジ
スト膜を用いることも可能である。
【００２７】また、上記第１及び第２の実施の形態で
は、不純物イオンを注入する際のマスクとしてレジスト
パターンＡを用いているが、導電膜又は絶縁膜などをエ
ッチングするマスクとしてレジストパターンＡを用いる
ことも可能である。すなわち、シリコン基板１上に導電
膜又は絶縁膜を形成し、導電膜又は絶縁膜の上にレジス
トパターンＡを形成し、レジストパターンＡをマスクと
して導電膜又は絶縁膜をエッチングすることにより、Ａ
パターンからなる導電膜又は絶縁膜をシリコン基板上に
形成することも可能である。
は、不純物イオンを注入する際のマスクとしてレジスト
パターンＡを用いているが、導電膜又は絶縁膜などをエ
ッチングするマスクとしてレジストパターンＡを用いる
ことも可能である。すなわち、シリコン基板１上に導電
膜又は絶縁膜を形成し、導電膜又は絶縁膜の上にレジス
トパターンＡを形成し、レジストパターンＡをマスクと
して導電膜又は絶縁膜をエッチングすることにより、Ａ
パターンからなる導電膜又は絶縁膜をシリコン基板上に
形成することも可能である。
【００２８】また、上記第２の実施の形態では、シリコ
ン基板１上にＢパターンからなるシリコン酸化膜２１ａ
を形成しているが、シリコン基板１上にＢパターンから
なる他の絶縁膜又は導電膜を形成することも可能であ
る。
ン基板１上にＢパターンからなるシリコン酸化膜２１ａ
を形成しているが、シリコン基板１上にＢパターンから
なる他の絶縁膜又は導電膜を形成することも可能であ
る。
【００２９】また、上記第２の実施の形態では、シリコ
ン酸化膜２１上にレジストパターンＢを形成し、このレ
ジストパターンＢをマスクとしてシリコン酸化膜２１を
エッチングすることにより、Ｂパターンからなるシリコ
ン酸化膜２１ａをシリコン基板１上に形成しているが、
シリコン基板１上にレジストパターンＢを形成し、リフ
トオフ法によりシリコン基板１上にＢパターンからなる
シリコン酸化膜を形成することも可能である。すなわ
ち、シリコン基板１上にレジストパターンＢを形成し、
このレジストパターンＢを含む全面上にシリコン酸化膜
を堆積させた後、レジストパターンＢを剥離することに
より、シリコン基板１上にＢパターンからなるシリコン
酸化膜が形成される。
ン酸化膜２１上にレジストパターンＢを形成し、このレ
ジストパターンＢをマスクとしてシリコン酸化膜２１を
エッチングすることにより、Ｂパターンからなるシリコ
ン酸化膜２１ａをシリコン基板１上に形成しているが、
シリコン基板１上にレジストパターンＢを形成し、リフ
トオフ法によりシリコン基板１上にＢパターンからなる
シリコン酸化膜を形成することも可能である。すなわ
ち、シリコン基板１上にレジストパターンＢを形成し、
このレジストパターンＢを含む全面上にシリコン酸化膜
を堆積させた後、レジストパターンＢを剥離することに
より、シリコン基板１上にＢパターンからなるシリコン
酸化膜が形成される。
【００３０】また、上記第１及び第２の実施の形態で
は、不純物イオンを注入する際のマスクとしてレジスト
パターンＡを用いているが、導電膜又は絶縁膜などをエ
ッチングするマスクとしてレジストパターンＡを用いる
ことも可能であり、Ａパターンからなる導電膜又は絶縁
膜をリフトオフ法により形成する際にレジストパターン
Ａを用いることも可能である。
は、不純物イオンを注入する際のマスクとしてレジスト
パターンＡを用いているが、導電膜又は絶縁膜などをエ
ッチングするマスクとしてレジストパターンＡを用いる
ことも可能であり、Ａパターンからなる導電膜又は絶縁
膜をリフトオフ法により形成する際にレジストパターン
Ａを用いることも可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、１
枚のフォトマスクを用いてＡパターンとその周囲を囲む
Ｂパターンを形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることができる。
枚のフォトマスクを用いてＡパターンとその周囲を囲む
Ｂパターンを形成できる半導体装置の製造方法を提供す
ることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図１の次の工程を示す断面
図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図２の次の工程を示す断面
図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図３の次の工程を示す断面
図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図４の次の工程を示す断面
図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図５の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図５の次の工程を示す断面
図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものである。
製造方法を示すものである。
【図８】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図７の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図７の次の工程を示す断面
図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態による半導体装置の
製造方法を示すものであり、図８の次の工程を示す断面
図である。
製造方法を示すものであり、図８の次の工程を示す断面
図である。
【図１０】（ａ）は、従来の半導体装置の製造方法を説
明するための平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す１
０ｂ−１０ｂ線に沿った断面図である。
明するための平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示す１
０ｂ−１０ｂ線に沿った断面図である。
１ シリコン基板 ３ ポジ型レジスト膜 ３ａ 露光部分 ４ 不純物拡散層 ５ フォトマスク ６ 露光光 ７ 不純物イオン ９ ネガ型レジスト膜 ９ａ 露光部分 １１ ポジ型レジスト膜 １１ａ 露光部分 １６ 露光光 １７ 不純物イオン １９ 不純物拡散層 ２１，２１ａ シリコン酸化膜 Ａ，Ｂ レジストパターン １０１ シリコン基板 １０３ 不純物拡散層 １０５ シリコン酸化膜
Claims (6)
- 【請求項１】 下地層上に第１のポジ型レジスト膜を塗
布する第１工程と、 フォトマスクを用いて第１のポジ型レジスト膜を露光
し、現像することにより、下地層上にレジストパターン
Ａを形成する第２工程と、 レジストパターンＡを剥離する第３工程と、 下地層上にネガ型レジスト膜を塗布する第４工程と、 このネガ型レジスト膜上に第２のポジ型レジスト膜を塗
布する第５工程と、 上記フォトマスクを用いて第２のポジ型レジスト膜及び
上記ネガ型レジスト膜を露光、現像することにより、下
地層上にレジストパターンＢを形成する第６工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 下地層上に第１のネガ型レジスト膜を塗
布する第１工程と、 フォトマスクを用いて第１のネガ型レジスト膜を露光
し、現像することにより、下地層上にレジストパターン
Ａを形成する第２工程と、 レジストパターンＡを剥離する第３工程と、 下地層上にポジ型レジスト膜を塗布する第４工程と、 このポジ型レジスト膜上に第２のネガ型レジスト膜を塗
布する第５工程と、 上記フォトマスクを用いて第２のネガ型レジスト膜及び
上記ポジ型レジスト膜を露光、現像することにより、下
地層上にレジストパターンＢを形成する第６工程と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 第２工程と第３工程の間に、レジストパ
ターンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下
地層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成す
る工程を含み、第６工程の後に、レジストパターンＢを
マスクとしてイオン注入することにより、下地層にＡパ
ターンの周囲を囲むＢパターンからなる第２の不純物拡
散層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１又
は２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 第２工程と第３工程の間に、レジストパ
ターンＡをマスクとしてイオン注入することにより、下
地層にＡパターンからなる第１の不純物拡散層を形成す
る工程を含み、第３工程と第４工程の間に、下地層上に
膜を形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパ
ターンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることに
より、下地層上にＡパターンの周囲を囲むＢパターンか
らなる膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項
１又は２記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 第２工程と第３工程の間に、レジストパ
ターンＡをマスクとして下地層をエッチングすることに
より、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含
み、第６工程の後に、レジストパターンＢをマスクとし
てイオン注入することにより、Ａパターンの周囲を囲む
Ｂパターンからなる不純物拡散層を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製
造方法。 - 【請求項６】 第２工程と第３工程の間に、レジストパ
ターンＡをマスクとして下地層をエッチングすることに
より、Ａパターンからなる下地層を形成する工程を含
み、第３工程と第４工程の間に、下地層を含む全面上に
膜を形成する工程を含み、第６工程の後に、レジストパ
ターンＢをマスクとして上記膜をエッチングすることに
より、Ａパターンの周囲を囲むＢパターンからなる膜を
形成する工程を含むことを特徴とする請求項１又は２記
載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000126033A JP2001307996A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000126033A JP2001307996A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001307996A true JP2001307996A (ja) | 2001-11-02 |
Family
ID=18635885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000126033A Withdrawn JP2001307996A (ja) | 2000-04-26 | 2000-04-26 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001307996A (ja) |
-
2000
- 2000-04-26 JP JP2000126033A patent/JP2001307996A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070703 |