JP2001274303A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

半導体装置及びその製造方法

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JP2001274303A
JP2001274303A JP2000087527A JP2000087527A JP2001274303A JP 2001274303 A JP2001274303 A JP 2001274303A JP 2000087527 A JP2000087527 A JP 2000087527A JP 2000087527 A JP2000087527 A JP 2000087527A JP 2001274303 A JP2001274303 A JP 2001274303A
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体装置の放熱板と基板の固着時に生じる
固着用接着剤のはみ出し防止及び放熱板と基板の固着を
容易にする。 【解決手段】 放熱板に接着剤のはみ出し防止用の接着
剤用キャビティと基板の固定用の基板用キャビティを設
け、前記放熱板と前記基板の表面の間には接着剤が塗布
され、前記基板の裏面には半導体チップが搭載されボン
ディング線にて前記基板にボンディングされ、前記半導
体チップの周囲に樹脂をプリコートしたことを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に関し、
とくに半導体装置の放熱板と基板の固着時に生じる固着
用接着剤のはみ出し防止及び放熱板と基板の固着を容易
にすることに関する。
【0002】
【従来の技術】従来、放熱板と基板を固着する時、接着
剤や半田材を放熱板と基板の間に塗布後、それらを張り
合わせて固着するかまたは、放熱板と基板をネジ止めに
よって固着していた。図4は従来構造の一例である。
【0003】図4の放熱板と基板との張り合わせによる
方法は放熱板1と基板4の間から接着剤5が押し出され
基板4の外にはみ出てしまう。この方法ははみ出た接着
剤5のふき取りまたは削り取りに余分な工程を要し、半
導体装置の組立費用を増加させる問題がある。
【0004】また図4のネジ止めによる固定方法は放熱
板1と基板4をネジ止めする必要がありこれも材料及び
工程の追加などにより、半導体装置の組立費用が増す問
題がある。また、通常ネジ止めの場合は熱伝導率を良く
するため放熱板1と基板4間に熱伝導性樹脂14を塗布
するので上記のはみ出しによる組立費用増の問題も発生
する。
【0005】はみ出し防止対策としては先行技術として
図5に示す様に放熱板1に溝を設けるか、或るいは接着
領域を囲んで溝を形成することで接着時の余分な接着剤
5を溝内に止め、接着剤5のはみ出しを防止する方法が
ある。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置においては、基板側面と放熱板が接していないので
放熱特性が劣り、また固着時には位置決めをしにくいと
いう欠点がある。したがって、本発明の目的は接着剤用
キャビティは基板用キヤビティ内に設けられ、放熱板と
基板を固着する時に余分な固着用接着剤を接着剤用キャ
ビティ内に止め、はみ出しを防止し、また、基板用キャ
ビティ内に基板をはめ込むことで放熱板と基板を容易に
固着できるようにする事である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置及び
その製造方法は、放熱板に接着剤のはみ出し防止用の接
着剤用キャビティと基板の固定用の基板用キャビティを
設け、前記放熱板と前記基板の表面の間には接着剤が塗
布され、前記基板の裏面には半導体チップが搭載されボ
ンディング線にて前記基板にボンディングされ、前記半
導体チップの周囲に樹脂をプリコートしたことを特徴と
する。また、放熱板に複数の接着剤用キャビティを有す
ることを特徴とする。また、前記複数の接着剤用キャビ
ティの断面積が互いに異なる事を特徴とする。また、接
着剤用キャビティを前記基板用キヤビティの側面に設け
たことを特徴とする。また、複数の接着剤用キャビティ
を前記基板用キヤビティの側面に設けたことを特徴とす
る。また、前記基板の表面に接着剤を塗布し前記放熱板
と固着する際、接着剤は押しつぶされて広がり、前記接
着剤用キャビティにて広がりが止まり接着剤のはみ出し
が防止され、前記放熱板の前記基板用キャビティに、前
記基板をはめ込むことで前記放熱板と前記基板が固着さ
れることを特徴とする。
【0008】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。図1は本発明の第1の実施形態の構成を
示す摸式図である。図1において放熱板1は接着剤用キ
ャビティ2と基板用キャビティ3を有する。接着剤用キ
ャビティ2は基板用キヤビティ3内に設けられ、放熱板
1と基板4を固着する時に余分な固着用接着剤5を接着
剤用キャビティ2内に止め、はみ出しを防止する。基板
用キャビティ3は放熱板1と基板4を固定する為に設け
られる。基板用キャビティ3内に基板4をはめ込むこと
で放熱板1と基板4を容易に固着できる。このとき放熱
板1と基板4は基板表面7だけでなく基板側面6も接し
ているので放熱特性が向上する。また、接着剤5が多す
ぎて接着剤用キャビティ2からはみ出した接着剤5も基
板用キャビティ3ではみ出しを防止できる。
【0009】図2は本発明の第2の実施形態の構成を示
す摸式図である。図2に示されるように、本実施形態
は、放熱板1には接着剤用キャビティ2と基板用キャビ
ティ3がある。接着剤用キャビティ2は接着剤5のはみ
出し防止用であり、基板用キャビティ3は基板4の固定
用である。放熱板1と基板表面7の間には接着剤5が塗
布され、それは放熱板1と基板4の固着及び放熱特性の
向上が目的とされる。基板裏面8には半導体ディバイス
9が搭載されボンディング線10にて基板4にボンディ
ングされている。半導体ディバイス9の保護のため半導
体ディバイス9の周囲にはエポキシ樹脂11がプリコー
トされている。
【0010】また、基板裏面8には回路接続用としてリ
ード端子12が接続されている。基板4の表面に接着剤
5を塗布し放熱板1と固着する際、接着剤5は押しつぶ
されて広がるが接着剤用キャビティ2にて広がりが止ま
り接着剤5のはみ出しが防止される。もし、接着剤が多
すぎて接着剤用キャビティをはみ出しても基板用キャビ
ティにて防止できる。放熱板1の基板用キャビティ3の
大きさは基板4より少し大きくなっており、そこに基板
4をはめ込むことで放熱板1と基板4は容易に固着され
る。放熱板1と基板4は基板表面7だけでなく基板側面
6も接しているので発熱した半導体ディバイス9の熱は
その両方から放熱板1に伝わる。
【0011】図3は本発明の第3の実施形態の構成を示
す模式図である。図3に第3のの放熱板の構造を示す。
基板用キャビティ内に複数本の接着剤用キャビティ2a
を設けている。また基板表面と接する箇所でなく、基板
側面と接する箇所に接着剤用キャビティ2bを設けるこ
ともできる。
【0012】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば接
着剤用キャビティと基板用キャビティの両方で接着剤の
はみ出しを防止できる。また基板用キャビティによって
放熱板に基板をはめ込むのでネジ止めによる固定より容
易であり固定のための費用が削減できる。さらに放熱板
と基板は基板表面と基板側面が接しているので放熱特性
が向上するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態の構成を示す模式図で
ある。
【図2】本発明の第2の実施形態の構成を示す模式図で
ある。
【図3】本発明の第3の実施形態の構成を示す模式図で
ある。
【図4】従来の第1の実施形態の構成を示す模式図であ
る。
【図5】従来の第2の実施形態の構成を示す模式図であ
る。
【符号の説明】
1 放熱板 2 接着剤用キャビティ 2a 接着剤用キャビティ 2b 接着剤用キャビティ 3 基板用キャビティ 4 基板 5 接着剤 6 基板側面 7 基板表面 8 基板裏面 9 半導体ディバイス 10 ボンディング線 11 エポキシ樹脂 12 リード端子 13 ネジ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 放熱板に接着剤のはみ出し防止用の接着
    剤用キャビティと基板の固定用の基板用キャビティを設
    け、前記放熱板と前記基板の表面の間には接着剤が塗布
    されたことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 放熱板に複数の接着剤用キャビティを有
    することを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記複数の接着剤用キャビティの断面積
    が互いに異なる事を特徴とする請求項2記載の半導体装
    置。
  4. 【請求項4】 接着剤用キャビティを前記基板用キヤビ
    ティの側面に設けたことを特徴とする請求項1記載の半
    導体装置。
  5. 【請求項5】 複数の接着剤用キャビティを前記基板用
    キヤビティの側面に設けたことを特徴とする請求項4記
    載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記基板の裏面には半導体チップが搭載
    されボンディング線にて前記基板にボンディングされ、
    前記半導体チップの周囲に樹脂をプリコートしたことを
    特徴とする請求項1乃至5記載の半導体装置。
  7. 【請求項7】 前記基板の表面に接着剤を塗布し前記放
    熱板と固着する際、接着剤は押しつぶされて広がり、前
    記接着剤用キャビティにて広がりが止まり接着剤のはみ
    出しが防止され、前記放熱板の前記基板用キャビティ
    に、前記基板をはめ込むことで前記放熱板と前記基板が
    固着されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7746659B2 (en) 2007-03-13 2010-06-29 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US7786606B2 (en) 2006-12-05 2010-08-31 Denso Corporation Resin-sealed electronic device and method of manufacturing the same
JP2012084708A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2016096263A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 三菱電機株式会社 パワー半導体装置およびその製造方法ならびに絶縁基板部
CN112366187A (zh) * 2020-11-19 2021-02-12 航天科工微电子系统研究院有限公司 一种毫米波芯片空腔封装结构及封装方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7786606B2 (en) 2006-12-05 2010-08-31 Denso Corporation Resin-sealed electronic device and method of manufacturing the same
US7746659B2 (en) 2007-03-13 2010-06-29 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP2012084708A (ja) * 2010-10-13 2012-04-26 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
JP2016096263A (ja) * 2014-11-14 2016-05-26 三菱電機株式会社 パワー半導体装置およびその製造方法ならびに絶縁基板部
CN112366187A (zh) * 2020-11-19 2021-02-12 航天科工微电子系统研究院有限公司 一种毫米波芯片空腔封装结构及封装方法

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