JP2001283767A - パルサー電源 - Google Patents
パルサー電源Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/02—Details
- H01J49/022—Circuit arrangements, e.g. for generating deviation currents or voltages ; Components associated with high voltage supply
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J49/00—Particle spectrometers or separator tubes
- H01J49/26—Mass spectrometers or separator tubes
- H01J49/34—Dynamic spectrometers
- H01J49/40—Time-of-flight spectrometers
Abstract
ビームが曲がることなく挿入できるようにして分解能を
改善する。 【解決手段】 パルス発生器(1)からのパルス信号に
より第1のトランジスタ(5)をON/OFFしてイオ
ン打ち出しパルスを出力するパルサー電源において、前
記第1のトランジスタ(5)のON/OFFを検出する
電流検出抵抗(6)と、電流検出抵抗に直列に接続さ
れ、電流検出抵抗の電圧に応じてON/OFF制御され
る第2のトランジスタ(14)を備え、前記第2のトラ
ンジスタと電流検出抵抗により第1のトランジスタがO
FFした後の残留電圧を吸収するようにしたものであ
る。
Description
計(TOF−MS)のイオン打ち出しに用いられるパル
サー電源に関するものである。
オン打ち出しに用いられているパルサー電源の構成を示
す図である。パルサー電源は溜めた電荷を発射するプッ
シュ・プレートへパルス電圧を出力する回路出力部Bと
出力電圧を制御する制御部Aとからなっている。回路出
力部Bは高圧電源9、電荷を大量に溜めるコンデンサ
8、出力電圧をON/OFF制御するためのMOSFE
T5と抵抗6、プッシュ・プレート10へ電圧を与える
際のリンギング防止のための抵抗7とから構成されてい
る。出力電圧を制御するための制御部Aはパルス信号を
発生させるパルス発生器1、MOSFET5と制御回路
の電位をアイソレーションするためのパルストランス
3、MOSFET5を高速に駆動するためのMOSFE
Tドライバー4から構成されている。
パルス発生器1で発生させたパルス信号はコンパレータ
2、パルストランス3、MOSFETドライバー4を通
してMOSFET5に与えられ、この信号によってMO
SFET5はON/OFFする。入力パルスがONのと
き、MOSFET5もON状態(低抵抗)となり、コン
デンサ8に蓄えられた電荷が抵抗6を通してGND(ア
ース)へ流れる。このとき、プッシュ・プレート10の
電圧が上昇する。また、入力パルスがOFFのとき、M
OSFET5もOFF状態(高抵抗)となり、高圧電源
9の高電圧は遮断され、プッシュ・プレート10にたま
った電荷が抵抗7、抵抗6を通して放電され、電圧は降
下する。
路を用いてパルスをON/OFFしたときの出力波形
は、図4に示す波形となる。図4(a)はパルス発生器
1の出力、図4(b)はプッシュ・プレート10への入
力パルス(MOSFET5の出力パルス)である。図4
において注目する点は、パルスOFF時にすぐ、MOS
FET出力は0ボルトとならずに、テーリング電圧が発
生してしまうことである。パルスOFF後にテーリング
電圧が発生する原因としては2つのことが考えられてい
る。第1はMOSFETの端子間に容量があるため、高
速パルスをゲートから入力することにより、出力に若干
の漏れ信号が出てくるためである。第2はパルスOFF
時にMOSFETが完全にOFFにならずに出力端子か
ら数マイクロアンベア程度の電流が流れ続けてしまうた
め、抵抗6にこの電流が流れて電圧が発生してしまうた
めである。この抵抗6はMOSFETがONになったと
きの電流制限抵抗であるため、数十キロΩ程度とかなり
高い値にする必要がある。
しへの影響を説明する図である。図において、イオン源
21から放出されるイオンビーム22はイオン溜へドリ
フトし、パルサー電源からのパルスがONのとき、イオ
ン溜のイオンはプッシュ・プレート10からグリッド2
3を通して加速部・分光部24へ押し出されて分析され
るが、パルサー電源OFF時にはプレート間にイオンを
ため込む作業が行われる。イオン源21からイオン溜に
入力されるイオンビーム22のエネルギーは数eVと小
さいため、プッシュ・プレート10に少しでも電圧
(0.1V程度)がかかっていると、入力ビームは破線
25のように曲がってしまい、場所により発射位置が異
なって精密な測定の阻害になってしまう。
で、イオン打ち出しプレートのイオン溜にイオンビーム
が曲がることなく挿入できるようにして分解能を改善す
ることを目的とする。
からのパルス信号により第1のトランジスタをON/O
FFしてイオン打ち出しパルスを出力するパルサー電源
において、前記第1のトランジスタのON/OFFを検
出する電流検出抵抗と、電流検出抵抗に直列に接続さ
れ、電流検出抵抗の電圧に応じてON/OFF制御され
る第2のトランジスタを備え、前記第2のトランジスタ
と電流検出抵抗により第1のトランジスタがOFFした
後の残留電圧を吸収するようにしたことを特徴とする。
を参照しつつ説明する。図1は本発明のパルサー電源の
回路図である。本発明においては、図3に示した従来の
回路の抵抗6の代わりに高耐圧のMOSFET14、M
OSFET12、電流検出抵抗6(10〜100Ω程
度)、抵抗11、直流15V電源13を追加したもの
で、他の回路構成は図3のものと同様である。電流検出
抵抗6(10〜100Ω程度)の定数の決め方は、MO
SFET14がONになったときに流れる電流を1mA
(通常5〜10mA程度)に決定する。MOSFET1
2がONになる電圧は0.7V程度なので、オームの法
則V=I×Rから最低抵抗値を求めることができる。
源の動作を説明する。図2(a)はパルス発生器1の出
力、図2(b)はMOSFET14のゲート端子電圧、
図2(c)はプッシュ・プレート10への入力電圧波形
である。パルス発生器1で発生したON/OFFパルス
信号に従って、MOSFET5がON/OFFするのは
図3の場合と同様である。MOSFET5がONになっ
たとき、FET14、抵抗6を通してGND(アース)
に電流が流れる。そしてFET12のゲート端子の電圧
が0.7V以上になったとき、FET12がONとな
り、FET14のゲート端子の電圧が0Vとなる。この
ため、FET14がOFFとなり、高抵抗状態となっ
て、MOSFET5の負荷が高抵抗状態となりプッシュ
・プレート10の電圧が上昇する。
4、抵抗6には微小な漏れ電流しか流れないため、FE
T12のゲート端子の電圧は0.7V以下なので、FE
T12がOFFとなり、FET14のゲート端子は15
Vに戻る。このため、FET14はON状態(低抵抗)
となり、MOSFET5からの漏れ電流やMOSFET
5のゲートを駆動する時に出力に発生する微小な電圧を
吸収してプッシュ・プレート10への電圧を確実に0V
とする。
に合わせて、負荷抵抗の抵抗値を変化させることによっ
て、パルスOFF時、出力にテーリングを起こすことの
ないパルスを作ることができる。なお、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、色々な変形が可能であ
り、例えば、高速応答が必要なFET12にトランジス
タ等の別のデバイスを用いることも可能である。
型出力分析計のイオン打ち出しパルスを作り出す電源に
おいて、パルスOFF後に発生する電圧をトランジスタ
(FET)を用いてGNDにショートすることにより、
テーリング電圧の発生を取り除くことができ、これによ
りイオン打ち出し電極のイオン溜にイオンビームが曲が
ることなく挿入できるようになり、分解能を改善するこ
とが可能である。
ある。
しに用いられているパルサー電源の構成を示す図であ
る。
る。
響の説明図である。
トランス、4…MOSFETドライバー、5…MOSF
ET、6…抵抗、8…コンデンサ、9…高圧電源、10
…プッシュ・プレート、11…抵抗、12…MOSFE
T、13…直流電源、14…MOSFET。
Claims (1)
- 【請求項1】 パルス発生器からのパルス信号により第
1のトランジスタをON/OFFしてイオン打ち出しパ
ルスを出力するパルサー電源において、前記第1のトラ
ンジスタのON/OFFを検出する電流検出抵抗と、電
流検出抵抗に直列に接続され、電流検出抵抗の電圧に応
じてON/OFF制御される第2のトランジスタを備
え、前記第2のトランジスタと電流検出抵抗により第1
のトランジスタがOFFした後の残留電圧を吸収するよ
うにしたことを特徴とするパルサー電源。
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