JP2001305079A - 二次ターゲット装置及び蛍光x線分析装置 - Google Patents

二次ターゲット装置及び蛍光x線分析装置

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JP2001305079A JP2000120307A JP2000120307A JP2001305079A JP 2001305079 A JP2001305079 A JP 2001305079A JP 2000120307 A JP2000120307 A JP 2000120307A JP 2000120307 A JP2000120307 A JP 2000120307A JP 2001305079 A JP2001305079 A JP 2001305079A
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    • G01N23/20Investigating or analysing materials by the use of wave or particle radiation, e.g. X-rays or neutrons, not covered by groups G01N3/00 – G01N17/00, G01N21/00 or G01N22/00 by using diffraction of the radiation by the materials, e.g. for investigating crystal structure; by using scattering of the radiation by the materials, e.g. for investigating non-crystalline materials; by using reflection of the radiation by the materials

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 照射X線の切替えにおいてX線照射条件を一
定に保持すると共に、試料に対して十分な二次X線を照
射し、また、二次X線を試料の微小部分に照射する。 【解決手段】 X線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中
心軸とし、少なくとも前記中心軸に対向するターゲット
面に二次ターゲット材を設けた複数のターゲット部材
を、前記中心軸からの距離を異ならせて径方向に配置し
て形成するターゲット本体と、中心軸上に配置し、X線
源から試料照射位置に対する一次X線の照射を阻止する
X線阻止部材とを備え、一次X線は二次ターゲットの隙
間を通過せずに二次ターゲットのターゲット面のみを照
射し、ターゲット面からの二次X線は二次ターゲットの
隙間を通過して試料照射位置に到達する構成とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、X線源からの発生
したX線(一次X線)に照射によって蛍光X線と呼ばれ
る二次X線を発生する二次ターゲット装置、及び二次タ
ーゲット装置から発生する蛍光X線を試料に照射して、
試料から発生する蛍光X線を用いて試料の定性・定量分
析を行う蛍光X線分析装置に関する。
【0002】
【従来の技術】蛍光X線分析では、試料にX線を照射す
ることによって、試料から発生する特性X線の波長及び
強度を測定することによって、試料中の元素の定性・定
量分析を行う。蛍光X線分析において、X線源からの発
生したX線(一次X線)を試料に直接照射する直接照射
法、及び二次ターゲットを用いた二次ターゲット法が知
られている。直接照射法は、X線管から発生した一次X
線を試料に直接照射し、試料から発生する蛍光X線を半
導体検出器等のX線検出器を用いて検出するものであ
り、分析する元素範囲を広くとることができるため、未
知の微量元素の検出に適している。
【0003】一方、二次ターゲット法は、励起X線を単
色化することによって微量元素の検出限界を向上させる
方法であり、X線管の陽極ターゲットと異なる物質で形
成された二次ターゲットに対して一次X線を照射し、二
次ターゲット固有の特性X線を含む蛍光X線を発生させ
ることによって、一次X線に含まれる連続X線を低減さ
せ、試料からの蛍光X線のS/Nを向上させることによ
って微量元素の検出限界を向上させることができる。蛍
光X線分析装置では、未知の微量元素の検出と試料中の
特定微量元素の高感度分析との両分析に対応した適用範
囲の広いものが求められており、直接照射法による分析
及び二次ターゲット法による分析の両分析を切替えて行
うことができる分析装置が提案されている。
【0004】従来、直接照射法による分析と二次ターゲ
ット法による分析との切替えを行う構成として、二次タ
ーゲット装置において、二次ターゲットをX線源と試料
とを結ぶ直線上からずれた位置に配置することによっ
て、X線管からの一次X線が試料を直接照射しないよう
にし、二次ターゲットからの二次X線のみを試料に照射
させる構成とし、一次X線を直接試料に照射する場合に
は、X線源の向きを変えて照射X線を切替える二次ター
ゲット装置及び蛍光X線分析装置が用いられている。
【0005】上記の二次ターゲット装置及び蛍光X線分
析装置では、直接照射法と二次ターゲット法を一つの装
置で実現するために、X線源を回転させる移動機構が必
要となって装置の大型化するという問題や、直接照射法
によるX線照射条件(照射角度、照射位置)と二次ター
ゲット法によるX線照射条件が必ずしも一致しないた
め、両方法による測定データの対応の正確性の点で問題
がある。また、X線源と試料を結ぶ直線上に二次ターゲ
ットを配置し、二次ターゲットを用いる場合及び直接一
次X線を照射する場合の両場合において、X線源の向き
を固定したまま照射X線を切替える構成のものが提案さ
れている(例えば、特開平10−325814号公
報)。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の二次ターゲット
装置及び蛍光X線分析装置では、前記したように、装置
の大型化や、照射するX線を切替えた場合に、試料に対
するX線照射条件が異なることによる測定データの対応
の正確性等の問題がある。また、提案される装置では、
X線源の向きを固定したままで照射X線を切替え可能と
するために、二次ターゲットの中空部を、X線源側の開
口部を広く試料側の開口部を狭めたテーパー状に形成し
ている。そのため、X線源からの一次X線は大きな有効
立体角で二次ターゲットを照射することができるが、試
料から見た二次ターゲットの有効立体角は小さくなり、
また、二次ターゲットから試料を見たときの角度も浅く
なるため、試料に対して十分な二次X線を照射すること
ができず、高い測定感度を得ることが難しいという問題
がある。
【0007】また、従来の装置及び提案されている装置
は、共に、試料表面において二次X線が比較的に広い範
囲で広がるため、二次X線による試料表面上の照射領域
を微小領域に限定することが困難であり、微小部分の分
析に適用することができないという問題がある。そこ
で、本発明は前記した従来の問題点を解決し、二次ター
ゲット装置において、照射X線の切替えにおいてX線照
射条件を一定に保持すると共に、試料に対して十分な二
次X線を照射することを目的とし、また、二次X線を試
料の微小部分に照射することを目的とする。また、蛍光
X線分析装置において、照射X線の切替えにおいてX線
照射条件を一定に保持すると共に、試料に照射する十分
な二次X線を確保して検出感度を向上させることを目的
とし、また、試料の微小部分の分析感度を高めることを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、X線源とター
ゲット装置と試料とを直線状に配置することによって照
射X線を切替えた場合のX線照射条件を一定に保持し、
さらに、該配置構成において、X線源からターゲット面
を見た有効立体角及び試料照射位置から見た有効立体角
を実質的に拡大することによって、試料に対して十分な
二次X線を照射する。また、これによって、蛍光X線分
析装置において高い検出感度を得る。また、有効立体角
の実質的な拡大において、複数のターゲット面から照射
される二次X線を試料の照射領域に集中させ、照射領域
以外への二次X線の照射を制限することによって、試料
の微小部分に対して二次X線を照射する。これによっ
て、蛍光X線分析装置において微小部分の分析感度を高
める。なお、有効立体角はある一点から所定の領域面を
見込む立体角であり、本発明の二次ターゲット装置及び
蛍光X線分析装置では、ターゲット面を所定の領域面と
して有効立体角が形成される。
【0009】そこで、本発明のターゲット装置は、X線
源と、試料照射位置と、複数のターゲット部材を配置し
たターゲット本体と、試料照射位置への一次X線の照射
を阻止するX線阻止部材を直線上に配置する。ターゲッ
ト本体は、X線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中心軸
とし、その中心軸から異なる距離に複数のターゲット部
材を配置して構成し、各ターゲット部材は、少なくとも
中心軸に対向する面に二次ターゲット材を設け、該面を
ターゲット面とする。なお、二次ターゲット材は中心軸
と対向しない背面に設けることもでき、ターゲット部材
全体を二次ターゲット材で形成することも、あるいは下
地のX線遮蔽材に表面に二次ターゲット材を設けた構成
とすることもできる。
【0010】ターゲット部材は、X線源と試料照射位置
とを結ぶ直線を中心軸とする同心円の各円周上に複数配
置する円筒形状の構成とすることができる他、中心軸か
ら異なる距離であれば、円筒形状に限らず多角形の形状
や、中心軸から所定の径方向にのみターゲット部材を配
置する構成とすることもできる。また、連続して配置す
る構成、あるいは分離・分散させて配置する構成のいず
れの構成とすることもできる。X線源と試料照射位置と
を結ぶ直線を中心軸とし、ターゲット部材を中心軸の径
方向の周囲に複数配置することによって、照射X線を切
替えた場合において、直接照射法によるX線照射条件と
二次ターゲット法によるX線照射条件とを同一とするこ
とができる。なお、同心円の各円周上への複数配置は、
中心軸の径方向の周囲への複数配置の一例である。
【0011】この構成において、X線源あるいは試料照
射位置からターゲット部材のターゲット面を見込む有効
立体角が形成される。なお、ターゲット部材が、中心軸
から法線方向にそれぞれ所定間隔で配置される場合に
は、有効立体角は中心点から所定の距離範囲で形成され
る同心円状に広がる面をある一点から見込む立体角とな
るが、本発明では必ずしも同心円に限るものものではな
く、ターゲット部材及びターゲット面の形状や配置位置
に応じたものとなる。本発明の二次ターゲットにおい
て、一次X線の試料への照射を防ぐと共に二次X線を試
料に有効的に照射するには、X線源からの一次X線は、
二次ターゲットの隙間を通過せずに二次ターゲットのタ
ーゲット面のみを照射し、かつ、ターゲット面からの二
次X線は、二次ターゲットの隙間を通過して試料照射位
置に到達することが必要である。
【0012】本発明の二次ターゲットは、上記の要件を
満たすために、各ターゲット部材の中心軸方向の長さ及
び隣接するターゲット部材間の径方向の配置間隔が、一
次X線についての第1の条件と二次X線についての第2
の条件とを満足する構成とする。ここで、第1の条件
は、ターゲット面を一次X線源から見込む有効立体角
と、該ターゲット面側で隣接するターゲット部材との間
を一次X線源から見込む有効立体角とが一致する条件で
あり、第2の条件は、ターゲット面を試料照射位置から
見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲ
ット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体角と
が一致する条件である。
【0013】ターゲット部材を上記構成とすることによ
って、一次X線をターゲット部材で遮られることなくタ
ーゲット面に照射させ、また、ターゲット面で発生した
二次X線をターゲット部材で遮られることなく試料照射
位置に到達させることができ、各ターゲット部材の有効
立体角を有効なものとすることができる。また、上記の
ように複数のターゲット部材を配置することによって、
各有効立体角を総合して全体として拡大した大きな有効
立体角を形成することができる。また、本発明は、中心
軸上にX線阻止部材を配置する構成とする。このX線阻
止部材は、X線源から発生する一次X線が試料照射位置
を照射するのを阻止するものであり、二次X線による試
料照射位置の照射を確保する。
【0014】また、本発明の蛍光X線分析装置は、本発
明のターゲット装置を用いて蛍光X線分析装置を構成す
るものであり、X線を発生するX線源と、本発明の二次
ターゲット装置と、試料から発生する蛍光X線を検出す
るX線検出器とを備える。本発明の蛍光X線分析装置
は、本発明のターゲット装置を用いることによって、照
射X線の切替えにおいてX線照射条件を一定に保持する
と共に、試料に照射する十分な二次X線を確保して検出
感度を向上させることができる。
【0015】また、本発明のターゲット装置によって、
試料位置に対して二次X線を集中させることによって微
小部分の分析感度を高めることができる。この微小部分
の分析において、二次ターゲット装置と試料照射位置と
の間に、中心軸上において、試料上における二次X線の
照射領域を限定する開口部を有した遮蔽材を設ける構成
とすることによって、照射領域以外への二次X線の照射
を制限して試料位置に対して二次X線を集中させ、微小
部分の分析感度を高める。
【0016】また、一次X線を直接試料に照射するコリ
メータと一次X線の一部を吸収するフィルタのいずれか
一方あるいは両方を備えると共に、二次ターゲット装
置、コリメータ、フィルタのいずれか一つを中心軸上に
配置する駆動装置を備える構成とし、この駆動装置によ
って、X線源と試料とを結ぶ直線上に、直接試料にコリ
メータ、フィルタ、あるいは二次ターゲット装置を交換
可能に配置する。これによって、コリメータを配置した
場合には一次X線を直接試料に照射することができ、フ
ィルタを配置した場合には一次X線中の特定波長のX線
を照射することができる。また、二次ターゲット装置を
配置した場合には、二次ターゲット固有の特性X線を含
む蛍光X線を発生させることによって、一次X線に含ま
れる連続X線を低減させ、試料からの蛍光X線のS/N
を向上させ、微量元素の高感度の検出を行うことができ
る。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
を参照しながら詳細に説明する。図1は本発明のターゲ
ット装置及び蛍光X線分析装置の概略を説明するための
図である。二次ターゲット装置2は、ターゲット本体1
0とX線阻止部材20とを備え、X線源3と試料照射位
置4とを結ぶ中心軸C(図中の一点鎖線で示す)上に配
置する。二次ターゲット装置2は、X線源3から一次X
線31を受けて二次X線32を発生し、試料照射位置4
に配置した試料S上を照射する。また、蛍光X線分析装
置1は、ターゲット装置2とX線検出器6とを備え、照
射された二次X線32によって試料Sから発生した特性
X線33をX線検出器6で検出し、特性X線の波長及び
強度を測定することによって、試料S中の元素の定性・
定量分析を行う。
【0018】ターゲット本体10は複数のターゲット部
材11a〜11fを備え、該ターゲット部材11a〜1
1fを中心軸Cからの距離を異ならせて径方向に配置
し、各ターゲット部材11a〜11fの少なくとも中心
軸Cに対向するターゲット面には二次ターゲット材を設
ける。中心軸C上にはX線阻止部材20を配置し、X線
源3で発生した一次X線が試料照射位置4に到達するこ
とを阻止し、ターゲット面で発生した二次X線32のみ
を試料Sに照射させる。なお、X線源3は、例えば、熱
電子を放射するヒータと熱電子の衝突によって一次X線
31を発生する陽極ターゲットで構成され、陽極ターゲ
ットはRh,Cr,Cu,Mo,W等の材料で形成する
ことができる。また、ターゲット部材11は、所望の特
性X線wに対応した物質、例えばAl,Cu,Ge,
Y,Sn等の材料で形成することができる。
【0019】また、X線源3及びターゲット本体10に
は、一次X線31及び二次X線32を遮蔽する遮蔽材5
を備える。X線源3が備える遮蔽材5は、X線源3で発
生した一次X線31を試料S側に向けて放出するため
に、中心軸Cが通る開口部5aを備える。また、ターゲ
ット本体10が備える遮蔽材5は、ターゲット部材11
にのみ一次X線31を照射して一次X線31が試料Sを
照射しないようにし、また、ターゲット部材11で発生
した二次X線32を試料照射位置4に集中させると共
に、二次X線32がX線検出器6に達しないよう遮蔽す
るものであり、中心軸Cが通る開口部5b、5cを備え
る。なお、X線阻止部材20及び遮蔽材5は、Pb等の
X線遮蔽材料で形成することができる。
【0020】図2はターゲット体の第一の構成例を示す
概略図である。第一の構成例のターゲット本体10は、
径を異にする円筒形状のターゲット部材11a〜11f
を中心軸Cを中心として同心円状に配置して備え、中心
位置にはX線阻止部材20を配置する。ターゲット部材
11a〜11fは、一次X線及び二次X線を有効的に照
射するために、所定の配置関係を満足する必要がある。
以下、この配置関係について図3を用いて説明する。
【0021】図3はターゲット部材11の概略断面図で
あり、隣接する2つのターゲット部材11m,11nを
一例として示している。ターゲット部材11m、11n
は中心軸C方向に長さlを有し、ターゲット面10Aを
中心軸Cから径方向にdm及びdnの位置に、径方向に
配置間隔dmnだけ離して配置する。また、ターゲット部
材11m、11nはその両端の位置を、中心軸C上にお
いてX線源3の中心点3a及び試料照射位置4の中心点
4aからそれぞれD1及びD2の距離とし、ターゲット
部材11m、11nのターゲット面11Aは、中心軸C
と平行に配置するものとする。
【0022】X線源3の中心点3aからターゲット部材
11mのターゲット面Aを見込んだときの中心軸を含む
断面上における角αは、ターゲット部材11mのX線源
3側の端部と試料照射位置4側の端部間の角度で定ま
り、該角αは中心軸Cの回りの見こみ面に対して有効立
体角aを形成する。ここで、X線源3で発生した一次X
線31がターゲット面を有効に照射するには、隣接する
ターゲット部材11nを角α(有効立体角a)の外側に
配置し、ターゲット部材11nが一次X線31を遮らな
いことが必要である。また、一次X線31が直接に試料
Sに達しないことが必要である。
【0023】また、試料照射位置4の中心点4aからタ
ーゲット部材11mのターゲット面を見込んだときの中
心軸を含む断面上における角βも、各αと同様にターゲ
ット部材11mのX線源3側の端部と試料照射位置4側
の端部間の角度で定まり、該角βは中心軸Cの回りの見
こみ面に対して有効立体角bを形成する。ここで、ター
ゲット面Aで発生した二次X線32が試料照射位置4を
有効に到達するには、隣接するターゲット部材11nを
角β(有効立体角b)の外側に配置し、ターゲット部材
11nが二次X線32を遮らないことが必要である。
【0024】ターゲット部材11の中心軸C方向の長さ
l、ターゲット部材11m,11n間の配置間隔dmn
は、上記条件を満足するよう設定される。なお、上記角
α(有効立体角a),β(有効立体角b)は、長さl、
配置間隔dmn、距離D1,D2により幾何学的に定める
ことができる。X線源3からターゲット部材11を見込
んだ有効立体角Aは、隣接するターゲット部材間で形成
される有効立体角aを複数のターゲット部材11a〜1
1fで組み合わせることによって形成される。ここで、
各ターゲット面を見込む角αの外側となるように隣接す
るターゲット部材を配置することによって、有効立体角
Aは中心軸C上に配置されたX線阻止部材20の立体角
分は除いて、最外周に設けられたターゲット部材11a
の径を見込む立体角とすることができる。
【0025】また、試料照射位置4からターゲット部材
11を見込んだ有効立体角Bは、隣接するターゲット部
材間で形成される有効立体角bを複数のターゲット部材
11a〜11fで組み合わせることによって形成され
る。ここで、各ターゲット面を見込む角βの外側となる
ように隣接するターゲット部材を配置することによっ
て、有効立体角Bは中心軸C上に配置されたX線阻止部
材20の立体角分は除いて、最外周に設けられたターゲ
ット部材11aの径を見込む立体角とすることができ
る。
【0026】次に、図4を用いて、一次X線及び二次X
線が通る経路について説明する。X線源3は、ある強度
分布(例えば図中の31a)で一次X線31を発生し、
遮蔽材5の開口部5aから二次ターゲット装置2側に向
けて放出される。なお、X線源3の遮蔽材5は、二次タ
ーゲット装置2側以外への一次X線の漏洩を防止する。
X線源3から放出された一次X線31は、ターゲット部
材11の周囲を囲む遮蔽材5の開口部5bを通ってター
ゲット部材11のターゲット面11Aを照射する。開口
部5bを通過した一次X線31は、隣接するターゲット
部材11m、11n間を通ってターゲット部材11mの
ターゲット面11Aを照射する。ターゲット面11A
は、ターゲット部材の長さlや配置間隔d等を前記条件
を満足するように設定することによって、ターゲット部
材11nで遮られることなく有効的に照射される。
【0027】ターゲット面11Aでは、照射された一次
X線31による励起によって、ある強度分布(例えば図
中の32a、32c)で二次ターゲット材に特有のスペ
クトルの二次X線32を発生する。発生した二次X線3
2の内で試料照射位置4に向かうものは、ターゲット部
材の長さlや配置間隔d等を前記条件を満足するように
設定することによって、ターゲット部材11nで遮られ
ることなく試料照射位置4に向かう。
【0028】さらに、ターゲット面11Aで発生した二
次X線32は、試料照射位置4方向に向かって内径が狭
められた遮蔽材5によって絞られ、開口部5cを通して
試料照射位置4に照射される。図4中の右端部に示す分
布曲線は、試料照射位置4に達する二次X線の強度分布
を模式的に示しており、内径が狭められた遮蔽材5を用
いて小径の開口部5cを通すことによって二次X線32
の照射領域の範囲を狭めることができ、分析感度を高め
ることができる。なお、分布曲線中に示す破線及び矢印
は、遮蔽材5による制限範囲及び照射領域を示してい
る。遮蔽材5を備えない構成では、試料照射位置4にお
いて広い範囲で二次X線が照射され、分析感度が低下す
ることになる。
【0029】したがって、ターゲット部材11の遮蔽材
5は、二次ターゲット装置2側以外への一次X線の照射
の防止すると共に、試料照射位置4に対する二次X線3
2を集中化させる作用を奏する。
【0030】次に、ターゲット部材の構成例を図5を用
いて説明する。図5(a)は第一の構成例であり、X線
遮蔽材からなる下地11Bの両面に二次ターゲット材1
1Cを接着や蒸着によって形成される。下地11Bの厚
みは、一次X線が透過しない厚みとする。また、二次タ
ーゲット材11Cの膜厚は、一次X線によって二次ター
ゲット材から励起される蛍光X線が十分に確保される厚
さであって、最大の蛍光X線が得られる厚さが好まし
く、また、下地のX線遮蔽材から発生する蛍光X線が十
分に吸収される厚さが確保されることが望ましい。ま
た、該膜厚はバルクと見なせる厚さであることが望まし
い。
【0031】二次ターゲット材11Cは、ターゲット部
材11において少なくとも一次X線が照射される面に設
けられれば良く、一次X線が照射されない面は下地面と
することができる。図5(b)に示す第二の構成例は、
ターゲット部材11の一方の面にのみに二次ターゲット
材11Cを設ける構成である。
【0032】また、図5(c)に示す第三の構成例のよ
うに、下地を用いずに二次ターゲット材11Cのみの構
成とすることもできる。二次ターゲット材の保持例につ
いて図6を用いて説明する。図6(a)に示す保持例
は、複数の二次ターゲット部材11を一本の支持部材2
1で保持するものであり、X線遮蔽材で形成された支持
部材21を各二次ターゲット部材11の中心を通して設
ける。図6(b)に示す保持例は、複数の二次ターゲッ
ト部材11を二本の支持部材21a,21bで保持する
ものであり、X線遮蔽材で形成された支持部材21a,
21bを各二次ターゲット部材11の中心を通し、かつ
所定の角度を有して設ける。支持部材21,21a,2
1bは細径のワイヤ状に形状とすることができ、一次X
線のターゲット面への照射の妨げは無視できる程度にわ
ずかなものすることができる。
【0033】また、図6(c)に示す保持例は、複数の
二次ターゲット部材11を板状の支持部材22で保持す
るものであり、X線遮蔽材で形成された板状の支持部材
22の一方の辺に二次ターゲット部材11の配置間隔で
溝23を形成し、該溝23に二次ターゲット部材11を
中心を通る位置で差し込むことによって保持を行う。支
持部材22の厚さは有効立体角に対して十分薄くするこ
とができ、また、一次X線の照射方向に対してほぼ平行
となるため、一次X線のターゲット面への照射の妨げは
無視できる程度にわずかなものすることができる。な
お、複数枚の支持部材22を用い、二次ターゲット部材
11の中心位置で交差する構成とすることもできる。
【0034】次に、本発明のX線蛍光分析装置は、二次
X線と一次X線とを切替えて試料に照射する構成とする
ことができる。図7は、照射X線の切替え機構を説明す
るための概略図である。図7において、本発明の二次タ
ーゲット装置2に加えて、一次X線を直接試料に照射す
るコリメータ7と一次X線の一部を吸収するフィルタ8
を駆動機構9で切替え可能に備える。なお、コリメータ
7とフィルタ8はいずれか一方あるいは両方を備えるこ
とができる。駆動機構9は、二次ターゲット装置2,コ
リメータ7,及びフィルタ8を、X線源3と試料照射位
置4とを結ぶ中心軸C上に移動する。一次X線を直接試
料Sに照射して一次X線による直接励起を行う場合には
コリメータ7を中心軸C上に配置する。また、一次X線
中の一部を吸収して特定波長のX線を試料Sに照射した
り、目的元素のバックグラウンドを低下させる一次X線
フィルタ法を用いる場合には、フィルタ8を中心軸C上
に配置する。
【0035】また、二次ターゲット装置を配置した場合
には、二次ターゲット固有の特性X線を含む蛍光X線を
発生させることによって、一次X線に含まれる連続X線
を低減させ、試料からの蛍光X線のS/Nを向上させ、
微量元素の高感度の検出を行うことができる。
【0036】次に、本発明の二次ターゲット装置に適用
するターゲット体の他の構成例について図8〜図10を
用いて説明する。なお、図2に示すターゲット体を第1
の構成例とする。ターゲット体の第2の構成例は、図8
に示すように、二次ターゲット部材12の形状を多角形
とするものである。二次ターゲット部材12a〜12f
を辺の寸法を異ならせた多角形形状で形成し、各中心位
置を中心軸Cに合わせて配置する。
【0037】ターゲット体の第3〜第7の構成例は、分
割した二次ターゲット部材を組み合わせる構成である。
図9(a)に示す第3の構成例は、円周を所定角度で分
割して扇状に形成した二次ターゲット部材13を組み合
わせた構成例であり、図9(b)、(c)に示す第4,
5の構成例は、矩形状に形成した二次ターゲット部材1
4、15を中心軸から放射状に組み合わせた構成例であ
る。また、図9(d),(e)は第6,7の構成例にお
いて、二次ターゲット部材16、17をX線源側から見
た状態を示している。第6の構成例は、断面が円形形状
の二次ターゲット部材16を中心軸の周囲に配列する構
成例であり、第7の構成例は、断面が矩形形状の二次タ
ーゲット部材17を中心軸の周囲に配列する構成例であ
る。
【0038】ターゲット体の第8,9の構成例は、二次
ターゲット部材18,19によってを横方向(縦方
向)、または縦及び横方向に区切る構成である。第3〜
第7の構成例に示す分割した各二次ターゲット部材、及
び第8,9の構成例に示す分割した各二次ターゲット部
材は、第1の構成例と同様に、中心軸方向の長さ及び隣
接するターゲット部材間の径方向の配置間隔を、ターゲ
ット面を一次X線源から見込む有効立体角と該ターゲッ
ト面側で隣接するターゲット部材との間を一次X線源か
ら見込む有効立体角とが一致する第1の条件と、ターゲ
ット面を試料照射位置から見込む有効立体角と該ターゲ
ット面側で隣接するターゲット部材との間を試料照射位
置から見込む有効立体角とが一致する第2の条件を満足
するよう形成する。
【0039】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のターゲッ
ト装置によれば、照射X線の切替えにおいてX線照射条
件を一定に保持すると共に、試料に対して十分な二次X
線を照射することができ、また、二次X線を試料の微小
部分に照射することができる。
【0040】また、本発明の蛍光X線分析装置によれ
ば、照射X線の切替えにおいてX線照射条件を一定に保
持すると共に、試料に照射する十分な二次X線を確保し
て検出感度を向上させることができ、また、試料の微小
部分の分析感度を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のターゲット装置及び蛍光X線分析装置
の概略を説明するための図である。
【図2】本発明のターゲット体の第一の構成例を示す概
略図である。
【図3】本発明のターゲット部材の概略断面図である。
【図4】一次X線及び二次X線が通る経路を説明するた
めの概略図である。
【図5】本発明のターゲット部材の第1の構成例を説明
するための概略図である。
【図6】本発明の二次ターゲット材の保持例を説明する
ための概略図である。
【図7】照射X線の切替え機構を説明するための概略図
である。
【図8】本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲ
ット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【図9】本発明の二次ターゲット装置に適用するターゲ
ット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【図10】本発明の二次ターゲット装置に適用するター
ゲット体の他の構成例を説明するための概略図である。
【符号の説明】
1…蛍光X線分析装置、2…二次ターゲット装置、3…
X線源、4…試料照射位置、5…遮蔽材、5a,5b,
5c…開口部、6…検出器、7…コリメータ、8…フィ
ルタ、9…駆動装置、10…ターゲット本体、11〜1
9,11a〜11n…ターゲット部材、11A…ターゲ
ット面、11B…下地、11C…二次ターゲット材、2
0…X線阻止部材、31…一次X線、32…二次X線、
A,B…有効立体角、C…中心軸、S…試料。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 X線源と試料照射位置とを結ぶ直線を中
    心軸とし、少なくとも前記中心軸に対向するターゲット
    面に二次ターゲット材を設けた複数のターゲット部材
    を、前記中心軸からの距離を異ならせて径方向に配置し
    て形成するターゲット本体と、前記中心軸上に配置し、
    X線源から試料照射位置に対する一次X線の照射を阻止
    するX線阻止部材とを備え、前記ターゲット部材の中心
    軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材間の径方向の
    配置間隔は、ターゲット面を一次X線源から見込む有効
    立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材と
    の間を一次X線源から見込む有効立体角とが一致する第
    1の条件と、ターゲット面を試料照射位置から見込む有
    効立体角と該ターゲット面側で隣接するターゲット部材
    との間を試料照射位置から見込む有効立体角とが一致す
    る第2の条件を満足することを特徴とする二次ターゲッ
    ト装置。
  2. 【請求項2】 X線を発生するX線源と、X線源からの
    X線により蛍光X線を発生する二次ターゲット装置と、
    試料から発生する蛍光X線を検出するX線検出器とを備
    え、前記二次ターゲット装置は、X線源と試料照射位置
    とを結ぶ直線を中心軸とし、少なくとも前記中心軸に対
    向するターゲット面に二次ターゲット材を設けた複数の
    ターゲット部材を、前記中心軸から距離を異ならせて径
    方向に配置して形成するターゲット本体と、前記中心軸
    上に配置し、X線源から試料照射位置に対する一次X線
    の照射を阻止するX線阻止部材とを備え、前記ターゲッ
    ト部材の中心軸方向の長さ及び隣接するターゲット部材
    間の径方向の配置間隔は、ターゲット面を一次X線源か
    ら見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するター
    ゲット部材との間を一次X線源から見込む有効立体角と
    が一致する第1の条件と、ターゲット面を試料照射位置
    から見込む有効立体角と該ターゲット面側で隣接するタ
    ーゲット部材との間を試料照射位置から見込む有効立体
    角とが一致する第2の条件を満足することを特徴とする
    蛍光X線分析装置。
  3. 【請求項3】 二次ターゲット装置と試料照射位置との
    間に遮蔽材を備え、前記遮蔽材は前記中心軸上に開口部
    を有し、該開口部は試料上における二次X線の照射領域
    を限定することを特徴とする請求項2記載の蛍光X線分
    析装置。
  4. 【請求項4】 一次X線を直接試料に照射するコリメー
    タと一次X線の一部を吸収するフィルタのいずれか一方
    あるいは両方を備え、二次ターゲット装置、コリメー
    タ、フィルタのいずれか一つを中心軸上に配置する駆動
    装置を備えることを特徴とする請求項2、又は3記載の
    蛍光X線分析装置。
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