JP2000331642A - 垂直加速型飛行時間型質量分析装置 - Google Patents
垂直加速型飛行時間型質量分析装置Info
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- JP2000331642A JP2000331642A JP11138359A JP13835999A JP2000331642A JP 2000331642 A JP2000331642 A JP 2000331642A JP 11138359 A JP11138359 A JP 11138359A JP 13835999 A JP13835999 A JP 13835999A JP 2000331642 A JP2000331642 A JP 2000331642A
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- Japan
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- ions
- pulse
- ion
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Abstract
(57)【要約】
【課題】平坦なトップ部分を有するパルス電圧を発生さ
せることができるＯＡ−ＴＯＦＭＳを提供する。 【解決手段】外部イオン源からイオン溜に導入されたイ
オンを、該イオン溜に沿って設けられた取り出し電極に
パルス的に加速電圧を印加することによって、質量分析
部に向けてパルス的に取り出すようにしたＯＡ−ＴＯＦ
ＭＳにおいて、前記加速電圧の時間的変化を補正する補
正手段を設けた。この補正手段は、加速電圧の時間的変
化による最高電圧値の漸減現象を補正するランプ波形の
補正電圧を出力するランプ回路である。
せることができるＯＡ−ＴＯＦＭＳを提供する。 【解決手段】外部イオン源からイオン溜に導入されたイ
オンを、該イオン溜に沿って設けられた取り出し電極に
パルス的に加速電圧を印加することによって、質量分析
部に向けてパルス的に取り出すようにしたＯＡ−ＴＯＦ
ＭＳにおいて、前記加速電圧の時間的変化を補正する補
正手段を設けた。この補正手段は、加速電圧の時間的変
化による最高電圧値の漸減現象を補正するランプ波形の
補正電圧を出力するランプ回路である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、垂直加速型飛行時
間型質量分析装置（ＯＡ−ＴＯＦＭＳ；Orthogonal Acc
eleration Time of Flight Mass Spectrometer）に関
し、特に、イオンの垂直加速を高精度に行なうことので
きるＯＡ−ＴＯＦＭＳに関する。
間型質量分析装置（ＯＡ−ＴＯＦＭＳ；Orthogonal Acc
eleration Time of Flight Mass Spectrometer）に関
し、特に、イオンの垂直加速を高精度に行なうことので
きるＯＡ−ＴＯＦＭＳに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＯＡ−ＴＯＦＭＳは、連続的にイオンを
生成するイオン源からのイオンビームをイオン溜に導入
し、イオンビームの導入方向とは交差する方向にパルス
的にイオンビームを加速し、加速直後からイオンビーム
がイオン検出器で検出されるまでの時間を計測して質量
分析を行なう装置である。
生成するイオン源からのイオンビームをイオン溜に導入
し、イオンビームの導入方向とは交差する方向にパルス
的にイオンビームを加速し、加速直後からイオンビーム
がイオン検出器で検出されるまでの時間を計測して質量
分析を行なう装置である。
【０００３】図１は、ＯＡ−ＴＯＦＭＳの構成を模式的
に表わしたものである。図中１は、連続的に正イオンを
生成する外部イオン源である。外部イオン源１から正の
加速電位Ｖ1で出射されたイオンビームは、正の電位ＶF
が印加された収束レンズ２でＺ方向に収束されて、ｙ0
の有効長を持ったイオン溜３に導入される。イオン溜３
には、Push-outプレート４が備え付けられていると共
に、該Push-outプレート４に対向する位置に、接地電位
のグリッド５及び負の電位のグリッド６が設けられてい
て、イオンビームの導入方向（Ｙ方向）に対して直交す
る方向（Ｚ方向）に、イオンを押し出すための電界が形
成されるようになっている。
に表わしたものである。図中１は、連続的に正イオンを
生成する外部イオン源である。外部イオン源１から正の
加速電位Ｖ1で出射されたイオンビームは、正の電位ＶF
が印加された収束レンズ２でＺ方向に収束されて、ｙ0
の有効長を持ったイオン溜３に導入される。イオン溜３
には、Push-outプレート４が備え付けられていると共
に、該Push-outプレート４に対向する位置に、接地電位
のグリッド５及び負の電位のグリッド６が設けられてい
て、イオンビームの導入方向（Ｙ方向）に対して直交す
る方向（Ｚ方向）に、イオンを押し出すための電界が形
成されるようになっている。
【０００４】Push-outプレート４に正電圧Ｖpから成る
矩形波のPush-outパルス７を印加すると、Push-outプレ
ート４、接地電位のグリッド５、及び負電位のグリッド
６の間の空間に瞬時に連続的な電界勾配が形成され、イ
オン溜３のイオンは一斉にＺ方向に加速されて排出さ
れ、ＭＣＰ（マイクロチャンネルプレート）などで構成
されたイオン検出器８に向けて飛行する。尚、厳密に言
えば、イオンはイオン溜３に導入されたときのＹ方向の
速度を持っているため、Push-outプレート４とグリッド
５及びグリッド６の間に発生した電界によってＺ方向の
力を受けても、飛行方向はＺ方向からわずかにずれたも
のとなる。
矩形波のPush-outパルス７を印加すると、Push-outプレ
ート４、接地電位のグリッド５、及び負電位のグリッド
６の間の空間に瞬時に連続的な電界勾配が形成され、イ
オン溜３のイオンは一斉にＺ方向に加速されて排出さ
れ、ＭＣＰ（マイクロチャンネルプレート）などで構成
されたイオン検出器８に向けて飛行する。尚、厳密に言
えば、イオンはイオン溜３に導入されたときのＹ方向の
速度を持っているため、Push-outプレート４とグリッド
５及びグリッド６の間に発生した電界によってＺ方向の
力を受けても、飛行方向はＺ方向からわずかにずれたも
のとなる。
【０００５】上記加速を受ける際、イオンにはPush-out
プレート４とグリッド６の間の電位差に対応する一定の
エネルギーが等しく与えられるため、加速終了時には、
質量の小さなイオンほど速度が大きく、質量の大きなイ
オンほど速度が小さい。このような速度差が生まれる結
果、分光部電源９によって負の電位Ｖ2に設定されたＴ
ＯＦ分光部１０をイオンが飛行する間に、イオンの質量
分散が行なわれて、軽いイオンから順番にイオン検出器
８に到達し、マススペクトルが測定される。
プレート４とグリッド６の間の電位差に対応する一定の
エネルギーが等しく与えられるため、加速終了時には、
質量の小さなイオンほど速度が大きく、質量の大きなイ
オンほど速度が小さい。このような速度差が生まれる結
果、分光部電源９によって負の電位Ｖ2に設定されたＴ
ＯＦ分光部１０をイオンが飛行する間に、イオンの質量
分散が行なわれて、軽いイオンから順番にイオン検出器
８に到達し、マススペクトルが測定される。
【０００６】図２は、このようなＯＡ−ＴＯＦＭＳにお
いて、Push-outプレート４に対してPush-outパルス７を
供給するイオン押し出し用パルススイッチの回路構成を
示したものである。回路の出力部は、高圧電源１１、電
流制限用の抵抗１２、電荷を大量に溜めるためのコンデ
ンサー１３、Push-outプレート４への出力電圧を制御す
るためのＭＯＳＦＥＴ１４と抵抗１５、Push-outプレー
ト４に電圧を与える際のリンギング防止のための抵抗１
６で構成されている。
いて、Push-outプレート４に対してPush-outパルス７を
供給するイオン押し出し用パルススイッチの回路構成を
示したものである。回路の出力部は、高圧電源１１、電
流制限用の抵抗１２、電荷を大量に溜めるためのコンデ
ンサー１３、Push-outプレート４への出力電圧を制御す
るためのＭＯＳＦＥＴ１４と抵抗１５、Push-outプレー
ト４に電圧を与える際のリンギング防止のための抵抗１
６で構成されている。
【０００７】また、Push-outプレート４への出力電圧を
制御するための制御部は、入力パルス信号を発生させる
パルス発生器１７、受け取った入力パルス信号に基づい
てパルス電流を発生する高速コンパレーター１８、ＭＯ
ＳＦＥＴ１４と制御回路の電位をアイソレートするため
のパルストランス１９、ＭＯＳＦＥＴ１４を高速に駆動
するためのＭＯＳＦＥＴドライバー２０で構成されてい
る。
制御するための制御部は、入力パルス信号を発生させる
パルス発生器１７、受け取った入力パルス信号に基づい
てパルス電流を発生する高速コンパレーター１８、ＭＯ
ＳＦＥＴ１４と制御回路の電位をアイソレートするため
のパルストランス１９、ＭＯＳＦＥＴ１４を高速に駆動
するためのＭＯＳＦＥＴドライバー２０で構成されてい
る。
【０００８】そして、パルス発生器１７で発生させた入
力パルス信号は、高速コンパレーター１８、パルストラ
ンス１９、ＭＯＳＦＥＴドライバー２０を介してＭＯＳ
ＦＥＴ１４に与えられ、この信号によってＭＯＳＦＥＴ
１４はＯＮ、ＯＦＦする。
力パルス信号は、高速コンパレーター１８、パルストラ
ンス１９、ＭＯＳＦＥＴドライバー２０を介してＭＯＳ
ＦＥＴ１４に与えられ、この信号によってＭＯＳＦＥＴ
１４はＯＮ、ＯＦＦする。
【０００９】ＭＯＳＦＥＴ１４がＯＮになったとき、コ
ンデンサー１３に蓄えられた電荷は抵抗１５を通して一
気にＧＮＤへ流れる。このとき、Ａ点の電圧は上昇し、
この電圧はリンギング防止用の抵抗１６を通して、Push
-outプレート４に印加される。一方、ＭＯＳＦＥＴ１４
がＯＦＦになったとき、コンデンサー１３からの電荷の
供給は止まり、Push-outプレート４に溜まった電荷は、
２つの抵抗１５及び１６を通して放電され、Push-outプ
レート４の電圧は下降する。
ンデンサー１３に蓄えられた電荷は抵抗１５を通して一
気にＧＮＤへ流れる。このとき、Ａ点の電圧は上昇し、
この電圧はリンギング防止用の抵抗１６を通して、Push
-outプレート４に印加される。一方、ＭＯＳＦＥＴ１４
がＯＦＦになったとき、コンデンサー１３からの電荷の
供給は止まり、Push-outプレート４に溜まった電荷は、
２つの抵抗１５及び１６を通して放電され、Push-outプ
レート４の電圧は下降する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】このような構成におい
て、ＯＡ−ＴＯＦＭＳにおけるイオン押し出し用のPush
-outパルス７は、数十ｎｓ程度の高速の立ち上がり時間
が要求されているため、高圧電源１１から供給される電
荷を低インダクタンスの高容量のコンデンサー１３に一
時蓄えて、ＭＯＳＦＥＴ１４がＯＮになったときに大電
流で放電させる構造になっている。
て、ＯＡ−ＴＯＦＭＳにおけるイオン押し出し用のPush
-outパルス７は、数十ｎｓ程度の高速の立ち上がり時間
が要求されているため、高圧電源１１から供給される電
荷を低インダクタンスの高容量のコンデンサー１３に一
時蓄えて、ＭＯＳＦＥＴ１４がＯＮになったときに大電
流で放電させる構造になっている。
【００１１】その実際のPush-outパルス７のパルス波形
を図３に示す。図３の（ａ）は入・出力パルス波形の全
体図、（ｂ）は出力パルス波形の最高電圧値近傍（トッ
プ部分）を拡大した図である。（ａ）の入力パルスは、
横軸の１目盛が２０μｓ、縦軸の１目盛が２ボルト、
（ａ）の出力パルスは、横軸の１目盛が２０μｓ、縦軸
の１目盛が２００ボルト、（ｂ）の出力パルスは、横軸
の１目盛が１μｓ、縦軸の１目盛が２０ボルトで測定さ
れている。尚、（ａ）と（ｂ）では、パルスの出力条件
が異なっているため、観測されたパルス幅が異なってい
る。
を図３に示す。図３の（ａ）は入・出力パルス波形の全
体図、（ｂ）は出力パルス波形の最高電圧値近傍（トッ
プ部分）を拡大した図である。（ａ）の入力パルスは、
横軸の１目盛が２０μｓ、縦軸の１目盛が２ボルト、
（ａ）の出力パルスは、横軸の１目盛が２０μｓ、縦軸
の１目盛が２００ボルト、（ｂ）の出力パルスは、横軸
の１目盛が１μｓ、縦軸の１目盛が２０ボルトで測定さ
れている。尚、（ａ）と（ｂ）では、パルスの出力条件
が異なっているため、観測されたパルス幅が異なってい
る。
【００１２】図３の（ｂ）から明らかなように、入力パ
ルス信号によってＭＯＳＦＥＴ１４がＯＮになったと
き、コンデンサー１３からは、ＭＯＳＦＥＴ１４を通し
て、抵抗１５に向けて電荷が一気に放電されるため、出
力パルスの波形は、トップ部分が平坦ではなく、時間と
共に徐々に最高電圧が低下していくことが判る。
ルス信号によってＭＯＳＦＥＴ１４がＯＮになったと
き、コンデンサー１３からは、ＭＯＳＦＥＴ１４を通し
て、抵抗１５に向けて電荷が一気に放電されるため、出
力パルスの波形は、トップ部分が平坦ではなく、時間と
共に徐々に最高電圧が低下していくことが判る。
【００１３】このため、Push-outプレート４によってイ
オン溜３から押し出されるイオンは、質量数の違いによ
って受け取るエネルギーが変化し、イオンの収束条件が
ずれるため、マススペクトルを測定したときに、イオン
の質量数の違いによって分解能にばらつきが生じてしま
うという問題があった。
オン溜３から押し出されるイオンは、質量数の違いによ
って受け取るエネルギーが変化し、イオンの収束条件が
ずれるため、マススペクトルを測定したときに、イオン
の質量数の違いによって分解能にばらつきが生じてしま
うという問題があった。
【００１４】本発明の目的は、上述した点に鑑み、Push
-outプレート４に対してパルス電圧を印加して、イオン
溜３からＴＯＦ分光部１０に向けてイオンを押し出す際
に、イオンの質量数に違いがあっても、イオンが受け取
るエネルギーが同じ量になるような平坦なトップ部分を
有するパルス電圧を発生させることができるＯＡ−ＴＯ
ＦＭＳを提供することにある。
-outプレート４に対してパルス電圧を印加して、イオン
溜３からＴＯＦ分光部１０に向けてイオンを押し出す際
に、イオンの質量数に違いがあっても、イオンが受け取
るエネルギーが同じ量になるような平坦なトップ部分を
有するパルス電圧を発生させることができるＯＡ−ＴＯ
ＦＭＳを提供することにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、本発明にかかるＯＡ−ＴＯＦＭＳは、外部イオン源
からイオン溜に導入されたイオンを、該イオン溜に沿っ
て設けられた取り出し電極にパルス的に加速電圧を印加
することによって、質量分析部に向けてパルス的に取り
出すようにしたＯＡ−ＴＯＦＭＳにおいて、前記加速電
圧の時間的変化を補正する補正手段を設けたことを特徴
としている。
め、本発明にかかるＯＡ−ＴＯＦＭＳは、外部イオン源
からイオン溜に導入されたイオンを、該イオン溜に沿っ
て設けられた取り出し電極にパルス的に加速電圧を印加
することによって、質量分析部に向けてパルス的に取り
出すようにしたＯＡ−ＴＯＦＭＳにおいて、前記加速電
圧の時間的変化を補正する補正手段を設けたことを特徴
としている。
【００１６】また、前記補正手段は、加速電圧の時間的
変化による最高電圧値の漸減現象を補正するランプ波形
の補正電圧を出力するランプ回路であることを特徴とし
ている。
変化による最高電圧値の漸減現象を補正するランプ波形
の補正電圧を出力するランプ回路であることを特徴とし
ている。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、本発明の
実施の形態を説明する。図４は、本発明にかかるＯＡ−
ＴＯＦＭＳのパルススイッチの一実施例を表わしたもの
である。図中、回路の出力部は、高圧電源１１、電流制
限用の抵抗１２、電荷を大量に溜めるためのコンデンサ
ー１３、Push-outプレート４への出力電圧を制御するた
めのＭＯＳＦＥＴ１４と抵抗１５、Push-outプレート４
に電圧を与える際のリンギング防止のための抵抗１６で
構成されている。
実施の形態を説明する。図４は、本発明にかかるＯＡ−
ＴＯＦＭＳのパルススイッチの一実施例を表わしたもの
である。図中、回路の出力部は、高圧電源１１、電流制
限用の抵抗１２、電荷を大量に溜めるためのコンデンサ
ー１３、Push-outプレート４への出力電圧を制御するた
めのＭＯＳＦＥＴ１４と抵抗１５、Push-outプレート４
に電圧を与える際のリンギング防止のための抵抗１６で
構成されている。
【００１８】また、Push-outプレート４への出力電圧を
制御するための制御部は、パルス信号を発生させるパル
ス発生器１７、受け取ったパルス信号に基づいてパルス
電流を発生する高速コンパレーター１８、ＭＯＳＦＥＴ
１４と制御回路の電位をアイソレートするためのパルス
トランス１９、ＭＯＳＦＥＴ１４を高速に駆動するため
のＭＯＳＦＥＴドライバー２０で構成されている。
制御するための制御部は、パルス信号を発生させるパル
ス発生器１７、受け取ったパルス信号に基づいてパルス
電流を発生する高速コンパレーター１８、ＭＯＳＦＥＴ
１４と制御回路の電位をアイソレートするためのパルス
トランス１９、ＭＯＳＦＥＴ１４を高速に駆動するため
のＭＯＳＦＥＴドライバー２０で構成されている。
【００１９】さらに、本実施例では、従来の出力部にお
いて、ＭＯＳＦＥＴ１４と１本の抵抗１５との分圧で電
圧を出力させていたのを改めて、抵抗部分にもう１本の
抵抗２１とバイパスコンデンサー２２を追加して、Push
-outプレート４の補正電圧を外部から加算できるように
した。また、Ｂ点に、パルス発生器１７からの入力パル
ス信号に同期してランプ波形を発生するランプ回路２３
を設けた。
いて、ＭＯＳＦＥＴ１４と１本の抵抗１５との分圧で電
圧を出力させていたのを改めて、抵抗部分にもう１本の
抵抗２１とバイパスコンデンサー２２を追加して、Push
-outプレート４の補正電圧を外部から加算できるように
した。また、Ｂ点に、パルス発生器１７からの入力パル
ス信号に同期してランプ波形を発生するランプ回路２３
を設けた。
【００２０】本実施例の動作原理を図５に示す。（ａ）
は、パルス発生器１７からの入力パルス信号、（ｂ）
は、従来の回路から出力されるパルス波形である。
（ｂ）から明らかなように、従来回路では、出力パルス
波形の最高値近傍には、コンデンサーの放電によって時
間と共に最高電圧値が漸減していく「サグ」と呼ばれる
現象が見られる。
は、パルス発生器１７からの入力パルス信号、（ｂ）
は、従来の回路から出力されるパルス波形である。
（ｂ）から明らかなように、従来回路では、出力パルス
波形の最高値近傍には、コンデンサーの放電によって時
間と共に最高電圧値が漸減していく「サグ」と呼ばれる
現象が見られる。
【００２１】図５の（ｃ）は、本実施例で新たに追加し
たランプ回路２３が発生するランプ波形の電圧である。
このランプ波形の電圧が、図４のＢ点から抵抗１５及び
１６を介して、Push-outプレート４に印加されることに
より、図５（ｂ）の「サグ」は相殺されて、図５（ｄ）
に示すような、最高値近傍が平坦な形をした出力パルス
波形を得ることができるようになる。これにより、イオ
ン溜３からＴＯＦ分光部１０に向けてイオンを押し出す
際に、イオンの質量数に違いがあっても、イオンが受け
取るエネルギーを同じ量に制御することができ、当初の
目的を達成することができる。
たランプ回路２３が発生するランプ波形の電圧である。
このランプ波形の電圧が、図４のＢ点から抵抗１５及び
１６を介して、Push-outプレート４に印加されることに
より、図５（ｂ）の「サグ」は相殺されて、図５（ｄ）
に示すような、最高値近傍が平坦な形をした出力パルス
波形を得ることができるようになる。これにより、イオ
ン溜３からＴＯＦ分光部１０に向けてイオンを押し出す
際に、イオンの質量数に違いがあっても、イオンが受け
取るエネルギーを同じ量に制御することができ、当初の
目的を達成することができる。
【００２２】尚、図６の（ｃ）及び（ｄ）に示すよう
に、ランプ回路から出力されるランプ波形の傾きを自由
に変化させて、それを従来の出力パルス波形に加算させ
ることにより、出力パルス波形の最高値近傍の平坦部に
意図的に傾きをつけることができるようにすると、ＯＡ
−ＴＯＦＭＳの構造上の歪みなどで生じる可能性のある
誤差を補正させることもできる。
に、ランプ回路から出力されるランプ波形の傾きを自由
に変化させて、それを従来の出力パルス波形に加算させ
ることにより、出力パルス波形の最高値近傍の平坦部に
意図的に傾きをつけることができるようにすると、ＯＡ
−ＴＯＦＭＳの構造上の歪みなどで生じる可能性のある
誤差を補正させることもできる。
【００２３】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明のＯＡ−ＴＯ
ＦＭＳによれば、出力パルス波形の最高値近傍の「サ
グ」を補正できるので、質量数の相違によらず、イオン
に同じエネルギーを与えることができ、質量数の違いに
よって分解能にばらつきが生じるのを防ぐことができ
る。また、ランプ回路から出力されるランプ波形の傾き
を自由に変化させて、それを従来の出力パルス波形に加
算させることができるので、ＯＡ−ＴＯＦＭＳの構造上
の歪みなどで生じる可能性のある誤差を補正させること
もできる。
ＦＭＳによれば、出力パルス波形の最高値近傍の「サ
グ」を補正できるので、質量数の相違によらず、イオン
に同じエネルギーを与えることができ、質量数の違いに
よって分解能にばらつきが生じるのを防ぐことができ
る。また、ランプ回路から出力されるランプ波形の傾き
を自由に変化させて、それを従来の出力パルス波形に加
算させることができるので、ＯＡ−ＴＯＦＭＳの構造上
の歪みなどで生じる可能性のある誤差を補正させること
もできる。
【図１】従来の垂直加速型飛行時間型質量分析装置を示
す図である。
す図である。
【図２】従来の垂直加速型飛行時間型質量分析装置のパ
ルススイッチを示す図である。
ルススイッチを示す図である。
【図３】従来の垂直加速型飛行時間型質量分析装置のパ
ルススイッチにおける入出力パルス波形を示す図であ
る。
ルススイッチにおける入出力パルス波形を示す図であ
る。
【図４】本発明にかかる垂直加速型飛行時間型質量分析
装置のパルススイッチの一実施例を示す図である。
装置のパルススイッチの一実施例を示す図である。
【図５】本発明にかかる垂直加速型飛行時間型質量分析
装置のパルススイッチの一実施例における動作原理を示
す図である。
装置のパルススイッチの一実施例における動作原理を示
す図である。
【図６】本発明にかかる垂直加速型飛行時間型質量分析
装置のパルススイッチの一実施例における動作原理を示
す図である。
装置のパルススイッチの一実施例における動作原理を示
す図である。
１・・・外部イオン源、２・・・収束レンズ、３・・・イオン
溜、４・・・Push-outプレート、５・・・グリッド、６・・・グ
リッド、７・・・Push-outパルス、８・・・イオン検出器Ｂ、
９・・・分光部電源、１０・・・ＴＯＦ分光部、１１・・・高圧
電源、１２・・・抵抗、１３・・・コンデンサー、１４・・・Ｍ
ＯＳＦＥＴ、１５・・・抵抗、１６・・・抵抗、１７・・・パル
ス発生器、１８・・・高速コンパレーター、１９・・・パルス
トランス、２０・・・ＭＯＳＦＥＴドライバー、２１・・・抵
抗、２２・・・バイパスコンデンサー、２３・・・ランプ回
路。
溜、４・・・Push-outプレート、５・・・グリッド、６・・・グ
リッド、７・・・Push-outパルス、８・・・イオン検出器Ｂ、
９・・・分光部電源、１０・・・ＴＯＦ分光部、１１・・・高圧
電源、１２・・・抵抗、１３・・・コンデンサー、１４・・・Ｍ
ＯＳＦＥＴ、１５・・・抵抗、１６・・・抵抗、１７・・・パル
ス発生器、１８・・・高速コンパレーター、１９・・・パルス
トランス、２０・・・ＭＯＳＦＥＴドライバー、２１・・・抵
抗、２２・・・バイパスコンデンサー、２３・・・ランプ回
路。
Claims (2)
- 【請求項１】外部イオン源からイオン溜に導入されたイ
オンを、該イオン溜に沿って設けられた取り出し電極に
パルス的に加速電圧を印加することによって、質量分析
部に向けてパルス的に取り出すようにした垂直加速型飛
行時間型質量分析装置において、前記加速電圧の時間的
変化を補正する補正手段を設けたことを特徴とする垂直
加速型飛行時間型質量分析装置。 - 【請求項２】前記補正手段は、加速電圧の時間的変化に
よる最高電圧値の漸減現象を補正するランプ波形の補正
電圧を出力するランプ回路であることを特徴とする請求
項１記載の垂直加速型飛行時間型質量分析装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138359A JP2000331642A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 垂直加速型飛行時間型質量分析装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11138359A JP2000331642A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 垂直加速型飛行時間型質量分析装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000331642A true JP2000331642A (ja) | 2000-11-30 |
Family
ID=15220099
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11138359A Withdrawn JP2000331642A (ja) | 1999-05-19 | 1999-05-19 | 垂直加速型飛行時間型質量分析装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000331642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355533A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-24 | 安图实验仪器(郑州)有限公司 | 适于质谱仪的高压脉冲发生器 |
-
1999
- 1999-05-19 JP JP11138359A patent/JP2000331642A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105355533A (zh) * | 2015-11-24 | 2016-02-24 | 安图实验仪器(郑州)有限公司 | 适于质谱仪的高压脉冲发生器 |
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| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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