JP2001298241A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】半導体レーザ装置において、光出力のCOMDレベ
ルを向上し、高出力下で高信頼性を得る。 【解決手段】 ｎ−GaAs基板11上に、n-GaAsハ゛ッファ層1
2、ｎ−Ga1-ｚ1Alz１As下部クラッド層13（0.55≦z1≦
0.8）、ｎ−In0.49Ga0.51P下部光導波層14、Inx3Ga1-x3
As1-y3Ｐy3量子井戸活性層15（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.
6）、ｉ−In0.49Ga 0.51P光導波層16、Inx3Ga1-x3As1-y3
Ｐy3量子井戸活性層17（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p
−In0.49Ga0.51P上部光導波層18、ｐ−Ga1-z1Alz1As上
部クラッド層19、ｐ−GaAsコンタクト層20を成長する。
その上に絶縁膜21を形成し、通常のリソグラフィーによ
り、幅50μｍ程度のストライプの絶縁膜21を除去し、そ
の後、ｐ側電極22を形成し、その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極23を形成する。
ルを向上し、高出力下で高信頼性を得る。 【解決手段】 ｎ−GaAs基板11上に、n-GaAsハ゛ッファ層1
2、ｎ−Ga1-ｚ1Alz１As下部クラッド層13（0.55≦z1≦
0.8）、ｎ−In0.49Ga0.51P下部光導波層14、Inx3Ga1-x3
As1-y3Ｐy3量子井戸活性層15（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.
6）、ｉ−In0.49Ga 0.51P光導波層16、Inx3Ga1-x3As1-y3
Ｐy3量子井戸活性層17（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p
−In0.49Ga0.51P上部光導波層18、ｐ−Ga1-z1Alz1As上
部クラッド層19、ｐ−GaAsコンタクト層20を成長する。
その上に絶縁膜21を形成し、通常のリソグラフィーによ
り、幅50μｍ程度のストライプの絶縁膜21を除去し、そ
の後、ｐ側電極22を形成し、その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極23を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体レーザ装置に
関し、特に、光が導波する方向に垂直な端面での発熱が
大きい半導体レーザ装置に関するものである。
関し、特に、光が導波する方向に垂直な端面での発熱が
大きい半導体レーザ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】高出力な半導体レーザ装置においては、
端面での光吸収により流れる電流により発熱し、その熱
により端面温度が上昇し、端面でのバンドギャップが小
さくなり、さらに光吸収が多くなるという循環により端
面が破壊される、COMD（Catastrophic optical mirror
damage）現象により光出力の向上が制限されるという問
題がある。
端面での光吸収により流れる電流により発熱し、その熱
により端面温度が上昇し、端面でのバンドギャップが小
さくなり、さらに光吸収が多くなるという循環により端
面が破壊される、COMD（Catastrophic optical mirror
damage）現象により光出力の向上が制限されるという問
題がある。
【０００３】1998年発行のApplied Physics Letters,Vo
l.72,No.1.pp.4-6において、J.KWade氏らによる6.1Ｗ c
ontinuous wave front-facet power from Al-free acti
ve-region(λ＝805nm）diode laserが報告されている。
これは、活性領域に酸化されやすい性質を持つＡｌを含
まず、ＩｎＧａＡｓＰを活性層とし、ＩｎＧａＰを光導
波層とし、クラッド層をＩｎＡｌＧａＰとした構造を採
用した805nm帯の半導体レーザである。本文献において
は、高出力特性を改善するために、活性層の光密度を低
減する構造として、光導波層の厚さを大きくした、LOC
（Large OpticalCavity）構造が考案されており、最高
光出力の増大が報告されている。しかし、前述のCOMDに
達する光出力は経時で劣化したり、あるいは、COMDによ
り半導体レーザの駆動が突然停止する可能性が高く、高
出力駆動時で高信頼性が得られないという欠点がある。
l.72,No.1.pp.4-6において、J.KWade氏らによる6.1Ｗ c
ontinuous wave front-facet power from Al-free acti
ve-region(λ＝805nm）diode laserが報告されている。
これは、活性領域に酸化されやすい性質を持つＡｌを含
まず、ＩｎＧａＡｓＰを活性層とし、ＩｎＧａＰを光導
波層とし、クラッド層をＩｎＡｌＧａＰとした構造を採
用した805nm帯の半導体レーザである。本文献において
は、高出力特性を改善するために、活性層の光密度を低
減する構造として、光導波層の厚さを大きくした、LOC
（Large OpticalCavity）構造が考案されており、最高
光出力の増大が報告されている。しかし、前述のCOMDに
達する光出力は経時で劣化したり、あるいは、COMDによ
り半導体レーザの駆動が突然停止する可能性が高く、高
出力駆動時で高信頼性が得られないという欠点がある。
【０００４】また、同様に、発振波長が0.8μｍ帯で活
性層がＡｌフリーの半導体レーザ装置として、1995年発
行のJap.J.Appl.Phys.Vol.34.pp.L1175-1177において、
Highly Reliable Operation of High-Power InGaAsP/In
GaP/AlGaAs 0.8μｍ Separate Confinement Heterostru
cture Lasersが報告されている。ここでは、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｉ−ＩｎＧ
ａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層、ｉ−Ｉ
ｎＧａＰ光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層および
ｐ−ＧａＡｓキャップ層が積層された構造が紹介されて
いるが、最高光出力は1.8Ｗと低いという問題があっ
た。
性層がＡｌフリーの半導体レーザ装置として、1995年発
行のJap.J.Appl.Phys.Vol.34.pp.L1175-1177において、
Highly Reliable Operation of High-Power InGaAsP/In
GaP/AlGaAs 0.8μｍ Separate Confinement Heterostru
cture Lasersが報告されている。ここでは、ｎ−ＧａＡ
ｓ基板上に、ｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、ｉ−ＩｎＧ
ａＰ光導波層、ＩｎＧａＡｓＰ量子井戸活性層、ｉ−Ｉ
ｎＧａＰ光導波層、ｐ−ＡｌＧａＡｓクラッド層および
ｐ−ＧａＡｓキャップ層が積層された構造が紹介されて
いるが、最高光出力は1.8Ｗと低いという問題があっ
た。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、発振波
長が0.8μｍ帯の半導体レーザ装置において、高出力駆
動時の端面破壊等により信頼性が低いという問題があっ
た。
長が0.8μｍ帯の半導体レーザ装置において、高出力駆
動時の端面破壊等により信頼性が低いという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記事情に鑑みて、発振波長が0.
7μｍ〜1.2μｍの半導体レーザ装置において、高出力下
でも信頼性の高い半導体レーザ装置を提供することを目
的とするものである。
7μｍ〜1.2μｍの半導体レーザ装置において、高出力下
でも信頼性の高い半導体レーザ装置を提供することを目
的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、第一導電性基板上に、少なくとも、第一導電性下
部クラッド層、第一導電性またはアンドープの下部光導
波層、第一の活性層、アンドープの光導波層、第二の活
性層、第二導電性またはアンドープの上部光導波層、第
二導電性上部クラッド層、第二導電性コンタクト層がこ
の順に積層されており、前記２つの活性層から発せられ
る光で形成されるレーザ光の発振モードが、前記各層の
接合面に垂直な方向で、１次モードまで許容されている
ことを特徴とするものである。
置は、第一導電性基板上に、少なくとも、第一導電性下
部クラッド層、第一導電性またはアンドープの下部光導
波層、第一の活性層、アンドープの光導波層、第二の活
性層、第二導電性またはアンドープの上部光導波層、第
二導電性上部クラッド層、第二導電性コンタクト層がこ
の順に積層されており、前記２つの活性層から発せられ
る光で形成されるレーザ光の発振モードが、前記各層の
接合面に垂直な方向で、１次モードまで許容されている
ことを特徴とするものである。
【０００８】また、各活性層は、井戸数が１つ以上の量
子井戸構造であってもよい。
子井戸構造であってもよい。
【０００９】また、１次モードの光密度が最大となる位
置から0.1μｍ以内に、少なくとも１つの量子井戸が存
在することが望ましい。
置から0.1μｍ以内に、少なくとも１つの量子井戸が存
在することが望ましい。
【００１０】また、第一導電性基板は、ＧａＡｓからな
り、すべての光導波層の合計膜厚は、0.8μｍ以上1.4μ
ｍ以下であることが望ましい。
り、すべての光導波層の合計膜厚は、0.8μｍ以上1.4μ
ｍ以下であることが望ましい。
【００１１】上記「第一導電性」と「第二導電性」は、
互いに導電性が逆であり、例えば、第一導電性がｐ型で
あれば、第二導電性とはｎ型を示す。また、アンドープ
とは導電性不純物が導入されていないことを示す。
互いに導電性が逆であり、例えば、第一導電性がｐ型で
あれば、第二導電性とはｎ型を示す。また、アンドープ
とは導電性不純物が導入されていないことを示す。
【００１２】
【発明の効果】本発明の半導体レーザ装置によれば、第
一導電性基板上に、少なくとも、第一導電性下部クラッ
ド層、第一導電性またはアンドープの下部光導波層、第
一の活性層、アンドープの光導波層、第二の活性層、第
二導電性またはアンドープの上部光導波層、第二導電性
上部クラッド層、第二導電性コンタクト層がこの順に積
層されており、２つの活性層から発せられる光で形成さ
れるレーザ光の発振モードが、層の接合面に垂直な方向
で、１次モードまで許容されているものであるので、基
本モードより、活性層の光密度を下げることができ、端
面破壊を抑制することができ、高出力下においても、高
い信頼性を得ることができる。
一導電性基板上に、少なくとも、第一導電性下部クラッ
ド層、第一導電性またはアンドープの下部光導波層、第
一の活性層、アンドープの光導波層、第二の活性層、第
二導電性またはアンドープの上部光導波層、第二導電性
上部クラッド層、第二導電性コンタクト層がこの順に積
層されており、２つの活性層から発せられる光で形成さ
れるレーザ光の発振モードが、層の接合面に垂直な方向
で、１次モードまで許容されているものであるので、基
本モードより、活性層の光密度を下げることができ、端
面破壊を抑制することができ、高出力下においても、高
い信頼性を得ることができる。
【００１３】また、１次モードの光密度が最大となる位
置から0.1μｍ以内に、１つ以上の量子井戸が存在する
ことにより、つまり、１次モードの光密度の高くなる位
置に活性層を配置することにより、１次モードの利得を
高くし、しきい値電流を低減することができる。よっ
て、活性層の光密度を低減でき、最高光出力が向上す
る。
置から0.1μｍ以内に、１つ以上の量子井戸が存在する
ことにより、つまり、１次モードの光密度の高くなる位
置に活性層を配置することにより、１次モードの利得を
高くし、しきい値電流を低減することができる。よっ
て、活性層の光密度を低減でき、最高光出力が向上す
る。
【００１４】また、第一導電性基板を、ＧａＡｓとし、
すべての光導波層の合計膜厚を、0.8μｍ以上1.4μｍ以
下とすることにより、活性層の光密度を低減することが
でき、最高光出力を向上できる。
すべての光導波層の合計膜厚を、0.8μｍ以上1.4μｍ以
下とすることにより、活性層の光密度を低減することが
でき、最高光出力を向上できる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。
を用いて詳細に説明する。
【００１６】本発明の第１の実施の形態による半導体レ
ーザ装置について説明し、その半導体レーザ装置の断面
図を図１に示す。図１に示すように、有機金属気相成長
法によりｎ−GaAs基板11上に、ｎ−GaAsハ゛ッファ層12、ｎ
−Ga1-ｚ1Alz１As下部クラッド層13（0.55≦z1≦0.
8）、ｎ−In0.49Ga0.51P下部光導波層14、Inx3Ga1-x3As
1- y3Ｐy3量子井戸活性層15（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.
6）、ｉ−In0.49Ga0.51P光導波層16、Inx3Ga1-x3As1-y3
Ｐy3量子井戸活性層17（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p
−In0.49Ga0.51P上部光導波層18、ｐ−Ga1-z1Alz1As上
部クラッド層19、ｐ−GaAsコンタクト層20を成長する。
その上に絶縁膜21を形成し、通常のリソグラフィーによ
り、幅50μｍ程度のストライプの絶縁膜21を除去し、そ
の後、ｐ側電極22を形成し、その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極23を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、チップ化して半導体レーザ装置を形成する。
ーザ装置について説明し、その半導体レーザ装置の断面
図を図１に示す。図１に示すように、有機金属気相成長
法によりｎ−GaAs基板11上に、ｎ−GaAsハ゛ッファ層12、ｎ
−Ga1-ｚ1Alz１As下部クラッド層13（0.55≦z1≦0.
8）、ｎ−In0.49Ga0.51P下部光導波層14、Inx3Ga1-x3As
1- y3Ｐy3量子井戸活性層15（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.
6）、ｉ−In0.49Ga0.51P光導波層16、Inx3Ga1-x3As1-y3
Ｐy3量子井戸活性層17（0≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p
−In0.49Ga0.51P上部光導波層18、ｐ−Ga1-z1Alz1As上
部クラッド層19、ｐ−GaAsコンタクト層20を成長する。
その上に絶縁膜21を形成し、通常のリソグラフィーによ
り、幅50μｍ程度のストライプの絶縁膜21を除去し、そ
の後、ｐ側電極22を形成し、その後、基板の研磨を行
い、ｎ側電極23を形成する。その後、試料を劈開して形
成した共振器面に高反射率コート、低反射率コートを行
い、チップ化して半導体レーザ装置を形成する。
【００１７】上記量子井戸活性層は、圧縮歪、格子整
合、引っ張り歪のいずれの組成でもよい。
合、引っ張り歪のいずれの組成でもよい。
【００１８】上記光導波層の合計膜厚は、一次モードが
許容される0.8μm以上で、且つ光密度が基本モードより
低くなる1.4μm以下とすることが望ましい。0.8μｍよ
り小さいと、基本モードが強くなって光密度が大きくな
り、端面破壊が起こりやすく、1.4μｍより大きいと、
多モードとなりモード競合が起こるという問題がある。
許容される0.8μm以上で、且つ光密度が基本モードより
低くなる1.4μm以下とすることが望ましい。0.8μｍよ
り小さいと、基本モードが強くなって光密度が大きくな
り、端面破壊が起こりやすく、1.4μｍより大きいと、
多モードとなりモード競合が起こるという問題がある。
【００１９】本実施の形態の半導体レーザ装置は、絶縁
膜ストライプを形成してできる利得導波ストライプレー
ザについて記載しているが、本発明は、通常のフォトリ
ソグラフィーやドライエッチングによる加工を行ってで
きる、屈折率導波機構付き半導体レーザ装置、回折格子
付きの半導体レーザ装置あるいは光集積回路の作製にも
用いることが可能である。
膜ストライプを形成してできる利得導波ストライプレー
ザについて記載しているが、本発明は、通常のフォトリ
ソグラフィーやドライエッチングによる加工を行ってで
きる、屈折率導波機構付き半導体レーザ装置、回折格子
付きの半導体レーザ装置あるいは光集積回路の作製にも
用いることが可能である。
【００２０】クラッド層はＧａＡｓ基板11に格子整合す
るInGaAlP系またはInGaAlAsP系であってもよい。
るInGaAlP系またはInGaAlAsP系であってもよい。
【００２１】また、量子井戸活性層は単一量子井戸とし
ているが、多重量子井戸でもよい。
ているが、多重量子井戸でもよい。
【００２２】また、量子井戸の挿入位置は、利得損失を
低減するために、１次モードの光密度が高くなる位置か
ら0.1μm以内とすることが望ましい。
低減するために、１次モードの光密度が高くなる位置か
ら0.1μm以内とすることが望ましい。
【００２３】本実施の形態では、GaAs基板はｎ型の導電
性のもので記述しているが、ｐ型の導電性の基板を用い
てもよく、この場合上記すべての層の導電性を反対にす
ればよい。
性のもので記述しているが、ｐ型の導電性の基板を用い
てもよく、この場合上記すべての層の導電性を反対にす
ればよい。
【００２４】上記半導体レーザ装置の発振する波長λに
関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3（0≦x3≦0.3、
0≦y3≦0.6）からなる組成の活性層より、730＜λ＜120
0（ｎｍ）の範囲で制御が可能である。
関しては、Ｉｎx3Ｇａ1-x3Ａｓ1-y3Ｐy3（0≦x3≦0.3、
0≦y3≦0.6）からなる組成の活性層より、730＜λ＜120
0（ｎｍ）の範囲で制御が可能である。
【００２５】また、クラッド層をInGaAlP系またはInGaA
lAsP系とし、光導波層をクラッド層よりバンドギャップ
エネルギーの小さいInGaAlP系またはInGaAlAsP系とする
ことにより、発振波長の短波長化が実現できる。すなわ
ち、600nm〜730nmの範囲で発振波長の制御が可能とな
る。
lAsP系とし、光導波層をクラッド層よりバンドギャップ
エネルギーの小さいInGaAlP系またはInGaAlAsP系とする
ことにより、発振波長の短波長化が実現できる。すなわ
ち、600nm〜730nmの範囲で発振波長の制御が可能とな
る。
【００２６】各半導体層の成長法として、固体あるいは
ガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法であって
もよい。
ガスを原料とする分子線エピタキシャル成長法であって
もよい。
【００２７】次に、従来の半導体レーザ装置について説
明し、その断面図を図２に示す。図２に示すように、有
機金属気相成長法によりｎ−GaAs基板31上に、n-GaAsハ゛
ッファ層32、ｎ−Ga1-z1Alz1As下部クラッド層33（0.55≦z
1≦0.8）、ｎ−In0.49Ga0.5 1P下部光導波層34、In0.49G
a0.51P/Inx3Ga1-x3As1-y3Ｐy3２重量子井戸活性層35（0
≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p−In0.49Ga0.51P上部光導
波層36、ｐ−Ga1-z1Al z1As上部クラッド層37、ｐ−GaAs
コンタクト層38を成長する。その上に絶縁膜39を形成
し、通常のリソグラフィーにより、幅50μｍ程度のスト
ライプの絶縁膜39を除去してｐ側電極40を形成する。次
に、基板の研磨を行い、ｎ側電極41を形成する。その
後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コー
ト、低反射率コートを行い、チップ化して半導体レーザ
装置を形成する。本発明の半導体レーザ装置は、上記従
来の半導体レーザ装置と違い、活性層が２つ配置されて
おり、該２つの活性層の間に光導波層が配置されている
構造となっている。
明し、その断面図を図２に示す。図２に示すように、有
機金属気相成長法によりｎ−GaAs基板31上に、n-GaAsハ゛
ッファ層32、ｎ−Ga1-z1Alz1As下部クラッド層33（0.55≦z
1≦0.8）、ｎ−In0.49Ga0.5 1P下部光導波層34、In0.49G
a0.51P/Inx3Ga1-x3As1-y3Ｐy3２重量子井戸活性層35（0
≦x3≦0.3、0≦y3≦0.6）、p−In0.49Ga0.51P上部光導
波層36、ｐ−Ga1-z1Al z1As上部クラッド層37、ｐ−GaAs
コンタクト層38を成長する。その上に絶縁膜39を形成
し、通常のリソグラフィーにより、幅50μｍ程度のスト
ライプの絶縁膜39を除去してｐ側電極40を形成する。次
に、基板の研磨を行い、ｎ側電極41を形成する。その
後、試料を劈開して形成した共振器面に高反射率コー
ト、低反射率コートを行い、チップ化して半導体レーザ
装置を形成する。本発明の半導体レーザ装置は、上記従
来の半導体レーザ装置と違い、活性層が２つ配置されて
おり、該２つの活性層の間に光導波層が配置されている
構造となっている。
【００２８】次に、図３に、上記第１の実施の形態によ
る半導体レーザ装置と上記従来の半導体レーザ装置の構
成において、クラッド層および量子井戸活性層の組成
を、発振波長が809nmとなるように、z1=0.63、x3=0.1
1、y3=0.22とし、光導波層の合計膜厚を１μmとして作
製した半導体レーザ装置の実装後の電流-光出力特性の
差を示す。この特性は、これらの半導体レーザ装置が、
ｐ側電極をヒートシンクに接着されており、さらにヒー
トシンクは電子冷却素子により温度が25℃に設定されて
いる状態で測定したものである。また、これらの半導体
レーザ装置の端面には、一方は30％、反対側は90％の反
射率になるようにコートが施されている。
る半導体レーザ装置と上記従来の半導体レーザ装置の構
成において、クラッド層および量子井戸活性層の組成
を、発振波長が809nmとなるように、z1=0.63、x3=0.1
1、y3=0.22とし、光導波層の合計膜厚を１μmとして作
製した半導体レーザ装置の実装後の電流-光出力特性の
差を示す。この特性は、これらの半導体レーザ装置が、
ｐ側電極をヒートシンクに接着されており、さらにヒー
トシンクは電子冷却素子により温度が25℃に設定されて
いる状態で測定したものである。また、これらの半導体
レーザ装置の端面には、一方は30％、反対側は90％の反
射率になるようにコートが施されている。
【００２９】図３に示すように、本発明の半導体レーザ
装置の最高光出力は３Ｗ程度であり、従来の半導体レー
ザ装置は2.4Ｗ程度である。本発明の半導体レーザ装置
は、従来の半導体レーザ装置に比べ、しきい値電流が高
く、外部微分効率は悪いが、最大光出力が0.6Ｗ程度向
上している。
装置の最高光出力は３Ｗ程度であり、従来の半導体レー
ザ装置は2.4Ｗ程度である。本発明の半導体レーザ装置
は、従来の半導体レーザ装置に比べ、しきい値電流が高
く、外部微分効率は悪いが、最大光出力が0.6Ｗ程度向
上している。
【００３０】また、第１の実施の形態において、発振波
長が809nmとなるように、z1=0.63、x3=0.11、y3=0.22と
し、光導波層の合計膜厚を１μmとして作製した本発明
の半導体レーザ装置の基本モードと１次モードの光強度
分布を図４に示す。横軸の０点は２つの活性層の中間位
置を示し、図中の実線は基本横モードの光密度を示し、
点線は１次モードの光密度を示すものである。１次モー
ドの方が基本モードより20％程度ピーク強度が低い。こ
れは、図３における最高光出力の約25％の増大に対応し
ていることを示す。本発明による半導体レーザ装置のCO
MDレベル（COMDに達する光出力）の向上は、経時でのCO
MDレベルの劣化を考慮しても、最大光出力の初期値が高
いために信頼性に対して有利に働く。
長が809nmとなるように、z1=0.63、x3=0.11、y3=0.22と
し、光導波層の合計膜厚を１μmとして作製した本発明
の半導体レーザ装置の基本モードと１次モードの光強度
分布を図４に示す。横軸の０点は２つの活性層の中間位
置を示し、図中の実線は基本横モードの光密度を示し、
点線は１次モードの光密度を示すものである。１次モー
ドの方が基本モードより20％程度ピーク強度が低い。こ
れは、図３における最高光出力の約25％の増大に対応し
ていることを示す。本発明による半導体レーザ装置のCO
MDレベル（COMDに達する光出力）の向上は、経時でのCO
MDレベルの劣化を考慮しても、最大光出力の初期値が高
いために信頼性に対して有利に働く。
【００３１】上記第１の実施の形態では、GaAs系の半導
体レーザ装置について説明したが、本発明は、これに限
らず、他の組成からなる半導体レーザ装置でもよい。
体レーザ装置について説明したが、本発明は、これに限
らず、他の組成からなる半導体レーザ装置でもよい。
【００３２】本発明による半導体レーザ装置は、COMDレ
ベルが高く信頼性が高いため、高速な情報・画像処理及
び通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可
能である。
ベルが高く信頼性が高いため、高速な情報・画像処理及
び通信、計測、医療、印刷の分野での光源として応用可
能である。
【図１】本発明の第１の実施の形態による半導体レーザ
装置を示す断面図
装置を示す断面図
【図２】従来の半導体レーザ装置を示す断面図
【図３】本発明と従来の半導体レーザ装置の電流-光出
力特性を示すグラフ
力特性を示すグラフ
【図４】本発明の半導体レーザ装置の光強度分布を示す
グラフ
グラフ
11 ｎ−GaAs基板 12 ｎ−GaAsハ゛ッファ層 13 ｎ−Ga1-ｚ1Alz1As下部クラッド層 14 ｎ−In0.49Ga0.51P下部光導波層 15 Inx3Ga1-x3As1-y3Ｐy3量子井戸活性層 16 ｉ−In0.49Ga0.51P光導波層 17 Inx3Ga1-x3As1-y3Ｐy3量子井戸活性層 18 p−In0.49Ga0.51P上部光導波層 19 p−Ga1-z1Alz1As上部クラッド層 20 ｐ−GaAsコンタクト層 21 絶縁膜 22 ｐ側電極22 23 ｎ側電極23
Claims (4)
- 【請求項１】 第一導電性基板上に、少なくとも、第一
導電性下部クラッド層、第一導電性またはアンドープの
下部光導波層、第一の活性層、アンドープの光導波層、
第二の活性層、第二導電性またはアンドープの上部光導
波層、第二導電性上部クラッド層、第二導電性コンタク
ト層がこの順に積層されており、前記２つの活性層から
発せられる光で形成されるレーザ光の発振モードが、前
記各層の接合面に垂直な方向で、１次モードまで許容さ
れていることを特徴とする半導体レーザ装置。 - 【請求項２】 前記各活性層が、井戸数が１つ以上の量
子井戸構造であることを特徴とする請求項１記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項３】 前記１次モードの光密度が最大となる位
置から0.1μｍ以内に、少なくとも１つの量子井戸が存
在することを特徴とする請求項１または２記載の半導体
レーザ装置。 - 【請求項４】 前記第一導電性基板が、ＧａＡｓからな
り、前記すべての光導波層の合計膜厚が、0.8μｍ以上
1.4μｍ以下であることを特徴とする請求項１、２また
は３記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000113707A JP2001298241A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000113707A JP2001298241A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001298241A true JP2001298241A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18625628
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000113707A Withdrawn JP2001298241A (ja) | 2000-04-14 | 2000-04-14 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001298241A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003118075A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Heidelberger Druckmas Ag | 平板印刷機の被印刷体に放射エネルギーを供給する装置および方法 |
| JP2010118508A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
-
2000
- 2000-04-14 JP JP2000113707A patent/JP2001298241A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2003118075A (ja) * | 2001-10-10 | 2003-04-23 | Heidelberger Druckmas Ag | 平板印刷機の被印刷体に放射エネルギーを供給する装置および方法 |
| JP2010118508A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ装置 |
| US7949027B2 (en) | 2008-11-13 | 2011-05-24 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor laser device |
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