JP2001291879A - 太陽電池セル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】太陽電池セルの電極の半田層を形成する時に基
板の割れ等破損の原因となる半田玉等の突起が発生しな
い太陽電池セルを提供する。 【解決手段】表面又は裏面に形成された電極に対してあ
る角度を有して形成された電極のある太陽電池セルを作
製する。あるいは、表面または裏面に形成された電極と
平行に形成された電極とそれらとある角度を有して斜め
に形成された電極が混在した太陽電池セルを作製する。
あるいは、前記角度を有して斜めに形成された電極が格
子状に形成された太陽電池セルを作製する。あるいはそ
の電極が三角形状又は六角形状に形成された太陽電池セ
ルを作製する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は太陽電池セルに関
し、特に太陽電池セルの電極パターンの改良に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、太陽の光エネルギーを電気エ
ネルギーに変換する太陽電池セルがある。この太陽電池
セルの断面図を図１０に示す。従来の太陽電池セル１
は、例えばシリコン等を材質としたｐ型半導体基板２
に、ｎ型となるドパーントが拡散されてｎ＋層３として
ｐｎ接合が形成される。そして、スクリーン印刷法、蒸
着法、スパッタ法等を用いて半導体基板の表面９に電極
５、裏面１０に電極７を形成して構成されていた。太陽
電池セル１の変換効率を高めるために、受光面側である
表面９に凹凸を形成したり、図１０に示したように反射
防止膜４を形成する場合もある。

【０００３】この太陽電池セル１を複数個接続するため
には、リード線等の配線材料を用いて、表裏両電極５，
７に半田付けをする。配線時に半田付けを容易に行うた
めには、予め太陽電池セル１の表面電極５及び裏面電極
７の表面に、それぞれ半田層６，８を形成しておくと容
易に半田付けを行うことができる。このような半田層を
太陽電池セルの表裏両電極に形成する方法としては、電
極が形成された半導体基板を半田槽に浸漬して引き上げ
る半田ディップ法が最も容易であり、一般的にこの方法
が採用されている。

【０００４】図７は、従来の太陽電池セルの表面を示す
図である。図８は、従来の太陽電池セルの裏面を示す図
である。従来の太陽電池セルには、図７に示すように、
複数の太陽電池セルを接続するための配線部である太線
電極部１１と、太線電極部１１と交差する複数の細線電
極部１２と、からなる短冊状の電極が、表面電極として
受光面側に設けられる場合が多い。細線電極部１２は、
太線電極部１１に電流を集めるためのものである。各電
極部は、入射光を多く取り込むために、出来るだけ電極
面積を小さくして、電極によって半導体基板の入射光を
遮らないように設計されている。

【０００５】裏面電極は、表面電極と同様に太線電極部
１３と、太線電極部１３と交差する複数の細線電極部１
４と、からなる短冊状の電極であるが、電極が入射光を
遮ることを考慮する必要が無い。そのため、発生した電
気を効率よく集めるために、出来るだけ抵抗を低減でき
るように構成されている。すなわち、図８（Ａ）に示す
ように、太線電極部１３に電流を集めるための細線電極
部１４は、表面電極と比較して、ピッチが狭く本数が多
くなるように設計されている。

【０００６】また、裏面電極は、電気抵抗をさらに低減
して太陽電池セルの出力を向上するために、図８（Ｂ）
に示した細線電極部１４ｂのように、格子状に形成して
使用することもある。

【０００７】さらに、表面電極の太線電極部１１及び裏
面電極の太線電極部１３は、次工程での配線を容易にす
るために、表面側と裏面側で対称的（上下逆方向）に形
成されている。つまり、太陽電池セルの透視図である図
１１（Ａ）に示すように、太線電極部１１と太線電極部
１３とは、それぞれ設けられた面の端部近傍に位置する
ので、矢印Ａ方向からの正面図である図１１（Ｂ）に示
すように、面２１において対角線の端部近傍に位置する
こととなる。よって、図１１（Ｃ）に示すように、配線
時に接続するリード線の長さが短くできる利点がある。
また、太陽電池セルの表面電極１１と、別の太陽電池セ
ルの裏面電極１３とを、直接半田付けする方法にも都合
がよい。なお、図１１において、理解しやすいように太
線電極部１１，１３と細線電極部１２，１４との厚みを
変えて図示しているが、実際は、同じ厚みである。以降
の説明に用いる図面においても同様である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】図１２は、半田槽に浸
漬した太陽電池セルを引き上げる様子を示す正面図及び
側面図である。図１２に示すように、裏面電極の太線電
極部１３が上になるように、太陽電池セルを半田槽１８
に浸漬し、引上げて半田ディップすると、従来の太陽電
池セルでは、図９（Ａ）に示すように裏面電極の細線電
極部１４に半田玉１５が発生したり、太線電極部１３に
半田溜り１６による凹凸が発生する。そして、太陽電池
セルをガラス基板等に接着するラミネート工程で、基板
の割れ等による太陽電池セルが破損するという問題があ
った。

【０００９】また、作製した太陽電池セルの必要な面積
のみを残して不要な部分をカットするダイシング工程に
おいても、裏面の半田玉等による突起が原因で基板がス
テージにうまく吸着固定できなかった。そのため、ダイ
シングがうまく出来ない、または太陽電池セルの割れ等
による破損が発生するという問題があった。

【００１０】この原因は、太線電極部に溜まった溶融半
田が重力により太線電極部と交差する細線電極部に流れ
出し徐々に冷却されるためである。このため、細線電極
部に流れ出した半田が途中で半田玉になる。また、太線
電極部で半田が流れるのを妨害され、細線電極部に流れ
なかった溶融半田は太線電極部で固まるため、凹凸の大
きな半田溜りとなる。

【００１１】裏面１０側の太線電極部１３が下方向にな
るようにして、半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上
げると、太線電極部１３が下側になるため、細線電極部
１４に半田が流れだすことがなくなり、上記のような問
題は発生しない。しかしながら、図１１に示したよう
に、表面電極と裏面電極とは、半導体基板の表面９と裏
面１０とに対称的に形成されている。そのため、裏面１
０側の太線電極部１３が下方向になるようにして、半田
槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げると、表面９側の
太線電極部１１が上方向になるため、表面電極におい
て、同様の問題が発生する。

【００１２】また、裏面電極における電気抵抗を低減す
るために、格子状に裏面電極を形成した場合は、図９
（Ｂ）に示すように太線部と平行になっている電極部
で、半田が流れるのが妨害されるため、その部分で不要
な凹凸である半田溜り１７が発生する。

【００１３】半田玉や半田溜りを低減するために、半田
ディップ時に太陽電池セルを半田槽から引上げる際の方
法を工夫して、例えば太陽電池セルを傾けて引き上げる
ようにすることも出来る。半田ディップ工程は、装置を
用いて自動的に行うが、上記のように太陽電池セルを半
田槽に浸漬・引き上げするように装置を構成すると、装
置の構造が複雑になる。また、上記のように太陽電池セ
ルを半田槽に浸漬・引き上げすると、太陽電池セルの表
面側の電極に、次工程での配線時に必要なだけの厚みの
半田層が形成出来ないという問題点があった。

【００１４】この問題に対して、特許第２７９２６４０
号公報には、バスバー部（太線電極部）とフィンガー部
（細線電極部）との交差部分を幅狭に形成し、バスバー
部の上辺から下辺に向かって屈曲して形成された構成、
及び、バスバー部とフィンガー部との交差部分に除去部
分を設けた構成が開示されている。この構成によって、
バスバー部に付着した半田がフィンガー部に流れること
が少なくなるため、フィンガー部に半田玉が形成される
ことが防止される。

【００１５】しかしながら、特許第２７９２６４０号公
報に開示された構成を実施するためには、バスバー部と
フィンガー部との交差部において、微細な加工を施す必
要があり、製造コストが上昇する。

【００１６】本発明は上記の問題に鑑みて成されたもの
であり、その目的は、太陽電池セルの電極の半田層を形
成する時に基板の割れ等破損の原因となる半田玉等の突
起が発生しない太陽電池セルを低コストで提供すること
である。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するための手段として、以下の構成を備えてい
る。

【００１８】(1) ｐｎ接合部を有する半導体基板の表面
及び裏面に表面電極及び裏面電極を備え、該表面電極及
び該裏面電極の少なくとも一方は、直線状の太線電極部
を含む構成の太陽電池セルにおいて、該裏面電極の少な
くとも一部は、該太線電極部に対して鋭角または鈍角を
なす方向に形成されたことを特徴とする。

【００１９】この構成においては、太陽電池セルを構成
する半導体基板の表面及び裏面に表面電極及び裏面電極
少なくとも一方に設けた直線状の太線電極部に対して、
裏面電極の少なくとも一部は、鋭角または鈍角をなす方
向に形成されている。したがって、太陽電池セルを半田
ディップすると、表面電極には配線時に信頼性が高く、
十分な強度の得られる半田層が形成できると共に、裏面
電極には半田玉や溜り等の半田突起が発生せずに、均一
な半田層を形成することができる。よって、ダイシング
工程やラミネート工程時に太陽電池セルの割れ等の破損
を防ぐことができる。

【００２０】(2) 前記裏面電極の少なくとも一部は、多
角形状に形成されたことを特徴とする。

【００２１】この構成においては、太陽電池セルは、少
なくとも一部が多角形状に形成された裏面電極を備えて
いる。したがって、太陽電池セルを半田ディップを行っ
た際に、裏面電極を流れ出した半田の分散、結合が繰り
返され、半田の流れをよりスムーズにすることができ、
半田玉や半田溜まり等の突起が発生しない。

【００２２】(3) 前記裏面電極の少なくとも一部は、格
子状または六角形状に形成されたことを特徴とする。

【００２３】この構成においては、太陽電池セルは、少
なくとも一部が格子状または六角形状に形成された裏面
電極を備えている。したがって、半導体基板の半田ディ
ップを行った際に、細線電極部が半田の流れを妨害する
ことがなく、溶融半田が分散して流れるので、半田玉や
半田溜まりが発生しない。

【００２４】(4) 前記裏面電極の少なくとも一部は、三
角形状に形成されたことを特徴とする。

【００２５】この構成においては、太陽電池セルは、少
なくとも一部が格子状または六角形状に形成された裏面
電極を備えている。したがって、太陽電池セルを半田デ
ィップした際に、裏面電極上の半田をスムーズに流すこ
とができ、電極に半田が溜まるのを抑制する効果があ
る。

【００２６】(5) 半導体基板にｐｎ接合を形成する工
程、少なくとも直線状の太線電極部によって構成された
表面電極または裏面電極を該半導体基板に形成する工
程、該表面電極及び該裏面電極に半田を被覆する半田被
覆工程を有する太陽電池セルの製造方法であって、該半
田被覆工程は、該太線電極部に対して該裏面電極の少な
くとも一部が鋭角または鈍角をなす方向に形成されてい
る該半導体基板を半田に浸漬し、該太線電極部に対して
略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施すことを
特徴とする。

【００２７】この構成においては、太陽電池セルを製造
するために、半導体基板に形成された少なくとも直線状
の太線電極部によって構成された表面電極及び裏面電極
に半田を被覆する半田被覆工程では、太線電極部に対し
て裏面電極の少なくとも一部が鋭角または鈍角をなす方
向に形成されている半導体基板を半田に浸漬し、太線電
極部に対して略垂直方向に引上げることにより半田被覆
を施す。したがって、半田被覆工程において、表面電極
及び裏面電極にに半田玉や半田溜まり等の突起が発生す
ることなく、均一な半田層を形成することができる。

【００２８】(6) (4) において、裏面電極は、複数種類
の多角形状によって形成されたとすることができる。

【００２９】この構成においては、太陽電池セルは、少
なくとも一部が複数種類の多角形状に形成された裏面電
極を備えている。したがって、太陽電池セルを半田ディ
ップを行った際に、裏面電極を流れ出した半田の分散、
結合が繰り返され、半田の流れをよりスムーズにするこ
とができ、半田玉や半田溜まり等の不具合の発生を防止
することができる。

【発明の実施の形態】本発明の実施形態について、以下
に説明する。図１は、本発明の実施形態に係る太陽電池
セルの表面電極の形状を示す図である。図２は、本発明
の実施形態に係る太陽電池セルの裏面電極の形状を示す
図である。

【００３０】本発明の実施形態に係る太陽電池セルの断
面形状は、従来の太陽電池セルの断面形状と同様であ
る。ここで、図１０を用いて、本発明の太陽電池セルの
製造方法の概略を説明する。ｐ型シリコン基板２に、ｎ
型となるリン等のドパーントを含んだ溶液を塗布後、約
９００℃で熱処理することにより拡散し、ｎ＋層３が形
成される。ｎ＋層３は、ＰＯＣｌ₃ 等による気相拡散法
を用いてもよい。

【００３１】次に、太陽電池セルの表面の反射を低減す
るために、常圧ＣＶＤ法またはプラズマＣＶＤ法により
ＳｉＯ₂ ，ＴｉＯ₂ ，ＳｉＮ等からなる反射防止膜４を
形成する。なお、ｎ＋層３と反射防止膜４を同時に形成
してもよい。

【００３２】そして、スクリーン印刷法により銀ペース
トを半導体基板上に印刷して、この銀ペーストを焼成す
ることにより、マイナス電極である表面電極５、プラス
電極である裏面電極７を形成する。電極の形成では、上
記銀ペーストに限るものではなく、他の導電性ペースト
を用いても良いし、蒸着やメッキ等によって電極を形成
しても良い。

【００３３】また、従来技術で説明したのと同様に、半
導体基板を半田槽に浸漬・引き上げする半田ディップ法
により、複数の太陽電池セル１を接続するための半田層
６，８を表面電極５及び裏面電極７の表面に形成する。
さらに、半導体基板の不要な部分をカットすることによ
り所望の太陽電池セルが完成する。

【００３４】図１に示したように、本発明の太陽電池セ
ルの表面電極は、従来の太陽電池セルの表面電極の形状
と同様である。すなわち、複数の太陽電池セルを接続す
るための配線部である直線状の太線電極部１１と、太線
電極部１１と交差する複数の細線電極部１２とからなる
短冊状の電極が表面の受光面側に設けられている。細線
電極部１２は、太線電極部１１に電流を集めるため使用
される。また、入射光を多く取り込むために、出来るだ
け電極面積を小さくして、電極によって半導体基板の入
射光を遮らないようにされている。

【００３５】本発明の太陽電池セルにおける裏面電極の
形状は、表面電極の太線電極部１１に対して所定の角度
を有して形成している。つまり、図２（Ａ）に示すよう
に、半導体基板の裏面中心線に対称に、表面側の太線電
極部１１に対して所定の角度に傾斜して設けられた複数
の細線電極部１４ｃが、所定のピッチで半導体基板の表
面に形成されている。また、細線電極部１４ｃと交差し
て、細線電極部１４ｃから延出して、且つ太線電極部１
１に対して傾斜して設けられた複数の細線電極部１４ｄ
が所定のピッチで半導体基板の表面に形成されている。

【００３６】このような形状に裏面電極を形成すること
により、太線電極部１１を下側にして半田ディップした
際に、表面電極の太線電極部１１には半田付けを容易に
するのに必要な半田層が形成できる。また、裏面電極に
は半田玉等の突起が発生しなくなる。これは電極が垂直
方向に形成された場合より遅い速度で、電極に沿って半
田が流れるため、半田が急冷されずに電極上に均一に半
田層が形成されるためである。

【００３７】このように半田玉等の突起が形成されない
ため、作製した太陽電池セルの必要な面積のみを残して
不要な部分をカットするダイシング工程において、半導
体基板のステージへの吸着不良や割れ等が発生しなくな
る。また、それだけでなく、太陽電池セルをガラス基板
等に接着するラミネート工程においての割れ等も発生し
なくなる。

【００３８】なお、図２に示した実施形態では、太線電
極部を設けていないが、この場合複数の太陽電池セル
は、表面電極の太線電極部１１と細線電極部１４とをリ
ード線などを用いて接続する。

【００３９】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）とは異なる形状
の裏面電極である。すなわち、太陽電池セルの表面９側
の直線状の太線電極部１１に対して、所定の角度に傾斜
して設けられた複数の細線電極部１４ｅが、所定のピッ
チで半導体基板の表面に形成されている。また、細線電
極部１４ｅと交差して、細線電極部１４ｅから延出し、
且つ太線電極部１１に対して傾斜して設けられた複数の
細線電極部１４ｆが、所定のピッチで半導体基板の表面
に形成されている。このような形状の裏面電極において
も、図２（Ａ）に示した形状の裏面電極と同様な効果が
得られる。

【００４０】図３は、本発明の実施形態に係る太陽電池
セルの裏面電極における別の形状を示す図である。図３
（Ａ）に示した裏面電極は、表面電極の直線状の太線電
極部１１に対して、４５度に傾斜して形成された複数の
細線電極部１４ｇと、１３５度に傾斜して形成された複
数の細線電極部１４ｈとが、交差して格子状に形成され
ている。そのため、太陽電池セルの半田ディップを行っ
た際に、各細線電極部１４ｇ，１４ｈが半田の流れを妨
害することがない。また、溶融半田が分散して流れるの
で、半田玉や半田溜まりが発生しない。なお、格子状に
形成した裏面電極の交差角度は、４５度、１３５度に限
るものではなく、太線電極部１１と水平に形成されなけ
れば良い。

【００４１】図３（Ｂ）に示した裏面電極は、六角形が
複数個連なって形成された細線電極部１４ｉによって構
成される。つまり、細線電極部１４ｉは、直線状の太線
電極部１１に対して略垂直に形成され部分と、太線電極
部１１に対して所定の角度で傾斜して形成された部分と
からなる。そのため、太陽電池セルの半田ディップを行
った際に、流れ出した半田の分散、結合が繰り返され、
半田の流れをよりスムーズにすることができ、半田玉や
半田溜まり等の突起が発生しない。

【００４２】次に、細線電極部と太線電極部とを設けた
裏面電極について説明する。図４は、図２に示した裏面
電極に直線状の太線電極部を設けた形状を示す図であ
る。図４（Ａ）に示すように、半導体基板２の裏面側に
おいて長手方向の端部近傍に太線電極部１３を設け、細
線電極部１４ｃ，１４ｄの端部と太線電極部１３とを接
続している。なお、細線電極部１４ｃ，１４ｄの形状
は、図２（Ａ）に基づいて説明した通りである。このよ
うに、半導体基板２の裏面１０に直線状の太線電極部１
３を形成することにより、次工程での配線を容易に行う
ことができる。また、太線電極部１３を上側にして太陽
電池セルの半田ディップを行った際に、太線電極部１３
に付着した溶融半田が流れ出すにも係わらず半田玉が発
生しない。これは、裏面電極の太線電極部１３から流れ
出す半田が、斜めに形成された細線電極部１４ｃ，１４
ｄに保持されつつ、電極に沿って遅い速度で半田が流れ
るため、急冷されないので裏面電極上に均一に半田層が
形成されるためである。

【００４３】図４（Ｂ）は、図２（Ｂ）に示した裏面電
極に太線電極部を設けた形状を示す図である。細線電極
部１４ｅ，１４ｆの形状は、図２（Ｂ）に基づいて説明
した通りである。図４（Ａ）と同様に、半導体基板の裏
面１０側において長手方向の端部近傍に直線状の太線電
極部１３を設け、細線電極部１４ｅ，１４ｆの端部と太
線電極部１３とを接続している。このような形状の裏面
電極においても、図４（Ａ）に示した形状の裏面電極と
同様の効果が得られる。

【００４４】次に、さらに異なる形状の裏面電極を説明
する。図５は、太線電極部に対して所定の角度で傾斜し
た細線電極部と、太線電極部に対して略垂直に形成され
た細線電極部と、を備えた裏面電極の形状を示す図であ
る。図５（Ａ）に示した裏面電極においては、直線状の
太線電極部１３の長手方向の辺と、太線電極部１３に対
して所定の角度で傾斜した細線電極部１４ｊと、によっ
て、三角形状部１４ｍが形成されている。また、三角形
状部１４ｍの頂点から細線電極部１４ｋが太線電極部１
３と略垂直方向に延出している。このような形状である
ため、半導体基板２を太線電極部１３を上にして半田デ
ィップした際に、太線電極部１３の半田が細線電極部１
４ｊ，１４ｋに容易に流れることができ、太線電極部１
３に半田が溜まるのを抑制する効果がある。また、太線
電極部１３から流れ出す半田の量が多いため、細線電極
部１４ｊ，１４ｋの途中で冷却されて半田玉になること
がない。

【００４５】図５（Ｂ）に示した裏面電極においては、
図５（Ａ）に示した裏面電極において形成した三角形状
部１４ｍの内部にも電極を形成して、略直線状の太線電
極部１３ｂとする。このような形状にすることで、細線
電極部１４ｋにおいて、半田玉は発生しない。

【００４６】次に、さらに異なる形状の裏面電極を説明
する。図６は、図３に示した裏面電極に太線電極部を設
けた形状を示す図である。図６（Ａ）に示すように半導
体基板の裏面側において長手方向の端部近傍に直線状の
太線電極部１３を設け、細線電極部１４ｇ，１４ｈの端
部と太線電極部１３とを接続している。なお、細線電極
部１４ｇ，１４ｈの形状は、図３（Ａ）に基づいて説明
した通りである。このように半導体基板２の裏面１０に
太線電極部１３を形成することにより、次工程での配線
を容易に行うことができる。また、半導体基板２を太線
電極部１３を上にして半田ディップを行った際に、表面
電極の太線電極部１３に付着した溶融半田が流れ出すに
も係わらず半田玉が発生しない。さらに、太線電極部１
３に対して、格子状のパターンが４５度に傾けて形成さ
れているので、半田の流れを妨害することがなく、且
つ、流れた半田が分散されるので半田玉が発生しない。

【００４７】図６（Ｂ）は、図３（Ｂ）に示した裏面電
極に太線電極部を設けた形状を示す図である。細線電極
部１４ｉの形状は、図３（Ｂ）に基づいて説明した通り
である。図６（Ａ）と同様に、半導体基板２の裏面１０
側において長手方向の端部近傍に直線状の太線電極部１
３を設け、六角形状の細線電極部１４ｉの端部と太線電
極部１３とを接続した形状である。このような形状の裏
面電極においても、流れ出した半田の分散、結合が繰り
返され、半田の流れをよりスムーズにすることができ、
図６（Ａ）に示した形状の裏面電極と同様な効果が得ら
れる。

【００４８】ここで、表面電極の細線電極部１２を直線
状の太線電極部１１に対して所定の角度に傾斜して形成
した場合には、表面電極上に半田が滑らかに流れる効果
がある。上記のように表面電極の細線電極部１２を形成
すると、電流の流れる経路が長くなるため、電流経路に
おいて若干抵抗が増加し、光電変換効率のロスが生じ
る。しかし、表面電極上を半田が滑らかに流れるため、
表面電極上に半田による凹凸等の無い見栄えの良い太陽
電池セルを作製することができる。

【００４９】なお、本実施例では代表的な裏面電極の形
状について図面に基づいて説明を行ったが、裏面電極の
形状は図示したものに限定されるものではない。例え
ば、他の多角形形状や、複数種類の多角形状を組み合わ
せて細線電極部のパターンが形成されていてもよい。

【００５０】また、太陽電池セルに使用する基板は、シ
リコン基板だけでなく、ＧａＡｓ等の化合物半導体基板
等を用いてもよい。

【００５１】さらに、太陽電池セルの表面電極は太線電
極部を有する構成を説明したが、表面電極は図２及び図
３に示した形状のように太線電極部を有さない構成であ
ってもよい。

【００５２】

【発明の効果】本発明によれば、以下の効果が得られ
る。

【００５３】(1) 太陽電池セルを構成する半導体基板の
表面及び裏面に表面電極及び裏面電極少なくとも一方に
設けた直線状の太線電極部に対して、裏面電極の少なく
とも一部は、鋭角または鈍角をなす方向に形成されてい
るので、太陽電池セルを半田ディップすると、表面電極
には配線時に信頼性が高く、十分な強度の得られる半田
層が形成できると共に、裏面電極には半田玉や溜り等の
半田突起が発生せずに、均一な半田層を形成することが
できる。よって、ダイシング工程やラミネート工程時に
太陽電池セルの割れ等の破損を防ぐことができる。

【００５４】(2) 太陽電池セルは、少なくとも一部が多
角形状に形成された裏面電極を備えているので、太陽電
池セルを半田ディップを行った際に、裏面電極を流れ出
した半田の分散、結合が繰り返され、半田の流れをより
スムーズにすることができ、半田玉や半田溜まり等の突
起が発生しない。

【００５５】(3) 太陽電池セルは、少なくとも一部が格
子状または六角形状に形成された裏面電極を備えている
ので、半導体基板の半田ディップを行った際に、細線電
極部が半田の流れを妨害することがなく、溶融半田が分
散して流れるので、半田玉や半田溜まりの発生を防止で
きる。

【００５６】(4) 太陽電池セルは、少なくとも一部が格
子状または六角形状に形成された裏面電極を備えている
ので、太陽電池セルを半田ディップした際に、裏面電極
上の半田をスムーズに流すことができ、電極に半田が溜
まるのを抑制することができる。

【００５７】(5) 太陽電池セルを製造するために、半導
体基板に形成された少なくとも直線状の太線電極部によ
って構成された表面電極及び裏面電極に半田を被覆する
半田被覆工程では、太線電極部に対して裏面電極の少な
くとも一部が鋭角または鈍角をなす方向に形成されてい
る半導体基板を半田に浸漬し、太線電極部に対して略垂
直方向に引上げることにより半田被覆を施すことによっ
て、半田被覆工程において、表面電極及び裏面電極にに
半田玉や半田溜まり等の突起が発生することなく、均一
な半田層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態に係る太陽電池セルの表面電
極の形状を示す図である。

【図２】本発明の実施形態に係る太陽電池セルの裏面電
極の形状を示す図である。

【図３】本発明の実施形態に係る太陽電池セルの裏面電
極における別の形状を示す図である。

【図４】図２に示した裏面電極に直線状の太線電極部を
設けた形状を示す図である。

【図５】太線電極部に対して所定の角度で傾斜した細線
電極部と、太線電極部に対して略垂直に形成された細線
電極部と、を備えた裏面電極の形状を示す図である。

【図６】図３に示した裏面電極に太線電極部を設けた形
状を示す図である。

【図７】従来の太陽電池セルの表面を示す図である。

【図８】従来の太陽電池セルの裏面を示す図である。

【図９】従来の太陽電池セルの半田デップ後の裏面を示
す図である。

【図１０】太陽電池セルの断面図を示す図である。

【図１１】太陽電池セルの構成及び接続方法を示す図で
ある。

【図１２】半田槽に浸漬した太陽電池セルを引き上げる
様子を示す正面図及び側面図である。

【符号の説明】 １−太陽電池セル ２−ｐ型シリコン基板 ３−ｎ＋層 ４−反射防止膜 ５−表面電極 ６，８−半田層 ７−裏面電極 １１，１３−太線電極部 １２，１４−細線電極部 １５−半田玉 １６，１７−半田溜り １８−半田槽

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ｐｎ接合部を有する半導体基板の表面及
   び裏面に表面電極及び裏面電極を備え、該表面電極及び
   該裏面電極の少なくとも一方は、直線状の太線電極部を
   含む構成の太陽電池セルにおいて、 該裏面電極の少なくとも一部は、該太線電極部に対して
   鋭角または鈍角をなす方向に形成されたことを特徴とす
   る太陽電池セル。
2. 【請求項２】 前記裏面電極の少なくとも一部は、多角
   形状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太
   陽電池セル。
3. 【請求項３】 前記裏面電極の少なくとも一部は、格子
   状または六角形状に形成されたことを特徴とする請求項
   １に記載の太陽電池セル。
4. 【請求項４】 前記裏面電極の少なくとも一部は、三角
   形状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の太
   陽電池セル。
5. 【請求項５】 半導体基板にｐｎ接合を形成する工程、
   少なくとも直線状の太線電極部によって構成された表面
   電極または裏面電極を該半導体基板に形成する工程、該
   表面電極及び該裏面電極に半田を被覆する半田被覆工程
   を有する太陽電池セルの製造方法であって、 該半田被覆工程は、該太線電極部に対して該裏面電極の
   少なくとも一部が鋭角または鈍角をなす方向に形成され
   ている該半導体基板を半田に浸漬し、該太線電極部に対
   して略垂直方向に引上げることにより半田被覆を施すこ
   とを特徴とする太陽電池セルの製造方法。