JP2001295091A - 表面処理方法および磁石の製造方法 - Google Patents
表面処理方法および磁石の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性お
よび耐熱性に優れた磁石を製造する方法と、たとえば希
土類磁石などのように、保護膜の形成が困難な素材の表
面に、密着性に優れた保護膜を形成するための表面処理
方法とを提供すること。 【解決手段】 希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合
物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を
少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、
銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工程と、前記第１
保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程とを有する
永久磁石の製造方法。
よび耐熱性に優れた磁石を製造する方法と、たとえば希
土類磁石などのように、保護膜の形成が困難な素材の表
面に、密着性に優れた保護膜を形成するための表面処理
方法とを提供すること。 【解決手段】 希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合
物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を
少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、
銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工程と、前記第１
保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程とを有する
永久磁石の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面処理方法およ
び磁石の製造方法に係り、さらに詳しくは、密着性に優
れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れた磁
石を製造する方法と、たとえば希土類磁石などのよう
に、保護膜の形成が困難な素材の表面に、密着性に優れ
た保護膜を形成するための表面処理方法に関する。
び磁石の製造方法に係り、さらに詳しくは、密着性に優
れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れた磁
石を製造する方法と、たとえば希土類磁石などのよう
に、保護膜の形成が困難な素材の表面に、密着性に優れ
た保護膜を形成するための表面処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高性能な永久磁石として、粉末冶金法に
よるＳｍ−Ｃｏ系希土類永久磁石が量産されている。し
かしながら、この永久磁石は、原料として高価なＳｍお
よびＣｏを使用することから、高価であるという課題を
有する。
よるＳｍ−Ｃｏ系希土類永久磁石が量産されている。し
かしながら、この永久磁石は、原料として高価なＳｍお
よびＣｏを使用することから、高価であるという課題を
有する。
【０００３】希土類の中では、原子量が小さい希土類元
素、たとえばセリウム（Ｓｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）は、サマリウム（Ｓｍ）よりも
豊富に存在し、価格が比較的安い。また、鉄（Ｆｅ）も
安価である。
素、たとえばセリウム（Ｓｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）は、サマリウム（Ｓｍ）よりも
豊富に存在し、価格が比較的安い。また、鉄（Ｆｅ）も
安価である。
【０００４】そこで、近年、比較的安価な原料を用い、
Ｓｍ−Ｃｏ系希土類永久磁石と同等以上の磁気性能を有
するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系希土類永久磁石が開発され、実用
化されている。
Ｓｍ−Ｃｏ系希土類永久磁石と同等以上の磁気性能を有
するＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系希土類永久磁石が開発され、実用
化されている。
【０００５】ところが、この永久磁石は、主成分として
酸化され易い希土類元素と鉄とを含有するために、耐食
性が比較的低く、性能の劣化およびばらつきなどが課題
となっている。
酸化され易い希土類元素と鉄とを含有するために、耐食
性が比較的低く、性能の劣化およびばらつきなどが課題
となっている。
【０００６】そこで、この種の希土類（Ｒ）永久磁石の
耐食性を改善するために、種々の方法が提案されてい
る。たとえば特開昭６０−５４４０６号公報では、Ｒ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石の表面に耐酸化性のメッキ被膜を施
すことで、表面に生成する酸化物を抑制している。この
公報に示す技術では、具体的には、Ｃｕ＋Ｎｉメッキが
用いられ、Ｃｕ下地として青化銅液を使用している。こ
のような処理を行った永久磁石は、耐酸化性に優れ、磁
気回路等に組み込んだ場合に、出力特性の安定化および
信頼性の向上にきわめて有効である。
耐食性を改善するために、種々の方法が提案されてい
る。たとえば特開昭６０−５４４０６号公報では、Ｒ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石の表面に耐酸化性のメッキ被膜を施
すことで、表面に生成する酸化物を抑制している。この
公報に示す技術では、具体的には、Ｃｕ＋Ｎｉメッキが
用いられ、Ｃｕ下地として青化銅液を使用している。こ
のような処理を行った永久磁石は、耐酸化性に優れ、磁
気回路等に組み込んだ場合に、出力特性の安定化および
信頼性の向上にきわめて有効である。
【０００７】また、特開平１−２８６４０７号公報で
は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石に、溶存酸素を抜いた水溶
液を用いたアルカリ性浴中（具体的には、ピロリン酸銅
メッキを使用）にて電解メッキを行い、磁石の表面にメ
ッキを行っている。この場合、磁石表面に密着性の良い
メッキ膜が形成され、耐食性に優れ、且つ磁気特性にお
いても劣らない磁石を得ることが可能である。
は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石に、溶存酸素を抜いた水溶
液を用いたアルカリ性浴中（具体的には、ピロリン酸銅
メッキを使用）にて電解メッキを行い、磁石の表面にメ
ッキを行っている。この場合、磁石表面に密着性の良い
メッキ膜が形成され、耐食性に優れ、且つ磁気特性にお
いても劣らない磁石を得ることが可能である。
【０００８】さらに、特開平８−３７６３号公報では、
磁石の表面に無電解Ｃｕメッキ、電気Ｃｕメッキ、電気
Ｎｉ・Ｐ合金メッキを順次行い、メッキ被膜を多層膜に
することで、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石の耐食性を著しく
向上させることができる。
磁石の表面に無電解Ｃｕメッキ、電気Ｃｕメッキ、電気
Ｎｉ・Ｐ合金メッキを順次行い、メッキ被膜を多層膜に
することで、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石の耐食性を著しく
向上させることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】メッキ浴として、上述
した特開昭６０−５４４０６号公報では青化銅を用い、
特開平１−２８６４０７号公報ではピロリン酸銅を使用
している。ピロリン酸銅を用いたメッキは、特にバレル
メッキ法において、Ｃｕよりイオン化傾向の大きいＲ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石が浸漬により溶解し、代わってメッ
キ液中の銅イオンが還元されてしまう。このため、Ｒ−
Ｆｅ−Ｂ系磁石の表面に金属として析出する置換析出反
応により銅が膜として成膜しない。
した特開昭６０−５４４０６号公報では青化銅を用い、
特開平１−２８６４０７号公報ではピロリン酸銅を使用
している。ピロリン酸銅を用いたメッキは、特にバレル
メッキ法において、Ｃｕよりイオン化傾向の大きいＲ−
Ｆｅ−Ｂ系永久磁石が浸漬により溶解し、代わってメッ
キ液中の銅イオンが還元されてしまう。このため、Ｒ−
Ｆｅ−Ｂ系磁石の表面に金属として析出する置換析出反
応により銅が膜として成膜しない。
【００１０】また、青化銅を用いたメッキでは、成膜は
するが膜と素体との密着性が弱い。従って、青化銅の電
解Ｃｕメッキ上に金属メッキを施したＣｕ＋金属メッキ
では、素体とメッキ膜の密着性の悪い被膜となる。ま
た、青化銅メッキ液は、何らかの防止策を図らなけれ
ば、環境に悪影響を与えるおそれがある。
するが膜と素体との密着性が弱い。従って、青化銅の電
解Ｃｕメッキ上に金属メッキを施したＣｕ＋金属メッキ
では、素体とメッキ膜の密着性の悪い被膜となる。ま
た、青化銅メッキ液は、何らかの防止策を図らなけれ
ば、環境に悪影響を与えるおそれがある。
【００１１】また、特開平８−３７６３号公報では、無
電界Ｃｕメッキを用いているが、無電解Ｃｕメッキは、
メッキ中に水素が発生する。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石
は、水素により脆化する性質があり、メッキ中に発生す
る水素ガスによって素材の破壊が起こり、封孔性の良い
メッキ膜を得ることができない。また、同様な理由によ
り膜の密着性が弱い。従って、無電解Ｃｕメッキ上に金
属メッキを施した場合も、耐食性に課題があると共に、
素体とメッキ膜との密着性の良い被膜を得ることはでき
ない。
電界Ｃｕメッキを用いているが、無電解Ｃｕメッキは、
メッキ中に水素が発生する。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石
は、水素により脆化する性質があり、メッキ中に発生す
る水素ガスによって素材の破壊が起こり、封孔性の良い
メッキ膜を得ることができない。また、同様な理由によ
り膜の密着性が弱い。従って、無電解Ｃｕメッキ上に金
属メッキを施した場合も、耐食性に課題があると共に、
素体とメッキ膜との密着性の良い被膜を得ることはでき
ない。
【００１２】さらに、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系永久磁石は、他
の永久磁石と異なり、Ｃ軸と垂直な方向に負の膨張係数
を持ち、温度の上昇と共に収縮する傾向にある。このた
めに、従来方法で成膜されたメッキ膜で被覆された永久
磁石は、磁石とメッキ膜の膨張係数の違いから、温度変
化により磁気特性の劣化を引き起こし耐熱性に問題があ
った。
の永久磁石と異なり、Ｃ軸と垂直な方向に負の膨張係数
を持ち、温度の上昇と共に収縮する傾向にある。このた
めに、従来方法で成膜されたメッキ膜で被覆された永久
磁石は、磁石とメッキ膜の膨張係数の違いから、温度変
化により磁気特性の劣化を引き起こし耐熱性に問題があ
った。
【００１３】本発明は、このような実状に鑑みてなさ
れ、密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐
熱性に優れた磁石を製造する方法と、たとえば希土類磁
石などのように、保護膜の形成が困難な素材の表面に、
密着性に優れた保護膜を形成するための表面処理方法と
を提供することを目的とする。
れ、密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐
熱性に優れた磁石を製造する方法と、たとえば希土類磁
石などのように、保護膜の形成が困難な素材の表面に、
密着性に優れた保護膜を形成するための表面処理方法と
を提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、密着性に
優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れた
磁石について鋭意検討した結果、特定組成のメッキ浴を
用いて電解メッキを行うことにより、保護膜の形成が困
難な磁石などの素材の表面に、密着性に優れた保護膜を
形成することができることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐熱性に優れた
磁石について鋭意検討した結果、特定組成のメッキ浴を
用いて電解メッキを行うことにより、保護膜の形成が困
難な磁石などの素材の表面に、密着性に優れた保護膜を
形成することができることを見出し、本発明を完成させ
るに至った。
【００１５】すなわち、本発明に係る磁石の表面処理方
法は、希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合物、リン化
合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも
含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から
成る第１保護膜を成膜することを特徴とする。
法は、希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合物、リン化
合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも
含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から
成る第１保護膜を成膜することを特徴とする。
【００１６】また、本発明に係る素材の表面処理方法
は、所定方向に負の膨張係数を持つ素材の表面に、銅塩
化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化
塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行
い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜することを特徴と
する。
は、所定方向に負の膨張係数を持つ素材の表面に、銅塩
化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化
塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行
い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜することを特徴と
する。
【００１７】本発明に係る素材の表面処理方法が適用さ
れる素材としては、特に限定されないが、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ
系永久磁石の場合に効果が大きい。また、Ｔｂ−Ｆｅ系
磁歪材などにも適用が可能である。
れる素材としては、特に限定されないが、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ
系永久磁石の場合に効果が大きい。また、Ｔｂ−Ｆｅ系
磁歪材などにも適用が可能である。
【００１８】本発明の第１の観点に係る磁石の製造方法
は、希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合物、リン化合
物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも含
む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から成
る第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜の表面
に、第２保護膜を成膜する工程とを有する。
は、希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合物、リン化合
物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも含
む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から成
る第１保護膜を成膜する工程と、前記第１保護膜の表面
に、第２保護膜を成膜する工程とを有する。
【００１９】本発明の第２の観点に係る磁石の製造方法
は、所定方向に負の膨張係数を持つ磁石の表面に、銅塩
化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化
塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行
い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工程と、前記
第１保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程とを有
する。
は、所定方向に負の膨張係数を持つ磁石の表面に、銅塩
化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化
塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行
い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工程と、前記
第１保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程とを有
する。
【００２０】前記第２保護膜としては、特に限定され
ず、金属メッキ膜であっても良い。または、第２保護膜
は、前記第１保護膜の上に、硫酸銅メッキ浴、ピロリン
酸銅メッキ浴または青化銅メッキ浴により形成された銅
被膜でも良い。さらにまた、第２保護膜は、前記第１保
護膜の上に、硫酸銅メッキ浴、ピロリン酸銅メッキ浴ま
たは青化銅メッキ浴により、他の銅被膜を形成し、この
銅被膜の表面に金属メッキ膜を形成した多層膜でも良
い。さらにまた、第２保護膜は、樹脂被膜でも良い。
ず、金属メッキ膜であっても良い。または、第２保護膜
は、前記第１保護膜の上に、硫酸銅メッキ浴、ピロリン
酸銅メッキ浴または青化銅メッキ浴により形成された銅
被膜でも良い。さらにまた、第２保護膜は、前記第１保
護膜の上に、硫酸銅メッキ浴、ピロリン酸銅メッキ浴ま
たは青化銅メッキ浴により、他の銅被膜を形成し、この
銅被膜の表面に金属メッキ膜を形成した多層膜でも良
い。さらにまた、第２保護膜は、樹脂被膜でも良い。
【００２１】本発明の方法が適用される磁石としては、
特に限定されないが、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類
元素の一種以上）、ＦｅおよびＢを含むＲ−Ｆｅ−Ｂ系
希土類磁石である場合に、特に効果が大きい。Ｒ−Ｆｅ
−Ｂ系希土類磁石の代表例が、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系希土類
磁石である。
特に限定されないが、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類
元素の一種以上）、ＦｅおよびＢを含むＲ−Ｆｅ−Ｂ系
希土類磁石である場合に、特に効果が大きい。Ｒ−Ｆｅ
−Ｂ系希土類磁石の代表例が、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系希土類
磁石である。
【００２２】本発明の方法において、第１保護膜を形成
するための銅メッキ浴は、銅として１０〜２０ｇ／リッ
トルを含有し、リンとして２〜６ｇ／リットルを含有し
ている銅メッキ浴が望ましい。
するための銅メッキ浴は、銅として１０〜２０ｇ／リッ
トルを含有し、リンとして２〜６ｇ／リットルを含有し
ている銅メッキ浴が望ましい。
【００２３】本発明の製造方法により得られる永久磁石
の具体的な用途としては、特に限定されないが、自動車
・産業機械などの、使用条件として耐熱性および耐温度
変化性を要求される部品、または部品の製造過程で耐熱
性を要求される（例えば磁石を樹脂モールディングする
等）部品などとして好適に用いられる。また、本発明の
製造方法により得られる永久磁石は、形状が特に薄い
等、重量に対する比表面積が大きい場合でも、良好な磁
気特性を有する。
の具体的な用途としては、特に限定されないが、自動車
・産業機械などの、使用条件として耐熱性および耐温度
変化性を要求される部品、または部品の製造過程で耐熱
性を要求される（例えば磁石を樹脂モールディングする
等）部品などとして好適に用いられる。また、本発明の
製造方法により得られる永久磁石は、形状が特に薄い
等、重量に対する比表面積が大きい場合でも、良好な磁
気特性を有する。
【００２４】
【発明の実施の形態】以下、本発明を、実施形態に基づ
き説明する。本実施形態では、耐食性および耐熱性に優
れた永久磁石の製造方法について説明する。
き説明する。本実施形態では、耐食性および耐熱性に優
れた永久磁石の製造方法について説明する。
【００２５】永久磁石 本実施形態において、保護膜が表面に形成される永久磁
石は、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の一種以
上）、ＦｅおよびＢを含むＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類磁石で
ある。
石は、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む希土類元素の一種以
上）、ＦｅおよびＢを含むＲ−Ｆｅ−Ｂ系希土類磁石で
ある。
【００２６】Ｒ、ＦｅおよびＢの含有量は、５．５原子
％≦Ｒ≦３０原子％、４２原子％≦Ｆｅ≦９０原子％、
２原子％≦Ｂ≦２８原子％、であることが好ましい。
％≦Ｒ≦３０原子％、４２原子％≦Ｆｅ≦９０原子％、
２原子％≦Ｂ≦２８原子％、であることが好ましい。
【００２７】特に永久磁石体を焼結法により製造する場
合、下記の組成であることが好ましい。希土類元素Ｒと
しては、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｔｂのうち少なくとも１
種、あるいはさらに、Ｌａ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｅｒ，
Ｅｕ，Ｐｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙのうち１種以上を含むもの
が好ましい。なお、Ｒとして２種以上の元素を用いる場
合、原料としてミッシュメタル等の混合物を用いること
もできる。
合、下記の組成であることが好ましい。希土類元素Ｒと
しては、Ｎｄ，Ｐｒ，Ｈｏ，Ｔｂのうち少なくとも１
種、あるいはさらに、Ｌａ，Ｓｍ，Ｃｅ，Ｇｄ，Ｅｒ，
Ｅｕ，Ｐｍ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｙのうち１種以上を含むもの
が好ましい。なお、Ｒとして２種以上の元素を用いる場
合、原料としてミッシュメタル等の混合物を用いること
もできる。
【００２８】Ｒの含有量は、５．５〜３０原子％である
ことが好ましい。Ｒの含有量が少なすぎると、磁石の結
晶構造がα−鉄と同一構造の立方晶組織となるため、高
い保持力（ｉＨｃ）が得られず、多すぎると、Ｒリッチ
な非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が低下す
る。
ことが好ましい。Ｒの含有量が少なすぎると、磁石の結
晶構造がα−鉄と同一構造の立方晶組織となるため、高
い保持力（ｉＨｃ）が得られず、多すぎると、Ｒリッチ
な非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が低下す
る。
【００２９】Ｆｅの含有量は４２〜９０原子％であるこ
とが好ましい。Ｆｅの含有量が少なすぎると、Ｂｒが低
下し、多すぎると、ｉＨｃが低下する。
とが好ましい。Ｆｅの含有量が少なすぎると、Ｂｒが低
下し、多すぎると、ｉＨｃが低下する。
【００３０】Ｂの含有量は、２〜２８原子％であること
が好ましい。Ｂの含有量が少なすぎると、磁石の結晶構
造が菱面体組織となるためｉＨｃが不十分であり、多す
ぎると、Ｂリッチな非磁性相が多くなるため、Ｂｒが低
下する。
が好ましい。Ｂの含有量が少なすぎると、磁石の結晶構
造が菱面体組織となるためｉＨｃが不十分であり、多す
ぎると、Ｂリッチな非磁性相が多くなるため、Ｂｒが低
下する。
【００３１】なお、Ｆｅの一部をＣｏで置換することに
より、磁気特性を損うことなく温度特性を改善すること
ができる。この場合、Ｃｏ置換量がＦｅの５０％を超え
ると磁気特性が劣化するため、Ｃｏ置換量は５０％以下
とすることが好ましい。
より、磁気特性を損うことなく温度特性を改善すること
ができる。この場合、Ｃｏ置換量がＦｅの５０％を超え
ると磁気特性が劣化するため、Ｃｏ置換量は５０％以下
とすることが好ましい。
【００３２】また、Ｒ、ＦｅおよびＢの他、不可避的不
純物として、Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃａ等が全体の
３原子％以下含有されていてもよい。
純物として、Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｃａ等が全体の
３原子％以下含有されていてもよい。
【００３３】さらに、Ｂの一部を、Ｃ，Ｐ，Ｓ，Ｃｕの
うちの１種以上で置換することにより、生産性の向上お
よび低コスト化が実現できる。この場合、置換量は全体
の４原子％以下であることが好ましい。また、保磁力の
向上、生産性の向上、低コスト化のために、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓ
ｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｈｆ等の１種以上
を添加してもよい。この場合、添加量は総計で１０原子
％以下とすることが好ましい。
うちの１種以上で置換することにより、生産性の向上お
よび低コスト化が実現できる。この場合、置換量は全体
の４原子％以下であることが好ましい。また、保磁力の
向上、生産性の向上、低コスト化のために、Ａｌ，Ｔ
ｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｂｉ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ｓ
ｂ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｚｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｈｆ等の１種以上
を添加してもよい。この場合、添加量は総計で１０原子
％以下とすることが好ましい。
【００３４】本実施形態における永久磁石は、実質的に
正方晶系の結晶構造の主相を有する。この主相の粒径
は、１〜１００μｍ程度であることが好ましい。そし
て、通常、体積比で１〜５０％の非磁性相を含むもので
ある。
正方晶系の結晶構造の主相を有する。この主相の粒径
は、１〜１００μｍ程度であることが好ましい。そし
て、通常、体積比で１〜５０％の非磁性相を含むもので
ある。
【００３５】上記のような永久磁石体は、以下に述べる
ような焼結法により製造されることが好ましい。まず、
所望の組成の合金を鋳造し、インゴットを得る。得られ
たインゴットをスタンプミル等により粒径１０〜１００
μｍ程度に粗粉砕し、次いで、ボールミル等により０．
５〜５μｍ程度の粒径に微粉砕する。
ような焼結法により製造されることが好ましい。まず、
所望の組成の合金を鋳造し、インゴットを得る。得られ
たインゴットをスタンプミル等により粒径１０〜１００
μｍ程度に粗粉砕し、次いで、ボールミル等により０．
５〜５μｍ程度の粒径に微粉砕する。
【００３６】得られた粉末を、好ましくは磁場中にて成
形する。この場合、磁場強度は７９０ｋＡ／ｍ以上、成
形圧力は、１００〜５００ＭＰａ程度であることが好ま
しい。
形する。この場合、磁場強度は７９０ｋＡ／ｍ以上、成
形圧力は、１００〜５００ＭＰａ程度であることが好ま
しい。
【００３７】得られた成形体を、１０００〜１２００℃
で０．５〜５時間焼結し、急冷する。なお、焼結雰囲気
は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気であることが好まし
い。その後、好ましくは不活性ガス雰囲気中で、５００
〜９００℃にて１〜５時間、熱処理（時効処理）を行
う。このようにして製造された永久磁石は、たとえばＲ
がＮｄである場合に、特に磁気特性に優れるが、Ｃ軸と
垂直な方向に負の膨張係数を有することが知られてい
る。この永久磁石の表面に、以下に示す方法により保護
膜を形成する。
で０．５〜５時間焼結し、急冷する。なお、焼結雰囲気
は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気であることが好まし
い。その後、好ましくは不活性ガス雰囲気中で、５００
〜９００℃にて１〜５時間、熱処理（時効処理）を行
う。このようにして製造された永久磁石は、たとえばＲ
がＮｄである場合に、特に磁気特性に優れるが、Ｃ軸と
垂直な方向に負の膨張係数を有することが知られてい
る。この永久磁石の表面に、以下に示す方法により保護
膜を形成する。
【００３８】保護膜の形成 まず、磁石の表面に、銅塩化合物、リン化合物、脂肪族
ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも含む銅メッキ
液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から成る第１保護
膜を成膜する。
ホスホン酸化合物、水酸化塩を少なくとも含む銅メッキ
液を用いて電解メッキを行い、銅被膜から成る第１保護
膜を成膜する。
【００３９】銅塩化合物としては、特に限定されない
が、たとえば硫酸銅、ピロリン酸銅、塩化銅、ホスホン
酸銅などが例示される。リン化合物としては、特に限定
されないが、たとえばリン酸銅、ピロリン酸カリウム、
リン酸ナトリウム、リン酸カルシウムなどが例示され
る。脂肪族ホスホン酸化合物としては、特に限定されな
いが、たとえばホスホン酸有機化合物、ホスホン酸アル
カリ金属化合物、ホスホン酸遷移金属化合物が例示され
る。水酸化塩としては、特に限定されないが、たとえば
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム
などが例示される。
が、たとえば硫酸銅、ピロリン酸銅、塩化銅、ホスホン
酸銅などが例示される。リン化合物としては、特に限定
されないが、たとえばリン酸銅、ピロリン酸カリウム、
リン酸ナトリウム、リン酸カルシウムなどが例示され
る。脂肪族ホスホン酸化合物としては、特に限定されな
いが、たとえばホスホン酸有機化合物、ホスホン酸アル
カリ金属化合物、ホスホン酸遷移金属化合物が例示され
る。水酸化塩としては、特に限定されないが、たとえば
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム
などが例示される。
【００４０】第１保護膜を形成するための銅メッキ浴
は、銅として１０〜２０ｇ／リットルを含有し、リンと
して２〜６ｇ／リットルを含有している水溶液が望まし
い。また、この銅メッキ浴は、脂肪族ホスホン酸化合物
として１０〜２０ｇ／リットルを含有し、水酸化塩とし
て５０〜１００ｇ／リットルを含有する。また、この銅
メッキ浴には、光沢剤が、０〜１０ミリリットル／リッ
トルの範囲で含まれていても良い。光沢剤としては、特
に限定されないが、たとえば有機化合物、アミノ酸化合
物、ホスホン酸化合物などが例示される。
は、銅として１０〜２０ｇ／リットルを含有し、リンと
して２〜６ｇ／リットルを含有している水溶液が望まし
い。また、この銅メッキ浴は、脂肪族ホスホン酸化合物
として１０〜２０ｇ／リットルを含有し、水酸化塩とし
て５０〜１００ｇ／リットルを含有する。また、この銅
メッキ浴には、光沢剤が、０〜１０ミリリットル／リッ
トルの範囲で含まれていても良い。光沢剤としては、特
に限定されないが、たとえば有機化合物、アミノ酸化合
物、ホスホン酸化合物などが例示される。
【００４１】この銅メッキ浴のペーハは、好ましくは８
〜１２、さらに好ましくは９．５〜１０．５である。ま
た、メッキ浴の温度は、好ましくは５５〜６５℃であ
る。メッキの手法は、特に限定されないが、バレルメッ
キ法が好ましい。メッキ時の電流密度は、特に限定され
ないが、０〜５Ａ／ｄｍ２ 程度が好ましく、この銅メ
ッキにより成膜される第１保護膜の厚みは、０．１〜１
５．０μｍ程度が好ましい。第１保護膜の厚みが小さす
ぎると、本発明の作用効果が小さく、厚すぎると、経済
的でない。このようにして形成された第１保護膜は、メ
ッキ時に磁石素材に対して置換反応が起こりにくく、密
着性の良い膜である。
〜１２、さらに好ましくは９．５〜１０．５である。ま
た、メッキ浴の温度は、好ましくは５５〜６５℃であ
る。メッキの手法は、特に限定されないが、バレルメッ
キ法が好ましい。メッキ時の電流密度は、特に限定され
ないが、０〜５Ａ／ｄｍ２ 程度が好ましく、この銅メ
ッキにより成膜される第１保護膜の厚みは、０．１〜１
５．０μｍ程度が好ましい。第１保護膜の厚みが小さす
ぎると、本発明の作用効果が小さく、厚すぎると、経済
的でない。このようにして形成された第１保護膜は、メ
ッキ時に磁石素材に対して置換反応が起こりにくく、密
着性の良い膜である。
【００４２】第１保護膜が形成された永久磁石の表面に
は、次に、第２保護膜が形成される。第２保護膜として
は、特に限定されないが、本実施形態では、電解ニッケ
ルメッキ膜、またはピロリン酸銅メッキ膜および電解ニ
ッケルメッキ膜との多層膜で構成される。
は、次に、第２保護膜が形成される。第２保護膜として
は、特に限定されないが、本実施形態では、電解ニッケ
ルメッキ膜、またはピロリン酸銅メッキ膜および電解ニ
ッケルメッキ膜との多層膜で構成される。
【００４３】電解ニッケルメッキ膜を形成する場合に
は、バレルメッキ法を用いることが好ましく、そのメッ
キ浴としては、下記の組成のメッキ浴を用いることが好
ましい。このメッキ浴には、スルファミン酸ニッケルを
１５０〜５００ｇ／リットル、臭化ニッケルを１〜１０
ｇ／リットル、硼酸を３０〜５０ｇ／リットル、光沢剤
を０〜６ミリリットル／リットル含むことが好ましい。
このメッキ浴のペーハは、好ましくは３．５〜６．０さ
らに好ましくは４．０〜５．０であり、その温度は、好
ましくは４０〜５０℃である。
は、バレルメッキ法を用いることが好ましく、そのメッ
キ浴としては、下記の組成のメッキ浴を用いることが好
ましい。このメッキ浴には、スルファミン酸ニッケルを
１５０〜５００ｇ／リットル、臭化ニッケルを１〜１０
ｇ／リットル、硼酸を３０〜５０ｇ／リットル、光沢剤
を０〜６ミリリットル／リットル含むことが好ましい。
このメッキ浴のペーハは、好ましくは３．５〜６．０さ
らに好ましくは４．０〜５．０であり、その温度は、好
ましくは４０〜５０℃である。
【００４４】ピロリン酸銅メッキ膜を形成する場合に
は、バレルメッキ法を用いることが好ましく、そのメッ
キ浴としては、下記の組成のメッキ浴を用いることが好
ましい。このメッキ浴には、ピロリン酸銅３水和物を６
０〜１１０ｇ／リットル、ピロリン酸カリウムを２００
〜５００ｇ／リットル、アンモニアを１〜７ｇ／リット
ル、光沢剤を０〜５ミリリットル／リットル含むことが
好ましい。このメッキ浴のペーハは、好ましくは８．０
〜１１．０さらに好ましくは８．５〜９．５であり、そ
の温度は、好ましくは５０〜６０℃である。
は、バレルメッキ法を用いることが好ましく、そのメッ
キ浴としては、下記の組成のメッキ浴を用いることが好
ましい。このメッキ浴には、ピロリン酸銅３水和物を６
０〜１１０ｇ／リットル、ピロリン酸カリウムを２００
〜５００ｇ／リットル、アンモニアを１〜７ｇ／リット
ル、光沢剤を０〜５ミリリットル／リットル含むことが
好ましい。このメッキ浴のペーハは、好ましくは８．０
〜１１．０さらに好ましくは８．５〜９．５であり、そ
の温度は、好ましくは５０〜６０℃である。
【００４５】第２保護膜の膜厚は、第１保護膜の厚みの
０．１〜１５倍程度であることが好ましい。
０．１〜１５倍程度であることが好ましい。
【００４６】第１保護膜および第２保護膜が形成された
本実施形態に係る永久磁石は、保護膜の密着性に優れ、
耐食性および耐熱性が向上する。
本実施形態に係る永久磁石は、保護膜の密着性に優れ、
耐食性および耐熱性が向上する。
【００４７】なお、本発明は、上述した実施形態に限定
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、本発明では、第２保護膜とし
ては、上述したメッキ膜に限らず、樹脂膜や塗装膜など
であっても良い。
されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変する
ことができる。たとえば、本発明では、第２保護膜とし
ては、上述したメッキ膜に限らず、樹脂膜や塗装膜など
であっても良い。
【００４８】
【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。
【００４９】実施例１ 粉末冶金法によって作成した１４Ｎｄ−１Ｄｙ−７Ｂ−
７８Ｆｅ（数字は原子比）の組成をもつ焼結体を、Ａｒ
雰囲気中で６００℃にて２時間、熱処理を施し、５６×
４０×８（ｍｍ）の大きさに加工し、さらにバレル研磨
処理により面取りを行なって永久磁石素体を得た。
７８Ｆｅ（数字は原子比）の組成をもつ焼結体を、Ａｒ
雰囲気中で６００℃にて２時間、熱処理を施し、５６×
４０×８（ｍｍ）の大きさに加工し、さらにバレル研磨
処理により面取りを行なって永久磁石素体を得た。
【００５０】次いでこの永久磁石素体のサンプルを、ア
ルカリ性脱脂液で洗浄後、硝酸溶液にて表面の活性化を
行い、良く水洗した後、以下の様にメッキを行い、ま
ず、永久磁石素体の表面に第１保護膜を形成した。
ルカリ性脱脂液で洗浄後、硝酸溶液にて表面の活性化を
行い、良く水洗した後、以下の様にメッキを行い、ま
ず、永久磁石素体の表面に第１保護膜を形成した。
【００５１】第１保護膜を形成するためのメッキ浴とし
ては、下記の表１に示す特殊調合メッキ浴を用いた。銅
塩化合物としては、塩化銅を用い、リン化合物として
は、リン酸カリウムを用い、脂肪族ホスホン酸化合物と
してはホスホン酸有機化合物を用い、光沢剤としては有
機化合物を用いた。メッキ電流密度は、平均して１Ａ／
ｄｍ２ 以下であった。得られた第１保護膜の膜厚は５
μｍであった。
ては、下記の表１に示す特殊調合メッキ浴を用いた。銅
塩化合物としては、塩化銅を用い、リン化合物として
は、リン酸カリウムを用い、脂肪族ホスホン酸化合物と
してはホスホン酸有機化合物を用い、光沢剤としては有
機化合物を用いた。メッキ電流密度は、平均して１Ａ／
ｄｍ２ 以下であった。得られた第１保護膜の膜厚は５
μｍであった。
【００５２】次に、第１保護膜の表面に、第２保護膜と
して、電解ニッケルメッキ膜を形成した。電解ニッケル
メッキ膜は、表１に示す電解ニッケルメッキ浴を用いて
行った。電解ニッケルメッキ膜の膜厚は、５μｍであっ
た。
して、電解ニッケルメッキ膜を形成した。電解ニッケル
メッキ膜は、表１に示す電解ニッケルメッキ浴を用いて
行った。電解ニッケルメッキ膜の膜厚は、５μｍであっ
た。
【００５３】
【表１】
【００５４】このようにして得られた実施例１に係るＮ
ｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を、３００℃の恒温槽に１時間以上
放置し加熱した後、室温まで自然冷却した。こうして一
度加熱した磁石と、全く加熱していない磁石との双方
を、飽和状態まで着磁し総磁束を測定し、総磁束の低下
率（特性低下率）を調べた。特性低下率は、下記の表２
に示すように、０．０１％であった。
ｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石を、３００℃の恒温槽に１時間以上
放置し加熱した後、室温まで自然冷却した。こうして一
度加熱した磁石と、全く加熱していない磁石との双方
を、飽和状態まで着磁し総磁束を測定し、総磁束の低下
率（特性低下率）を調べた。特性低下率は、下記の表２
に示すように、０．０１％であった。
【００５５】また、実施例１に係るＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁
石の表面に、１０ｍｍの幅で深さ３０〜４０μｍ、長さ
２０〜３０ｍｍの切れ目を２本平行にいれて、切れ目の
片端を同様の深さの切れ目で結んで、その部分から垂直
にメッキ膜のみを引き剥がした場合の引き剥がし力を測
定した。引き剥がし力は、表２に示すように、５０ＭＰ
ａ以上であった。
石の表面に、１０ｍｍの幅で深さ３０〜４０μｍ、長さ
２０〜３０ｍｍの切れ目を２本平行にいれて、切れ目の
片端を同様の深さの切れ目で結んで、その部分から垂直
にメッキ膜のみを引き剥がした場合の引き剥がし力を測
定した。引き剥がし力は、表２に示すように、５０ＭＰ
ａ以上であった。
【００５６】さらに、実施例１に係るＮｄ−Ｆｅ−Ｂ系
磁石を、Ｐ．Ｃ．Ｔ．（プレッシャークッカーテスト：
１２０℃、１００％ＲＨ、２ａｔｍ）にて耐食性テスト
をしたところ、表２に示すように、２０個のサンプルに
ついて、サビまたはフクレなどの発生はなかった。
磁石を、Ｐ．Ｃ．Ｔ．（プレッシャークッカーテスト：
１２０℃、１００％ＲＨ、２ａｔｍ）にて耐食性テスト
をしたところ、表２に示すように、２０個のサンプルに
ついて、サビまたはフクレなどの発生はなかった。
【００５７】
【表２】
【００５８】実施例２ 第１保護膜の膜厚を１０μｍとした以外は、実施例１と
同様にして保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験
を行った。結果を表２に示す。
同様にして保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験
を行った。結果を表２に示す。
【００５９】実施例３ 第１保護膜の膜厚を１μｍとし、その表面に第２保護膜
として、４μｍのピロリン酸銅メッキ膜と５μｍの電解
ニッケルメッキ膜との多層膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な
試験を行った。結果を表２に示す。なお、ピロリン酸銅
メッキ膜を形成するためのメッキ浴は、表１に示すピロ
リン酸銅メッキ浴を用いた。
として、４μｍのピロリン酸銅メッキ膜と５μｍの電解
ニッケルメッキ膜との多層膜を形成した以外は、実施例
１と同様にして保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な
試験を行った。結果を表２に示す。なお、ピロリン酸銅
メッキ膜を形成するためのメッキ浴は、表１に示すピロ
リン酸銅メッキ浴を用いた。
【００６０】実施例４ ４μｍのピロリン酸銅メッキ膜を９μｍのピロリン酸銅
メッキ膜とした以外は、実施例３と同様にして保護膜を
持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。結果を表
２に示す。
メッキ膜とした以外は、実施例３と同様にして保護膜を
持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。結果を表
２に示す。
【００６１】比較例１ 第１保護膜を形成するためのメッキ浴として、表１に示
す青化銅メッキ浴を用い、５μｍの青化銅メッキ膜を形
成し、その表面に、第２保護膜として５μｍの電解ニッ
ケルメッキ膜を形成した以外は、実施例１と同様にして
保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。
結果を表２に示す。
す青化銅メッキ浴を用い、５μｍの青化銅メッキ膜を形
成し、その表面に、第２保護膜として５μｍの電解ニッ
ケルメッキ膜を形成した以外は、実施例１と同様にして
保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。
結果を表２に示す。
【００６２】比較例２ ５μｍの青化銅メッキ膜の代わりに１０μｍの青化銅メ
ッキ膜を形成した以外は、比較例１と同様にして保護膜
を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。結果を
表２に示す。
ッキ膜を形成した以外は、比較例１と同様にして保護膜
を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。結果を
表２に示す。
【００６３】比較例３ 永久磁石素体の表面に電解ニッケルメッキ膜を単独で１
５μｍの厚みで形成した以外は、実施例１と同様にして
保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。
結果を表２に示す。
５μｍの厚みで形成した以外は、実施例１と同様にして
保護膜を持つ永久磁石を製造し、同様な試験を行った。
結果を表２に示す。
【００６４】評価 表２に示すように、比較例１〜３に比較して、実施例１
〜４では、３００℃加熱後の総磁束の低下がほとんど無
い。これは、比較例では、磁石素体とメッキ被膜との熱
膨張の差により、加熱した際に、素体とメッキ膜との界
面でストレスによる素体の歪みが発生し、磁気特性が低
下すると考えられる。
〜４では、３００℃加熱後の総磁束の低下がほとんど無
い。これは、比較例では、磁石素体とメッキ被膜との熱
膨張の差により、加熱した際に、素体とメッキ膜との界
面でストレスによる素体の歪みが発生し、磁気特性が低
下すると考えられる。
【００６５】また、表２に示すように、比較例に比較し
て、実施例では、引き剥がし力が大きく、密着力が強い
ことが確認できた。さらに、表２に示すように、実施例
では、サビまたはフクレなどの発生はないことが確認で
きた。また、実施例３および４の結果から、本発明に係
る特殊メッキ浴を用いたメッキ膜は、厚みが１μｍでも
効果があることが確認できた。
て、実施例では、引き剥がし力が大きく、密着力が強い
ことが確認できた。さらに、表２に示すように、実施例
では、サビまたはフクレなどの発生はないことが確認で
きた。また、実施例３および４の結果から、本発明に係
る特殊メッキ浴を用いたメッキ膜は、厚みが１μｍでも
効果があることが確認できた。
【００６６】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐
熱性に優れた磁石を製造する方法を実現することができ
る。また、たとえば希土類磁石などのように、保護膜の
形成が困難な素材の表面に、密着性に優れた保護膜を形
成するための表面処理方法を提供することができる。
ば、密着性に優れた保護膜が成膜され、耐食性および耐
熱性に優れた磁石を製造する方法を実現することができ
る。また、たとえば希土類磁石などのように、保護膜の
形成が困難な素材の表面に、密着性に優れた保護膜を形
成するための表面処理方法を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 41/02 Ｈ０１Ｆ 41/02 Ｇ Ｆターム(参考） 4K023 AA12 AA19 BA06 BA08 BA11 BA12 BA25 CB07 DA02 4K024 AA03 AA09 AB02 BA02 BB14 CA01 GA01 GA04 4K044 AA02 AB08 BA06 BB03 BC02 BC05 BC11 CA18 5E040 AA04 BC01 BC08 BD01 CA01 HB14 5E062 CC03 CD04 CE04 CF01 CG07
Claims (9)
- 【請求項１】 希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合
物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を
少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、
銅被膜から成る第１保護膜を成膜することを特徴とする
磁石の表面処理方法。 - 【請求項２】 所定方向に負の膨張係数を持つ素材の表
面に、銅塩化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合
物、水酸化塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解
メッキを行い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜するこ
とを特徴とする素材の表面処理方法。 - 【請求項３】 希土類を含む磁石の表面に、銅塩化合
物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合物、水酸化塩を
少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解メッキを行い、
銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工程と、 前記第１保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程と
を有する磁石の製造方法。 - 【請求項４】 所定方向に負の膨張係数を持つ磁石の表
面に、銅塩化合物、リン化合物、脂肪族ホスホン酸化合
物、水酸化塩を少なくとも含む銅メッキ液を用いて電解
メッキを行い、銅被膜から成る第１保護膜を成膜する工
程と、 前記第１保護膜の表面に、第２保護膜を成膜する工程と
を有する磁石の製造方法。 - 【請求項５】 前記第２保護膜が、金属メッキ膜である
請求項３または４に記載の磁石の製造方法。 - 【請求項６】 前記第１保護膜の上に、ピロリン酸銅メ
ッキ浴または青化銅メッキ浴により、銅被膜を形成する
ことにより、前記第２保護膜を成膜する請求項３または
４に記載の磁石の製造方法。 - 【請求項７】 前記第１保護膜の上に、ピロリン酸銅メ
ッキ浴または青化銅メッキ浴により、他の銅被膜を形成
し、この銅被膜の表面に金属メッキ膜を形成することに
より、前記第２保護膜を成膜する請求項３または４に記
載の磁石の製造方法。 - 【請求項８】 前記第２保護膜は、樹脂被膜である請求
項３または４に記載の磁石の製造方法。 - 【請求項９】 前記磁石が、Ｒ（ただし、ＲはＹを含む
希土類元素の一種以上）、ＦｅおよびＢを含むＲ−Ｆｅ
−Ｂ系希土類磁石である請求項３〜８のいずれかに記載
の磁石の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106411A JP3614754B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 表面処理方法および磁石の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106411A JP3614754B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 表面処理方法および磁石の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001295091A true JP2001295091A (ja) | 2001-10-26 |
| JP3614754B2 JP3614754B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=18619581
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000106411A Expired - Lifetime JP3614754B2 (ja) | 2000-04-07 | 2000-04-07 | 表面処理方法および磁石の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3614754B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003038157A1 (fr) * | 2001-10-29 | 2003-05-08 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Procede de formation d'un revetement depose par electrolyse sur la surface d'un article |
| WO2004064088A1 (en) * | 2003-01-14 | 2004-07-29 | Rolls-Royce Plc | Rare earth-transition metal alloy articles |
| US20090035603A1 (en) * | 2006-02-07 | 2009-02-05 | Hitachi Metals, Ltd., | Method for producing rare earth metal-based permanent magnet having copper plating film on surface thereof |
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-
2000
- 2000-04-07 JP JP2000106411A patent/JP3614754B2/ja not_active Expired - Lifetime
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