JP2001291602A - 皮膜抵抗器 - Google Patents
皮膜抵抗器Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 矩形波状の通電に対する過負荷特性の優れた
皮膜抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 円柱状の絶縁基体１１の表面に形成され
た抵抗皮膜１２と、前記絶縁基体１１の両端部に取り付
けられ、かつ前記抵抗皮膜１２と電気的に接続されるキ
ャップ状の金属端子１３とを備え、前記抵抗皮膜１２
に、未修正部１６ａが前記絶縁基体１１の軸方向の一直
線上に位置するように不連続の抵抗値修正溝１６を施
し、かつこの抵抗値修正溝１６における絶縁基体１１の
軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝１６の重複長さの
０％〜２０％の範囲に設定したものである。
皮膜抵抗器を提供することを目的とする。 【解決手段】 円柱状の絶縁基体１１の表面に形成され
た抵抗皮膜１２と、前記絶縁基体１１の両端部に取り付
けられ、かつ前記抵抗皮膜１２と電気的に接続されるキ
ャップ状の金属端子１３とを備え、前記抵抗皮膜１２
に、未修正部１６ａが前記絶縁基体１１の軸方向の一直
線上に位置するように不連続の抵抗値修正溝１６を施
し、かつこの抵抗値修正溝１６における絶縁基体１１の
軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝１６の重複長さの
０％〜２０％の範囲に設定したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、抵抗値修正に改良
を加えて、過負荷特性を向上させた皮膜抵抗器に関する
ものである。
を加えて、過負荷特性を向上させた皮膜抵抗器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の皮膜抵抗器は、図９に示すよう
に、円柱状の絶縁基体１の表面に抵抗皮膜２を形成し、
かつ前記絶縁基体１の両端部に、前記抵抗皮膜２と電気
的に接続されるキャップ状の金属端子３を取り付け、そ
してこの金属端子３にはリード線４を接続し、さらに前
記キャップ状の金属端子３間に位置する抵抗皮膜２を少
なくとも覆うように保護皮膜５を設けた構成となってい
た。
に、円柱状の絶縁基体１の表面に抵抗皮膜２を形成し、
かつ前記絶縁基体１の両端部に、前記抵抗皮膜２と電気
的に接続されるキャップ状の金属端子３を取り付け、そ
してこの金属端子３にはリード線４を接続し、さらに前
記キャップ状の金属端子３間に位置する抵抗皮膜２を少
なくとも覆うように保護皮膜５を設けた構成となってい
た。
【０００３】そしてこの皮膜抵抗器においては、図１０
に示すように、抵抗皮膜２に螺旋状の連続した抵抗値修
正溝６を施したり、図１１に示すように絶縁基体１の軸
方向に対して傾斜した直線的な抵抗値修正溝７、すなわ
ちハーフカットを抵抗皮膜２に施すことにより、抵抗値
の修正を行うようにしていた。
に示すように、抵抗皮膜２に螺旋状の連続した抵抗値修
正溝６を施したり、図１１に示すように絶縁基体１の軸
方向に対して傾斜した直線的な抵抗値修正溝７、すなわ
ちハーフカットを抵抗皮膜２に施すことにより、抵抗値
の修正を行うようにしていた。
【０００４】また、不連続の抵抗値修正溝を施した皮膜
抵抗器としては、特開昭５５−１５７２０３号公報に記
載されたものが知られている。すなわち、図１２、図１
３に示すように、抵抗皮膜２に不連続の抵抗値修正溝
８，８ａを施すことにより、抵抗値の修正を行うように
していた。
抵抗器としては、特開昭５５−１５７２０３号公報に記
載されたものが知られている。すなわち、図１２、図１
３に示すように、抵抗皮膜２に不連続の抵抗値修正溝
８，８ａを施すことにより、抵抗値の修正を行うように
していた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記図
１０に示したように、螺旋状の連続した抵抗値修正溝６
を抵抗皮膜２に施した皮膜抵抗器においては、８倍以下
の抵抗値修正倍率を得ようとした場合には、図１４に示
すように螺旋状の抵抗値修正溝６が２回転に満たないた
め、この皮膜抵抗器に通電した場合、電流が図１４の矢
印のようにＡの部分に集中してこのＡの部分が高温にな
り、皮膜抵抗器の過負荷特性を低下させるという問題点
を有していた。
１０に示したように、螺旋状の連続した抵抗値修正溝６
を抵抗皮膜２に施した皮膜抵抗器においては、８倍以下
の抵抗値修正倍率を得ようとした場合には、図１４に示
すように螺旋状の抵抗値修正溝６が２回転に満たないた
め、この皮膜抵抗器に通電した場合、電流が図１４の矢
印のようにＡの部分に集中してこのＡの部分が高温にな
り、皮膜抵抗器の過負荷特性を低下させるという問題点
を有していた。
【０００６】また上記図１１に示したように、絶縁基体
１の軸方向に対して傾斜した直線的な抵抗値修正溝７、
すなわちハーフカットを抵抗皮膜２に施した皮膜抵抗器
においては、抵抗値修正倍率の範囲が１倍〜１．５倍と
狭いため、目標とする抵抗値を得るために使用できる抵
抗値修正前の皮膜抵抗器の抵抗値範囲が狭いという問題
点を有していた。
１の軸方向に対して傾斜した直線的な抵抗値修正溝７、
すなわちハーフカットを抵抗皮膜２に施した皮膜抵抗器
においては、抵抗値修正倍率の範囲が１倍〜１．５倍と
狭いため、目標とする抵抗値を得るために使用できる抵
抗値修正前の皮膜抵抗器の抵抗値範囲が狭いという問題
点を有していた。
【０００７】そしてまた、上記図１２、図１３に示すよ
うな不連続の抵抗値修正溝８，８ａを抵抗皮膜２に施し
た従来の皮膜抵抗器においては、上記図１０に示した螺
旋状の連続した抵抗値修正溝６あるいは図１１に示した
ハーフカットの抵抗値修正溝７では成し得ない、抵抗値
修正倍率の範囲が１．５倍〜８倍で、かつ過負荷特性が
優れている皮膜抵抗器を得ることが可能となる。しかし
ながら、図１２に示す不連続の抵抗値修正溝８において
は、絶縁基体の軸方向に沿って隣り合う抵抗値修正溝８
の間隔が広く、かつ隣り合う抵抗値修正溝８の重複長さ
が短いため、この部分の抵抗値が低くなって矢印のよう
に電流が多く流れ込む。また図１３に示す不連続の抵抗
値修正溝８ａにおいては、未修正部の幅が部分的に狭い
ため、矢印のようにこの狭い部分に多くの電流が流れる
もので、このように比較的大きな電流が多岐に分流され
る不連続の抵抗値修正溝８，８ａの構成では、この種の
皮膜抵抗器を採用した電気機器の電源がオンされた場合
などに発生する図１５に示すような瞬間的に大きな電流
が皮膜抵抗器に流れることを想定した際に、図１６に示
す矩形波状の通電に対する過負荷特性が劣るという問題
点を有していた。
うな不連続の抵抗値修正溝８，８ａを抵抗皮膜２に施し
た従来の皮膜抵抗器においては、上記図１０に示した螺
旋状の連続した抵抗値修正溝６あるいは図１１に示した
ハーフカットの抵抗値修正溝７では成し得ない、抵抗値
修正倍率の範囲が１．５倍〜８倍で、かつ過負荷特性が
優れている皮膜抵抗器を得ることが可能となる。しかし
ながら、図１２に示す不連続の抵抗値修正溝８において
は、絶縁基体の軸方向に沿って隣り合う抵抗値修正溝８
の間隔が広く、かつ隣り合う抵抗値修正溝８の重複長さ
が短いため、この部分の抵抗値が低くなって矢印のよう
に電流が多く流れ込む。また図１３に示す不連続の抵抗
値修正溝８ａにおいては、未修正部の幅が部分的に狭い
ため、矢印のようにこの狭い部分に多くの電流が流れる
もので、このように比較的大きな電流が多岐に分流され
る不連続の抵抗値修正溝８，８ａの構成では、この種の
皮膜抵抗器を採用した電気機器の電源がオンされた場合
などに発生する図１５に示すような瞬間的に大きな電流
が皮膜抵抗器に流れることを想定した際に、図１６に示
す矩形波状の通電に対する過負荷特性が劣るという問題
点を有していた。
【０００８】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、矩形波状の通電に対する過負荷特性の優れた皮膜抵
抗器を提供することを目的とするものである。
で、矩形波状の通電に対する過負荷特性の優れた皮膜抵
抗器を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の皮膜抵抗器は、円柱状の絶縁基体の表面に形
成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付け
られ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ
状の金属端子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子
間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜
とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前記絶縁基体の
軸方向の一直線上に位置するように不連続の抵抗値修正
溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁基体の軸
方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜
２０％の範囲に設定したもので、この構成によれば、矩
形波状の通電に対する過負荷特性の優れた皮膜抵抗器を
得ることができるものである。
に本発明の皮膜抵抗器は、円柱状の絶縁基体の表面に形
成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付け
られ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ
状の金属端子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子
間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜
とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前記絶縁基体の
軸方向の一直線上に位置するように不連続の抵抗値修正
溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁基体の軸
方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜
２０％の範囲に設定したもので、この構成によれば、矩
形波状の通電に対する過負荷特性の優れた皮膜抵抗器を
得ることができるものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵抗皮膜と、
前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮
膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端子と、少な
くとも前記キャップ状の金属端子間に位置する抵抗皮膜
を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮
膜に、未修正部が前記絶縁基体の軸方向の一直線上に位
置するように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵
抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う
抵抗値修正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定し
たもので、この構成によれば、絶縁基体の軸方向に沿っ
て隣り合う抵抗値修正溝の間隔が狭く、かつ隣り合う抵
抗値修正溝の重複長さが長くなるため、この部分の抵抗
値は高くなり、これにより、通電時にこの部分に流れ込
む電流を少なくすることができるため、通電時における
電流は分流されにくくなって未修正部に集中して流れる
ことになり、これにより、矩形波状の通電に対する過負
荷特性を向上させることができるという作用を有するも
のである。
は、円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵抗皮膜と、
前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮
膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端子と、少な
くとも前記キャップ状の金属端子間に位置する抵抗皮膜
を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮
膜に、未修正部が前記絶縁基体の軸方向の一直線上に位
置するように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵
抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う
抵抗値修正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定し
たもので、この構成によれば、絶縁基体の軸方向に沿っ
て隣り合う抵抗値修正溝の間隔が狭く、かつ隣り合う抵
抗値修正溝の重複長さが長くなるため、この部分の抵抗
値は高くなり、これにより、通電時にこの部分に流れ込
む電流を少なくすることができるため、通電時における
電流は分流されにくくなって未修正部に集中して流れる
ことになり、これにより、矩形波状の通電に対する過負
荷特性を向上させることができるという作用を有するも
のである。
【００１１】請求項２に記載の発明は、円柱状の絶縁基
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前
記絶縁基体の軸方向に対して傾斜するように不連続の抵
抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁
基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さ
の０％〜１０％の範囲に設定したもので、この構成によ
れば、未修正部が絶縁基体の軸方向に対して傾斜するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を抵抗皮膜に施しているた
め、未修正部の長さを伸ばすことができ、これにより、
未修正部を一直線上に構成した請求項１に記載の皮膜抵
抗器と同等以上の未修正部幅を確保した上で抵抗値修正
倍率を６倍以上に上げることが可能となり、また抵抗値
修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗
値修正溝の重複長さの０％〜１０％の範囲に設定してい
るため、抵抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔
は請求項１に記載の皮膜抵抗器に比べて狭くなり、これ
により、この部分の抵抗値はさらに高くなるため、通電
時にこの部分に流れ込む電流をさらに少なくすることが
でき、その結果、通電時における電流はさらに分流され
にくくなって未修正部に集中して流れることになるた
め、矩形波状の通電に対する過負荷特性を請求項１に記
載の皮膜抵抗器よりさらに向上させることができるとい
う作用を有するものである。
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前
記絶縁基体の軸方向に対して傾斜するように不連続の抵
抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁
基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さ
の０％〜１０％の範囲に設定したもので、この構成によ
れば、未修正部が絶縁基体の軸方向に対して傾斜するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を抵抗皮膜に施しているた
め、未修正部の長さを伸ばすことができ、これにより、
未修正部を一直線上に構成した請求項１に記載の皮膜抵
抗器と同等以上の未修正部幅を確保した上で抵抗値修正
倍率を６倍以上に上げることが可能となり、また抵抗値
修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗
値修正溝の重複長さの０％〜１０％の範囲に設定してい
るため、抵抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔
は請求項１に記載の皮膜抵抗器に比べて狭くなり、これ
により、この部分の抵抗値はさらに高くなるため、通電
時にこの部分に流れ込む電流をさらに少なくすることが
でき、その結果、通電時における電流はさらに分流され
にくくなって未修正部に集中して流れることになるた
め、矩形波状の通電に対する過負荷特性を請求項１に記
載の皮膜抵抗器よりさらに向上させることができるとい
う作用を有するものである。
【００１２】請求項３に記載の発明は、円柱状の絶縁基
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前
記絶縁基体の軸方向に対して屈曲するように不連続の抵
抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁
基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さ
の０％〜２０％の範囲に設定したもので、この構成によ
れば、未修正部が絶縁基体の軸方向に対して屈曲するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を抵抗皮膜に施しているた
め、従来のように螺旋状の連続した抵抗値修正溝を施す
ことにより未修正部が傾斜してコイル状になっている皮
膜抵抗器や、請求項２に記載した未修正部が傾斜するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を施してなる皮膜抵抗器にお
いて通電時の電流が変化した場合に皮膜抵抗器自体に発
生していた誘導起電力、すなわち自己誘導現象も、屈曲
した未修正部における屈曲した部分の左右で相殺するこ
とができ、これにより、前記自己誘導現象を軽減するこ
とができるという作用を有するものである。
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部が前
記絶縁基体の軸方向に対して屈曲するように不連続の抵
抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁
基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さ
の０％〜２０％の範囲に設定したもので、この構成によ
れば、未修正部が絶縁基体の軸方向に対して屈曲するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を抵抗皮膜に施しているた
め、従来のように螺旋状の連続した抵抗値修正溝を施す
ことにより未修正部が傾斜してコイル状になっている皮
膜抵抗器や、請求項２に記載した未修正部が傾斜するよ
うに不連続の抵抗値修正溝を施してなる皮膜抵抗器にお
いて通電時の電流が変化した場合に皮膜抵抗器自体に発
生していた誘導起電力、すなわち自己誘導現象も、屈曲
した未修正部における屈曲した部分の左右で相殺するこ
とができ、これにより、前記自己誘導現象を軽減するこ
とができるという作用を有するものである。
【００１３】請求項４に記載の発明は、円柱状の絶縁基
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部の太
さが前記絶縁基体の両端部側より中央部側が太くなるよ
うに不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正
溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修
正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定したもの
で、この構成によれば、未修正部の太さが絶縁基体の両
端部側より中央部側が太くなるように不連続の抵抗値修
正溝を抵抗皮膜に施しているため、抵抗値および通電に
よる発熱量が均一である請求項１〜３に記載の皮膜抵抗
器において結果的に発生する絶縁基体の両端部側と中央
部側の温度差は、中央部の未修正部を太くしたことによ
り小さくでき、これにより、通電時における皮膜抵抗器
の表面温度を均一化することができるため、短時間過負
荷特性および断続過負荷特性を向上させることができる
という作用を有するものである。
体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶縁基体の両端
部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電気的に接続さ
れるキャップ状の金属端子と、少なくとも前記キャップ
状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆うように設けら
れた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、未修正部の太
さが前記絶縁基体の両端部側より中央部側が太くなるよ
うに不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修正
溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値修
正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定したもの
で、この構成によれば、未修正部の太さが絶縁基体の両
端部側より中央部側が太くなるように不連続の抵抗値修
正溝を抵抗皮膜に施しているため、抵抗値および通電に
よる発熱量が均一である請求項１〜３に記載の皮膜抵抗
器において結果的に発生する絶縁基体の両端部側と中央
部側の温度差は、中央部の未修正部を太くしたことによ
り小さくでき、これにより、通電時における皮膜抵抗器
の表面温度を均一化することができるため、短時間過負
荷特性および断続過負荷特性を向上させることができる
という作用を有するものである。
【００１４】（実施の形態１）以下、本発明の実施の形
態１における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
態１における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
【００１５】図１は本発明の実施の形態１における皮膜
抵抗器の断面図、図２は同皮膜抵抗器の斜視図、図３は
同皮膜抵抗器における保護皮膜とリード線がない状態の
斜視図である。
抵抗器の断面図、図２は同皮膜抵抗器の斜視図、図３は
同皮膜抵抗器における保護皮膜とリード線がない状態の
斜視図である。
【００１６】図１〜図３において、１１は円柱状の絶縁
基体で、この絶縁基体１１の表面には酸化錫等の導電材
料からなる抵抗皮膜１２を形成している。１３は前記抵
抗皮膜１２と電気的に接続されるキャップ状の金属端子
で、この金属端子１３は前記絶縁基体１１の両端部に取
り付けられている。１４は金属端子１３に接続されたリ
ード線、１５は少なくとも前記キャップ状の金属端子１
３間に位置する抵抗皮膜１２を覆うように設けられた保
護皮膜である。１６は絶縁基体１１の両端部に位置する
金属端子１３間に位置する抵抗皮膜１２の抵抗値を調整
するための不連続の抵抗値修正溝で、この不連続の抵抗
値修正溝１６は未修正部１６ａが絶縁基体１１の軸方向
の一直線上に位置するように抵抗皮膜１２に施されるも
のである。そしてこの抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔は隣り合う抵抗値修正溝１６の重
複長さの０％〜２０％の範囲に設定しているものであ
る。
基体で、この絶縁基体１１の表面には酸化錫等の導電材
料からなる抵抗皮膜１２を形成している。１３は前記抵
抗皮膜１２と電気的に接続されるキャップ状の金属端子
で、この金属端子１３は前記絶縁基体１１の両端部に取
り付けられている。１４は金属端子１３に接続されたリ
ード線、１５は少なくとも前記キャップ状の金属端子１
３間に位置する抵抗皮膜１２を覆うように設けられた保
護皮膜である。１６は絶縁基体１１の両端部に位置する
金属端子１３間に位置する抵抗皮膜１２の抵抗値を調整
するための不連続の抵抗値修正溝で、この不連続の抵抗
値修正溝１６は未修正部１６ａが絶縁基体１１の軸方向
の一直線上に位置するように抵抗皮膜１２に施されるも
のである。そしてこの抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔は隣り合う抵抗値修正溝１６の重
複長さの０％〜２０％の範囲に設定しているものであ
る。
【００１７】上記したように本発明の実施の形態１にお
いては、抵抗皮膜１２に施した不連続の抵抗値修正溝１
６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合う抵抗
値修正溝１６の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定し
ているため、絶縁基体１１の軸方向に沿って隣り合う抵
抗値修正溝１６の間隔は狭く、かつ隣り合う抵抗値修正
溝１６の重複長さは長くなり、これにより、この部分の
抵抗値が高くなって、通電時にこの部分に流れ込む電流
を少なくすることができるため、電流は分流されにくく
なって未修正部１６ａに集中して流れることになり、こ
れにより、矩形波状の通電に対する過負荷特性を向上さ
せることができるものである。
いては、抵抗皮膜１２に施した不連続の抵抗値修正溝１
６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合う抵抗
値修正溝１６の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定し
ているため、絶縁基体１１の軸方向に沿って隣り合う抵
抗値修正溝１６の間隔は狭く、かつ隣り合う抵抗値修正
溝１６の重複長さは長くなり、これにより、この部分の
抵抗値が高くなって、通電時にこの部分に流れ込む電流
を少なくすることができるため、電流は分流されにくく
なって未修正部１６ａに集中して流れることになり、こ
れにより、矩形波状の通電に対する過負荷特性を向上さ
せることができるものである。
【００１８】（表１）は本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性と、従
来の皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性を
比較して示したものである。なお、この（表１）におけ
る限界電力は、個々の皮膜抵抗器に、印加時間／ｍｓの
矩形波状の通電を１０秒間隔で１０００回繰り返した
後、その電力を段階的に上昇させ、皮膜抵抗器の抵抗値
変化率が±５％を越えた時の矩形波状電力を測定したも
のである。
皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性と、従
来の皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性を
比較して示したものである。なお、この（表１）におけ
る限界電力は、個々の皮膜抵抗器に、印加時間／ｍｓの
矩形波状の通電を１０秒間隔で１０００回繰り返した
後、その電力を段階的に上昇させ、皮膜抵抗器の抵抗値
変化率が±５％を越えた時の矩形波状電力を測定したも
のである。
【００１９】また上記矩形波状電力による皮膜抵抗器の
抵抗値変化は、図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６に
おける絶縁基体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗値
修正溝１６の重複長さＬで示す領域へ流れ込む電流が、
その領域の抵抗皮膜断面積に比例した許容電流値を越え
たために発生する抵抗皮膜破壊を示すものである。
抵抗値変化は、図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６に
おける絶縁基体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗値
修正溝１６の重複長さＬで示す領域へ流れ込む電流が、
その領域の抵抗皮膜断面積に比例した許容電流値を越え
たために発生する抵抗皮膜破壊を示すものである。
【００２０】
【表１】
【００２１】（表１）から明らかなように、本発明の実
施の形態１における皮膜抵抗器は、電流の分流、すなわ
ち図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗値修正溝１６の
重複長さＬで示す領域へ流れ込む電流が少なく、電流は
未修正部１６ａに集中して流れるため、矩形波状の通電
に対する過負荷特性の点で従来のハーフカットの皮膜抵
抗器と同等の優れた特性を有している。
施の形態１における皮膜抵抗器は、電流の分流、すなわ
ち図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗値修正溝１６の
重複長さＬで示す領域へ流れ込む電流が少なく、電流は
未修正部１６ａに集中して流れるため、矩形波状の通電
に対する過負荷特性の点で従来のハーフカットの皮膜抵
抗器と同等の優れた特性を有している。
【００２２】（実施の形態２）以下、本発明の実施の形
態２における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
態２における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
【００２３】図５は本発明の実施の形態２における皮膜
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
【００２４】図５に示した本発明の実施の形態２におけ
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｂが絶縁基体１１の軸方向に対して傾斜するよう
に不連続の抵抗値修正溝１６を施し、かつこの抵抗値修
正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合
う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜１０％の範囲に
設定したものである。
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｂが絶縁基体１１の軸方向に対して傾斜するよう
に不連続の抵抗値修正溝１６を施し、かつこの抵抗値修
正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合
う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜１０％の範囲に
設定したものである。
【００２５】上記したように本発明の実施の形態２にお
いては、未修正部１６ｂが絶縁基体１１の軸方向に対し
て傾斜するように不連続の抵抗値修正溝１６を抵抗皮膜
１２に施しているため、未修正部１６ｂの長さを伸ばす
ことができ、これにより、未修正部１６ａを一直線上に
構成した本発明の実施の形態１における皮膜抵抗器と同
等以上の未修正部幅を確保した上で抵抗値修正倍率を６
倍以上に上げることが可能となるものである。
いては、未修正部１６ｂが絶縁基体１１の軸方向に対し
て傾斜するように不連続の抵抗値修正溝１６を抵抗皮膜
１２に施しているため、未修正部１６ｂの長さを伸ばす
ことができ、これにより、未修正部１６ａを一直線上に
構成した本発明の実施の形態１における皮膜抵抗器と同
等以上の未修正部幅を確保した上で抵抗値修正倍率を６
倍以上に上げることが可能となるものである。
【００２６】また抵抗皮膜１２に施した不連続の抵抗値
修正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り
合う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜１０％の範囲
に設定しているため、抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔は、上記した本発明の実施の形態
１における皮膜抵抗器より狭くなり、これにより、この
部分の抵抗値はさらに高くなるため、通電時にこの部分
に流れ込む電流をさらに少なくすることができ、その結
果、電流はさらに分流されにくくなって未修正部１６ｂ
に集中して流れることになるため、矩形波状の通電に対
する過負荷特性を本発明の実施の形態１よりさらに向上
させることができるものである。
修正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り
合う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜１０％の範囲
に設定しているため、抵抗値修正溝１６における絶縁基
体１１の軸方向の間隔は、上記した本発明の実施の形態
１における皮膜抵抗器より狭くなり、これにより、この
部分の抵抗値はさらに高くなるため、通電時にこの部分
に流れ込む電流をさらに少なくすることができ、その結
果、電流はさらに分流されにくくなって未修正部１６ｂ
に集中して流れることになるため、矩形波状の通電に対
する過負荷特性を本発明の実施の形態１よりさらに向上
させることができるものである。
【００２７】図６は本発明の実施の形態１および２にお
ける皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性
（印加電力）と、図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６
における絶縁基体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗
値修正溝１６の重複長さＬの比率Ｗ／Ｌの関係とを、抵
抗値修正倍率６倍と８倍を例にとってグラフ化したもの
である。
ける皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷特性
（印加電力）と、図４に示す不連続の抵抗値修正溝１６
における絶縁基体１１の軸方向の間隔Ｗと隣り合う抵抗
値修正溝１６の重複長さＬの比率Ｗ／Ｌの関係とを、抵
抗値修正倍率６倍と８倍を例にとってグラフ化したもの
である。
【００２８】上記図６に示したグラフにおける印加電力
は、上記（表１）と同様に、個々の皮膜抵抗器に印加時
間／ｍｓの矩形波状の通電を１０秒間隔で１０００回繰
り返した後、その電力を段階的に上昇させ、皮膜抵抗器
の抵抗値変化率が±５％を越えた時の矩形波状電力を測
定したものである。
は、上記（表１）と同様に、個々の皮膜抵抗器に印加時
間／ｍｓの矩形波状の通電を１０秒間隔で１０００回繰
り返した後、その電力を段階的に上昇させ、皮膜抵抗器
の抵抗値変化率が±５％を越えた時の矩形波状電力を測
定したものである。
【００２９】上記図６から明らかなように、Ｗ／Ｌ比が
小さい程、矩形波状の通電に対する過負荷特性（印加電
力）は上昇する傾向にあるもので、すなわち本発明の実
施の形態２における皮膜抵抗器のようにＷ／Ｌ比が０％
〜１０％である皮膜抵抗器は、Ｗ／Ｌ比が１０％〜２０
％の領域で抵抗値修正倍率が６倍〜８倍の皮膜抵抗器に
比べて通電時における電流の分流がさらに少なくなり、
これにより、電流は未修正部に集中して流れるため、矩
形波状の通電に対する過負荷特性をさらに向上させるこ
とができるものである。
小さい程、矩形波状の通電に対する過負荷特性（印加電
力）は上昇する傾向にあるもので、すなわち本発明の実
施の形態２における皮膜抵抗器のようにＷ／Ｌ比が０％
〜１０％である皮膜抵抗器は、Ｗ／Ｌ比が１０％〜２０
％の領域で抵抗値修正倍率が６倍〜８倍の皮膜抵抗器に
比べて通電時における電流の分流がさらに少なくなり、
これにより、電流は未修正部に集中して流れるため、矩
形波状の通電に対する過負荷特性をさらに向上させるこ
とができるものである。
【００３０】（実施の形態３）以下、本発明の実施の形
態３における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
態３における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
【００３１】図７は本発明の実施の形態３における皮膜
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
【００３２】図７に示した本発明の実施の形態３におけ
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｃが絶縁基体１１の軸方向に対して屈曲するよう
に不連続の抵抗値修正溝１６を施し、かつこの抵抗値修
正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合
う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜２０％の範囲に
設定したものである。
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｃが絶縁基体１１の軸方向に対して屈曲するよう
に不連続の抵抗値修正溝１６を施し、かつこの抵抗値修
正溝１６における絶縁基体１１の軸方向の間隔を隣り合
う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜２０％の範囲に
設定したものである。
【００３３】上記したように本発明の実施の形態３にお
いては、未修正部１６ｃが絶縁基体１１の軸方向に対し
て屈曲するように不連続の抵抗値修正溝１６を抵抗皮膜
１２に施しているため、従来のように螺旋状の連続した
抵抗値修正溝を施すことにより未修正部が傾斜してコイ
ル状になっている皮膜抵抗器や、本発明の実施の形態２
のように未修正部１６ｂが傾斜するように不連続の抵抗
値修正溝１６を施している皮膜抵抗器において通電時の
電流が変化した場合に皮膜抵抗器自体に発生していた誘
導起電力、すなわち自己誘導現象も、屈曲した未修正部
１６ｃにおける屈曲した部分の左右で相殺することがで
き、これにより、前記自己誘導現象を軽減することがで
きるという効果を有するものである。
いては、未修正部１６ｃが絶縁基体１１の軸方向に対し
て屈曲するように不連続の抵抗値修正溝１６を抵抗皮膜
１２に施しているため、従来のように螺旋状の連続した
抵抗値修正溝を施すことにより未修正部が傾斜してコイ
ル状になっている皮膜抵抗器や、本発明の実施の形態２
のように未修正部１６ｂが傾斜するように不連続の抵抗
値修正溝１６を施している皮膜抵抗器において通電時の
電流が変化した場合に皮膜抵抗器自体に発生していた誘
導起電力、すなわち自己誘導現象も、屈曲した未修正部
１６ｃにおける屈曲した部分の左右で相殺することがで
き、これにより、前記自己誘導現象を軽減することがで
きるという効果を有するものである。
【００３４】（実施の形態４）以下、本発明の実施の形
態４における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
態４における皮膜抵抗器について、図面を参照しながら
説明する。
【００３５】図８は本発明の実施の形態４における皮膜
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図を示し
たもので、図３に示した本発明の実施の形態１における
皮膜抵抗器と同一部品については同一番号を付し、その
説明は省略する。
【００３６】図８に示した本発明の実施の形態４におけ
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｄの太さが絶縁基体１１の両端部側より中央部側
が太くなるように不連続の抵抗値修正溝１６を施し、か
つこの抵抗値修正溝１６における絶縁基体１１の軸方向
の間隔を隣り合う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜
２０％の範囲に設定したものである。
る皮膜抵抗器が図３に示した本発明の実施の形態１にお
ける皮膜抵抗器と異なる点は、抵抗皮膜１２に、未修正
部１６ｄの太さが絶縁基体１１の両端部側より中央部側
が太くなるように不連続の抵抗値修正溝１６を施し、か
つこの抵抗値修正溝１６における絶縁基体１１の軸方向
の間隔を隣り合う抵抗値修正溝１６の重複長さの０％〜
２０％の範囲に設定したものである。
【００３７】上記したように本発明の実施の形態４にお
いては、未修正部１６ｄの太さが絶縁基体１１の両端部
側より中央部側が太くなるように不連続の抵抗値修正溝
１６を抵抗皮膜１２に施しているため、上記した本発明
の実施の形態１〜３のように抵抗値および通電による発
熱量が均一である皮膜抵抗器において結果的に発生する
絶縁基体１１の両端部側と中央部側の温度差は、中央部
側の未修正部１６ｄを太くしたことにより小さくでき、
これにより、通電時における皮膜抵抗器の表面温度を均
一化することができるため、短時間過負荷特性および断
続過負荷特性を向上させることができるという効果を有
するものである。
いては、未修正部１６ｄの太さが絶縁基体１１の両端部
側より中央部側が太くなるように不連続の抵抗値修正溝
１６を抵抗皮膜１２に施しているため、上記した本発明
の実施の形態１〜３のように抵抗値および通電による発
熱量が均一である皮膜抵抗器において結果的に発生する
絶縁基体１１の両端部側と中央部側の温度差は、中央部
側の未修正部１６ｄを太くしたことにより小さくでき、
これにより、通電時における皮膜抵抗器の表面温度を均
一化することができるため、短時間過負荷特性および断
続過負荷特性を向上させることができるという効果を有
するものである。
【００３８】
【発明の効果】以上のように本発明の皮膜抵抗器は、円
柱状の絶縁基体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶
縁基体の両端部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電
気的に接続されるキャップ状の金属端子と、少なくとも
前記キャップ状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆う
ように設けられた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、
未修正部が前記絶縁基体の軸方向の一直線上に位置する
ように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修
正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値
修正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定したもの
で、この構成によれば、絶縁基体の軸方向に沿って隣り
合う抵抗値修正溝の間隔が狭く、かつ隣り合う抵抗値修
正溝の重複長さが長くなるため、この部分の抵抗値は高
くなり、これにより、通電時にこの部分に流れ込む電流
を少なくすることができるため、通電時における電流は
分流されにくくなって未修正部に集中して流れることに
なり、これにより、矩形波状の通電に対する過負荷特性
を向上させることができるという効果を有するものであ
る。
柱状の絶縁基体の表面に形成された抵抗皮膜と、前記絶
縁基体の両端部に取り付けられ、かつ前記抵抗皮膜と電
気的に接続されるキャップ状の金属端子と、少なくとも
前記キャップ状の金属端子間に位置する抵抗皮膜を覆う
ように設けられた保護皮膜とを備え、前記抵抗皮膜に、
未修正部が前記絶縁基体の軸方向の一直線上に位置する
ように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつこの抵抗値修
正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣り合う抵抗値
修正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に設定したもの
で、この構成によれば、絶縁基体の軸方向に沿って隣り
合う抵抗値修正溝の間隔が狭く、かつ隣り合う抵抗値修
正溝の重複長さが長くなるため、この部分の抵抗値は高
くなり、これにより、通電時にこの部分に流れ込む電流
を少なくすることができるため、通電時における電流は
分流されにくくなって未修正部に集中して流れることに
なり、これにより、矩形波状の通電に対する過負荷特性
を向上させることができるという効果を有するものであ
る。
【図１】本発明の実施の形態１における皮膜抵抗器の断
面図
面図
【図２】同皮膜抵抗器の斜視図
【図３】同皮膜抵抗器における保護皮膜とリード線がな
い状態の斜視図
い状態の斜視図
【図４】同皮膜抵抗器における不連続の抵抗値修正溝の
間隔と隣り合う抵抗値修正溝の重複長さを表わす平面図
間隔と隣り合う抵抗値修正溝の重複長さを表わす平面図
【図５】本発明の実施の形態２における皮膜抵抗器の保
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図６】同皮膜抵抗器の矩形波状の通電に対する過負荷
特性（印加電力）と、不連続の抵抗値修正溝の間隔Ｗと
隣り合う抵抗値修正溝の重複長さＬの比率Ｗ／Ｌの関係
を示すグラフ
特性（印加電力）と、不連続の抵抗値修正溝の間隔Ｗと
隣り合う抵抗値修正溝の重複長さＬの比率Ｗ／Ｌの関係
を示すグラフ
【図７】本発明の実施の形態３における皮膜抵抗器の保
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図８】本発明の実施の形態４における皮膜抵抗器の保
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図９】従来の皮膜抵抗器の断面図
【図１０】螺旋状の抵抗値修正溝を施した従来の皮膜抵
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図１１】ハーフカットの抵抗値修正溝を施した従来の
皮膜抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
皮膜抵抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図１２】不連続の抵抗値修正溝を施した従来の皮膜抵
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図１３】不連続の抵抗値修正溝を施した従来の皮膜抵
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
抗器の保護皮膜とリード線がない状態の斜視図
【図１４】抵抗値修正倍率が８倍以下の螺旋状の抵抗値
修正溝を施した従来の皮膜抵抗器の保護皮膜とリード線
がない状態の斜視図
修正溝を施した従来の皮膜抵抗器の保護皮膜とリード線
がない状態の斜視図
【図１５】瞬間的に大きな電流が流れる状態を示す電力
波形図
波形図
【図１６】矩形波状の通電に対する電力波形図
１１ 絶縁基体 １２ 抵抗皮膜 １３ キャップ状の金属端子 １５ 保護皮膜 １６ 不連続の抵抗値修正溝 １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ 未修正部 Ｗ 抵抗値修正溝の間隔 Ｌ 抵抗値修正溝の重複長さ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仙田 謙治 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5E032 BA03 BB01 CA13 TA15 5E033 BB03 BC01 BD01 BF01 BG05 BH04
Claims (4)
- 【請求項１】 円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵
抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ
前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端
子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子間に位置す
る抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、
前記抵抗皮膜に、未修正部が前記絶縁基体の軸方向の一
直線上に位置するように不連続の抵抗値修正溝を施し、
かつこの抵抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔
を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜２０％の範
囲に設定した皮膜抵抗器。 - 【請求項２】 円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵
抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ
前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端
子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子間に位置す
る抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、
前記抵抗皮膜に、未修正部が前記絶縁基体の軸方向に対
して傾斜するように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつ
この抵抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣
り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜１０％の範囲に
設定した皮膜抵抗器。 - 【請求項３】 円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵
抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ
前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端
子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子間に位置す
る抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、
前記抵抗皮膜に、未修正部が前記絶縁基体の軸方向に対
して屈曲するように不連続の抵抗値修正溝を施し、かつ
この抵抗値修正溝における絶縁基体の軸方向の間隔を隣
り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜２０％の範囲に
設定した皮膜抵抗器。 - 【請求項４】 円柱状の絶縁基体の表面に形成された抵
抗皮膜と、前記絶縁基体の両端部に取り付けられ、かつ
前記抵抗皮膜と電気的に接続されるキャップ状の金属端
子と、少なくとも前記キャップ状の金属端子間に位置す
る抵抗皮膜を覆うように設けられた保護皮膜とを備え、
前記抵抗皮膜に、未修正部の太さが前記絶縁基体の両端
部側より中央部側が太くなるように不連続の抵抗値修正
溝を施し、かつこの抵抗値修正溝における絶縁基体の軸
方向の間隔を隣り合う抵抗値修正溝の重複長さの０％〜
２０％の範囲に設定した皮膜抵抗器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000103043A JP2001291602A (ja) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | 皮膜抵抗器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000103043A JP2001291602A (ja) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | 皮膜抵抗器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291602A true JP2001291602A (ja) | 2001-10-19 |
Family
ID=18616811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000103043A Pending JP2001291602A (ja) | 2000-04-05 | 2000-04-05 | 皮膜抵抗器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001291602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7974359B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-07-05 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for mitigating multi-antenna correlation effect in communication systems |
-
2000
- 2000-04-05 JP JP2000103043A patent/JP2001291602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7974359B2 (en) | 2004-12-22 | 2011-07-05 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus for mitigating multi-antenna correlation effect in communication systems |
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