JP2001290144A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2001290144A
JP2001290144A JP2000101934A JP2000101934A JP2001290144A JP 2001290144 A JP2001290144 A JP 2001290144A JP 2000101934 A JP2000101934 A JP 2000101934A JP 2000101934 A JP2000101934 A JP 2000101934A JP 2001290144 A JP2001290144 A JP 2001290144A
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crystal display
display device
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signal line
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JP2000101934A
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English (en)
Inventor
Hirofumi Yamakita
裕文 山北
Katsuhiko Kumakawa
克彦 熊川
Akinori Shioda
昭教 塩田
Hisahide Wakita
尚英 脇田
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 バックライトからの光が電極部で入反射を繰
り返して損失するため、光利用効率が悪く高輝度化の妨
げとなっていた。 【解決手段】 開口部以外の部分、例えば前記共通電
極、画素電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイ
ッチ素子の一部あるいは全部と同一パターンで光拡散層
を設けることによって、バックライトから出射された光
を拡散させパネル内部に入射させることにより光透過率
を向上することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関
し、広視野角かつ高輝度の液晶表示装置に関するもので
ある。
【0002】
【従来の技術】以下、図面を参照しながら、上記した液
晶表示装置の一例について説明する。
【0003】(図1)は特開平8−286211号公報
に示す液晶表示装置の画素部の構成を示す断面図であ
る。
【0004】従来、横電界印加方式(IPS)を用いた
表示方式では、縦電界印加方式(TN)に比べれば非常
に広視野角が実現できるものの、画素電極と対向電極が
アレイ基板に同時に形成されるため、入射光が両電極で
遮られ、したがって画面が全体的に暗くなる、という問
題があった。
【0005】この課題に対して、特開平8−28621
1号公報の液晶表示装置では、(図1)に示すように、
画素電極104及び対向電極105の断面形状をいずれ
もV字形状とした構成である。
【0006】これらの構成によれば、画素電極及び対向
電極への入射光の少なくとも一部を、反射により画素電
極−対向電極間の開口部に集光できるため、液晶パネル
を透過する実質的光量を増加でき、光透過率を向上させ
ることができるので、高輝度の液晶表示装置を得ること
ができる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような液晶表示装置の場合、以下のような課題が残され
ていた。
【0008】(1)光透過率を向上させるために、画素
電極及び対向電極の断面形状をいずれもV字形状あるい
は逆V字形状するのは、複雑な製造プロセスを伴うた
め、歩留まりの低下を招く恐れがある。
【0009】(2)従来の電極形状と異なれば電界分布
特性が変わるため、T−V特性(透過率−駆動電圧特
性)などパネルの光学特性が従来構成の液晶パネルと変
わってしまう。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本願の液晶表示装置は、 (1)共通電極、画素電極、走査信号線、映像信号線及
び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、対向基
板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟持され
た液晶層とからなり、前記アレイ基板及び前記対向基板
の少なくとも開口部以外の部分に光拡散手段を設けた構
成とした。
【0011】(2)画素電極、走査信号線、映像信号線
及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通
電極を形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層とからなり、前記アレイ
基板及び前記対向基板の少なくとも開口部以外の部分に
光拡散手段を設けた構成とした。
【0012】(3)画素電極、走査信号線、映像信号線
及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通
電極を形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向
基板との間に挟持された液晶層とからなり、前記液晶層
の配向を制御する配向制御部材を前記アレイ基板及び前
記対向基板の一方あるいは両方に設けた液晶表示装置で
あって、前記アレイ基板及び前記対向基板の少なくとも
開口部以外の部分に光拡散手段を設けた構成とした。
【0013】(4)光拡散手段は、前記共通電極、画素
電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子
の一部あるいは全部と同一パターンで形成された構成と
した。
【0014】(5)共通電極、画素電極、走査信号線、
映像信号線及び半導体スイッチ素子の一部あるいは全部
が光拡散部材で形成された構成とした。
【0015】(6)アレイ基板に設けた光拡散手段上に
共通電極及び画素電極の一方あるいは両方を形成した構
成とした。
【0016】(7)光拡散手段は、異なる光学特性を有
する複数の層からなる構成とした。
【0017】(8)光拡散手段は、異なる屈折率を有す
る複数の層からなる構成とした。
【0018】(9)共通電極及び画素電極のうち、少な
くともその一部が透明導電体からなる構成とした。
【0019】(10)共通電極及び画素電極の各々の線
幅と、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙は、少
なくともその一方が、前記アレイ基板と前記対向基板と
の間の間隙と略同じか、もしくは小さい構成とした。
【0020】(11)共通電極の一部と映像信号線は、
基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成パタ
ーンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して積層
された積層型共通電極と積層型映像信号線である構成と
した。
【0021】(12)遮光層をアレイ基板に設けた構成
とした。
【0022】(13)光拡散手段は、感光性樹脂材料か
らなる構成とした。
【0023】(14)光拡散手段は、共通電極、画素電
極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子を
形成する過程で使用するいずれかの保護膜からなる構成
とした。
【0024】(15)光拡散手段は、配向制御部材と同
一材料からなる構成とした。
【0025】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。
【0026】(実施の形態1)本発明の第1の実施例に
ついて図面を参照しながら説明する。
【0027】図2(a)は本発明の第1の実施例におけ
る液晶表示装置の構成を示す断面図、図2(b)は第1
の実施例における液晶表示装置の構成を示す平面図であ
る。図3は本発明の第1の実施例における液晶表示装置
の画素部近傍の断面拡大図である。
【0028】図2において、1Aはアレイ基板、1Bは
対向基板、2は液晶、3は共通電極、4は画素電極、5
は画素電極4と接続され映像信号を与える映像信号線、
6は走査信号線、7は半導体スイッチ素子、8aは赤色
カラーフィルター材料、8bは緑色カラーフィルター材
料、8cは青色カラーフィルター材料、9Aはアレイ基
板1Aの内面に形成した配向膜、9Bは対向基板1Bの
内面に形成した配向膜、10はブラックマトリックス、
11は光拡散層である。
【0029】以下、図2及び図3を用いてその動作につ
いて述べる。
【0030】まず、図2(a)に示すように、アレイ基
板1A上にAl等からなる導電膜でパターニングされた
走査信号線6を形成し、絶縁膜を形成した後、a−Si
等からなる半導体スイッチ素子7、また、Al等からな
る導電膜でパターニングされた映像信号線5を形成す
る。
【0031】つぎに、光拡散層11を共通電極3、画素
電極4、映像信号線5、走査信号線6、及び半導体スイ
ッチ素子7の配線パターン、すなわち、非開口部と重畳
するようなパターンで形成しておく。光拡散層11は、
例えばアクリル系感光樹脂材料にTiO2等の微粒子粉
末等を混合させ形成する。さらに、光拡散層11の上に
共通電極3及び画素電極4をAl等からなる導電膜で櫛
形にパターン形成する。ただし、共通電極3及び画素電
極4をITO等の透明電極で形成する場合は、光拡散層
11を設ける必要はない。
【0032】ここで、共通電極3の一部と映像信号線5
は、アレイ基板1Aに直交する方向から見た場合に、各
々の形成パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層
を介して積層された積層型共通電極と積層型映像信号線
であってもよい。このような構成にすれば、映像信号線
5に最も近い側の画素電極4との間にも電界を発生する
ことができる。したがって、従来、ブラックマトリッス
11で覆っていた部分も光を透過するようになり、実質
開口率が向上するので、より高輝度のパネルを得ること
ができる。
【0033】透明基板1A、1Bには、液晶2の分子の
配列を整列させるためにポリイミド等からなる配向膜9
A、9Bを形成する。透明基板1Bは透明基板1Aに対
向して設け、赤色カラーフィルター材料8a、緑色カラ
ーフィルター材料8b、青色カラーフィルター材料8
c、及びブラックマトリックス10が所定のパターンに
形成されている。
【0034】このように作製された透明基板1A、1B
は、各々所定の方向に初期配向方位を形成し、周辺部を
シール剤で接着した後、液晶2を注入し封止する。
【0035】半導体スイッチ素子7は映像信号線5及び
走査信号線6から入力される駆動信号によってオン、オ
フ制御される。そして、半導体スイッチ素子7と接続さ
れた画素電極4と、共通電極3との間に印加された電圧
によって電界を発生させ、液晶2の配向を変化させて各
画素の輝度を制御し、画像を表示する。
【0036】一般に横電界印加方式(IPS)を用いた
表示方式では、縦電界印加方式(TN)に比べれば非常
に広視野角が実現できるものの、共通電極と画素電極が
アレイ側基板に同時に形成されるため、開口率が30〜
40%と低く、したがって画面が全体的に暗くなる、と
いう問題があった。
【0037】従来の構成では、バックライトから出射し
た光の一部はアレイ基板1Aを透過した後、共通電極3
あるいは画素電極4で反射され、バックライトあるいは
アレイ基板1A内で繰り返し反射することにより大きく
光量を損失していた。
【0038】そこで本発明では、図3に示すようにアレ
イ基板1Aに光拡散層11を設け、バックライトから出
射された光を拡散させパネル内部に入射させる構成とし
た。
【0039】図3において、実線で示した矢印が、バッ
クライトから出射した光が光拡散層11で拡散されパネ
ル内部に入射する様子を示した光線追跡図である。破線
で示した矢印は、光拡散層11がない従来構成の場合
で、バックライトから出射した光が共通電極3及び画素
電極4で反射される様子を示した光線追跡図である。
【0040】本実施例では、マスクパターンにより各電
極の配線パターンに対応した光拡散層を形成できるよう
にするために、光拡散層11の構成材料としてアクリル
系感光樹脂材料を用いた。
【0041】バックライトから出射された光はTiO2
微粒子に衝突して拡散され、その一部はパネル内部に入
射することになるので光透過率を向上することができ
る。パネル内部に入射する光量をより大きくするため、
光拡散層11は光学特性の異なる複数の層、例えば屈折
率の異なる複数の層、あるいはTiO2微粒子の添加量
が異なる複数の層で形成してもよい。
【0042】さらに、(電極間隙l、電極幅w>セルギ
ャップd)の場合、横電界のみが発生するが、(電極間
隙l、電極幅w<セルギャップd)では横方向の電界の
みならず電極の周辺電界による縦方向の電界も発生す
る。例えば、電極間隙l=4μm、電極幅w=4μm、
セルギャップd=4μm、の場合、電極上の電界強度が
大きくなって液晶も変調可能になるので、電極に透明導
電体を使用すれば高透過率となる。
【0043】なお、本実施例では、光拡散層11にアク
リル系感光樹脂材料を使った場合の例について説明した
が、アレイの製造プロセスで保護膜として使用される窒
化シリコン、酸化タンタル、酸化シリコン、弗化マグネ
シウム等を用いてもかまわない。
【0044】また、ブラックマトリックス10は対向基
板1B側に設けた構成で説明したが、アレイ基板1A側
に設けた構成の方がアレイ基板1Aと対向基板1Bとの
位置ずれによる開口部損失を低減できるので、より高輝
度のパネルを得ることができる。
【0045】(実施の形態2)次に、本発明の第2の実
施例について図面を参照しながら説明する。
【0046】図4は本発明の第2の実施例における液晶
表示装置の構成を示す画素部近傍の拡大断面図である。
【0047】本実施例は(実施の形態1)の場合と異な
り、TNモードでの実施例である。
【0048】本実施例では、共通電極3は対向基板1B
側に設け、画素電極4は画素毎に対応するような形でア
レイ基板1A側に設ける。また、画素電極4は半導体ス
イッチ素子7と接続され、映像信号線5及び走査信号線
6から入力される駆動信号によってオン、オフ制御され
る。そして、対向基板1Bに設けた共通電極3との間に
印加された電圧によって縦電界を発生させ、液晶2の配
向を変化させて各画素の輝度を制御し、画像を表示す
る。
【0049】本実施例の場合、共通電極3及び画素電極
4を形成した部分はITO等の透明導電体で形成するの
で開口部となる。したがって、光拡散層11の構成や製
造方法は(実施の形態1)と同様のものでよいが、光拡
散層11を設ける部分としては、それ以外の非開口部、
すなわち、映像信号線5、走査信号線6、及び半導体ス
イッチ素子7の配線パターンと重畳するような部分に形
成しておく。
【0050】このような構成により、バックライトから
出射された光を拡散させ、パネル内部に入射させること
により光透過率を向上することができる。
【0051】(実施の形態3)次に、本発明の第3の実
施例について図面を参照しながら説明する。
【0052】図5は本発明の第3の実施例における液晶
表示装置の構成を示す画素部近傍の拡大断面図である。
【0053】本実施例は(実施の形態1)あるいは(実
施の形態2)の場合と異なり、垂直配向を用いたVAモ
ードでの実施例である。
【0054】図5において12は液晶層2の配向を制御
する配向制御部材であり、画素内で異なる配向方向をも
つ領域に分割することにより広視野角にすることができ
る。液晶層2にはネガ型の液晶材料を用い、配向膜9
A、9Bは垂直配向が得られるものを使用する。
【0055】配向制御部材12は、(実施の形態1)で
説明したような光拡散層11を形成する方法と同じよう
に、例えばアクリル系感光性樹脂材料を用いフォトリソ
で所定の形状にパターニングすることによって形成する
ことができる。
【0056】光拡散層11の構成や製造方法は(実施の
形態1)あるいは(実施の形態2)と同様のものでよ
く、同様に光利用効率を従来以上に向上することができ
る。
【0057】したがって、配向制御部材12と、光拡散
層11を同じ材料、同じ製造工程で形成すれば、工程数
を増すことなく、光利用効率が高く、高輝度かつ広視野
角の液晶表示装置を得ることができる。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように本発明による液晶表
示装置は、光拡散層によってバックライトから出射され
た光を拡散させパネル内部に入射させることにより光透
過率を向上することができる。
【0059】また、アレイプロセスを利用して光拡散層
を形成するので、製造プロセスが大幅に増加することな
く、また外部からのダスト付着で不良が発生することも
ない。
【0060】したがって、画質の優れた液晶表示装置を
得ることができるので工業的価値は極めて大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の液晶表示装置の構成を示す平面図
【図2】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
構成を示す図
【図3】本発明の第1の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図
【図4】本発明の第2の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図
【図5】本発明の第3の実施例における液晶表示装置の
画素部近傍の拡大断面図
【符号の説明】
1A アレイ基板 1B 対向基板 2 液晶 3 共通電極 4 画素電極 5 映像信号線 6 走査信号線 7 半導体スイッチ素子 8a 赤色カラーフィルター材料 8b 緑色カラーフィルター材料 8c 青色カラーフィルター材料 9A 配向層 9B 配向膜 10 ブラックマトリックス 11 光拡散層 12 配向制御部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 脇田 尚英 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA31Y FB04 FB13 FC02 FC10 FC26 FD04 FD12 GA13 HA18 LA03 LA18 2H092 JA26 JA38 JB13 JB23 JB32 JB51 KA05 KA07 KA16 KA18 KB21 NA17 NA25 NA27 PA09 QA06 QA18 5C094 AA10 BA03 BA43 CA19 EA04 EA07 EB05 ED13

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】共通電極、画素電極、走査信号線、映像信
    号線及び半導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、
    対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に挟
    持された液晶層とからなり、前記アレイ基板及び前記対
    向基板の少なくとも開口部以外の部分に光拡散手段を設
    けたことを特徴とする液晶表示装置。
  2. 【請求項2】画素電極、走査信号線、映像信号線及び半
    導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通電極を
    形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
    の間に挟持された液晶層とからなり、前記アレイ基板及
    び前記対向基板の少なくとも開口部以外の部分に光拡散
    手段を設けたことを特徴とする液晶表示装置。
  3. 【請求項3】画素電極、走査信号線、映像信号線及び半
    導体スイッチ素子を形成したアレイ基板と、共通電極を
    形成した対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板と
    の間に挟持された液晶層とからなり、前記液晶層の配向
    を制御する配向制御部材を前記アレイ基板及び前記対向
    基板の一方あるいは両方に設けた液晶表示装置であっ
    て、前記アレイ基板及び前記対向基板の少なくとも開口
    部以外の部分に光拡散手段を設けたことを特徴とする液
    晶表示装置。
  4. 【請求項4】前記光拡散手段は、前記共通電極、画素電
    極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子の
    一部あるいは全部と同一パターンで形成されたことを特
    徴とする請求項1から3いずれかに記載の液晶表示装
    置。
  5. 【請求項5】前記共通電極、画素電極、走査信号線、映
    像信号線及び半導体スイッチ素子の一部あるいは全部が
    光拡散部材で形成されたことを特徴とする請求項1から
    3いずれかに記載の液晶表示装置。
  6. 【請求項6】前記アレイ基板に設けた光拡散手段上に前
    記共通電極及び前記画素電極の一方あるいは両方を形成
    したことを特徴とする請求項1から3いずれかに記載の
    液晶表示装置。
  7. 【請求項7】前記光拡散手段は、異なる光学特性を有す
    る複数の層から構成されたことを特徴とする請求項1か
    ら3いずれかに記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】前記光拡散手段は、異なる屈折率を有する
    複数の層から構成されたことを特徴とする請求項6記載
    の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】前記共通電極及び画素電極のうち、少なく
    もその一部が透明導電体からなることを特徴とする請求
    項1記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】前記共通電極及び前記画素電極の各々の
    線幅と、前記共通電極と前記画素電極との間の間隙は、
    少なくともその一方が、前記アレイ基板と前記対向基板
    との間の間隙と略同じか、もしくは小さいことを特徴と
    する請求項1記載の液晶表示装置。
  11. 【請求項11】前記共通電極の一部と前記映像信号線
    は、基板面に直交する方向から見た場合に、各々の形成
    パターンの位置が相互に重なり合うよう絶縁層を介して
    積層された積層型共通電極と積層型映像信号線であるこ
    とを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  12. 【請求項12】遮光層を前記アレイ基板に設けたことを
    特徴とする請求項1から3いずれかに記載の液晶表示装
    置。
  13. 【請求項13】前記光拡散手段は、感光性樹脂材料から
    なること特徴とする請求項1から3いずれかに記載の液
    晶表示装置。
  14. 【請求項14】前記光拡散手段は、前記共通電極、画素
    電極、走査信号線、映像信号線及び半導体スイッチ素子
    を形成する過程で使用するいずれかの保護膜からなるこ
    とを特徴とする請求項1から3いずれかに記載の液晶表
    示装置。
  15. 【請求項15】前記光拡散手段は、前記配向制御部材と
    同一材料で形成したことを特徴とする請求項3記載の液
    晶表示装置。
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