JP2001291778A - 統計モデルパラメータ抽出方法および装置 - Google Patents
統計モデルパラメータ抽出方法および装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＭＯＳの飽和電流としきい値の測定データか
ら、高速にかつ精度よくＢＳＩＭ３のモデルパラメータ
を抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供
する。 【解決手段】 回路シミュレーションを行うときに使用
するＭＯＳデバイスのモデルパラメータの値を抽出する
方法において、特定の１つのデバイスのＶｄｓ−Ｉｄ
ｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性から抽出したモデルパラメータ
をベースとして、それ以外のＭＯＳについては飽和電流
としきい値のみの測定データからＭＯＳの酸化膜厚、チ
ャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラドーズ
量、チャネル長、チャネル幅を表すプロセスに関連した
統計モデルパラメータを抽出する。
ら、高速にかつ精度よくＢＳＩＭ３のモデルパラメータ
を抽出するための統計モデルパラメータ抽出方法を提供
する。 【解決手段】 回路シミュレーションを行うときに使用
するＭＯＳデバイスのモデルパラメータの値を抽出する
方法において、特定の１つのデバイスのＶｄｓ−Ｉｄ
ｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性から抽出したモデルパラメータ
をベースとして、それ以外のＭＯＳについては飽和電流
としきい値のみの測定データからＭＯＳの酸化膜厚、チ
ャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラドーズ
量、チャネル長、チャネル幅を表すプロセスに関連した
統計モデルパラメータを抽出する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、回路シミュレーシ
ョンに用いるＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯＳと称する）モ
デルパラメータの抽出方法および抽出装置に関する。
ョンに用いるＭＯＳＦＥＴ（以下、ＭＯＳと称する）モ
デルパラメータの抽出方法および抽出装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】チップの歩留り確保のためには、設計時
にＭＯＳ特性のばらつきに対する回路特性のばらつきへ
の影響を正確にシミュレーションする必要がある。この
ためには、多数のＭＯＳ特性を考慮して回路シミュレー
ションを行うことが有効である。多数のＭＯＳ特性を考
慮して回路シミュレーションを実行する際に、それら多
数のＭＯＳ特性に対応した回路シミュレーション用のモ
デルパラメータが必要となる。
にＭＯＳ特性のばらつきに対する回路特性のばらつきへ
の影響を正確にシミュレーションする必要がある。この
ためには、多数のＭＯＳ特性を考慮して回路シミュレー
ションを行うことが有効である。多数のＭＯＳ特性を考
慮して回路シミュレーションを実行する際に、それら多
数のＭＯＳ特性に対応した回路シミュレーション用のモ
デルパラメータが必要となる。
【０００３】従来方法では、それぞれのＭＯＳのＶｄｓ
−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性よりモデルパラメータを
一式ずつ抽出し、回路シミュレーションを行う方法があ
る。しかし、この方法では各ＭＯＳについてのＶｄｓ−
Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性が必要となり、多数のＭＯ
Ｓについて行う際には測定に時間がかかるだけでなく、
必要となるデータが膨大な量となるという問題がある。
また、モデルパラメータ抽出にも時間がかかるため実用
的ではない（１９９７年の電子情報通信学会、信学技報
VLD97-53, ED97-91, SDM97-112, ICD97-128(1997-0
9）、６３頁から７０頁の「ＴＣＡＤを用いたＭＯＳＦ
ＥＴの感度・統計解析」）。
−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性よりモデルパラメータを
一式ずつ抽出し、回路シミュレーションを行う方法があ
る。しかし、この方法では各ＭＯＳについてのＶｄｓ−
Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性が必要となり、多数のＭＯ
Ｓについて行う際には測定に時間がかかるだけでなく、
必要となるデータが膨大な量となるという問題がある。
また、モデルパラメータ抽出にも時間がかかるため実用
的ではない（１９９７年の電子情報通信学会、信学技報
VLD97-53, ED97-91, SDM97-112, ICD97-128(1997-0
9）、６３頁から７０頁の「ＴＣＡＤを用いたＭＯＳＦ
ＥＴの感度・統計解析」）。
【０００４】また、飽和電流としきい値のみからパラメ
ータを抽出する方法がＵＣＢから提案されている。しか
し、その方法では抽出するパラメータが１４個と数が多
いという問題がある（１９９６年のアイ・イー・ディー
・エムのプロシーディングス、６３５頁から６３８頁
（IEDM 96, pp.635-638,「E-T Based StatisticalMo
deling and Compact Statistical Circuit Simula
tion Methodologies」)）。
ータを抽出する方法がＵＣＢから提案されている。しか
し、その方法では抽出するパラメータが１４個と数が多
いという問題がある（１９９６年のアイ・イー・ディー
・エムのプロシーディングス、６３５頁から６３８頁
（IEDM 96, pp.635-638,「E-T Based StatisticalMo
deling and Compact Statistical Circuit Simula
tion Methodologies」)）。
【０００５】さらに、直接プロセスに関係するパラメー
タ以外のものも抽出に用いるため、多数のＭＯＳからパ
ラメータを抽出したデータから、ＭＯＳのばらつきとプ
ロセスの因果関係との対応をつけにくい。つまり、ＭＯ
Ｓのばらつきを小さくするためのプロセス変更へのフィ
ードバックをかけにくいという問題がある。
タ以外のものも抽出に用いるため、多数のＭＯＳからパ
ラメータを抽出したデータから、ＭＯＳのばらつきとプ
ロセスの因果関係との対応をつけにくい。つまり、ＭＯ
Ｓのばらつきを小さくするためのプロセス変更へのフィ
ードバックをかけにくいという問題がある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、統計
モデルパラメータを抽出するために用いる測定データの
数を減らすことによって測定に要する時間を削減し、さ
らに、多数のデバイスのＭＯＳ特性を回路シミュレーシ
ョンで再現するために最大でも５つのプロセスに関連し
たモデルパラメータを抽出して、抽出する時間を削減す
ることである。そして、プロセスに直接対応付けできる
パラメータのみを抽出することによって、ＭＯＳのばら
つきとプロセスの因果関係を調べるのを容易にする。さ
らに、回路シミュレーションを用いて５つのパラメータ
を抽出することによって、高精度なパラメータを抽出す
ることである。
モデルパラメータを抽出するために用いる測定データの
数を減らすことによって測定に要する時間を削減し、さ
らに、多数のデバイスのＭＯＳ特性を回路シミュレーシ
ョンで再現するために最大でも５つのプロセスに関連し
たモデルパラメータを抽出して、抽出する時間を削減す
ることである。そして、プロセスに直接対応付けできる
パラメータのみを抽出することによって、ＭＯＳのばら
つきとプロセスの因果関係を調べるのを容易にする。さ
らに、回路シミュレーションを用いて５つのパラメータ
を抽出することによって、高精度なパラメータを抽出す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係わる統計モデルパラメータ抽出方法は、
回路シミュレーションを行うときに使用するＭＯＳデバ
イスのモデルパラメータの値を抽出する方法において、
特定の１つのデバイスのＶｄｓ−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄ
ｓ特性から抽出したモデルパラメータをベースとして、
それ以外のＭＯＳについては飽和電流としきい値のみの
測定データからＭＯＳの酸化膜厚、チャネルのドーズ
量、短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャネル
長、チャネル幅を表すプロセスに関連したモデルパラメ
ータを抽出することを特徴とする。
に、本発明に係わる統計モデルパラメータ抽出方法は、
回路シミュレーションを行うときに使用するＭＯＳデバ
イスのモデルパラメータの値を抽出する方法において、
特定の１つのデバイスのＶｄｓ−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄ
ｓ特性から抽出したモデルパラメータをベースとして、
それ以外のＭＯＳについては飽和電流としきい値のみの
測定データからＭＯＳの酸化膜厚、チャネルのドーズ
量、短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャネル
長、チャネル幅を表すプロセスに関連したモデルパラメ
ータを抽出することを特徴とする。
【０００８】また、本発明に係わる統計モデルパラメー
タ抽出装置としては、測定したＭＯＳのサイズや測定時
の電圧条件を入力して格納しておくデバイス情報入力
部、入力されたデバイス情報から回路シミュレーション
用のネットリストを生成するネットリスト生成機能部、
特定のＭＯＳから抽出した一式のモデルパラメータを入
力して格納しておくモデルパラメータ入力部、ネットリ
ストとモデルパラメータを入力としてＭＯＳの特性を計
算機により求める回路シミュレーション機能部、測定デ
ータを回路シミュレーションにより得られた結果を比較
するための収束条件を入力して格納しておく収束条件入
力部、多数のＭＯＳから測定した飽和電流としきい値の
データを入力して格納しておく測定データ入力部、回路
シミュレーションにより得られた飽和電流としきい値と
測定から得られた飽和電流としきい値を比較して収束判
定をする収束判定機能部、モデルパラメータの値を変更
するときに使う探索範囲データを入力して格納しておく
探索範囲データ入力部、回路シミュレーションにより得
られた飽和電流としきい値が収束判定を満たさないとき
に、モデルパラメータを変更するパラメータ探索機能
部、収束したときのモデルパラメータを出力する抽出パ
ラメータ出力部とを少なくとも有することを特徴とする
ものである。
タ抽出装置としては、測定したＭＯＳのサイズや測定時
の電圧条件を入力して格納しておくデバイス情報入力
部、入力されたデバイス情報から回路シミュレーション
用のネットリストを生成するネットリスト生成機能部、
特定のＭＯＳから抽出した一式のモデルパラメータを入
力して格納しておくモデルパラメータ入力部、ネットリ
ストとモデルパラメータを入力としてＭＯＳの特性を計
算機により求める回路シミュレーション機能部、測定デ
ータを回路シミュレーションにより得られた結果を比較
するための収束条件を入力して格納しておく収束条件入
力部、多数のＭＯＳから測定した飽和電流としきい値の
データを入力して格納しておく測定データ入力部、回路
シミュレーションにより得られた飽和電流としきい値と
測定から得られた飽和電流としきい値を比較して収束判
定をする収束判定機能部、モデルパラメータの値を変更
するときに使う探索範囲データを入力して格納しておく
探索範囲データ入力部、回路シミュレーションにより得
られた飽和電流としきい値が収束判定を満たさないとき
に、モデルパラメータを変更するパラメータ探索機能
部、収束したときのモデルパラメータを出力する抽出パ
ラメータ出力部とを少なくとも有することを特徴とする
ものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わる統計モデル
パラメータ抽出方法および装置の好適な実施形態につい
て、具体的な実施例を用いて説明する。
パラメータ抽出方法および装置の好適な実施形態につい
て、具体的な実施例を用いて説明する。
【００１０】図１は、本発明に係わる統計モデルパラメ
ータの抽出方法を示す概要フロー図である。本実施例の
統計モデルパラメータ抽出方法は、多数のＭＯＳの特性
測定データから、ＵＣＢが開発したＢＳＩＭ３モデルの
静特性のモデルパラメータの一部、すなわち統計モデル
パラメータセットを抽出する方法である。
ータの抽出方法を示す概要フロー図である。本実施例の
統計モデルパラメータ抽出方法は、多数のＭＯＳの特性
測定データから、ＵＣＢが開発したＢＳＩＭ３モデルの
静特性のモデルパラメータの一部、すなわち統計モデル
パラメータセットを抽出する方法である。
【００１１】この処理フローの概要は、以下の通りであ
る。
る。
【００１２】まず、ハードディスク等の記憶装置に格納
された、デバイスの情報データ１を入力として、ＭＯＳ
単体の回路シミュレーションをするためのネットリスト
生成機能部２の処理を実行し、得られたネットリスト３
を中間ファイルとしてハードディスク等の記憶装置に格
納する。
された、デバイスの情報データ１を入力として、ＭＯＳ
単体の回路シミュレーションをするためのネットリスト
生成機能部２の処理を実行し、得られたネットリスト３
を中間ファイルとしてハードディスク等の記憶装置に格
納する。
【００１３】生成したネットリスト３と、ある特定のＭ
ＯＳから抽出した一式のモデルパラメータセット４を入
力として回路シミュレーション機能部５を実行し、シミ
ュレーションで得られた飽和電流としきい値の出力結果
を回路シミュレーションの出力結果６としてハードディ
スク等の記憶装置に格納する。ここで用いる回路シミュ
レータは一般に用いられている、ＳＰＩＣＥに準拠した
仕様の回路シミュレータである（The Designer's Gui
de to SPICE & SPECTRE, Kenneth S. Kundert
著,Kluwer Academic Publishers）。
ＯＳから抽出した一式のモデルパラメータセット４を入
力として回路シミュレーション機能部５を実行し、シミ
ュレーションで得られた飽和電流としきい値の出力結果
を回路シミュレーションの出力結果６としてハードディ
スク等の記憶装置に格納する。ここで用いる回路シミュ
レータは一般に用いられている、ＳＰＩＣＥに準拠した
仕様の回路シミュレータである（The Designer's Gui
de to SPICE & SPECTRE, Kenneth S. Kundert
著,Kluwer Academic Publishers）。
【００１４】シミュレーションで飽和電流としきい値の
出力結果を回路シミュレーションの出力結果６と測定よ
り得られた飽和電流としきい値の測定データ７を入力と
し、さらに収束判定条件のデータ８を入力し、収束判定
機能部９にて両データの比較を行い、シミュレーション
により得られた飽和電流としきい値との差が収束判定条
件を満たしているかを判定する。
出力結果を回路シミュレーションの出力結果６と測定よ
り得られた飽和電流としきい値の測定データ７を入力と
し、さらに収束判定条件のデータ８を入力し、収束判定
機能部９にて両データの比較を行い、シミュレーション
により得られた飽和電流としきい値との差が収束判定条
件を満たしているかを判定する。
【００１５】収束条件を満たさないときには、このとき
のプロセスに関連する部分モデルパラメータ（酸化膜
厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラ
ドーズ量、チャネル長、チャネル幅を表すモデルパラメ
ータ）とそれぞれのパラメータの探索範囲データ１１を
入力として、パラメータ探索機能部１２で、その探索範
囲内でパラメータの値を変えて新しいパラメータ値を決
定し、モデルパラメータセット、および、ネットリスト
の値を変更する。収束条件を満たした場合には、そのと
きのモデルパラメータの値を統計モデルパラメータセッ
ト１３としてハードディスク等の記憶装置に格納する。
のプロセスに関連する部分モデルパラメータ（酸化膜
厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制インプラ
ドーズ量、チャネル長、チャネル幅を表すモデルパラメ
ータ）とそれぞれのパラメータの探索範囲データ１１を
入力として、パラメータ探索機能部１２で、その探索範
囲内でパラメータの値を変えて新しいパラメータ値を決
定し、モデルパラメータセット、および、ネットリスト
の値を変更する。収束条件を満たした場合には、そのと
きのモデルパラメータの値を統計モデルパラメータセッ
ト１３としてハードディスク等の記憶装置に格納する。
【００１６】以下、図２から図６を用いて、本発明の処
理方法を説明する。図２に示すように、まず、長チャネ
ルＭＯＳの飽和電流としきい値から酸化膜厚とチャネル
ドーズ量のパラメータを抽出し（ステップ１）、次に短
チャネルＭＯＳの飽和電流としきい値からチャネル長と
短チャネル効果抑制インプラドーズ量を表すパラメータ
を抽出する（ステップ２）。そして、最後に狭チャネル
ＭＯＳの飽和電流としきい値からチャネル幅を表すパラ
メータを抽出する（ステップ３）。上記３処理の詳細は
図３、４、５を用いて説明する。
理方法を説明する。図２に示すように、まず、長チャネ
ルＭＯＳの飽和電流としきい値から酸化膜厚とチャネル
ドーズ量のパラメータを抽出し（ステップ１）、次に短
チャネルＭＯＳの飽和電流としきい値からチャネル長と
短チャネル効果抑制インプラドーズ量を表すパラメータ
を抽出する（ステップ２）。そして、最後に狭チャネル
ＭＯＳの飽和電流としきい値からチャネル幅を表すパラ
メータを抽出する（ステップ３）。上記３処理の詳細は
図３、４、５を用いて説明する。
【００１７】図３では長チャネルＭＯＳの飽和電流とし
きい値から酸化膜厚とチャネルドーズ量のパラメータを
抽出する方法を説明する。
きい値から酸化膜厚とチャネルドーズ量のパラメータを
抽出する方法を説明する。
【００１８】まず、長チャネルＭＯＳのチャネル長、チ
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ１０）。読みこんだ情報を用いて長チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ１１）。
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ１０）。読みこんだ情報を用いて長チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ１１）。
【００１９】モデルパラメータセットの読み込みをした
後に（ステップ１２）、生成したネットリストを入力と
してＭＯＳ単体の回路シミュレーションを実行し（ステ
ップ１３）、シミュレーションの結果として得られる飽
和電流としきい値の値を読み出す（ステップ１４）。
後に（ステップ１２）、生成したネットリストを入力と
してＭＯＳ単体の回路シミュレーションを実行し（ステ
ップ１３）、シミュレーションの結果として得られる飽
和電流としきい値の値を読み出す（ステップ１４）。
【００２０】次に飽和電流としきい値の測定データを読
み出し（ステップ１５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ１６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ１７）。収束条件
を満たさない場合には、酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネル
のドーズ量のモデルパラメータ（ＮＣＨ）を変更し（ス
テップ１８）、再度シミュレーションを行う。このとき
のモデルパラメータの変え方は、最適化問題を解く方法
として用いられている一般的なアルゴリズムを使い、例
として、等間隔Ｖ形３点探索法や黄金分割法があげられ
る（システムの最適理論と最適化，嘉納秀明著、コロナ
社、５７頁から６４頁）。
み出し（ステップ１５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ１６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ１７）。収束条件
を満たさない場合には、酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネル
のドーズ量のモデルパラメータ（ＮＣＨ）を変更し（ス
テップ１８）、再度シミュレーションを行う。このとき
のモデルパラメータの変え方は、最適化問題を解く方法
として用いられている一般的なアルゴリズムを使い、例
として、等間隔Ｖ形３点探索法や黄金分割法があげられ
る（システムの最適理論と最適化，嘉納秀明著、コロナ
社、５７頁から６４頁）。
【００２１】シミュレーションにより得られた飽和電流
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きの酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメ
ータ（ＮＣＨ）を出力して保存し（ステップ１９）、全
測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ２０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きの酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメ
ータ（ＮＣＨ）を出力して保存し（ステップ１９）、全
測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ２０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
【００２２】図４では短チャネルＭＯＳの飽和電流とし
きい値から短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャ
ネル長のパラメータを抽出する方法を説明する。
きい値から短チャネル効果抑制インプラドーズ量、チャ
ネル長のパラメータを抽出する方法を説明する。
【００２３】まず、短チャネルＭＯＳのチャネル長、チ
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ３０）。読みこんだ情報を用いて短チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ３１）。モデルパラメータセット
の読み込みをした後に（ステップ３２）、生成したネッ
トリストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーショ
ンを実行し（ステップ３３）、シミュレーションの結果
として得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ス
テップ３４）。
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ３０）。読みこんだ情報を用いて短チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ３１）。モデルパラメータセット
の読み込みをした後に（ステップ３２）、生成したネッ
トリストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーショ
ンを実行し（ステップ３３）、シミュレーションの結果
として得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ス
テップ３４）。
【００２４】次に飽和電流としきい値の測定データを読
み出し（ステップ３５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ３６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ３７）。収束条件
を満たさない場合には、チャネル長と短チャネル効果抑
制インプラドーズ量を表すパラメータ（ＮＬＸ）を変更
し（ステップ３８）、再度シミュレーションを行う。
み出し（ステップ３５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ３６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ３７）。収束条件
を満たさない場合には、チャネル長と短チャネル効果抑
制インプラドーズ量を表すパラメータ（ＮＬＸ）を変更
し（ステップ３８）、再度シミュレーションを行う。
【００２５】シミュレーションにより得られた飽和電流
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きのチャネル長と短チャネル効果抑制インプラドーズ量
を表すパラメータ（ＮＬＸ）を出力して保存し（ステッ
プ３９）、全測定データについて処理が終了したかどう
かを判定し（ステップ４０）、していなければ次の測定
データについて同様の処理を繰り返す。そして、上記の
処理を全測定データについて行う。
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きのチャネル長と短チャネル効果抑制インプラドーズ量
を表すパラメータ（ＮＬＸ）を出力して保存し（ステッ
プ３９）、全測定データについて処理が終了したかどう
かを判定し（ステップ４０）、していなければ次の測定
データについて同様の処理を繰り返す。そして、上記の
処理を全測定データについて行う。
【００２６】図５では狭チャネルＭＯＳの飽和電流とし
きい値からチャネル幅を表すパラメータを抽出する方法
を説明する。
きい値からチャネル幅を表すパラメータを抽出する方法
を説明する。
【００２７】まず、狭チャネルＭＯＳのチャネル長、チ
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ５０）。読みこんだ情報を用いて狭チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ５１）。モデルパラメータセット
の読み込みをした後に（ステップ５２）、生成したネッ
トリストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーショ
ンを実行し（ステップ５３）、シミュレーションの結果
として得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ス
テップ５４）。
ャネル幅、測定時のバイアス電圧の条件を読みこむ（ス
テップ５０）。読みこんだ情報を用いて狭チャネルＭＯ
Ｓの単体のシミュレーションをするためのネットリスト
を生成する（ステップ５１）。モデルパラメータセット
の読み込みをした後に（ステップ５２）、生成したネッ
トリストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーショ
ンを実行し（ステップ５３）、シミュレーションの結果
として得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ス
テップ５４）。
【００２８】次に飽和電流としきい値の測定データを読
み出し（ステップ５５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ５６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ５７）。収束条件
を満たさない場合には、チャネル幅を変更し（ステップ
５８）、再度シミュレーションを行う。
み出し（ステップ５５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ５６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ５７）。収束条件
を満たさない場合には、チャネル幅を変更し（ステップ
５８）、再度シミュレーションを行う。
【００２９】シミュレーションにより得られた飽和電流
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きのチャネル幅を出力して保存し（ステップ５９）、全
測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ６０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きのチャネル幅を出力して保存し（ステップ５９）、全
測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ６０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
【００３０】図６では長チャネル、短チャネル、狭チャ
ネルＭＯＳの飽和電流としきい値から酸化膜厚、チャネ
ルドーズ量、チャネル長、短チャネル効果抑制インプラ
ドーズ量を表すパラメータとチャネル幅のパラメータを
抽出する方法を説明する。
ネルＭＯＳの飽和電流としきい値から酸化膜厚、チャネ
ルドーズ量、チャネル長、短チャネル効果抑制インプラ
ドーズ量を表すパラメータとチャネル幅のパラメータを
抽出する方法を説明する。
【００３１】まず、長チャネル、短チャネル、狭チャネ
ルＭＯＳのチャネル長、チャネル幅、測定時のバイアス
電圧の条件を読みこむ（ステップ７０）。読みこんだ情
報を用いて長チャネル、短チャネル、狭チャネルＭＯＳ
の単体のシミュレーションをするためのネットリストを
生成する（ステップ７１）。モデルパラメータセットの
読み込みをした後に（ステップ７２）、生成したネット
リストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーション
を実行し（ステップ７３）、シミュレーションの結果と
して得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ステ
ップ７４）。
ルＭＯＳのチャネル長、チャネル幅、測定時のバイアス
電圧の条件を読みこむ（ステップ７０）。読みこんだ情
報を用いて長チャネル、短チャネル、狭チャネルＭＯＳ
の単体のシミュレーションをするためのネットリストを
生成する（ステップ７１）。モデルパラメータセットの
読み込みをした後に（ステップ７２）、生成したネット
リストを入力としてＭＯＳ単体の回路シミュレーション
を実行し（ステップ７３）、シミュレーションの結果と
して得られる飽和電流としきい値の値を読み出す（ステ
ップ７４）。
【００３２】次に飽和電流としきい値の測定データを読
み出し（ステップ７５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ７６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ７７）。
み出し（ステップ７５）、収束判定条件の読み込みを行
い（ステップ７６）シミュレーションより得られた飽和
電流としきい値の値と比較をし、その差が収束条件を満
たすかどうかの判定をする（ステップ７７）。
【００３３】収束条件を満たさない場合には、酸化膜厚
（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメータ（ＮＣ
Ｈ）、チャネル長と短チャネル効果抑制インプラドーズ
量を表すパラメータ（ＮＬＸ）、チャネル幅とを表すパ
ラメータを変更し（ステップ７８）、再度シミュレーシ
ョンを行う。シミュレーションにより得られた飽和電流
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きの酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメ
ータ（ＮＣＨ）、チャネル長と短チャネル効果抑制イン
プラドーズ量を表すパラメータ（ＮＬＸ）、チャネル幅
を表すパラメータを出力して保存し（ステップ７９）、
全測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ８０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメータ（ＮＣ
Ｈ）、チャネル長と短チャネル効果抑制インプラドーズ
量を表すパラメータ（ＮＬＸ）、チャネル幅とを表すパ
ラメータを変更し（ステップ７８）、再度シミュレーシ
ョンを行う。シミュレーションにより得られた飽和電流
としきい値の値が収束条件を満たした場合には、そのと
きの酸化膜厚（ＴＯＸ）とチャネルのドーズ量のパラメ
ータ（ＮＣＨ）、チャネル長と短チャネル効果抑制イン
プラドーズ量を表すパラメータ（ＮＬＸ）、チャネル幅
を表すパラメータを出力して保存し（ステップ７９）、
全測定データについて処理が終了したかどうかを判定し
（ステップ８０）、していなければ次の測定データにつ
いて同様の処理を繰り返す。そして、上記の処理を全測
定データについて行う。
【００３４】また、上記記載のチャネル長、チャネル幅
を抽出するかわりに、実効的なチャネル長を決めるパラ
メータ（ＬＩＮＴ）と実効的なチャネル幅を決めるパラ
メータ（ＷＩＮＴ）を抽出してもよい。
を抽出するかわりに、実効的なチャネル長を決めるパラ
メータ（ＬＩＮＴ）と実効的なチャネル幅を決めるパラ
メータ（ＷＩＮＴ）を抽出してもよい。
【００３５】以下、各データの詳細を図７から図１２を
用いて説明する。
用いて説明する。
【００３６】デバイス情報データ１は回路シミュレータ
の入力データであるネットリストを生成するためのデー
タであり、一例として図７のような形式がある。このデ
ータは測定データのＭＯＳ情報から決まるものであり、
長チャネルＭＯＳのチャネル長とチャネル幅、短チャネ
ルＭＯＳのチャネル長とチャネル幅、狭チャネルＭＯＳ
のチャネル長とチャネル幅からなる。また測定したとき
の電圧の条件をも含む。
の入力データであるネットリストを生成するためのデー
タであり、一例として図７のような形式がある。このデ
ータは測定データのＭＯＳ情報から決まるものであり、
長チャネルＭＯＳのチャネル長とチャネル幅、短チャネ
ルＭＯＳのチャネル長とチャネル幅、狭チャネルＭＯＳ
のチャネル長とチャネル幅からなる。また測定したとき
の電圧の条件をも含む。
【００３７】図８は長チャネルＭＯＳの特性をシミュレ
ーションするための回路シミュレーション用のネットリ
ストであり、入力されたデバイス情報データ１を用いて
生成する。生成されたネットリストとモデルパラメータ
一式を入力として回路シミュレーションを実行し、回路
シミュレーションの出力データとして得られる飽和電流
値としきい値をハードディスクに格納する。
ーションするための回路シミュレーション用のネットリ
ストであり、入力されたデバイス情報データ１を用いて
生成する。生成されたネットリストとモデルパラメータ
一式を入力として回路シミュレーションを実行し、回路
シミュレーションの出力データとして得られる飽和電流
値としきい値をハードディスクに格納する。
【００３８】次にシミュレーションにより得られた飽和
電流、しきい値と入力した判定条件を用いて測定データ
との比較をし、シミュレーションにより得られた結果が
精度の面で十分かどうかの判定をする。このときの測定
データは例えば図９のような形式で入力され、長チャネ
ルＭＯＳ、短チャネルＭＯＳ，狭チャネルＭＯＳのしき
い値と飽和電流値の集まりで記載される。
電流、しきい値と入力した判定条件を用いて測定データ
との比較をし、シミュレーションにより得られた結果が
精度の面で十分かどうかの判定をする。このときの測定
データは例えば図９のような形式で入力され、長チャネ
ルＭＯＳ、短チャネルＭＯＳ，狭チャネルＭＯＳのしき
い値と飽和電流値の集まりで記載される。
【００３９】測定データとシミュレーションより求めた
しきい値と飽和電流値との比較をし、値が収束したかど
うかの収束判定を行う際に入力する収束判定条件データ
は図１０のような形式で入力される。ここでは、しきい
値と飽和電流値それぞれの収束判定方法（絶対誤差で判
定するか、相対誤差で判定するか）と許容する誤差の値
を入力とする。
しきい値と飽和電流値との比較をし、値が収束したかど
うかの収束判定を行う際に入力する収束判定条件データ
は図１０のような形式で入力される。ここでは、しきい
値と飽和電流値それぞれの収束判定方法（絶対誤差で判
定するか、相対誤差で判定するか）と許容する誤差の値
を入力とする。
【００４０】ここで、値が未収束と判定されるとパラメ
ータの値（長チャネルＭＯＳでは酸化膜厚：ＴＯＸとチ
ャネルのドーズ量のパラメータ：ＮＣＨ、短チャネルＭ
ＯＳではチャネル長と短チャネル効果抑制インプラドー
ズ量を表すパラメータ：ＮＬＸ、狭チャネルＭＯＳでは
チャネル幅）を変えて、再度シミュレーションをする。
探索する際に、各パラメータの探索範囲を入力データと
して用い、その記述の例を図１１に示す。入力データに
は、それぞれのパラメータについて、基準値に対してど
の範囲でパラメータを変化させるかを指定する情報が入
っている。この例の記述の場合には各パラメータ、負の
方向の探索範囲と正の方向の探索範囲を指定している。
基準値として用いるのは、モデルパラメータセットに指
定されている値である。このときのモデルパラメータセ
ットはＢＳＩＭ３のパラメータセットである（BSIM3v3
Manual, Yuhua Cheng 他著）。
ータの値（長チャネルＭＯＳでは酸化膜厚：ＴＯＸとチ
ャネルのドーズ量のパラメータ：ＮＣＨ、短チャネルＭ
ＯＳではチャネル長と短チャネル効果抑制インプラドー
ズ量を表すパラメータ：ＮＬＸ、狭チャネルＭＯＳでは
チャネル幅）を変えて、再度シミュレーションをする。
探索する際に、各パラメータの探索範囲を入力データと
して用い、その記述の例を図１１に示す。入力データに
は、それぞれのパラメータについて、基準値に対してど
の範囲でパラメータを変化させるかを指定する情報が入
っている。この例の記述の場合には各パラメータ、負の
方向の探索範囲と正の方向の探索範囲を指定している。
基準値として用いるのは、モデルパラメータセットに指
定されている値である。このときのモデルパラメータセ
ットはＢＳＩＭ３のパラメータセットである（BSIM3v3
Manual, Yuhua Cheng 他著）。
【００４１】収束判定で値が収束したと判定された場合
には、パラメータの値を出力する。各測定データについ
てパラメータ抽出を行い、出力した結果の例を図１２に
示す。
には、パラメータの値を出力する。各測定データについ
てパラメータ抽出を行い、出力した結果の例を図１２に
示す。
【００４２】図１３に上記した統計モデルパラメータ抽
出方法を用いた統計モデルパラメータ抽出装置の構成を
示す。
出方法を用いた統計モデルパラメータ抽出装置の構成を
示す。
【００４３】装置構成としては、測定したＭＯＳのサイ
ズや測定時の電圧条件を入力して格納しておくデバイス
情報入力部、入力されたデバイス情報から回路シミュレ
ーション用のネットリストを生成するネットリスト生成
機能部、特定のＭＯＳから抽出した一式のモデルパラメ
ータを入力して格納しておくモデルパラメータ入力部、
ネットリストとモデルパラメータを入力としてＭＯＳの
特性を計算機により求める回路シミュレーション機能
部、測定データを回路シミュレーションにより得られた
結果を比較するための収束条件を入力して格納しておく
収束条件入力部、多数のＭＯＳから測定した飽和電流と
しきい値のデータを入力して格納しておく測定データ入
力部、回路シミュレーションにより得られた飽和電流と
しきい値と測定から得られた飽和電流としきい値を比較
して収束判定をする収束判定機能部、モデルパラメータ
の値を変更するときに使う探索範囲データを入力して格
納しておく探索範囲データ入力部、回路シミュレーショ
ンにより得られた飽和電流としきい値が収束判定を満た
さないときに、モデルパラメータを変更するパラメータ
探索機能部、収束したときのモデルパラメータを出力す
る抽出パラメータ出力部、測定により得られた飽和電流
としきい値データの平均値や標準偏差を計算し、計算結
果と度数分布をグラフで画面に表示する測定データ表示
機能部、本統計モデルパラメータ抽出方法で得られた酸
化膜厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制イン
プラドーズ量、チャネル長、チャネル幅のデータから、
それぞれの平均値や標準偏差を計算してガウス分布で近
似し、抽出結果の度数分布とガウス分布で近似したもの
を重ねてグラフで画面に表示する抽出データ表示機能部
を追加することにより実現できる。
ズや測定時の電圧条件を入力して格納しておくデバイス
情報入力部、入力されたデバイス情報から回路シミュレ
ーション用のネットリストを生成するネットリスト生成
機能部、特定のＭＯＳから抽出した一式のモデルパラメ
ータを入力して格納しておくモデルパラメータ入力部、
ネットリストとモデルパラメータを入力としてＭＯＳの
特性を計算機により求める回路シミュレーション機能
部、測定データを回路シミュレーションにより得られた
結果を比較するための収束条件を入力して格納しておく
収束条件入力部、多数のＭＯＳから測定した飽和電流と
しきい値のデータを入力して格納しておく測定データ入
力部、回路シミュレーションにより得られた飽和電流と
しきい値と測定から得られた飽和電流としきい値を比較
して収束判定をする収束判定機能部、モデルパラメータ
の値を変更するときに使う探索範囲データを入力して格
納しておく探索範囲データ入力部、回路シミュレーショ
ンにより得られた飽和電流としきい値が収束判定を満た
さないときに、モデルパラメータを変更するパラメータ
探索機能部、収束したときのモデルパラメータを出力す
る抽出パラメータ出力部、測定により得られた飽和電流
としきい値データの平均値や標準偏差を計算し、計算結
果と度数分布をグラフで画面に表示する測定データ表示
機能部、本統計モデルパラメータ抽出方法で得られた酸
化膜厚、チャネルのドーズ量、短チャネル効果抑制イン
プラドーズ量、チャネル長、チャネル幅のデータから、
それぞれの平均値や標準偏差を計算してガウス分布で近
似し、抽出結果の度数分布とガウス分布で近似したもの
を重ねてグラフで画面に表示する抽出データ表示機能部
を追加することにより実現できる。
【００４４】このような本発明の統計モデルパラメータ
抽出装置は、ワークステーション、ＣＲＴや液晶等のデ
ィスプレイ装置、ハードディスク等の外部記憶装置を備
えたコンピュータシステムで構成可能である。
抽出装置は、ワークステーション、ＣＲＴや液晶等のデ
ィスプレイ装置、ハードディスク等の外部記憶装置を備
えたコンピュータシステムで構成可能である。
【００４５】以上、本発明の好適な実施例について説明
したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、本
発明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更
ができることは無論である。
したが、本発明は前記実施例に限定されることなく、本
発明の精神を逸脱しない範囲内において種々の設計変更
ができることは無論である。
【００４６】
【発明の効果】前述した実施例から明らかなように、本
発明に係わる統計モデルパラメータ抽出方法によれば、
１つのＭＯＳのＶｄｓ−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性の
み測定して、そのＭＯＳのみモデルパラメータを一式抽
出し、抽出したモデルパラメータをベースにすることに
よって、ほかの多数のＭＯＳについては飽和電流としき
い値の測定データのみから、それぞれ５つのパラメータ
のみを抽出してＭＯＳの特性を再現することができる。
飽和電流としきい値のみの測定データを必要とするの
で、測定の時間を短縮でき、測定データの格納場所を節
約することができる。
発明に係わる統計モデルパラメータ抽出方法によれば、
１つのＭＯＳのＶｄｓ−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ−Ｉｄｓ特性の
み測定して、そのＭＯＳのみモデルパラメータを一式抽
出し、抽出したモデルパラメータをベースにすることに
よって、ほかの多数のＭＯＳについては飽和電流としき
い値の測定データのみから、それぞれ５つのパラメータ
のみを抽出してＭＯＳの特性を再現することができる。
飽和電流としきい値のみの測定データを必要とするの
で、測定の時間を短縮でき、測定データの格納場所を節
約することができる。
【００４７】また、最大で５つのパラメータのみ抽出す
るため、それぞれのＭＯＳのモデルパラメータを一式ず
つ抽出するのに比べて抽出に要する時間を大幅に短縮す
ることができる。また、回路シミュレーションを用いて
モデルパラメータを決定しているため、回路シミュレー
ション時の精度が保証される上、抽出に用いているパラ
メータがすべてプロセスに関するパラメータであるた
め、抽出したモデルパラメータの分布とプロセスばらつ
きとの因果関係を究明することができる。
るため、それぞれのＭＯＳのモデルパラメータを一式ず
つ抽出するのに比べて抽出に要する時間を大幅に短縮す
ることができる。また、回路シミュレーションを用いて
モデルパラメータを決定しているため、回路シミュレー
ション時の精度が保証される上、抽出に用いているパラ
メータがすべてプロセスに関するパラメータであるた
め、抽出したモデルパラメータの分布とプロセスばらつ
きとの因果関係を究明することができる。
【図１】本発明の統計モデルパラメータ抽出方法の処理
フローの概略を示す図。
フローの概略を示す図。
【図２】統計モデルパラメータ抽出方法の処理フローチ
ャート。
ャート。
【図３】長チャネルＭＯＳの統計モデルパラメータ抽出
方法の処理フローチャート。
方法の処理フローチャート。
【図４】短チャネルＭＯＳの統計モデルパラメータ抽出
方法の処理フローチャート。
方法の処理フローチャート。
【図５】狭チャネルＭＯＳの統計モデルパラメータ抽出
方法の処理フローチャート。
方法の処理フローチャート。
【図６】長チャネル、短チャネル、狭チャネルＭＯＳの
統計モデルパラメータ抽出方法の処理フローチャート。
統計モデルパラメータ抽出方法の処理フローチャート。
【図７】デバイス情報データの格納例を示す図。
【図８】回路シミュレーション用のネットリスト例を示
す図。
す図。
【図９】測定データの格納例を示す図。
【図１０】収束判定を行う際に用いる収束判定条件デー
タの例を示す図。
タの例を示す図。
【図１１】パラメータの探索範囲を指定するデータの例
を示す図。
を示す図。
【図１２】抽出した統計モデルパラメータセットの出力
の例を示す図。
の例を示す図。
【図１３】本発明の統計モデルパラメータ抽出装置の概
略構成を示す図。
略構成を示す図。
【図１４】従来の統計モデルパラメータ抽出方法の処理
フローの概略を示す図。
フローの概略を示す図。
１…デバイス情報データ、２…ネットリスト生成機能
部、３…ネットリスト、４…モデルパラメータセット、
５…回路シミュレーション機能部、６…シミュレーショ
ン出力結果、７…測定データ、８…収束判定条件デー
タ、９…収束判定機能部、１０…プロセスに関連する部
分パラメータ、１１…パラメータ探索範囲データ、１２
…パラメータ探索機能部、１３…統計モデルパラメータ
セット、２０…デバイス情報入力部、２１…ネットリス
ト生成機能部、２２…モデルパラメータ入力部、２３…
回路シミュレーション機能部、２４…収束条件入力部、
２５…測定データ入力部、２６…収束判定機能部、２７
…探索範囲データ入力部、２８…測定データ表示部、２
９…パラメータ探索機能部、３０…抽出パラメータ出力
部、３１…抽出データ表示部、３２…統計モデルパラメ
ータ抽出機能部。
部、３…ネットリスト、４…モデルパラメータセット、
５…回路シミュレーション機能部、６…シミュレーショ
ン出力結果、７…測定データ、８…収束判定条件デー
タ、９…収束判定機能部、１０…プロセスに関連する部
分パラメータ、１１…パラメータ探索範囲データ、１２
…パラメータ探索機能部、１３…統計モデルパラメータ
セット、２０…デバイス情報入力部、２１…ネットリス
ト生成機能部、２２…モデルパラメータ入力部、２３…
回路シミュレーション機能部、２４…収束条件入力部、
２５…測定データ入力部、２６…収束判定機能部、２７
…探索範囲データ入力部、２８…測定データ表示部、２
９…パラメータ探索機能部、３０…抽出パラメータ出力
部、３１…抽出データ表示部、３２…統計モデルパラメ
ータ抽出機能部。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/336 (72)発明者 那倉 康一 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5B046 AA08 JA04 5F040 DA00 DA30 EA00 5F048 AB10 AC03 BB14 BD04
Claims (4)
- 【請求項１】複数のＭＯＳＦＥＴのデバイス特性測定デ
ータから回路シミュレーション用のＭＯＳＦＥＴモデル
のパラメータ値を抽出するモデルパラメータ抽出方法に
おいて、１つのＭＯＳＦＥＴのＶｄｓ−Ｉｄｓ，Ｖｇｓ
−Ｉｄｓ特性から抽出したモデルパラメータセットをベ
ースとして、飽和電流としきい値から統計モデルパラメ
ータ値を抽出することを特徴とするモデルパラメータ抽
出方法。 - 【請求項２】請求項１記載のモデルパラメータ抽出方法
において、ＭＯＳＦＥＴの飽和電流としきい値からＭＯ
ＳＦＥＴの酸化膜厚、チャネルのドーズ量、短チャネル
効果抑制インプラドーズ量、チャネル長、チャネル幅を
表すプロセスに関連したモデルパラメータを抽出するこ
とを特徴とする統計モデルパラメータ抽出方法。 - 【請求項３】請求項１または２に記載の統計モデルパラ
メータ抽出方法において、長チャネルＭＯＳＦＥＴの飽
和電流としきい値からＭＯＳＦＥＴの酸化膜厚、チャネ
ルのドーズ量を表すパラメータを、短チャネルＭＯＳの
飽和電流としきい値からＭＯＳＦＥＴの短チャネル効果
抑制インプラドーズ量、チャネル長を表すパラメータ
を、狭チャネルＭＯＳの飽和電流としきい値からＭＯＳ
ＦＥＴの、チャネル幅を表すパラメータを抽出すること
を特徴とする統計モデルパラメータ抽出方法。 - 【請求項４】複数のＭＯＳから測定した飽和電流としき
い値のデータを入力して格納しておく測定データ入力部
と、特定のＭＯＳから抽出した一式のモデルパラメータ
を入力して格納しておくモデルパラメータ入力部と、測
定したＭＯＳのサイズや測定時の電圧条件を入力して格
納しておくデバイス情報入力部と、測定データを回路シ
ミュレーションにより得られた結果を比較するための収
束条件を入力して格納しておく収束条件入力部と、モデ
ルパラメータの値を変更するときに使う探索範囲データ
を入力して格納しておく探索範囲データ入力部と、入力
されたデバイス情報から回路シミュレーション用のネッ
トリストを生成するネットリスト生成機能部と、ネット
リストとモデルパラメータを入力としてＭＯＳの特性を
計算機により求める回路シミュレーション機能部と、回
路シミュレーションにより得られた飽和電流としきい値
と測定から得られた飽和電流としきい値を比較して収束
判定をする収束判定機能部と、回路シミュレーションに
より得られた飽和電流としきい値が収束判定を満たさな
いときに、モデルパラメータを変更するパラメータ探索
機能部と、抽出したパラメータを出力する抽出パラメー
タ出力部とを少なくとも有することを特徴とする統計モ
デルパラメータ抽出装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106695A JP2001291778A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 統計モデルパラメータ抽出方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000106695A JP2001291778A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 統計モデルパラメータ抽出方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291778A true JP2001291778A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18619825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000106695A Pending JP2001291778A (ja) | 2000-04-04 | 2000-04-04 | 統計モデルパラメータ抽出方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001291778A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100716912B1 (ko) | 2004-06-30 | 2007-05-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 횡형 이중 확산 모스 트랜지스터의 시뮬레이션 방법 |
| JP2011253254A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Fujitsu Ltd | シミュレーションパラメータ校正方法、装置及びプログラム |
| TWI426576B (zh) * | 2011-08-16 | 2014-02-11 | Univ Nat Taiwan | 測量氧化層厚度的方法 |
| CN106599374A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-04-26 | 河海大学 | 一种适用于径流潮汐河口段的河相关系及其推导方法 |
-
2000
- 2000-04-04 JP JP2000106695A patent/JP2001291778A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100716912B1 (ko) | 2004-06-30 | 2007-05-10 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 횡형 이중 확산 모스 트랜지스터의 시뮬레이션 방법 |
| JP2011253254A (ja) * | 2010-05-31 | 2011-12-15 | Fujitsu Ltd | シミュレーションパラメータ校正方法、装置及びプログラム |
| US8713489B2 (en) | 2010-05-31 | 2014-04-29 | Fujitsu Limited | Simulation parameter correction technique |
| TWI426576B (zh) * | 2011-08-16 | 2014-02-11 | Univ Nat Taiwan | 測量氧化層厚度的方法 |
| CN106599374A (zh) * | 2016-11-16 | 2017-04-26 | 河海大学 | 一种适用于径流潮汐河口段的河相关系及其推导方法 |
| CN106599374B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-03-22 | 河海大学 | 一种适用于径流潮汐河口段的河相关系及其推导方法 |
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