JP2001284972A - 高周波信号増幅装置、携帯電話機 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】消費電力を切り換えを、外部回路からの簡単な
制御により行なう高周波信号増幅器及び携帯電話機を提
供する。 【解決手段】外部回路によりスイッチ１７はオン、オフ
する。スイッチ１７がオフ（制御端子Ictが開放）の場
合、トランジスタＱ２のゲートに印加されるバイアス電
圧が２段階のうち低い方になる。その結果、トランジス
タＱ２のドレインのバイアス電流は少なくなり、トラン
ジスタＱ２のドレインのバイアス電流も少なくなる。ス
イッチ１７がオン（制御端子Ictが接地の場合）、抵抗
Ｒ５は抵抗Ｒ４と並列に接続され、トランジスタＱ２の
ゲートに印加されるバイアス電圧が２段階のうち高い方
になる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話等におい
てマイクロ波帯等の高周波信号の増幅に使用される高周
波信号増幅器及びそれを用いた携帯電話機に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、携帯電話機の普及に連れて小型
化、軽量化とともに低消費電力化が進んでいる。

【０００３】携帯電話機における低消費化は、待ち受け
受信時だけでなく、電力消費が大きい送信時においても
図られている。

【０００４】図７は、従来の携帯電話機における主要部
の構成を示すブロック図である。

【０００５】同図において、高周波信号増幅器７１は、
入力端子Pinからの高周波信号を送信レベルまで増幅し
て出力端子Poutから方向性結合器７４を介してアンテナ
から送信する。その際、高周波信号増幅器７１は、高精
度電圧制御回路７２から入力される制御電圧Vggに応じ
て消費電流を２段階に切り換えられるよう構成されてい
る。

【０００６】すなわち、高周波信号増幅器７１の送信出
力の一部分は方向性結合器７４により抜き出される。抜
き出された信号は、検波回路７５によって交流信号から
直流信号に変換され、さらにＡ／Ｄコンバータ７６によ
りディジタルデータに変換される、制御部７３に入力さ
れる。制御部７３は、ディジタルデータが示す送信出力
レベルに応じて高精度電圧制御回路７２に２種類の制御
電圧Vgg生成させる制御を行なう。この制御は、制御部
７３はＰＷＭ(Pulse Width Modulation)信号を高精度電
圧制御回路７２に出力し、そのパルス幅を制御すること
による。

【０００７】図８は、単体の部品として利用されている
代表的な高周波信号増幅器７１の構成を示す回路図であ
る。同図においてＱ１、Ｑ２は電力増幅を行う高周波ト
ランジスタである。ＭＮ１〜ＭＮ３はそれぞれ入力・段
間・出力の整合回路（マッチング・ネットワーク）であ
る。Ｌ１、Ｌ２はそれぞれＱ１、Ｑ２のドレインにバイ
アス電流を供給するためのバイアス回路のインダクタで
ある。

【０００８】Ｒ１、Ｒ２は、高精度電圧制御回路７２か
ら供給されるVggを分圧し、その分圧値をＱ１のゲート
にバイアス電圧として印加する。このバイアス電圧によ
りＱ１のドレインのバイアス電流（消費電力）が増減す
る。

【０００９】Ｒ３、Ｒ４は、Ｒ１、Ｒ２と同様であるの
で説明を省略する。

【００１０】また、Pinは高周波信号入力端子、Poutは
増幅された高周波信号の出力端子、Vd1、Vd2は電源端子
であり、例えば共に３．６Ｖが供給される。Vggは、Ｑ
１、Ｑ２のゲートバイアス電圧を制御するための制御電
圧が入力される端子（又は電圧）である。Ｑ１、Ｑ２が
ＭＥＳＦＥＴ（metal semiconductor FET）等の場合
は、Vggは負電圧である。例えば、制御電圧Vggは−２．
５Ｖ、−２．６Ｖなどである。

【００１１】図９は、送信出力と制御電圧Vggとを示す
タイムチャートである。同図において、Ａ／Ｄコンバー
タ７６から出力されるディジタルデータは、高周波信号
増幅器７１の送信出力レベルを示している。同図では、
高出力、低出力、高出力と順次切り換えられた場合を示
している。この切換えは、制御部７３により制御されて
いる。

【００１２】制御電圧Vggは、送信出力が高出力から低
出力に変化したときに−２．５Ｖから−２．６Ｖに変更
され、低出力から高出力に変化したときに−２．６Ｖか
ら−２．５Ｖに変更される。これにより、Ｑ１、Ｑ２の
ゲートバイアス電圧が切り換えてられ、その結果、低出
力時にはドレインのバイアス電流を低く押さえることが
でき消費電流を低減している。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
技術における高周波信号増幅器７１によれば、制御電圧
Vggの電圧値には高い精度（＋／−２０ｍＶ程度）が要
求されるため、高精度の制御電圧Vggを切り換える必要
があり、高精度電圧制御回路７２のコストが高く、制御
部７３の処理負荷が重いという問題がある。

【００１４】具体的には、高精度電圧制御回路７２は制
御部７３から供給されるＰＷＭ信号を平滑化する回路で
あり、制御部７３は２種類のＰＷＭ信号を生成するＣＰ
Ｕで構成される。高精度電圧制御回路７２は受動回路で
あるが精度の高い部品を使用することのコストと、製造
時の調整コストとが高い。また、制御部７３は精度良く
ＰＷＭ信号を高精度電圧制御回路７２に供給し続ける必
要があるため、処理負荷が大きい。

【００１５】本発明は、消費電力の切り換えを、高精度
の制御電圧を必要とせず、外部回路からの簡単な制御に
より実現する高周波信号増幅器及び携帯電話機を提供す
ることを目的とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
本発明の高周波信号増幅回路は増幅回路を１つの部品内
に２つ以上備え、それらの増幅回路により段階的に高周
波信号を増幅する高周波信号増幅装置であって、増幅回
路の各々は、前記部品の入力端子から入力された高周波
信号又は前段の増幅回路から入力された高周波信号を増
幅するトランジスタと、固定電位の電源ラインと接地ラ
イン間の電圧を分圧し、その分圧値をバイアス電圧とし
てトランジスタの高周波信号入力端子に印加する分圧回
路とを備える。ここで、少なくとも最終段の増幅回路
は、その内部のトランジスタの高周波信号入力端子と部
品の入力端子として設けられた制御端子とを接続するイ
ンピーダンス素子を備え、前記制御端子が外部回路によ
って開放された場合と接地ラインに接続された場合と
で、少なくとも最終段におけるトランジスタのバイアス
電流が増減する。

【００１７】また、前記高周波回路において最終段の前
段の増幅回路は、前記制御端子とを接続する第２インピ
ーダンス素子を備えるようにしてもよい。

【００１８】また、高周波回路において最終段の前段の
増幅回路は、その内部のトランジスタの高周波信号入力
端子と、入力端子として設けられた第２制御端子とを接
続する第２インピーダンス素子を備えてもよい。

【００１９】本発明の携帯電話機は、送信出力レベルを
制御する携帯電話機であって、上記の高周波信号増幅装
置と、前記制御端子と接地ラインとの間に接続されたス
イッチ素子と、最終段のトランジスタによる高周波信号
の送信出力レベルに応じてスイッチ素子をオン及びオフ
する制御手段とを備える。

【００２０】

【発明の実施の形態】＜携帯電話機の構成＞図１は、本
発明の第１の実施の形態における携帯電話機の主要部の
構成を示すブロック図である。

【００２１】同図において、携帯電話機は、高周波信号
増幅器１１、固定電源１２、制御部１３、方向性結合器
１４、検波回路１５、Ａ／Ｄコンバータ１６、スイッチ
１７を備える。

【００２２】高周波信号増幅器１１は、２つのトランジ
スタを内部に有し、入力端子Pinから入力される高周波
信号を段階的に増幅して出力端子Poutから方向性結合器
７４を介してアンテナから送出する。その際、高周波信
号増幅器１１は、制御端子Ictがスイッチ１７によって
接地されるか開放されるかに応じて消費電力を２段階に
切り換えるよう構成されている。

【００２３】固定電源１２は、固定電位の電源、つまり
高周波信号増幅器１１内部のトランジスタのゲートバイ
アス電圧を供給するための固定電圧Vggを生成する。例
えば３端子レギュレータでよい。また固定電圧Vggは、
−２．５Ｖとする。

【００２４】制御部１３は、マイクロコンピュータであ
り、Ａ／Ｄコンバータ１６から高周波信号増幅器１１の
送信出力レベルを示すディジタルデータが入力され、そ
の送信出力レベルがしきい値よりも高い場合にはスイッ
チ１７をオンし、低い場合にはオフにする。

【００２５】方向性結合器１４は、高周波信号増幅器１
１の送信出力の一部分を抜き出して検波回路１５出力す
る。

【００２６】検波回路１５は、方向性結合器１４からの
交流信号を直流信号に変換する。この直流信号は送信出
力レベルを意味する。

【００２７】Ａ／Ｄコンバータ１６は、検波回路１５か
らの直流信号をディジタルデータに変換し制御部１３に
出力する。 ＜高周波信号増幅器の構成＞図２は、単体の部品として
利用されている高周波信号増幅器１１の構成を示す回路
図である。図中、Pinは高周波信号入力端子、Poutは増
幅された高周波信号の出力端子、Vd1、Vd2は電源端子で
あり、例えば共に３．６Ｖが供給される。Vggは固定電
位が入力される端子（又は固定電圧）である。Ictは消
費電力を切り換えるための制御端子であり、スイッチ１
７により開放又は接地される。

【００２８】同図においてＱ１、Ｑ２は電力増幅を行う
高周波トランジスタである。

【００２９】ＭＮ１〜ＭＮ３はそれぞれインピーダンス
整合用に挿入された整合回路（マッチング・ネットワー
ク）である。

【００３０】Ｌ１、Ｌ２は電源端子Vd1、Vd2とトランジ
スタＱ１、Ｑ２のドレイン端子の間にそれぞれ設けら
れ、トランジスタＱ１、Ｑ２のドレインにバイアス電流
をそれぞれ供給するためのインダクタである。

【００３１】Ｒ１及びＲ２は、分圧回路を形成する抵抗
であり、固定電源１２から供給される固定電圧Vggを分
圧し、その分圧値をトランジスタＱ１のゲートにバイア
ス電圧として印加する。分圧回路である。

【００３２】Ｒ３及びＲ４は、抵抗Ｒ１及びＲ２と同様
に、その分圧値をトランジスタＱ２のゲートにバイアス
電圧として印加する分圧回路である。

【００３３】Ｒ５は、トランジスタＱ２のゲートと制御
端子Ict間に接続され、スイッチ１７のオン、オフに対
応してトランジスタＱ２のゲートのバイアス電圧を２段
階に切り換えるための制御抵抗である。

【００３４】スイッチ１７がオフの場合（制御端子Ict
が開放されたとき）、抵抗Ｒ５は開放され、トランジス
タＱ２のゲートに印加されるバイアス電圧が２段階のう
ち低い方になる。その結果、トランジスタＱ２のドレイ
ンのバイアス電流は少なくなるので、消費電力を低減し
ている。この場合、トランジスタＱ２のドレインのバイ
アス電流は、低出力時に必要なだけの送信電力を供給し
ている。

【００３５】スイッチ１７がオンの場合（制御端子Ict
が接地されたとき）、抵抗Ｒ５は抵抗Ｒ４と並列に接続
され、トランジスタＱ２のゲートに印加されるバイアス
電圧が２段階のうち高い方になる。その結果、トランジ
スタＱ２のドレインのバイアス電流は多く流れるので、
高出力時に十分な送信電力を供給している。 ＜動作＞以上のように構成された第１の実施の形態にお
ける携帯電話機について、その動作を説明する。

【００３６】図３は、Ａ／Ｄコンバータ１６出力、固定
電位Vgg、制御端子Ictの状態を示すタイムチャートであ
る。同図において、Vthは、しきい値を示す。Ａ／Ｄコ
ンバータ１６出力は、高周波信号増幅器１１の送信出力
レベルを示している。

【００３７】同図では、高周波信号増幅器１１の送信出
力が高出力、低出力、高出力と順次切り換えられた場合
を示している。この切換えは、制御部１３により制御さ
れている。

【００３８】送信出力レベルがしきい値Vthよりも高い
場合には、制御部１３は、スイッチ１７をオンにしてい
る。このとき制御端子Ictは接地されている。この場
合、ゲートに印加されるバイアス電圧が２段階のうち高
い方、トランジスタＱ２のドレインのバイアス電流は多
い方になる。

【００３９】送信出力レベルがしきい値Vthよりも低く
なった場合には、制御部１３は、スイッチ１７をオンか
らオフに切り換える。これにより制御端子Ictは開放さ
れる。その結果、ゲートに印加されるバイアス電圧が低
くなり、トランジスタＱ２のドレインのバイアス電流は
少なくなる。これにより高周波信号増幅器１１における
消費電力が低減される。

【００４０】さらに、送信出力レベルがしきい値Vthよ
りも高くなった場合には、制御部１３は、スイッチ１７
をオフからオンに切り換える。

【００４１】以上説明してきたように、本実施の形態に
おける携帯電話機によれば、高周波信号増幅器１１の消
費電力（特にトランジスタＱ２のバイアス電流）の切り
換えを、スイッチ１７のオン、オフの切り換え（制御端
子Ictの開放と接地の切り換え）いう簡単な制御で切り
換えることができる。

【００４２】なお、本実施形態では高周波信号増幅器１
１内のトランジスタＱ２に対して制御抵抗Ｒ５、制御端
子、外付けのスイッチを設けたが、トランジスタＱ１に
も同様に制御抵抗、制御端子、付外けのスイッチを設け
る構成としてもよい。この場合、トランジスタＱ１、Ｑ
２それぞれのドレインのバイアス電流を調整することが
できるんで、４段階に消費電力を制御することができ
る。 ＜第２実施形態＞図４は、本発明の第２の実施形態にお
ける高周波信号増幅器の構成を示す回路図である。同図
では、図２と同じ構成要素には同じ符号を付しているの
で、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明す
る。

【００４３】図４の高周波信号増幅器１１は、図２と比
べて抵抗Ｒ６を追加した点と抵抗Ｒ５の異なる抵抗値を
持つ点とが異なっている。

【００４４】抵抗Ｒ６は、トランジスタＱ１のゲートと
制御端子Ict間に接続され、スイッチ１７のオン、オフ
に対応してトランジスタＱ１のゲートのバイアス電圧を
２段階に切り換えるための制御抵抗である。

【００４５】抵抗Ｒ５、Ｒ６の抵抗値は、低出力時のト
ランジスタＱ１、Ｑ２の各々に最適なドレイン電流を確
保できる値に設定される。

【００４６】この構成によれば、トランジスタＱ２だけ
でなく、トランジスタＱ２、Ｑ１の各ゲートのバイアス
電圧を共に切り換えるので、高出力時と低出力時とで、
トランジスタＱ１、Ｑ２のドレイン電流の双方を低減さ
せることができる。

【００４７】なお、本実施形態における高周波信号増幅
器に、入力用の新たな制御端子をさらに追加し、外部に
新たなスイッチ１８を設け、抵抗Ｒ６を制御端子Ictに
接続する代わりに新たな制御端子に接続し、制御部１３
によりスイッチ１８のオン、オフを制御するように構成
してもよい。この構成によれば、トランジスタＱ１、Ｑ
２のゲートのバイアス電圧を個別に切り換えることがで
きるので、スイッチ１７、１８のオン、オフの組み合わ
せに応じて消費電力を４段階に切り換えることができ
る。 ＜第３実施形態＞図５は、本発明の第３の実施形態にお
ける高周波信号増幅器の構成を示す回路図である。同図
では、図２と同じ構成要素には同じ符号を付しているの
で、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明す
る。

【００４８】図５の高周波信号増幅器は、図２と比べて
抵抗Ｒ６と新たな制御端子とを追加した点と、抵抗Ｒ５
が異なる抵抗値である点とが異なっている。さらに新た
な制御端子にはスイッチ１８が接続される点と、スイッ
チ１８のオン、オフも外部回路（制御部１３）が制御す
る点とが異なっている。

【００４９】抵抗Ｒ６は、トランジスタＱ２のゲートと
制御端子間に接続され、スイッチ１８のオン、オフに対
応してトランジスタＱ２のゲートのバイアス電圧を切り
換えるための制御抵抗である。抵抗Ｒ６は、抵抗Ｒ５の
抵抗値と異なるものとする。

【００５０】制御部１３は、第１〜第３のしきい値を記
憶し、Ａ／Ｄコンバータ１６から得られる送信信号レベ
ルと各しきい値との比較結果に応じて、スイッチ１７、
１８をオン、オフする。その結果、スイッチ１７、１８
のオン、オフの組み合わせにより、トランジスタＱ２の
ゲートのバイアス電圧が４段階に切り換えられる。

【００５１】この構成によれば、スイッチ１７、１８の
オン、オフの組み合わせにより、トランジスタＱ２のゲ
ートのバイアス電圧を４段階に切り換えることができ、
その結果、トランジスタＱ２のドレインのバイアス電流
も４段階に切り換えることができる。すなわち、高周波
信号増幅器１１は、２つの制御端子の開放、接地の組み
合わせにより、その消費電力を送信出力レベルに応じて
段階的に切り換えることができる。 ＜第４実施形態＞図６は、本発明の第４の実施形態にお
ける高周波信号増幅器の構成を示す回路図である。同図
では、図５と同じ構成要素には同じ符号を付しているの
で、同じ点は説明を省略し、異なる点を中心に説明す
る。

【００５２】図６は、図５と比べて、抵抗Ｒ７を追加し
た点が異なる。Ｒ７は、第３の実施の形態におけるＲ６
と同じ役割を果たす。

【００５３】この構成によれば、トランジスタＱ２のド
レインのバイアス電流も４段階に切り換えることに連動
して、トランジスタＱ１のドレインのバイアス電流も切
り換えることができる。

【００５４】なお、本実施形態における高周波信号増幅
器に、抵抗Ｒ７と並行してトランジスタＱ１に抵抗Ｒ８
を設け、スイッチ１８に接続してもよい。 ＜その他の変形例＞上記各実施形態では、トランジスタ
Ｑ１、Ｑ２による２段階の増幅を行っているが、３段階
以上の増幅を行なう高周波信号増幅器であってもよい。
その場合、ドレインの消費電流が一番大きい最終段に対
して、ゲートのバイアス電圧調整用の制御抵抗を設ける
ことが望ましい。

【００５５】また、上記各実施形態において制御抵抗Ｒ
５、Ｒ６の代わりに抵抗器ではなくインダクタであって
もよいし、インダクタ、抵抗素子、キャパシタを組み合
わせインピーダンス素子を設けてもよい。

【００５６】上記各実施形態では、トランジスタがＭＥ
ＳＦＥＴである場合を説明したが、バイポーラトランジ
スタ、ＭＯＳＦＥＴであっても同様に本願発明を適用す
ることができる。

【００５７】また、上記各実施形態において制御部は、
Ａ／Ｄコンバータ１６から得られる送信信号レベルによ
りスイッチのオン、オフを制御したが、制御部は、もと
もと送信信号レベルを高出力、低出力に設定しているの
で、その設定に応じてスイッチのオン、オフを制御する
ようにしてもよい。

【００５８】

【発明の効果】本発明の高周波信号増幅装置、増幅回路
を１つの部品内に２つ以上備え、それらの増幅回路によ
り段階的に高周波信号を増幅する高周波信号増幅装置で
あって、増幅回路の各々は、前記部品の入力端子から入
力された高周波信号又は前段の増幅回路から入力された
高周波信号を増幅するトランジスタと、固定電位の電源
ラインと接地ライン間の電圧を分圧し、その分圧値をバ
イアス電圧としてトランジスタの高周波信号入力端子に
印加する分圧回路とを備え、少なくとも最終段の増幅回
路は、その内部のトランジスタの高周波信号入力端子と
部品の入力端子として設けられた制御端子とを接続する
インピーダンス素子を備える。

【００５９】この構成によれば、前記制御端子が外部回
路によって開放された場合と接地ラインに接続された場
合とで、少なくとも最終段におけるトランジスタのバイ
アス電流が増減するので、高周波信号増幅装置という単
体の部品における消費電力の切り換えを、外部回路から
の高精度の制御電圧を必要とせず、接地するか開放する
かという簡単な制御により実現することができる。しか
も、電力消費が一番大きい最終段に対しては必ず上記イ
ンピーダンス素子を設けるので消費電力の切り換えを効
率良く行なうことができる。

【００６０】また、前記高周波回路において最終段の前
段の増幅回路は、前記制御端子とを接続する第２インピ
ーダンス素子を備える構成としてもよい。

【００６１】この構成によれば、上記効果に加えて、電
力消費が一番大きい最終段とその前段の増幅回路に対し
てインピーダンス素子をバイアス電流を調整することが
できる。

【００６２】さらに、前記高周波装置において最終段の
前段の増幅回路は、その内部のトランジスタの高周波信
号入力端子と、入力端子として設けられた第２制御端子
とを接続する第２インピーダンス素子を備える構成とし
てもよい。

【００６３】この構成によれば、上記効果に加えて、２
つの制御端子のそれぞれを開放するか接地するかを制御
するだけで、少なくとも４段階の消費電力を制御するこ
とができる。

【００６４】また、前記高周波信号増幅装置は、さら
に、前記制御端子と接地ラインとの間に接続されたスイ
ッチ素子と、最終段のトランジスタによる高周波信号の
出力レベルに応じてスイッチ素子をオン及びオフする制
御手段とを備える構成としてもよい。

【００６５】この構成によれば、高周波信号増幅装置の
消費電力の切り換えを、制御手段によりスイッチ素子を
オン、オフすることにより簡単に実現することができ
る。

【００６６】前記制御手段は、送信出力レベルを測定
し、その測定値がしきい値より大きい場合にはスイッチ
素子をオンし、小さい場合にはオフする構成としてもよ
い。

【００６７】また、本発明の携帯電話機は、送信出力レ
ベルを制御する携帯電話機であって、上記の高周波信号
増幅装置と、前記制御端子と接地ラインとの間に接続さ
れたスイッチ素子と、最終段のトランジスタによる高周
波信号の送信出力レベルに応じてスイッチ素子をオン及
びオフする制御手段とを備える。

【００６８】この構成によれば、高周波信号増幅装置の
消費電力の切り換えをオン、オフという簡単な制御で実
現でき、その分制御手段の負荷が軽くなるという効果が
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態における携帯電話機
の主要部の構成を示すブロック図である。

【図２】単体の部品として利用されている高周波信号増
幅器１１の構成を示す回路図である。

【図３】Ａ／Ｄコンバータ１６出力、固定電位Vgg、制
御端子Ictの状態を示すタイムチャートである。

【図４】第２の実施形態における高周波信号増幅器の構
成を示す回路図である。

【図５】第３の実施形態における高周波信号増幅器の構
成を示す回路図である。

【図６】第４の実施形態における高周波信号増幅器の構
成を示す回路図である。

【図７】従来技術における携帯電話機の主要部の構成を
示すブロック図である。

【図８】従来技術における高周波信号増幅器の構成を示
す回路図である。

【図９】従来技術におけるＡ／Ｄコンバータ出力、制御
電位Vggを示すタイムチャートである。

【符号の説明】

Ｌ１、Ｌ２ インダクタ １〜３ 整合回路 Ｑ１、Ｑ２ トランジスタ Ｒ１〜Ｒ５ 抵抗 １１ 高周波信号増幅器 １２ 固定電源 １３ 制御部 １４ 方向性結合器 １５ 検波回路 １６ Ａ／Ｄコンバータ １７ スイッチ １８ スイッチ

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Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 増幅回路を１つの部品内に２つ以上備
   え、それらの増幅回路により段階的に高周波信号を増幅
   する高周波信号増幅装置であって、 増幅回路の各々は、 前記部品の入力端子から入力された高周波信号又は前段
   の増幅回路から入力された高周波信号を増幅するトラン
   ジスタと、 固定電位の電源ラインと接地ライン間の電圧を分圧し、
   その分圧値をバイアス電圧としてトランジスタの高周波
   信号入力端子に印加する分圧回路とを備え、 少なくとも最終段の増幅回路は、 その内部のトランジスタの高周波信号入力端子と部品の
   入力端子として設けられた制御端子とを接続するインピ
   ーダンス素子を備え、 前記制御端子が外部回路によって開放された場合と接地
   ラインに接続された場合とで、少なくとも最終段におけ
   るトランジスタのバイアス電流が増減することを特徴と
   する高周波信号増幅装置。
2. 【請求項２】 前記高周波回路において最終段の前段の
   増幅回路は、前記制御端子とを接続する第２インピーダ
   ンス素子を備えることを特徴とする請求項１記載の高周
   波信号増幅装置。
3. 【請求項３】 前記高周波回路において最終段の前段の
   増幅回路は、その内部のトランジスタの高周波信号入力
   端子と、入力端子として設けられた第２制御端子とを接
   続する第２インピーダンス素子を備えることを特徴とす
   る請求項１記載の高周波信号増幅装置。
4. 【請求項４】 前記高周波信号増幅装置は、さらに前記
   制御端子と接地ラインとの間に接続されたスイッチ素子
   と、 最終段のトランジスタによる高周波信号の出力レベルに
   応じてスイッチ素子をオン及びオフする制御手段とを備
   えることを特徴とする請求項１記載の高周波信号増幅装
   置。
5. 【請求項５】 送信出力レベルを制御する携帯電話機で
   あって、 請求項１記載の高周波信号増幅装置と、 前記制御端子と接地ラインとの間に接続されたスイッチ
   素子と、 最終段のトランジスタによる高周波信号の送信出力レベ
   ルに応じてスイッチ素子をオン及びオフする制御手段と
   を備えることを特徴とする携帯電話機。
6. 【請求項６】 前記制御手段は、送信出力レベルを測定
   し、その測定値がしきい値より大きい場合にはスイッチ
   素子をオンし、小さい場合にはオフすることを特徴とす
   る請求項５記載の携帯電話機。