JP2001296536A - 液晶装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 短時間で、かつ歩留まり良く液晶装置の製造
方法を提供する。 【解決手段】 複数の画素領域Ｐｘが画定される一対の
基板１，３１を準備し、いずれか一方上に画素領域を複
数含む領域の外周を囲み第１の液晶注入口１１を有する
第１のシールパターン７を形成し、一対の基板いずれか
一方上に画素領域Ｐｘの外周を囲み第２の液晶注入口１
２を有する第２のシールパターン８を複数の第２の液晶
注入口１２が直線上に沿って並ぶように形成し、一対の
基板１．３１を張り合わせ仮の大型パネルＰ１を形成
し、その中に第１の液晶注入口１１から液晶Ｅを注入し
た後、第１の液晶注入口１１を封じて仮の大型液晶パネ
ルＰ２を形成して少なくとも直線に沿って切断し、第２
の液晶注入口１２を露出させ、第２の液晶注入口１２を
封止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶装置の製造方
法に関し、特に小型の液晶装置の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】小型の液晶装置を製造する場合、作業効
率を上げ製造コストを低減するため、大型基板を用いて
複数の液晶装置を製造する、いわゆる多面取り法を用い
る。

【０００３】まず、大型の第１基板及び第２基板の一対
の基板を準備する。

【０００４】大型の第１ガラス基板上に画定される多数
の画素領域に対して、各々画素電極を形成する。各画素
電極の外周を取り囲むようにシールパターンを形成す
る。スクリーン印刷法又はディスペンサを用いる方法に
より、シールパターンを描画する。

【０００５】シールパターンは、略長方形の４辺に沿う
帯状の形状を有しており、４辺のうち１辺の一部から外
側に向けて突出し、液晶をシールパターンの内側へと案
内する液晶注入口が形成されている。

【０００６】シールパターンを形成するシール材中、或
いは第１基板と第２基板との一対の基板間に両基板間の
ギャップを規定するギャップコントロール剤（以下「Ｇ
Ｃ剤」と称す。）を散布する。

【０００７】第２基板はガラス基板を用いることができ
る。第２基板上に共通電極が形成される。

【０００８】第２基板上に、第１基板との導通をとるた
めの導通材、例えば銀ペーストなどが、スクリーン印
刷、ディスペンサによるシールパターン描画によって形
成される。

【０００９】第１基板と第２基板との一対の基板を、画
素電極と共通電極とが対向するように配置し、所定のギ
ャップを有するように圧力をかけながらシールパターン
を硬化させる。シールパターンは、熱処理または紫外線
照射により硬化させる。

【００１０】以上の工程により、第１基板と第２基板と
シールパターンとにより画定される複数の空セル（液晶
剤を入れる前の液晶セル）を含むパネルが形成される。

【００１１】スクライビング装置を用いて、第１基板、
第２基板の表面上に、スクライブラインを形成する。個
々の空セルごとに切断することもできる。複数の空セル
を含む短冊状パネルごとに配置しておく。

【００１２】短冊状パネルに切断する場合には、複数の
空セルの液晶注入口の先端部が一直線上に並ぶように切
断する。

【００１３】液晶注入口から、個々の空セル内又は短冊
状パネル中の複数の空セル内に液晶を注入する。液晶を
注入する方法としては、一般的には、真空注入法が用い
られる。真空注入法は、真空チャンバ内に空のセルと、
液晶が充填された容器とを入れておき、空セルと液晶と
を離した状態で真空チャンバ内を減圧し、その後に空セ
ルの液晶注入口を液晶の中に浸す。真空チャンバ内を大
気圧に戻すと、空セル内に液晶が注入される。

【００１４】次に、液晶注入口の周りに付着している余
分の液晶をふき取り、液晶注入口を封止材により封止す
る。封止材としては、紫外線硬化型の樹脂系接着剤又は
熱硬化型の樹脂系接着剤が用いられる。

【００１５】短冊状に切断した場合には、この段階でセ
ルごとに切断する。

【００１６】最後に液晶剤を完全に除去するための洗浄
工程を行う。

【００１７】尚、必要に応じて、液晶再配向のために熱
処理を行う。

【００１８】以上の工程により、液晶が充填された多数
の液晶セル（液晶装置）を形成することができる。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の液晶
装置の製造方法には、以下のような問題点があった。

【００２０】１）個々の空セル又は複数の空セルを含む
短冊状のセルのサイズが小さく、特に個々の空セルまで
分断した場合にはセル数が非常に多くなる。

【００２１】液晶を注入するための工程が煩雑になる。
複数の空セルの液晶注入口を揃える必要があるため、多
数の空セルをチャンバ内にセッティングする工程が難し
くなる。

【００２２】２）液晶注入口を封止する前の液晶のふき
取り作業が繁雑になる。

【００２３】液晶のふき取りが不十分な場合には、封止
不良が生じやすく、製造歩留まりを下げる原因ともな
る。短冊状のパネル（空セルが複数個形成されている）
を用いた場合には、液晶注入工程より前の工程で個々の
空セルごとに切断するためのスクライブラインが形成さ
れているため、液晶注入工程において個々のセルごとに
分断されてしまう恐れもある。特に短冊状のパネルの幅
が小さくなると、個々のセルごとに分断される危険性が
高くなる。

【００２４】本発明の目的は、短時間で、かつ歩留まり
良く液晶装置を製造することができる方法を提供するこ
とである。

【００２５】

【課題を解決するための手段】本発明の一観点によれ
ば、ａ）複数の画素領域が画定される一対の基板を準備
する工程と、（ｂ）前記一対の基板のいずれか一方上に
第１のシール材を配し、前記画素領域を複数含む領域の
外周を囲み第１の液晶注入口を有する第１のシールパタ
ーンを形成する工程と、（ｃ）前記一対の基板いずれか
一方上に第２のシール材を配し、前記各画素領域の外周
を囲み第２の液晶注入口を有する第２のシールパターン
を、複数の前記第２の液晶注入口が直線上に沿って並ぶ
ように形成する工程と、（ｄ）前記一対の基板間に前記
第１のシールパターンが介装される向きに前記一対の基
板同士を重ねて張り合わせ、液晶が充填されていない仮
の大型パネルを形成する工程と、（ｅ）前記仮の大型パ
ネル内に前記第１の液晶注入口から液晶を注入した後、
前記第１の液晶注入口を封じて仮の大型液晶パネルを形
成する工程と、（ｆ）前記仮の大型液晶パネルを、少な
くとも前記直線に沿って切断し、前記第２の液晶注入口
を露出させる工程と、（ｇ）前記第２の液晶注入口を封
止する工程とを含む液晶装置の製造方法が提供される。

【００２６】

【発明の実施の形態】本明細書中において、ほぼ一画素
分を囲む第１のシールパターンと一対の基板とにより形
成されているセルを第１の空セルと称する。第２のシー
ルパターンにより画定される空セルを第２の空セルと称
する。第１の空セル内に液晶が充填されたセルを液晶セ
ルと称する。第１の空セルと液晶セルとを総称してセル
と称する。

【００２７】本発明の実施の形態について説明する前
に、発明者の行った考察について説明する。

【００２８】大型の基板を出発基板として用い、まずそ
の大型基板のままで液晶注入工程まで進め、個々のセル
に設けられている液晶注入口に沿って分断すれば、液晶
を個々のセルごとにふき取る工程を省略できる。

【００２９】大型の第１基板と大型の第２基板との一対
の基板を重ね合わせて形成する１枚の大型のパネルに、
複数の画素領域を囲む第１のシールパターンを形成す
る。第１のシールパターンには、第１の液晶注入口を形
成しておく。第１のシールパターンを硬化させることに
より、第１基板と第２基板と第１のシールパターンとに
より囲まれ液晶を収容することができる液晶収容空間が
形成された仮の大型パネルが形成される。

【００３０】第１のシールパターンを形成する際に、第
１のシールパターンに囲まれた領域内に、個々の画素領
域の外周を囲む第２のシールパターンも形成する。第２
のシールパターンにも、第２の液晶注入口を形成する。

【００３１】第１の液晶注入口から液晶収容空間内に液
晶を注入すると、第２のシールパターン内にも液晶が充
填される。第１の液晶注入口を含む領域を封止し、仮の
大型液晶パネルが形成される。

【００３２】仮の大型液晶パネルが形成された状態で一
対の基板上にスクライブラインを形成し、仮の大型液晶
パネルを切断する。スクライブラインは、少なくとも第
２の液晶注入口に沿って形成される。個々のセルごとに
分断できるようにスクライブラインを形成しても良い。

【００３３】実際の切断工程においては、個々のセルご
とに切断しても良いし、複数のセルを含む短冊状のパネ
ル状に切断しても良い。第２の液晶注入口に沿って切断
されるため、切断工程によりセルの端面が規定され、第
２の液晶注入口付近に付着する液晶の量は少なくなる。
液晶のふき取り工程が簡単になる。液晶のふき取り工程
が不要なケースも出てくるであろう。

【００３４】上記の考察に基づいて、以下に、第１の実
施の形態による液晶表示装置の製造方法について図面を
参照して説明する。

【００３５】実施例１ 図１から図７までは、本発明の第１実施例による液晶装
置の製造方法を示す図である。

【００３６】まず、１辺の長さが３５０ｍｍの略正方形
の形状をした大型の第１基板１と第２基板３１との一対
の基板を準備する。第１基板１と第２基板３１とを洗浄
する。

【００３７】図１（ａ）に示すように、第１基板１上の
画素領域Ｐｘ内に画素電極３を形成する。第２基板３１
上の画素領域Ｐｘに共通電極３３を形成する。

【００３８】図１（ｂ）に示すように、両基板１、３上
に、配向膜５、３５を形成する。配向膜５、３５は、日
立化成工業株式会社製のＨＬ−１１００を、フレキソ印
刷法により形成した。ＨＬ−１１００を塗布した後に、
１５０℃において１時間熱処理を行った。配向膜５、３
５の膜厚は５０ｎｍである。

【００３９】大型の第１基板１と第２基板３１と配向の
方向が直交するように、第１基板１と第２基板３１とを
レーヨン製の布を用いてラビングする。

【００４０】図１（ｃ）に示すように、第１基板１上に
シール材を配して、第１シールパターン７と第２のシー
ルパターン８とを形成した。第１及び第２のシールパタ
ーン７、８は、三井化学株式会社製のシール材ＸＮ−２
１を用い、スクリーン印刷法で第１基板１上に塗布す
る。シールパターンを形成するシール材の中には、ＧＣ
剤１０として粒径５．０μｍのグラスファイバーと、第
１基板１と第２基板３１とを導通させるための積水ファ
インケミカル株式会社製の金ボールＡｕ−２０５２５
（直径５．２５μｍ）とを、シール材に対して１．０ｗ
ｔ％ずつの割合で混ぜてある。

【００４１】塗布後に、９０℃で３０分間の熱処理を行
った。

【００４２】図２に示すように、第１シールパターン７
は、第１基板１の周辺部に、ほぼ正方形の４辺に沿うよ
うに形成されている。４辺のうち１辺の中央部近傍に、
正方形の１辺から外方に飛び出すように形成され、液晶
を案内するための液晶注入口１１が設けられている。

【００４３】第２のシールパターン８は、第１基板１の
第１シールパターン７内の領域に、画素電極３の外周を
囲むほぼ正方形の４辺に沿うように形成されている。正
方形の４辺のうち１辺の中央部近傍に、正方形の１辺か
ら突出するように形成され、液晶を第２シールパターン
８内に案内するための第２の液晶注入口１２が形成され
ている。

【００４４】尚、第２シールパターンの形状として正方
形と記載したのは単なる例示であり、形状を限定する趣
旨ではない。もちろん、横長又は縦長の長方形でも良
い。

【００４５】第２基板３１上に、ギャップコントロール
剤（ＧＣ剤）１５として積水ファインケミカル株式会社
製のプラスチックボールＰＦ−２０５を、ＧＣ剤散布装
置を用いて約５０個／ｍｍ²の面密度になるようにスプ
レイ法により散布した。

【００４６】図３に示すように、第１基板１と第２基板
３１との一対の基板を、画素電極３と共通電極３３とが
向き合うように重ね合わせ、６００ｋｇの荷重を印加し
つつ１５０℃で２時間の熱処理を行った。液晶が充填さ
れていない第２の空セルＥＣ１を多数含み、第１のシー
ルパターン７により画定される大型の第１の空セルＥＣ
とを含む仮の大型パネルＰ１が形成される。

【００４７】図２に示すように、第１液晶注入口１１と
切断面とが揃うように、スクライブラインＳＬを形成し
た。スクライブラインＳＬに沿って複数の空セルを含む
仮の大型パネルＰ１を切断する。

【００４８】図４（ａ）に示すように、真空チャンバＶ
Ｃ内に、仮の大型パネルＰ１と、液晶Ｅが満たされた容
器１７とを設置し、所定の真空度まで減圧する。

【００４９】図４（ｂ）に示すように、減圧下において
仮の大型パネルＰ１を移動し、第１の液晶注入口１１が
容器１７中の液晶Ｅ中に浸るようにする。この状態にお
いて、真空チャンバＶＣを大気圧まで戻すと、液晶Ｅ
が、仮の大型パネルＰ１内に入っていく。液晶剤Ｅは、
第２の液晶注入口１２を通って第２のシールパターン８
に囲まれた領域内にも入っていく。

【００５０】液晶Ｅは、メルク株式会社製のネマティッ
ク液晶を用いた。液晶Ｅの複屈折率（Δｎ＝ｎ_e−ｎ₀）
は０．０９６である。カイラル材としてチッソ株式会社
製のＣ−１５を、０．７ｗｔ％混ぜた。液晶が第１及び
第２のシールパターン７、８内にも充填された仮の大型
液晶パネルが形成される。

【００５１】図５（ａ）に示すように、仮の大型液晶パ
ネルＰ２のセル厚を正確かつ均一にするために、プレス
機２２を用いて４００ｋｇの荷重でプレスした。プレス
開始後１時間待つ。

【００５２】仮の大型液晶パネルＰ２の第１の液晶注入
口１１付近に付着している液晶を布によりふき取る。

【００５３】図５（ｂ）に示すように、紫外線硬化型の
封止材Ｆとして、積水ファインケミカル株式会社製のフ
ォトレックＡ−７０４を用いて第１の液晶注入口１１を
封止した。

【００５４】仮の大型液晶パネルＰ２に、第２のシール
パターン８の外周を囲むようにスクライブラインＳＬ
２、ＳＬ３を形成する。

【００５５】図５（ｂ）において横方向（行方向）に延
びるスクライブラインＳＬ２は、第２の液晶注入口１２
に沿って形成される。縦方向（列方向）に延びるスクラ
イブラインＳＬ３は、１の画素領域とそれに隣接する他
の画素領域との境界に形成される。

【００５６】スクライブラインＳＬ２に沿って仮の大型
液晶パネルＰ２を切断する。

【００５７】図６（ａ）に示すように、短冊状のパネル
Ｔ１が形成される。第２シールパターン８の第２の液晶
注入口１２は、パネルＴ１の一端面に沿って並ぶ。

【００５８】図６（ｂ）に示すように、第２の液晶注入
口１２を、積水ファインケミカル株式会社製のフォトレ
ックＡ−７０４（封止材Ｆ２）を用いて封止した。

【００５９】短冊状のパネルＴ１をスクライブラインＳ
Ｌ３に沿って列方向に分断し、液晶装置ＬＣが完成す
る。

【００６０】各液晶セルを洗浄した後、１００℃で３０
分間熱処理を行った。液晶装置が完成する。

【００６１】仮の大型液晶パネルＰ２、短冊状のパネル
Ｔ１内に存在した余分の液晶剤Ｅは、パネルＰ１、Ｔ１
を切断した後に回収することができる。

【００６２】短冊状のパネルＴ１に切断した際、第２の
液晶注入口１２に、余分な液晶剤の付着がみられなけれ
ば、液晶をふき取る工程は省略することができる。

【００６３】図７に、実際に用いたより具体的な仮の大
型パネルの構造を示す。各液晶装置のサイズは、例え
ば、縦１０ｍｍ、横１６ｍｍである。１つの大型パネル
から、縦方向に３３、横方向に２０の合計６６０個の液
晶装置を得ることができる。

【００６４】次に、比較例による液晶装置の製造方法に
ついて図面を参照して説明する。

【００６５】比較例 図８（ａ）に示すように、大型の第１基板１０１と第２
基板１３１との一対の基板を洗浄した後、第１基板１０
１の表面に複数の画素領域Ｐｘに対応する複数の画素電
極１０３を形成する。第２基板１３１の表面に画素領域
Ｐｘに対応する共通電極１３３を形成する。

【００６６】図８（ｂ）に示すように、日立化成工業株
式会社製のＨＬ−１１００をフレキソ印刷法により第１
基板１０１上及び第２基板１３１上に塗布した。塗布
後、１５０℃で１時間の熱処理を行い、配向膜１０５，
１３５を形成した。配向膜１０５、１３５の厚さは５０
ｎｍである。第１基板１０１と第２基板１３１とが、直
交する配向方向を有するようにレーヨン製の布を用いて
ラビングした。

【００６７】図８（ｃ）及び図１０に示すように、第１
基板１０１上に、画素電極１０３の外周を囲むようにシ
ール材を配し、複数のシールパターン１０７を形成す
る。シールパターンの形状は、長方形の４辺に沿う帯状
の形状である。シールパターン１０７の４辺のうち１辺
の一部から長方形の外側に向けてその１辺にほぼ垂直に
突出する液晶注入部１１１が形成されている。

【００６８】三井化学株式会社製のシール材ＸＮ−２１
を用い、スクリーン印刷法により基板表面に塗布した。
塗布後に、９０℃で３０分間の仮の熱処理を行うことに
よりシールパターン１０７を硬化した。

【００６９】尚、シール材中には、ＧＣ剤として５．０
μｍの厚みを有するグラスファイバーと、第１基板１０
１と第２基板１３１とを導通するための積水ファインケ
ミカル株式会社製の金ボールＡｕ−２０５２５を、それ
ぞれシール材に対して１．０ｗｔ％ずつ混ぜた。金ボー
ル１０９は、直径５．２５μｍである。

【００７０】第２基板１３１に、スプレイ法によりＧＣ
剤として直径５．０μｍの積水ファインケミカル株式会
社製のプラスチックボールＰＦ−２０５を散布した。散
布するプラスチックボール１２０の面密度は、例えば５
０個／ｍｍ²である。

【００７１】図９に示すように、第１の基板１０１と第
２の基板１３１との一対の基板を、画素電極１０３と共
通電極１３３とが向き合うように重ね合わせる。ＧＣ剤
が落ちないように、第２基板１３１上に第１基板１０９
１を重ねる。

【００７２】６００ｋｇの荷重を印加しながら、１５０
℃で２時間の熱処理を行った。多数のシールパターン１
０７が形成されている仮の大型パネルＰ３が形成され
る。

【００７３】図１０（ａ）に示すように、スクライブ装
置を用いて、仮の大型パネルＰ３をセルごとに切断する
ことができるように、複数のスクライブラインＳＬを形
成した。

【００７４】図１０（ａ）において横方向（液晶注入口
がその方向に沿って揃えられる方向）に、形成されたス
クライブラインＳＬに沿って仮の大型パネルＰ３を切断
する。

【００７５】図１０（ｂ）に示すように、複数のセルが
並んでいる短冊状パネルＴ２が形成される。

【００７６】図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、短冊
状パネルＴ２を、セルの液晶注入口１１１が下向きにな
るように把持具にセットする。真空注入法により液晶Ｅ
をセルのシールパターン１０７内に注入する。用いた液
晶Ｅは、メルク株式会社製のネマティック液晶（複屈折
率０．０９６）に、カイラル材としてチッソ株式会社製
のＣ−１５を０．７ｗｔ％混ぜたものである。

【００７７】図１２（ａ）に示すように、液晶Ｅを各セ
ル内に注入した後、液晶注入口１１１付近の液晶剤Ｅを
布で拭き取る。図１２（ｂ）の状態となる。

【００７８】図１２（ｃ）に示すように、紫外線硬化型
の封止材Ｆ（積水ファインケミカル株式会社製のフォト
レックＡ−７０４）を用いて液晶注入口１１１を封止し
た。液晶セルＬＣが形成される。短冊状パネルＴ２を各
液晶セルに切断する。

【００７９】図１３に示すように、各液晶セルＬＣを洗
浄した後、１００℃で３０分間熱処理を行った。液晶装
置が完成する。

【００８０】図１４、図１５に、実際に用いたパターン
と実際の液晶注入工程とをより具体的に示す。

【００８１】図１４に示すように、各液晶装置のサイズ
は、例えば、縦１０ｍｍ、横１６ｍｍである。１枚の大
型基板から、縦方向に３３、横方向に２０の合計６６０
個の液晶装置を形成することができる。

【００８２】図１５に示すように、短冊状パネルＴ２を
把持するための治具Ｊは、複数枚の短冊状パネルＴ２を
把持することができるように、各短冊状パネルに対応す
る切り込みＫが入っている。

【００８３】実施例１の液晶装置の製造方法と比較例１
の液晶装置の製造方法とを比較した。

【００８４】実施例１の液晶装置の製造方法によれば、
大型の仮パネルの液晶注入口を封止する工程を除いて、
余分な液晶をふき取る工程が簡単になる。余分な液晶を
ふき取る工程が不要になる場合もある。従って、液晶装
置の製造工程が簡単になる。

【００８５】さらに、比較例１の液晶装置の製造方法を
用いた場合と比べて、実施例１の液晶装置の製造方法を
用いると、個々のセルに余分な液晶が付着しないため、
回収可能な液晶剤の量も増加する。従来法に比べて液晶
剤は、３０％から４０％の節約となる。

【００８６】変形例１ 図１６に、第１基板１上に形成される第１シールパター
ン７と第２シールパターン８との配置を示す。

【００８７】変形例１による第１シールパターン７は、
実施例１による第１シールパターンと同様に、複数の画
素領域Ｐｘを含む広い領域の外周を囲んでいる。

【００８８】第１シールパターン７が大型の第１基板１
上に複数形成されている。図に示す例では、第１基板１
上に第１シールパターン７が４個形成されている。各第
１シールパターン７は、それぞれ、ほぼ正方形の４辺に
沿うように形成されている。１辺の中央部に、正方形の
外方に飛び出し、液晶をシールパターン内に案内するた
めの液晶注入口１１が形成されている。

【００８９】第２のシールパターン８は、画素領域Ｐｘ
の外周を囲む。第２の液晶注入口１２が形成されてい
る。

【００９０】仮の大型パネルを製造するまでの工程は、
第１実施例による液晶装置の製造方法と同じである。

【００９１】仮の大型液晶パネルＰ４を、行方向に形成
されているスクライブラインＳＬ４に沿って仮の中型液
晶パネルＰ５に切断する。この際、仮の大型液晶パネル
Ｐ４内のセルの第１の液晶注入口１１と切断後の仮の中
型パネルＰ５の端面とが揃うように、スクライブライン
ＳＬ４を形成する。

【００９２】スクライブラインＳＬ４に沿って仮の大型
パネルＰ４を切断する。

【００９３】切断方法としては、列方向に延びるスクラ
イブラインＳＬ５に沿って切断し、４つの中型液晶パネ
ルＰ５に切断しても良いし、行方向にのみ切断し、左右
２つの中型液晶パネルＰ５は繋がっているように切断し
ても良い。

【００９４】切断後の２つ又は４つの中型液晶パネルＰ
５に形成されている液晶を収容するための空間内に真空
注入法を用いて液晶を注入した。

【００９５】液晶注入工程、プレス工程、液晶注入口の
封止工程、スクライブライン形成工程、切断工程は、第
１実施例と同様である。

【００９６】以上に説明したように、第１変形例による
液晶装置の製造方法によれば、出発基板の大きさが非常
に大きい場合に、出発基板を適当な大きさの中型パネル
に切断した後に、液晶の注入工程を行うことができる。

【００９７】例えば、液晶注入用の容器や真空チャンバ
の大きさに制約がある場合に有効である。また、実施例
１の方法では、液晶収容空間が大きすぎて液晶注入工程
に時間がかかりすぎる場合にも有効である。

【００９８】以上、第１実施例及びその変形例による液
晶装置の製造方法について具体的に説明した。

【００９９】使用するシール材は、熱硬化型、もしくは
光硬化型のシール材であることが好ましい。

【０１００】第１及び第２のシール材中に混ぜられたＧ
Ｃ剤の形状は、球形、円柱形、角柱形、楕円球形、無定
型などでも良く、２枚のガラス基板間に所定のギャップ
を確保できれば良い。但し、強度上の問題から、実施例
でも用いられた円柱形のグラスファイバを用いると良
い。スペーサの寸法は、実際の液晶セル厚に依存する
が、一般的には、１μｍから２０μｍ程度である。

【０１０１】第１シールパターンの形状は一般的には断
面が四角形の形状である。用途に応じて、断面が円形の
形状、三角形の形状、多角形の形状のものを用いても良
い。

【０１０２】液晶剤の注入方法としては、加圧減圧法、
真空注入法の他に、毛細管現象を利用した方法を用いて
も良い。

【０１０３】第１ガラス基板と第２ガラス基板とをプレ
スする手段としては、プレス治具やプレス機自体（それ
らの表面は、精度良く仕上げたＡｌやセラミックスによ
り形成されている。）を用いる方法の他に、ガラスと治
具の表面との間にウレタンゴムなどのクッションを用い
る方法でも良い。

【０１０４】その他、少なくとも片方の面は、空気や窒
素などの気体、水などの液体の圧力により、非接触的に
ガラス基板に圧力を印加する方法も適用可能である。真
空パックなどを用いて圧力をかけても良い。

【０１０５】具体的には、真空パック中に第１ガラス基
板と第２ガラス基板とにより形成されている液晶パネル
を入れ、真空容器などの中で真空パック内を排気する。
排気後に真空パックの開口を封止し、大気圧に戻す。大
気圧が液晶パネルの第１ガラス基板と第２ガラス基板と
の間に印加されプレスされる。

【０１０６】また、基板をカットして実際の液晶セルを
切り出す方法として、ダイヤモンドカッターによるスク
ライブ法を用いることができるが、その代わりに、ピエ
ゾ等によりダイヤモンドカッターに超音波振動を与えて
ガラスを切断する方法、高出力レーザーにより基板を切
断する方法を用いても良い。レーザーによる切断方法を
用いれば、カット時の切り子が発生しにくい、カット停
止のための工程が不要である等の利点がある。

【０１０７】以上、本発明の実施例について例示した
が、その他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能な
ことは当業者には自明であろう。

【０１０８】

【発明の効果】液晶装置の製造工程において、液晶装置
を短時間で製造することができる。液晶の回収率が良
く、製造コストが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 （ａ）から（ｃ）は、本発明の第１実施例に
よる液晶装置の製造方法の一工程を示す図である。

【図２】 本発明の第１実施例による液晶装置の製造方
法の一工程を示す図である。図１（ｃ）に続く工程を示
す図である。

【図３】 本発明の第１実施例による液晶装置の製造方
法の一工程を示す平面図である。

【図４】 本発明の第１の実施例による液晶装置の製造
方法の一工程を示す図であり、図２、図３に続く工程を
示す図である。図４（ａ）は、仮の大型パネルを真空チ
ャンバ内にセットした状態を示す図である。図４（ｂ）
は、仮の大型パネルを真空チャンバ内の液晶剤に浸した
状態を示す図である。

【図５】 本発明の第１実施例による液晶装置の製造方
法の一工程を示す図であり、図５（ａ）は仮の大型液晶
パネルを両側からプレスした状態を示す図である。図５
（ｂ）は、仮の液晶パネルの液晶注入口を封止した状態
を示す図である。

【図６】 本発明の第１実施例による液晶装置の製造工
程を示す図である。図６（ａ）は、短冊状のセルを形成
した状態を示す図であり、図６（ｂ）は、短冊状のセル
の液晶注入口を封止した状態を示す図である。

【図７】 本発明の第１実施例による液晶装置の製造方
法を、より具体的に説明するための図であり、基板上に
第１及び第２のシールパターンを形成した状態を示す平
面図である。

【図８】 比較例による液晶装置の製造方法の一工程を
示す図であり、図８（ａ）は、第１基板上に画素電極
を、第２基板上に共通電極を形成した状態を示す。図８
（ｂ）は、第１及び第２基板上に配向膜を形成した状態
を示す。図８（ｃ）は、第１基板に各画素領域を囲むシ
ールパターンを形成した状態を示す。

【図９】 比較例による液晶装置の製造方法の一工程を
示す図で、図８（ｃ）に続く工程を示す図である。

【図１０】 比較例による液晶装置の製造工程を示す図
であり、図１０（ａ）は、第１基板上に、整列配置され
たシールパターンを形成した様子を示す平面図であり、
図１０（ｂ）は、複数のセルを含む短冊状のパネルを形
成した状態を示す平面図である。

【図１１】 比較例による液晶装置の製造工程を示す図
であり、図１１（ａ）は、短冊状のパネルを真空チャン
バ内に入れた状態を示す図である。図１１（ｂ）は、短
冊状のパネルを液晶剤中に浸した状態を示す図である。

【図１２】 比較例による液晶装置の製造工程を示す図
である。図１２（ａ）は、短冊状のパネルに液晶剤を充
填した状態を示す図である。図１２（ｂ）は、液晶注入
口から溢れた液晶剤を除去した状態を示す図である。図
１２（ｃ）は、液晶注入口を封止した状態を示す図であ
る。

【図１３】 比較例による液晶装置の構造を示す図であ
る。

【図１４】 比較例による液晶装置の製造工程を示すよ
り具体的な平面図である。

【図１５】 比較例による液晶装置の製造工程を示すよ
り具体的な斜視図であり、液晶注入工程を示す図であ
る。

【図１６】 本発明の第１実施例の第１変形例による液
晶装置の製造方法を説明するための平面図である。

【符号の説明】

１ 第１基板 ３ 画素電極 ５、３５ 配向膜 ７ 第１シールパターン ８ 第２シールパターン １０、１５ キャップコントロール剤（ＧＣ剤） １１ 第１液晶注入口 １２ 第２液晶注入口 １７ 容器 ２２ プレス機 ３１ 第２基板 ３３ 共通電極 Ｅ 液晶 ＥＣ 空セル ＬＣ 液晶セル Ｐｘ 画素領域 Ｐ１ 仮の大型パネル Ｐ２ 仮の大型液晶パネル Ｐ３ 仮の大型パネル Ｐ４ 仮の大型パネル Ｐ５ 仮の中型パネル ＳＬ スクライブライン ＶＣ 真空チャンバ Ｔ１、Ｔ２ 短冊状パネル

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （ａ）複数の画素領域が画定される一対
   の基板を準備する工程と、 （ｂ）前記一対の基板のいずれか一方上に第１のシール
   材を配し、前記各画素領域を複数含む領域の外周を囲み
   第１の液晶注入口を有する第１のシールパターンを形成
   する工程と、 （ｃ）前記一対の基板いずれか一方上に第２のシール材
   を配し、前記画素領域の外周を囲み第２の液晶注入口を
   有する第２のシールパターンを、複数の前記第２の液晶
   注入口が直線上に沿って並ぶように形成する工程と、 （ｄ）前記一対の基板間に前記第１のシールパターンが
   介装される向きに前記一対の基板同士を重ねて張り合わ
   せ、液晶が充填されていない仮の大型パネルを形成する
   工程と、 （ｅ）前記仮の大型パネル内に前記第１の液晶注入口か
   ら液晶を注入した後、前記第１の液晶注入口を封じて仮
   の大型液晶パネルを形成する工程と、 （ｆ）前記仮の大型液晶パネルを、少なくとも前記直線
   に沿って切断し、前記第２の液晶注入口を露出させる工
   程と、 （ｇ）前記第２の液晶注入口を封止する工程とを含む液
   晶装置の製造方法。
2. 【請求項２】 前記（ｆ）工程は、複数の前記第２のシ
   ールパターンが前記直線上に並ぶように前記仮の大型液
   晶パネルを複数の短冊状のパネルに切断する工程を含む
   請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記（ｆ）工程は、前記仮の大型液晶パ
   ネルを個々の液晶セルに切断する工程を含む請求項１に
   記載の液晶装置の製造方法。
4. 【請求項４】 さらに （ｈ）前記短冊状のパネルを、個々の液晶セルに切断す
   る工程を含む請求項２に記載の液晶装置の製造方法。
5. 【請求項５】 前記（ａ）工程と前記（ｂ）工程との間
   に、前記一対の基板のうちいずれか一方上に、前記画素
   領域に対応させて画素電極を形成する工程と、 前記一対の基板のうち他方上に、前記画素領域に対応さ
   せて共通電極を形成する工程とを含む請求項１に記載の
   液晶装置の製造方法。
6. 【請求項６】 前記（ｂ）工程は、前記一対の基板のう
   ちいずれか一方上に各々が複数の画素領域を囲む複数の
   第１シールパターンを形成する工程を含む請求項１に記
   載の液晶装置の製造方法。