JP2001273681A - 光記録媒体 - Google Patents

光記録媒体

Info

Publication number
JP2001273681A
JP2001273681A JP2000092160A JP2000092160A JP2001273681A JP 2001273681 A JP2001273681 A JP 2001273681A JP 2000092160 A JP2000092160 A JP 2000092160A JP 2000092160 A JP2000092160 A JP 2000092160A JP 2001273681 A JP2001273681 A JP 2001273681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
super
semiconductor particles
recording medium
light
resolution film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000092160A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4537528B2 (ja
Inventor
Kenji Todori
顕司 都鳥
Toshihiko Nagase
俊彦 永瀬
Katsutaro Ichihara
勝太郎 市原
Naoko Kihara
尚子 木原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2000092160A priority Critical patent/JP4537528B2/ja
Priority to TW090106379A priority patent/TW501124B/zh
Priority to EP01302981A priority patent/EP1139161A1/en
Priority to US09/819,621 priority patent/US7081328B2/en
Publication of JP2001273681A publication Critical patent/JP2001273681A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4537528B2 publication Critical patent/JP4537528B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
    • G02F1/3556—Semiconductor materials, e.g. quantum wells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/251—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials dispersed in an organic matrix
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24308—Metals or metalloids transition metal elements of group 11 (Cu, Ag, Au)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/2431—Metals or metalloids group 13 elements (B, Al, Ga, In)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/24322—Nitrogen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/24324—Sulfur
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/24326—Halides (F, CI, Br...)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/146—Laser beam

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体微粒子を用いた超解像膜においてさら
に超解像特性を向上させ、ひいては光記録媒体における
記録密度の増大を図ることを目的とする。 【解決手段】 本発明は、記録する情報に対応した記録
パターンを形成することが可能な記録層を有し、前記記
録層に光６が照射されることにより記録された前記情報
が再生される光記録媒体１において、前記光記録媒体
は、前記記録層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜３
を備え、前記超解像膜３は、少なくとも表面に有機基が
共有結合している半導体粒子を備えることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超解像膜を附置す
る光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報産業に欠かせない記録媒体と
して光記録媒体、特にデジタルビデオディスク（ＤＶ
Ｄ）が注目され市場を大きくしつつある。光記録媒体は
非接触で高い記録密度が達成できる記録媒体である。
【０００３】しかしながらこのような光記録媒体におい
てもゲーム等のソフト、プログラムは今後さらに大容量
化することが確実なため、更なる記録密度の高密度化が
必要である。
【０００４】その手段としてはいくつかの手法が提案さ
れているが、最も効果的であるのは使用レーザービーム
の集光面積を小さくすることである。
【０００５】使用レーザービームの集光面積を小さくす
る手段としては、まず、レーザー光の短波長化が挙げら
れる。
【０００６】レーザー光の短波長化について述べれば、
現在はＧａＡｌＩｎＰ系半導体レーザー（波長６５０ｎ
ｍ）からＧａＮ系半導体レーザー（同４００ｎｍ）へ移
行しつつある時期である。また、さらに半導体レーザー
の波長もＧａＮという材料の特性から考えて、３５０ｎ
ｍまで短波長化することも十分考えられる。
【０００７】もう一つの使用レーザービームの集光面積
を小さくする手段としては超解像法が挙げられる。
【０００８】超解像法の概念を示す概略図を図６に示
す。超解像法においては、記録ピット１１に情報が記録
される記録層１２を有する光記録媒体１３の記録層１２
上に超解像膜１４を形成する。超解像膜１４は記録層１
２上に集光したレーザー光ビーム１５の強度の高い部分
のみを透過させる性質を有するため、ビーム断面の周辺
より中心部で光強度の大きいレーザー光ビーム１５を照
射するとその回折限界よりも小さいアパーチャーが形成
される。このような超解像膜１４を通してレーザー光ビ
ーム１５を記録層１２に照射することにより、回折限界
よりも小さいスポット径を有するレーザー光ビーム１５
が照射され、それにより記録密度を向上させるものであ
る。
【０００９】このような超解像法の一つとして超解像膜
を構成する材料の吸収飽和現象を利用した方法がある。
この方法において使用される超解像膜に光が照射される
とエネルギー準位に電子が励起して光吸収特性が変化す
る、言い換えれば光を吸収して励起された電子が調和振
動する際、非調和振動が誘起されて超解像膜の吸収と屈
折率が変化する。それにより超解像膜において光強度が
大幅に強い場合は吸収が少なくなるという吸収飽和現象
が生じる。この現象により前記超解像膜は超解像動作を
示すものである。
【００１０】このような吸収飽和現象を利用した超解像
膜の超解像特性を上げる為には、超解像膜を構成する材
料の３次非線形光学特性が大きい方が望ましいことが明
らかになっている。
【００１１】３次非線形光学特性の高い材料としては従
来π共役やσ共役電子を利用した材料や、金属のプラズ
モンを利用した材料、半導体励起子を利用した材料等が
見出されているが、特に半導体励起子を利用した材料は
良く研究されている。
【００１２】半導体励起子を利用した材料においてはさ
らに低次元化することにより励起された電子の調和振動
を安定化させ、非調和振動が大きくすることができるこ
とが知られている。低次元系とは超格子構造（２次
元）、量子線構造（１次元）、ナノ結晶（量子箱構造）
（０次元）のことである。このように半導体励起子を利
用した材料においては低次元化することにより３次非線
形性を上げ、また状態密度を集中させることができるこ
とから、特に半導体ナノ結晶を、超解像膜を構成する材
料として用いることが望ましいことが例えば特開平０６
−２８７１３号公報、特開平１１−８６３４２号公報等
に開示されている。これらに記載されている超解像膜
は、半導体ナノ結晶を透明マトリックスと共に溶媒中に
分散し、スピンコート法により成膜したり、あるいは半
導体ナノ結晶膜をスパッタリングなどで成膜することに
より形成されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体ナノ結晶を用いた超解像膜においても、さらに超
解像特性を向上させ、光記録媒体の記録密度の増大を図
ることが望まれていた。
【００１４】本発明は、半導体微粒子を用いた超解像膜
においてさらに超解像特性を向上させ、ひいては光記録
媒体における記録密度の増大を図ることを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、半導体ナ
ノ結晶に代表される半導体粒子を備える超解像膜の超解
像特性を左右する半導体励起子の励起状態は、半導体粒
子の表面状態、半導体粒子の粒径分布、あるいは位相緩
和時間の影響を強く受けることを見出した。
【００１６】すなわち、第１発明は、記録する情報に対
応した記録パターンを形成することが可能な記録層を備
え前記記録層に光が照射されることにより記録された情
報が再生される光記録媒体において、前記光記録媒体
は、前記記録層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜を
備え、前記超解像膜は、少なくとも表面に有機基が共有
結合している半導体粒子を備えることを特徴とする光記
録媒体である。
【００１７】前記有機基が共有結合した半導体粒子を包
囲するポリマーを備え、かつ前記有機基と前記ポリマー
とは共有結合を有しないことが望ましい。
【００１８】第２発明は、記録する情報に対応した記録
パターンを形成することが可能な記録層を備え前記記録
層に光が照射されることにより記録された情報が再生さ
れる光記録媒体において、前記光記録媒体は、前記記録
層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超
解像膜はデンドリマーと共有結合するかあるいはデンド
リマー間に存在している半導体粒子を備えてなることを
特徴とする光記録媒体である。
【００１９】第３発明は、記録する情報に対応した記録
パターンを形成することが可能な記録層を備え前記記録
層に光が照射されることにより記録された情報が再生さ
れる光記録媒体において、前記光記録媒体は、前記記録
層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超
解像膜は、半導体粒子を備えてなり、前記半導体粒子の
粒径分布の半値全幅が最多数粒径値以下であることを特
徴とする光記録媒体である。
【００２０】第４発明は、記録する情報に対応した記録
パターンを形成することが可能な記録層を備え前記記録
層に光が照射されることにより記録された情報が再生さ
れる光記録媒体において、前記光記録媒体は、前記記録
層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超
解像膜は、半導体粒子を備えてなり、前記半導体粒子の
粒径分布の最多数粒径値は前記半導体粒子の励起子ボー
ア半径の４分の１倍以上１倍以下であることを特徴とす
る光記録媒体である。
【００２１】第５発明は、記録する情報に対応した記録
パターンを形成することが可能な記録層を備え前記記録
層に光が照射されることにより記録された情報が再生さ
れる光記録媒体において、前記光記録媒体は、前記記録
層上に前記光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超
解像膜は少なくとも半導体粒子を備えてなり、前記半導
体粒子は、励起子発光が観測され、かつエネルギー緩和
時間が５０ｐｓｅｃ以上であることを特徴とする光記録
媒体である。
【００２２】なお、ここでいう半値全幅とは、ピークを
有する関数についてピークの両側でそれぞれピーク値の
半分の値をとる独立変数の値の間の間隔を示す。（岩波
理化学辞典 第４版 岩波書店（１９８７）ｐ．１０
０８「半値幅」参照） 以下に、超解像特性に関する説明をした上で第１発明〜
第５発明の作用について説明する。
【００２３】半導体粒子を含む超解像膜の超解像特性、
すなわち吸収飽和現象は、半導体粒子の有する主に三次
非線形光学特性に基づいて生じるものであると考えられ
る。以下にその理由について説明する。
【００２４】まず、半導体粒子、すなわち半導体励起子
において光照射がなされ励起された電子は調和振動する
際、非調和振動が誘起され吸収が変化する。調和振動と
は、ばねの様に、中心位置から離れる距離と中心へ戻ろ
うとする力が比例する振動のことである。非調和振動と
はそれが比例しない場合である。
【００２５】光（電磁波）の電場Ｅに対して励起される
半導体励起子の電子分極Ｐ、（すなわち吸収の大きさに
比例）は一般に Ｐ＝Ｐ０＋χ（１）・Ｅ＋χ（２）・Ｅ・Ｅ＋χ（３）
・Ｅ・Ｅ・Ｅ＋…… と表される。（ただしＰ０は自発分極、χ（１）は線形
感受率、χ（２）、χ（ ３）……はそれぞれ２次、３
次、……の非線形感受率である。） 電場（光）の大きさが強くなく、χ（２）、χ（３）…
が小さい場合はχ（２ ）以下の項が小さくなり、 Ｐ＝Ｐ０＋χ（１）・Ｅ で表される。これが一般的な状態である。
【００２６】しかし、χ（２）、χ（３）…が大きく、
レーザーの様に電場（光）が非常に大きくなると、χ
（２）以下の項が無視できなくなり、非線形特性が現わ
れる。
【００２７】吸収が生じる波長はχ（１）、χ（２）…
毎にそれぞれ異なり、χ（１）に関するものは線形吸
収、χ（２）に関しては２光子吸収などと呼ばれる。こ
こでは使用するレーザーの波長は線形吸収に関係する
項、すなわち第２項のχ（１）に関するものとする。
【００２８】ここで吸収飽和を示す超解像膜における半
導体励起子においてはマクロ的に反転対称性があるた
め、物理的な考察でχ（２）、χ（４）、
χ（６）．．．．．に関する項は０となる。すなわち吸
収飽和を示す超解像膜における半導体励起子の吸収は、
主にχ（１）と、χ（３）、χ（５）、
χ（７）．．．．．に関わる現象であり、非線型感受率
のなかではχ（３）、すなわち三次非線形光学定数が与
える影響が最も大きい。
【００２９】すなわち、光の強度が小さいと励起される
電子分極（吸収の大きさ）は線形で表されるが、光が強
くなると、電場の三乗に比例して、吸収しない分極の割
合が増える。従って、光が強くなると、吸収が飽和する
ように見えるのである。このときχ（３）が大きければ
大きいほど吸収飽和現象は顕著となる。
【００３０】以下、第１発明及び第２発明の作用につい
て説明する。
【００３１】以上のように半導体粒子の超解像特性、す
なわち吸収飽和現象は半導体励起子の有する主に三次非
線形光学特性に基づいて生じるものであるが、この三次
非線形光学特性は位相のコヒーレンス状態を含めて半導
体励起子が安定して存在することがその特性の向上につ
ながる。
【００３２】従来技術において、半導体粒子のサイズを
ナノメータまで小さくすることの意義はエネルギーの量
子井戸構造を形成して半導体励起子を安定化させること
にある。量子井戸構造とはポテンシャルエネルギーの高
い障壁の中にポテンシャルエネルギーの低い井戸のよう
な場所がある構造を指す。半導体励起子はその量子井戸
構造に閉じ込められることにより安定化する。しかし、
障壁に穴が開いていたり、低かったりすると半導体励起
子は安定化せず、そこから緩和してしまう。従って障壁
の状態は励起子の安定化のために非常に重要となる。
【００３３】第１発明及び第２発明は、さらに半導体励
起子を安定化させて、三次非線形光学特性を向上させる
ために、有機基あるいはデンドリマーを、超解像膜を構
成する半導体粒子の表面に共有結合させ、エネルギーの
量子井戸構造の障壁をより完全にするものである。
【００３４】有機基あるいはデンドリマーを半導体粒子
の表面に共有結合させると、それが高いエネルギー準位
となり不純物準位や界面準位が形成されにくいため、エ
ネルギーの量子井戸構造の障壁をより強固にすることが
できる。したがって半導体励起子がより安定化し、ひい
ては超解像膜の超解像特性を向上させることができる。
【００３５】次に、第３発明及び第４発明の作用につい
て説明する。
【００３６】前述の如く、三次の非線形光学定数χ
（３）は、大きければ大きいほど吸収飽和現象は顕著と
なる。この三次非線形光学定数χ（３）（３次の非線形
感受率）は、半導体粒子の場合、遷移双極子モーメント
（吸収）の大きさをμ、エネルギー準位の角振動数をω
０、レーザー光の角振動数をω、位相緩和（横緩和）定
数（位相緩和時間の逆数）をΓ、エネルギー緩和（縦緩
和）定数（エネルギー緩和時間の逆数）をγ、単位胞密
度をＮとすると、下記式（１）で表される。（固体物
理，ｖｏｌ．２４，Ｎｏ．１１，（１９８９））
【数１】 このときω０は粒径によって変化するため粒径分布が広
いとレーザーの角振動数ωとずれる粒子が多くなる。ω
とω０の差が大きい粒子ほどχ（３）が小さくなり、全
体としてもχ（３）が小さくなる。従って、半導体粒子
の粒径分布が狭くなると吸収飽和現象は顕著となる。
【００３７】特に、第３発明の如く、超解像膜を構成す
る半導体粒子の粒径分布の半値全幅が最多数粒径値以下
であることにより、超解像特性が大きく向上する。
【００３８】また、第４発明の如く超解像膜を構成する
半導体粒子の粒径分布の最多数粒径値が前記半導体粒子
の励起子ボーア半径の４分の１倍以上１倍以下であるこ
とによっても超解像特性が大きく向上する。
【００３９】半導体励起子のボーア半径より大きい半導
体粒子が多くなると、半導体励起子が半導体粒子の中央
部分に存在するか障壁付近に存在するかでエネルギーが
変化し、これによってもω０が変わり、また障壁との衝
突で位相が変わるため、高い超解像特性を示さない。逆
に大きさが半導体励起子のボーア半径の４分の１より小
さい半導体粒子が多くなると、半導体励起子の波動関数
が半導体粒子をはみ出してしまい、周囲に存在する不純
物準位にエネルギーが移動しやすく、位相緩和定数、エ
ネルギー緩和定数が大きくなり、そのためχ（３）は小
さくなる。
【００４０】次に第５発明の作用について説明する。
【００４１】前記したように、半導体粒子の三次非線形
光学特性は位相の状態を含めて半導体励起子が安定して
存在することがその特性の向上につながる。一方、半導
体励起子が安定な状態であるときは、半導体微粒子から
励起子発光が観測され、また、発光寿命（エネルギー緩
和時間と同じ）が長いという傾向がある。
【００４２】したがって、第５発明の如く超解像膜に用
いる半導体粒子として励起子発光が観測され、そのエネ
ルギー緩和時間が５０ｐｓｅｃ以上であるものを用いる
ことにより、顕著な吸収飽和現象を示す。上記した式
（１）においてもエネルギー緩和時間（γの逆数）が大
きいほど三次非線形光学定数χ（３）が大きいことが示
されている。
【００４３】
【発明の実施の形態】以下、光記録媒体の一例を挙げ、
第１発明乃至第５発明をさらに詳細に説明する。
【００４４】第１発明乃至第５発明に係る光記録媒体の
一例を示す概略図を図１に示す。
【００４５】図１の光記録媒体１においては、ガラスあ
るいはプラスチックよりなる透明基板２上に超解像膜３
が形成され、さらに前記超解像膜３上にＡｌなどからな
る反射膜４が形成されている。また、超解像膜３に接す
るよう放熱膜５が設けられていることが望ましい。前記
記録媒体１の透明基板２には記録される情報に対応した
凹凸パターンが透明基板２に記録されて記録層を構成し
ている。記録された情報の再生は透明基板２側から再生
光６を照射し、反射光を読み取ることにより行われる。
【００４６】図１に示す光記録媒体１は反射光の変化を
読み取ることにより情報が再生されるものであるが、例
えば再生光６を照射し、透過光の変化を読み取ることに
より情報が再生されるものであっても良い。
【００４７】図１に示す記録媒体１は透明基板２が記録
層を兼ねているが、本発明に係る記録媒体の記録層は透
明基板と別個に設けられているものであっても良い。ま
た記録媒体の記録層に記録される情報に対応した記録パ
ターンは図１に示す記録媒体１の如くの凹凸パターンの
みならず、例えば、屈折率、反射率、吸収率等、光学特
性の変化によるパターンであればよい。記録された情報
の再生は記録パターンの種類に応じた方式を使用する。
【００４８】前記超解像膜３は少なくとも半導体粒子が
透明なマトリックス材料中に分散されてなるものが０次
元量子井戸構造により励起子のχ（３）が大きくなるた
め望ましい。半導体粒子を包囲するマトリックス材料と
してはポリマーが望ましく、例えばポリメチルメタクリ
レート（ＰＭＭＡ）やポリスチレン、あるいは、ポリカ
ーボネート、ポリビニルアルコール、ポリアセタール、
ポリアリレートなどを好適に用いることができるが、特
に制約がない。しかし、融点が高く（例えば１００℃以
上）、半導体粒子を高濃度に含有できるものがよりよ
い。なお、ガラスは不純物準位等が多数存在するために
マトリックス材料としては好ましくない。
【００４９】前記半導体粒子は、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、Ｃ
ｄＳｘＳｅ１−ｘ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｘＳｅ
１−ｘ、ＣｄｘＺｎ１−ｘＳ、ＣｄｘＺｎ１−ｘＳｅ、
ＧａＮ、ＧａｘＩｎ１−ｘＮ、ＺｎＯ、ＣｕＣｌ、Ｈｇ
Ｉ２、ＰｂＩ２等（但しｘは混晶比であり、０＜ｘ＜１
である。）が挙げられる。次世代の光記録装置の光源の
波長が３５０ｎｍ〜４５０ｎｍであることから、特にＣ
ｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＳ ｘＳｅ１−ｘ、ＣｕＣｌ、Ｇａ
Ｎは励起子吸収が３５０〜４５０ｎｍに設定できるため
望ましい。
【００５０】超解像膜３は光記録媒体１の記録層上に、
半導体粒子、マトリックス材料及び溶媒の混合物をスピ
ンコートし、乾燥することにより形成することが容易で
あり好ましい。そのため前記マトリックス材料は適度な
厚さで塗布することが可能である程度に溶媒に溶解する
必要がある。また、超解像膜はマトリックス及び半導体
粒子を蒸着により形成しても良い。例えばマトリックス
としてテフロン（登録商標）は熱に強く良いがテフロン
はスピンコートできない。この時は半導体粒子とともに
蒸着を行えば良い。
【００５１】超解像膜３において半導体粒子／マトリッ
クスの濃度ｃは、０．００２ｍｏｌ／Ｌ以上２０００ｍ
ｏｌ／Ｌ以下であることが望ましい。光学系の焦点深度
の制限があるため、０．００２ｍｏｌ／Ｌ未満であると
定常の吸収量が少なく超解像が起こりにくく、２０００
ｍｏｌ／Ｌを超えると透過光量が少なく、十分な信号強
度が得られない。より好ましい範囲は０．１ｍｏｌ／Ｌ
以上１００ｍｏｌ／Ｌ未満である。
【００５２】前記半導体粒子／マトリックスの濃度ｃは
超解像膜の膜厚および吸光度との兼ね合いにおいてその
値を決定することが望ましい。使用波長で例えば１×１
０５Ｌ／ｍｏｌ・ｃｍのモル吸光係数εの半導体粒子を
仮定すると、膜厚ｄは焦点深度の深さを越えるため最大
でも５×１０−５ｃｍを超えることはなく、また、吸光
度αは０．０１を下回ると十分な超解像効果は得られな
い。一方、十分弱い光強度（励起）領域すなわち線形領
域では α＝ε・ｃ・ｄ であるため濃度ｃは、０．０１ｍｏｌ／Ｌ以上が必要と
いうことになる。
【００５３】超解像膜３において半導体粒子含有膜の吸
光係数αは１０００／ｃｍ以上２００００００／ｃｍ以
下の範囲であることが透過あるいは反射光量の変化を大
きくする上で望ましい。但し、この時の超解像膜の厚み
は１０ｎｍから１００ｎｍ程度を想定している。また、
この時の吸光係数αの定義は入射光強度Ｉ０、出射光強
度Ｉ、厚みｄとすると、下記式（２）で表される。
【数２】 このとき底はｅではなく１０である。
【００５４】超解像膜３において半導体粒子の位相緩和
時間が０．５ｆｓｅｃ（ｆはフェムト；１０−１５、ｓ
ｅｃは秒）以下であることが三次非線形特性を大きくし
超解像特性を向上させるため望ましい。
【００５５】なお、本明細書において半導体粒子の位相
緩和時間は過渡縮退４光波混合法で測定したものであ
る。
【００５６】この方法を用いて測定する位相緩和時間の
測定装置を図２に示す。まずフェムト秒のパルス幅のモ
ードロックレーザー５１からのレーザー光をハーフミラ
ー５２でプローブ光５４とパンプ光５５との２つに分
け、さらにその２つの光をレンズ５７で集光し試料（超
解像膜）５８に集光する。試料５８が三次非線形特性を
持つと、三次非線形光学定数に起因するシグナル光５９
が発生する。二つのレーザー光の時間差を変えながらこ
のシグナル光を、アパーチャー６０を介してディテクタ
６１でモニターする。２つのレーザー光の時間差を変え
る（すなわち例えばプローブ光に光遅延５６を生じさせ
その遅延の程度を変化させる）には２つのレーザー光の
光路長の差を変化させることにより行い、それはピエゾ
素子を用いることにより制御する。空気中の光の速度は
３×１０−８ｍ／ｓｅｃであるので、位相緩和時間１ｆ
ｓｅｃは０．３μｍの光路長の変化に相当する。
【００５７】この方法においては最初の光の励起により
半導体励起子において電子分極が起こるが、位相緩和時
間τ２後において、その位相が緩和していない成分と後
から励起した電子との干渉によってシグナル光５９が発
生することを利用している。レーザー光のパルス幅が位
相緩和時間より長い場合はレーザー光のパルス形からデ
コンボリューションで算出する。
【００５８】一方、図１に示す光記録媒体１において、
反射膜４としては熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋの膜を用い、
また超解像膜３に接するよう熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の放熱膜５を設け、前記超解像膜３の両面に接する膜
が１Ｗ／ｍ・Ｋ以上の熱伝導率を持つ放熱膜となるよう
構成されていることが望ましい。
【００５９】超解像膜３のマトリックスがポリマーある
いは低分子有機化合物で構成されその熱伝導度はほぼ１
以下である場合は、上記のような反射膜４及び放熱膜５
を設けることにより超解像膜３の両面に熱伝導度が１Ｗ
／ｍ・Ｋ以上の放熱膜を接触させることになり、熱放熱
現象が生じ、超解像膜３劣化を低減することができる。
放熱膜の熱伝導度は高ければ高いほど良く、特に１０
Ｗ／ｍ・Ｋ以上の放熱膜は効果が高い。特に１Ｗ／ｍ・
Ｋ以上の放熱膜としては具体的にはアルミニウム薄膜、
金薄膜、銅薄膜、チッ化アルミニウム、チッ化ゲルマニ
ウムなどが特に望ましい。
【００６０】放熱膜の厚さは１ｎｍ〜１００ｎｍの範囲
であることが放熱の効率及び、光記録媒体の全膜が焦点
深度以内になる必要から望ましい。
【００６１】以下に第１発明についてさらに説明する。
【００６２】第１発明において、半導体粒子に共有結合
させる有機基は、エネルギー準位の高い有機基が望まし
く、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基などのア
ルキル基、シアノ基、水酸基などが挙げられる。前記有
機基は極性の小さい物が良く、特にアルキル基が有効で
ある。前記有機基としては電子吸引性基又は電子供与性
基が含まれてないものが障壁のエネルギー準位が高いた
め望ましい。
【００６３】なお、第１発明に係る半導体粒子を用いて
超解像膜を構成する際に使用するマトリックス、すなわ
ち半導体粒子を包囲するポリマーは、主鎖の折れ曲がり
等により、不純物準位が形成される恐れがあるため、半
導体粒子に結合する有機基とマトリックス、すなわち半
導体粒子を包囲するポリマーとは共有結合されていない
ことが望ましい。
【００６４】第１発明に係る半導体粒子は、その合成時
に粒子径を一定にして半導体粒子の粒径分布を均一にす
る作用もあり、それによっても吸収飽和現象をより顕著
に生じせしめることができる。
【００６５】少なくとも表面に有機基を共有結合した半
導体粒子を得るには、例えば、(F.Gindele et. al., Ap
pl. Phys. Lett. 71, 2181 (1997)、K. Sooklal, et. a
l.,Adv. Marer. 10,1083 (1998),N. Herron,et. al.,
J. Am. Chem. Soc. 112, 1322 (1990),D. L. Ou, et. a
l., Phy. Chem. Grasses., 39, 154(1998))等に記載さ
れた方法で、半導体粒子を化学的に合成する手法が望ま
しい。
【００６６】第１発明に係る超解像膜は、半導体粒子の
粒径（有機基を含まない）の分布の半値全幅が最多数粒
径値以下であることが、超解像特性の向上のためより望
ましい。
【００６７】また、第１発明に係る超解像膜は、半導体
粒子の粒径（有機基を含まない）分布の最多数粒径値が
前記半導体粒子の励起子ボーア半径の４分の１倍以上１
倍以下であることが超解像特性の向上のため望ましい。
【００６８】次に第２発明についてさらに説明する。
【００６９】第２発明において、半導体粒子に共有結合
させるデンドリマーとは、枝分かれ構造を有する複数の
有機基が樹枝状に結合してなる構造を有する樹枝状分子
である。
【００７０】第２発明に係る半導体粒子の一例を示す概
略図を図３に示す。半導体粒子２１表面はデンドリマー
２２で被覆されている。デンドリマー２２は半導体粒子
２１表面に共有結合により結合している。
【００７１】デンドリマー２２は、例えば核となる半導
体粒子２１に共有結合される基本単位である枝分かれ構
造（例えばＹ字型）を有する有機基の手に、枝分かれ構
造（例えばＹ字型）の有機基が結合し、さらにその枝分
かれ構造（例えばＹ字型）の有機基の手に次の枝分かれ
構造（例えばＹ字型）の有機基が結合する、というよう
に枝分かれ構造を有する複数の有機基が樹枝状に結合し
ている構造（樹枝状構造）を有する樹枝状分子からな
る。
【００７２】前記樹枝状分子は、具体的にはHawker,C.
J.et al;J.Chem.Soc.,Commun.,1990年,1010頁、Tomalia,
D.A.et al;Angew.Chem.Int.Ed.Engl.,29巻,138頁(199
0)、Hawker,C.J.et al;J.Am.Chem.Soc.,112巻,7638頁(19
90)、Frechet,J.M.J.;Science,263巻1710頁(1994)、ある
いは柿本正明；化学，５０巻，６０８頁（１９９５）等
の文献に詳述されているデンドリマーに代表される概念
である。より厳密に定義すればフォーカルポイントすな
わち分岐の開始点が特定でき、該フォーカルポイントか
ら分子末端に向かって分子鎖をたどった場合にフォーカ
ルポイント以外の分岐点を最低一つ通過する分子末端が
最低１つ存在する分子構造である。また、フォーカルポ
イントとは、ここでは樹枝状分子の基本となるフラクタ
ル構造の原点を示す。
【００７３】第２発明における半導体粒子において半導
体粒子は前記デンドリマーに共有結合にて結合してい
る。それにより外部環境により分解しにくく安定であり
場合によってはエネルギー移動しやすくなる。また、前
記樹枝状分子からなるデンドリマーは、半導体粒子を均
一な膜厚で包囲することができるため、合成時に半導体
粒子同士で粒径を一定にすることができる。
【００７４】第２発明に係る半導体粒子は例えば下記の
第一〜第三の方法にて製造することができる。
【００７５】すなわち第一の方法は、半導体粒子が生成
する溶液中に半導体粒子と反応しうる原子を有する樹枝
状構造を有する有機化合物を共存させつつ生成反応を生
じせしめる方法である。
【００７６】また、第二の方法は、樹枝状構造を有しな
い有機化合物を目的半導体分子に有機結合により修飾さ
せ、しかる後にその修飾分子をハロゲン化などの手法で
活性化させ樹枝状構造を成長させていく方法である。
【００７７】また、第三の方法は、あらかじめ半導体粒
子を合成した後に、半導体粒子と反応しうる原子を有す
る樹枝状構造を有する有機化合物を共存させ、半導体粒
子の修飾を行う方法である。
【００７８】上記第一〜第三の方法のうち第一の方法が
簡便であるため望ましい。
【００７９】前記樹枝状構造を有する有機化合物は半導
体粒子と反応しうる原子を有する樹枝状有機化合物であ
ればいかなる物でも構わないが、フォーカルポイントに
半導体粒子と反応しうる元素を安定に導入されているこ
とが望ましい。そのためには、いわゆるコンバージエン
ト法により合成されたデンドロンを用いる事が好まし
く、具体的には、「DENDRITIC MOLECULES : CONCEPTS SY
NTHESES PERSPECTIVES著者:NEWKOME,G.R.;MOOREFIELD,
C.N.;VOGTLE,M.F. 発行所:VCHYY: 発行年:1996発行国:
ドイツ IS:ISBN:3-527-29325-6に示されるような化合物
が挙げられる。
【００８０】より具体的には下記に示す化学式（１）あ
るいは化学式（２）に示す構造を有する化合物が本発明
の作用を得る上で特に望ましい。
【００８１】化学式（１）および化学式（２）に示す構
造を説明すると、化学式（１）に示す化合物はオキシベ
ンジレン単位が２叉分岐した単位を繰り返すフラクタル
構造を有しており、オキシベンジレンの３世代構造とみ
なすことができる。同じフラクタル構造の繰り返しで第
５世代まで構成したものが化学式（２）に示す化合物で
ある。これらの構造以外にこれらの化合物のベンジレン
に有機基が置換した構造又は２叉分岐の代わりにピロガ
ロール誘導体を３叉分岐の繰り返し単位として導入して
もかまわない。また、最外郭構造は化学式（１）及び化
学式（２）ではメチル基で修飾されているが、必要に応
じていかなる有機基を導入してもかまわない。
【化１】 （ただしＸは一価の基） 上記Ｘは半導体粒子と反応性を有するものならいかなる
ものでもかまわない。具体的には水酸基、ハロゲン、Ｓ
Ｈ、ＳｅＨなどが挙げられる。
【化２】 （ただしＸは一価の基） 上記Ｘは半導体粒子と反応性を有するものならいかなる
ものでもかまわない。具体的には水酸基、ハロゲン、Ｓ
Ｈ、ＳｅＨなどが挙げられる。
【００８２】さらに前記樹枝状構造を有する有機化合物
は繰返し周期が３世代以上である事が中心半導体粒子間
の距離を保つ上で望ましい。
【００８３】第２発明に係る超解像膜は、半導体粒子の
粒径（デンドリマーを含まない）の分布の半値全幅が最
多数粒径値以下であることが、超解像特性の向上のため
より望ましい。
【００８４】また、第２発明に係る超解像膜は、半導体
粒子の粒径（デンドリマーを含まない）分布の最多数粒
径値が前記半導体粒子の励起子ボーア半径の４分の１倍
以上１倍以下であることが超解像特性の向上のため望ま
しい。
【００８５】以下に第３発明についてさらに説明する。
【００８６】第３発明において、半導体粒子の粒径分布
の半値全幅は、最多数粒径値以下である。さらに粒径分
布の半値全幅は最多数粒径値の２分の１の範囲であるこ
とが励起子が安定化するため望ましい。
【００８７】第３発明に係る粒径分布が一定範囲の半導
体粒子を得るには、いかなる方法であっても良いが、例
えば第１発明あるいは第２発明に係る半導体粒子を得る
方法と同様にして、半導体粒子を化学的に合成する方法
が挙げられる。また、蒸着などによる気相合成で得られ
るものであっても良い。
【００８８】第３発明に係る超解像膜においては、半導
体粒子の粒径分布の最多数粒径値が前記半導体粒子の励
起子ボーア半径の４分の１倍以上１倍以下であることが
望ましい。
【００８９】以下に第４発明についてさらに説明する。
【００９０】第４発明において、半導体粒子の粒径分布
の最多数粒径値が前記半導体粒子の励起子ボーア半径の
４分の１倍以上１倍以下である。半導体粒子の５０（体
積）％以上が前記半導体粒子の励起子ボーア半径の４分
の１倍以上１倍以下の粒径を有することが望ましい。さ
らに前記半導体粒子の励起子ボーア半径の４分の１倍以
上１倍以下の粒径を有する半導体粒子は７０（体積）％
以上であることがより望ましい。さらに望ましくは、さ
らに前記半導体粒子の励起子ボーア半径の２分の１以上
１以下の範囲にある半導体粒子が８０（体積）％以上で
あることが望ましい。
【００９１】第４発明に係る半導体粒子を得るには、い
かなる方法であっても良いが、例えば第１発明あるいは
第２発明に係る半導体粒子を得る方法と同様にして、半
導体粒子を化学的に合成する方法が挙げられる。また、
その他蒸着など気相合成で得られるものであっても良
い。
【００９２】第４発明に係る超解像膜においては、半導
体粒子の粒径分布の半値全幅は、最多数粒径値以下であ
ることが望ましい。
【００９３】次に第５発明についてさらに説明する。
【００９４】第５発明に係る半導体粒子は、励起子発光
が観測されるものを使用する。励起子発光の観察は分光
蛍光光度計あるいは分光器、光電子増倍管のシステム等
の方法で行う。
【００９５】また、第５発明に係る半導体粒子は、エネ
ルギー緩和時間が５０ｐｓｅｃ以上であるものを使用す
る。さらに前記エネルギー緩和時間が５００ｐｓｅｃ以
上であるものがより好ましい。
【００９６】なお、本明細書において半導体粒子のエネ
ルギー緩和時間はストソークカメラあるいは時間分解単
一光子係数法で測定したものである。
【００９７】
【実施例】（実施例１） ＜半導体粒子の合成＞F.Gindele et. al., Appl. Phys.
Lett. 71, 2181 (1997)の方法と類似の方法で以下のよ
うにＣｄＳナノ結晶を生成した。
【００９８】まず、カドミウムアセテイトダイハイドレ
イトをリフラックスし、カドミウムエトキシアセテイト
を作製した。それを乾燥し、カドミウムを含む前駆体の
粉末を得た。この粉末を２−ブトキシエタノール中に溶
かし、さらにアミノプロピルトリエトキシシラン（ＡＭ
ＥＯ）を加えた。その後、アルゴンガス雰囲気下でビス
（トリメチルシリル）サルファイドを加えリフラックス
を行い、半導体粒子を含む組成物を得た。
【００９９】この組成物は、半導体粒子としての、前記
ＡＭＥＯが表面に共有結合したＣｄＳナノ結晶と、マト
リックスとしての、ＡＭＥＯからなるものであった。 ＜超解像膜の形成＞前記組成物を石英ガラス上に薄く塗
布して厚さ１００ｎｍの超解像膜を形成した。 ＜粒径分布の測定＞前記半導体粒子の最多数粒径値（粒
径は共有結合したＡＭＥＯを含まない）を透過型電子顕
微鏡（ＴＥＭ）で測定したところ、３ｎｍであった。ま
た、半値全幅を測定したところ３．２ｎｍであった。 ＜吸収スペクトルの測定＞前記超解像膜の吸収スペクト
ルを分光光度計で測定した結果、励起子吸収ピークは約
４００ｎｍであった。 ＜吸収飽和現象の有無の測定＞つぎに前記超解像膜につ
いて、吸収飽和現象の有無を測定した。
【０１００】測定は、波長４００ｎｍのＱスイッチパル
スＹＡＧレーザー−Ｔｉ：サファイアレーザー−ＳＨＧ
の光を前記超解像膜に照射し、透過率を測定することに
より行った。
【０１０１】図４は実施例１に係る超解像膜の透過率の
入射光強度依存性を示す特性図である。パワー密度１０
０ｋＷ／ｃｍ２（ｋ：キロ１０３）の光を照射したとこ
ろ、透過率は約１０％であった。パワー密度を１ＭＷ／
ｃｍ２に上げたところ透過率が１３％になり、入射光強
度が強くなるに従って透過率が上昇するのを確認しこの
膜が吸収飽和特性を有していることを確認した。
【０１０２】表１に、実施例１に係る超解像膜における
半導体粒子の半導体の種類、半導体粒子に結合する有機
基、半導体粒子の最多数粒径、超解像膜の吸収スペクト
ルの吸収波長、マトリックスの種類、及び吸収飽和現象
の有無の測定における光源の種類及び波長、超解像膜に
おけるパワー密度１００ｋＷ／ｃｍ２、１ＭＷ／ｃｍ ２
のときの透過率を示す。
【表１】 （実施例２） ＜半導体粒子の合成＞実施例１においてビス（トリメチ
ルシリル）サルファイドを加える時、容器をドライアイ
ス／エタノールで冷却し、ビス（トリメチルシリル）サ
ルファイドを加えた後、十分攪拌してから温度を１６５
℃±０．５℃に制御してリフラックスを行なう以外は実
施例１と同様にして半導体粒子を含む組成物を得た。
【０１０３】この組成物は、半導体粒子としての前記Ａ
ＭＥＯが表面に共有結合したＣｄＳナノ結晶と、マトリ
ックスとしてのＡＭＥＯからなるものであった。
【０１０４】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜超解像膜の形成＞、＜吸収スペクトルの測定
＞、＜吸収飽和現象の有無の測定＞を行った。その結果
を表１に併記する。 （実施例３） ＜半導体粒子の合成＞実施例１において原料のカドミウ
ムアセテイトダイハイドレイトの代りにジンクアセテイ
トダイハイドレイトを用いた以外は実施例１と同様にし
て半導体粒子を含む組成物を得た。
【０１０５】この組成物は、半導体粒子としての前記Ａ
ＭＥＯが表面に共有結合したＺｎＳナノ結晶と、マトリ
ックスとしてのＡＭＥＯからなるものであった。
【０１０６】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜超解像膜の形成＞、＜吸収スペクトルの測定
＞、＜吸収飽和現象の有無の測定＞を行った。その結果
を表１に併記する。 （比較例１） ＜半導体粒子および超解像膜の形成＞バルクのＣｄＳ及
びＳｉＯ２を石英ガラス上に同時スパッタリングした。
スパッタリングパワーはＣｄＳが２００Ｗ、ＳｉＯ２が
５００Ｗ、スパッタレートはＣｄＳが４．５ｎｍ／ｍｉ
ｎ、ＳｉＯ２は３．８ｎｍ／ｍｉｎであった。
【０１０７】この結果、石英ガラス上にマトリックスと
してのＳｉＯ２と半導体粒子としてのＣｄＳナノ結晶か
らなる厚さ３００ｎｍの超解像膜を得た。
【０１０８】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜吸収スペクトルの測定＞、＜吸収飽和現象の有
無の測定＞を行った。その結果を表１に併記する。
【０１０９】実施例１、実施例２、実施例３と、比較例
１との対比により第１発明に係る超解像膜は顕著な飽和
吸収特性を示し、優れた超解像特性を示すことがわか
る。
【０１１０】実施例２、実施例３と、実施例１、比較例
１との対比により、第３発明に係る超解像膜は顕著な飽
和吸収特性を示し、優れた超解像特性を示すことがわか
る （実施例４） ＜半導体粒子の合成＞原料のビス（トリメチルシリル）
サルファイドの代わりにビス（トリメチルシリル）セレ
ナイドを用い、２−ブトキシエタノールの代わりにエタ
ノールを用いた以外は実施例１と同様にして半導体粒子
を含む組成物を得た。合成時には温度制御は行わなかっ
た。
【０１１１】この組成物は、半導体粒子としての前記Ａ
ＭＥＯが表面に共有結合したＣｄＳｅナノ結晶と、マト
リックスとしてのＡＭＥＯからなるものであった。
【０１１２】その後、実施例１と同様に＜超解像膜の形
成＞、＜粒径分布の測定＞、＜吸収スペクトルの測定
＞、＜吸収飽和現象の有無の測定＞を行った。その結果
を表２に記載する。但し、ＣｄＳｅの励起子ボーア半径
は４．９ｎｍである。
【表２】 （実施例５，比較例２） ＜半導体粒子の用意＞半導体粒子として比較例２、実施
例５の２種のＣｄＳ０．１Ｓｅ０．９ナノ結晶を用意し
た。 ＜超解像膜の形成＞比較例２と実施例５のそれぞれの半
導体粒子をＰＭＭＡに分散し、スピンコートすることに
より厚さ１００ｎｍの超解像膜を形成した。
【０１１３】比較例２と実施例５のそれぞれの半導体粒
子について、実施例１と同様に、＜粒径分布の測定＞、
＜吸収スペクトルの測定＞を行った。その結果を表２に
併記する。但し、ＣｄＳ０．１Ｓｅ０．９の励起子ボー
ア半径は４．７ｎｍである。 ＜発光スペクトルの測定＞また、比較例２と実施例５の
それぞれの半導体粒子について分光蛍光光度計によって
発光スペクトルを取得した。その結果を図５に示す。比
較例２（最多数粒径１．０ｎｍ）では不純物準位の発光
が観測され、励起子のエネルギーが不純物準位に流れて
いることがわかる。実施例５（最多数粒径１．３ｎｍ）
ではそのような現象はみられなかった。これは励起子波
動関数の染み出しが比較例２の半導体粒子では大きいた
め、波動関数がナノ結晶の外部の不純物準位に引っかか
っていると思われる。
【０１１４】その後実施例１と同様に＜吸収飽和現象の
有無の測定＞を行った。その結果を表２に併記する。 （比較例３） ＜半導体粒子の合成＞比較例３としてC. B. Murray, J.
Chem. Soc., 115, 8706 (1993) と同様の方法でＣｄＳ
ｅナノ結晶を作製した。 ＜超解像膜の形成＞ＣｄＳナノ結晶を抽出し、ＰＭＭＡ
／乳酸エチル中に分散し、スピンコートすることにより
ＰＭＭＡをマトリックスとした超解像膜を形成した。
【０１１５】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜吸収スペクトルの測定＞、＜吸収飽和現象の有
無の測定＞を行った。その結果を表２に記載する。但
し、ＣｄＳｅの励起子ボーア半径は４．９ｎｍである。 （比較例４） ＜半導体粒子の合成＞実施例１においてビス（トリメチ
ルシリル）サルファイドをビス（トリメチルシリル）セ
レナイドに、２−ブトキシエタノールをメタノールに代
え、さらにビス（トリメチルシリル）セレナイドを混合
する時の温度を約５℃にする以外は実施例１と同様にし
て半導体粒子を含む組成物を得た。
【０１１６】この組成物は、半導体粒子としての前記Ａ
ＭＥＯが表面に共有結合したＣｄＳｅナノ結晶と、マト
リックスとしてのＡＭＥＯからなるものであった。
【０１１７】その後、実施例１と同様に同様に＜粒径分
布の測定＞、＜超解像膜の形成＞、＜吸収スペクトルの
測定＞、＜吸収飽和現象の有無の測定＞を行った。その
結果を表２に記載する。但し、ＣｄＳｅの励起子ボーア
半径は４．９ｎｍである。 （実施例６、比較例５）実施例４の超解像膜を形成した
図１に示す光記録媒体を作製した。記録媒体１は、ポリ
カーボネートよりなる透明基板２上に前記超解像膜３を
形成し、さらに前記超解像膜３上に８０ｎｍの厚さのア
ルミニウムからなる反射膜４が形成されている。ただ
し、放熱膜５は形成しなかった。この記録媒体１におい
ては情報は片面に凹凸パターンを形成することにより記
録されておりその凹凸パターンの隣接するトラック間の
トラックピッチは０．４μｍであった。ここでクロスト
ークはトラックピッチあるいはマークピッチがレーザー
光スポットと比較して小さい場合に起こるが、一般にト
ラックピッチの方がマークピッチより短い。
【０１１８】次に、この光記録媒体に再生光６を透明基
板２側から照射し、反射光を読み取ることにより記録媒
体１に記録された情報を再生した。この時のレンズの
Ｎ．Ａ．は０．６、使用波長λは４０５ｎｍを使用し
た。超解像膜３がない場合のピット上でのレーザー光の
集光径は約０．７μｍである。またレーザー光のパワー
は３ｍＷ、線速は１０ｍ／ｓとした。その結果、正確に
情報を再生することができた。
【０１１９】一方、比較例５として超解像膜３が形成さ
れていない以外は条件が同じ光記録媒体を別途用意し、
同様に再生光を照射しこの光記録媒体に記録された情報
を読み取ったところクロストークが起こり、正確に信号
を読み取ることができなかった。 （比較例６）超解像膜３として以下のものを使用した以
外は、実施例６と同様にして光記録媒体を作製し、およ
びこの光記録媒体の情報の読み取りを行った。
【０１２０】超解像膜３はバルクのＣｄＳ０．６Ｓｅ
０．４とＳｉＯ２を石英ガラス基板上に同時スパッタリ
ングした。スパッタリングパワーはＣｄＳ０．６Ｓｅ
０．４が２００Ｗ、ＳｉＯ２が５００Ｗ、スパッタレー
トはＣｄＳ０．６Ｓｅ０．４が４．５ｎｍ／ｍｉｎ、Ｓ
ｉＯ２は３．８ｎｍ／ｍｉｎである。この結果、石英ガ
ラス上にマトリックスとしてのＳｉＯ２と半導体粒子と
してのＣｄＳ０．６Ｓｅ０ ．４ナノ結晶からなる厚さ３
００ｎｍの超解像膜を得た。
【０１２１】この超解像膜における半導体粒子に対し実
施例１と同様に＜粒径分布の測定＞を行った結果を表２
に示す。
【０１２２】この膜に関し、実施例１と同様に＜吸収飽
和現象の有無の測定＞したところ、発光は観測できず、
また、実施例１のような光強度の変化に従い透過率が変
化することは観測できなかった。
【０１２３】さらに、この光記録媒体の読み取りにあた
っては、クロストークが起こり、正確に信号を読み取る
ことができなかった。
【０１２４】実施例４〜６、比較例２〜６との対比によ
り第４発明に係る超解像膜は顕著な飽和吸収特性を示
し、優れた超解像特性を示すことがわかる。 （実施例７）F. Gindele et. al., Appl. Phys. Lett.
71, 2181 (1997)の方法と類似の方法で以下のようにＣ
ｄＳ０．６Ｓｅ０．４ナノ結晶を生成した。
【０１２５】まず、カドミウムアセテイトダイハイドレ
イトをリフラックスし、カドミウムエトキシアセテイト
を作製した。それを乾燥し、カドミウムを含む前駆体の
粉末を得た。この粉末をエタノール中に再び溶かした。
アルゴンガス雰囲気下でビス（トリメチルシリル）サル
ファイドとビス（トリメチルシリル）セレナイドを［６
モル：４モル］の比で加え、加熱及び乳酸エチルへの溶
媒置換を行い半導体粒子としてＣｄＳ０．６Ｓｅ０．４
ナノ結晶を含む溶液を得た。
【０１２６】前記半導体粒子には表面上にエチル基が結
合している。 ＜超解像膜の形成＞これに分子量７５０００のＰＭＭＡ
を溶解した。この時のＣｄＳ０．６Ｓｅ０ ．４ナノ結
晶、ＰＭＭＡの重量比は、厚さ１００ｎｍの超解像膜を
形成し、４０５ｎｍの波長の光を照射したとき透過率が
１０％となる濃度になる様にした。この溶液を用い石英
ガラス基板に超解像膜を厚さが約１００ｎｍになるよう
にスピンコートした。その結果ＣｄＳ０．６Ｓｅ０．４
含有ＰＭＭＡ膜が作製できた。
【０１２７】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜吸収スペクトルの測定＞、＜吸収飽和現象の有
無の測定＞を行った。その結果を表３に記載する。
【表３】 なお、この半導体粒子は、混晶比で計算すると励起子ボ
ーア半径は３．６ｎｍである。この超解像膜の超解像効
果を調べるため、レーザービームの幅がどのくらい狭ま
っているか測定したところ、約２５％狭まっていること
が確認された。 （実施例８、比較例７）実施例７の超解像膜を形成した
図１に示す光記録媒体を作製した。記録媒体１は、ポリ
カーボネートよりなる透明基板２上に前記超解像膜３を
形成し、さらに前記超解像膜３上に８０ｎｍの厚さのア
ルミニウムからなる反射膜４が形成されている。ただ
し、放熱膜５は形成しなかった。この記録媒体１におい
ては情報は片面に凹凸パターンを形成することにより記
録されておりその凹凸パターンの隣接するトラック間の
トラックピッチは０．３５μｍであった。ここでクロス
トークはトラックピッチあるいはマークピッチがレーザ
ー光スポットと比較して小さい場合に起こるが、一般に
トラックピッチの方がマークピッチより短い。
【０１２８】次に、この光記録媒体に再生光６を透明基
板２側から照射し、反射光を読み取ることにより記録媒
体１に記録された情報を再生した。この時のレンズの
Ｎ．Ａ．は０．６、使用波長λは４０５ｎｍを使用し
た。超解像膜３がない場合のピット上でのレーザー光の
集光径は約０．７μｍである。またレーザー光のパワー
は３ｍＷ、線速は１０ｍ／ｓとした。その結果、正確に
情報を再生することができた。
【０１２９】一方、比較例７として超解像膜３が形成さ
れていない以外は条件が同じ光記録媒体を別途用意し、
同様に再生光を照射しこの光記録媒体に記録された情報
を読み取ったところクロストークが起こり、正確に信号
を読み取ることができなかった。 （実施例９）K. Sooklal、et. al., Adv. Mater. 10, 10
83 (1998) と同様の方法でデンドリマー（スターバース
ト（ＰＡＭＡＭ（ポリアミノアミン）））と共有結合す
る半導体粒子であるＣｄＳを作製した。溶媒はメタノー
ル、ＰＨ１１．８とした。
【０１３０】その後、実施例１と同様に＜粒径分布の測
定＞、＜超解像膜の形成＞、＜吸収スペクトルの測定
＞、＜吸収飽和現象の有無の測定＞を行った。その結果
を表３に併記する。
【０１３１】実施例９と比較例１との対比により第２発
明に係る超解像膜は顕著な飽和吸収特性を示し、優れた
超解像特性を示すことがわかる。 （実施例１０）ＣｕＣｌはＮａＣｌ中でナノ結晶を形成
することが知られている。ＮａＣｌ中に最多数粒径６ｎ
ｍのＣｕＣｌナノ結晶からなる半導体粒子を形成した。
【０１３２】実施例１と同様に＜吸収スペクトルの測定
＞を行い、この半導体粒子の吸収ピーク波長を測定した
ところ、３８５ｎｍであった。また、この半導体粒子を
温度７７Ｋで発光を分光蛍光光度計で測定したところ励
起子発光が確認された。また、エネルギー緩和時間をス
トソークカメラで測定したところ、約２００ｐｓｅｃで
あった。 ＜超解像膜の形成＞この半導体粒子を用いて以下のよう
に石英ガラス基板上にＣｕＣｌをドープしたＮａＣｌを
結晶成長させ、熱処理して超解像膜を作製した。
【０１３３】光源としてＣＷ Ｔｉ：サファイアレーザ
ーの第二高調波（波長３８５ｎｍ）を用い、温度７７Ｋ
で、実施例１と同様にして＜吸収飽和現象の有無の測定
＞を行なったところ０．６Ｗ／ｃｍ２での透過率は１０
％であったが、５００ｋＷ／ｃｍ２にしたところ透過率
は約５０％と上がった。
【０１３４】実施例１０と比較例１との対比により第５
発明に係る超解像膜は顕著な飽和吸収特性を示し、優れ
た超解像特性を示すことがわかる
【０１３５】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、超
解像膜の吸収飽和特性、ひいては超解像特性の向上が図
られ記録密度の増大が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１発明乃至第５発明に係る光記録媒体の一
例を示す概略図。
【図２】 位相緩和時間の測定装置を示す概略図。
【図３】 第２発明に係る半導体粒子を示す概略図。
【図４】 実施例１に係る超解像膜の透過率の入射光強
度依存性を示す特性図。
【図５】 実施例５と実施例６の半導体粒子の発光スペ
クトル。
【図６】 超解像法を示す概念図。
【符号の説明】
１…光記録媒体 ２…透明基板 ３…超解像膜 ４…反射膜 ５…放熱膜 ６…再生光 １１…記録ピット １２…記録層 １３…光記録媒体 １４…超解像膜 １５…レーザー光ビーム ５１…モードロックレーザー ５２…ハーフミラー ５３…ミラー ５４…プローブ光 ５５…パンプ光 ５６…光遅延 ５７…レンズ ５８…試料（超解像膜） ５９…シグナル光 ６０…アパーチャー ６１…ディテクタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 市原 勝太郎 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 (72)発明者 木原 尚子 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内 Ｆターム(参考） 5D029 MA39

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 記録する情報に対応した記録パターンを
    形成することが可能な記録層を備え前記記録層に光が照
    射されることにより記録された情報が再生される光記録
    媒体において、前記光記録媒体は、前記記録層上に前記
    光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超解像膜は、
    少なくとも表面に有機基が共有結合している半導体粒子
    を備えることを特徴とする光記録媒体。
  2. 【請求項２】 前記有機基が共有結合した半導体粒子を
    包囲するポリマーを備え、かつ前記有機基と前記ポリマ
    ーとは共有結合を有しないことを特徴とする請求項１記
    載の光記録媒体。
  3. 【請求項３】 記録する情報に対応した記録パターンを
    形成することが可能な記録層を備え前記記録層に光が照
    射されることにより記録された情報が再生される光記録
    媒体において、前記光記録媒体は、前記記録層上に前記
    光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超解像膜はデ
    ンドリマーと共有結合するかあるいはデンドリマー間に
    存在している半導体粒子を備えてなることを特徴とする
    光記録媒体。
  4. 【請求項４】 記録する情報に対応した記録パターンを
    形成することが可能な記録層を備え前記記録層に光が照
    射されることにより記録された情報が再生される光記録
    媒体において、前記光記録媒体は、前記記録層上に前記
    光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超解像膜は、
    半導体粒子を備えてなり、前記半導体粒子の粒径分布の
    半値全幅が最多数粒径値以下であることを特徴とする光
    記録媒体。
  5. 【請求項５】 記録する情報に対応した記録パターンを
    形成することが可能な記録層を備え前記記録層に光が照
    射されることにより記録された情報が再生される光記録
    媒体において、前記光記録媒体は、前記記録層上に前記
    光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超解像膜は、
    半導体粒子を備えてなり、前記半導体粒子の粒径分布の
    最多数粒径値は前記半導体粒子の励起子ボーア半径の４
    分の１倍以上１倍以下であることを特徴とする光記録媒
    体。
  6. 【請求項６】 記録する情報に対応した記録パターンを
    形成することが可能な記録層を備え前記記録層に光が照
    射されることにより記録された情報が再生される光記録
    媒体において、前記光記録媒体は、前記記録層上に前記
    光のビーム径を絞る超解像膜を備え、前記超解像膜は少
    なくとも半導体粒子を備えてなり、前記半導体粒子は、
    励起子発光が観測され、かつエネルギー緩和時間が５０
    ｐｓｅｃ以上であることを特徴とする光記録媒体。
JP2000092160A 2000-03-29 2000-03-29 光記録媒体 Expired - Fee Related JP4537528B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000092160A JP4537528B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 光記録媒体
TW090106379A TW501124B (en) 2000-03-29 2001-03-19 Optical disk
EP01302981A EP1139161A1 (en) 2000-03-29 2001-03-29 Optical disk having super-resolution film
US09/819,621 US7081328B2 (en) 2000-03-29 2001-03-29 Optical disk having super-resolution film

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000092160A JP4537528B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 光記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001273681A true JP2001273681A (ja) 2001-10-05
JP4537528B2 JP4537528B2 (ja) 2010-09-01

Family

ID=18607531

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000092160A Expired - Fee Related JP4537528B2 (ja) 2000-03-29 2000-03-29 光記録媒体

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7081328B2 (ja)
EP (1) EP1139161A1 (ja)
JP (1) JP4537528B2 (ja)
TW (1) TW501124B (ja)

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020110180A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-15 Barney Alfred A. Temperature-sensing composition
US7190870B2 (en) * 2001-09-17 2007-03-13 Massachusetts Institute Of Technology Semiconductor nanocrystal composite
JP2003178419A (ja) * 2001-12-12 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 記録媒体
JP3836722B2 (ja) * 2001-12-28 2006-10-25 株式会社日立製作所 非線形光学薄膜とそれを用いた光情報記録媒体及び光スイッチ
JP4298374B2 (ja) * 2002-11-18 2009-07-15 シャープ株式会社 光情報記録媒体、並びに、それを用いた記録方法、再生方法、光情報記録装置、および光情報再生装置
EP1576419A4 (en) * 2002-12-09 2006-07-12 Pixelligent Technologies Llc PROGRAMMABLE PHOTOLITHOGRAPHIC MASKS AND REVERSIBLE PHOTO-BLEACHABLE MATERIALS BASED ON NANOGRAPHER SEMICONDUCTOR PARTICLES AND APPLICATIONS THEREFOR
JP3832659B2 (ja) * 2003-06-06 2006-10-11 シャープ株式会社 光情報記録媒体、それを用いた記録方法、再生方法、光情報記録装置、および光情報再生装置
JP2005018964A (ja) * 2003-06-06 2005-01-20 Sharp Corp 光情報記録媒体、及びそれを用いた再生方法、光情報処理装置
TWI225245B (en) * 2003-06-30 2004-12-11 Ritek Corp Method of reproducing optical recording medium with high recording density
JP2007501525A (ja) 2003-08-04 2007-01-25 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤ複合体およびこれらに由来する電子基板を作製するためのシステムおよび方法
CA2553837C (en) * 2004-01-21 2012-10-16 Microcontinuum, Inc. Pre-formatted linear optical data storage medium
US9307648B2 (en) 2004-01-21 2016-04-05 Microcontinuum, Inc. Roll-to-roll patterning of transparent and metallic layers
US7253452B2 (en) 2004-03-08 2007-08-07 Massachusetts Institute Of Technology Blue light emitting semiconductor nanocrystal materials
KR100754166B1 (ko) * 2004-05-17 2007-09-03 삼성전자주식회사 초해상 정보 저장매체 및 그 정보 기록 및/또는 재생기기
US7229690B2 (en) * 2004-07-26 2007-06-12 Massachusetts Institute Of Technology Microspheres including nanoparticles
EP1622212B1 (en) * 2004-07-29 2010-04-21 Konarka Technologies, Inc. Process for coating nanostructured electrodes
WO2007100849A2 (en) 2006-02-27 2007-09-07 Microcontinuum, Inc. Formation of pattern replicating tools
GB0803702D0 (en) 2008-02-28 2008-04-09 Isis Innovation Transparent conducting oxides
US20090253072A1 (en) * 2008-04-01 2009-10-08 Petruska Melissa A Nanoparticle reversible contrast enhancement material and method
GB0915376D0 (en) 2009-09-03 2009-10-07 Isis Innovation Transparent conducting oxides
US9589797B2 (en) 2013-05-17 2017-03-07 Microcontinuum, Inc. Tools and methods for producing nanoantenna electronic devices
CN107689388B (zh) * 2017-08-08 2020-08-18 惠科股份有限公司 一种显示面板及其制造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR890004230B1 (ko) * 1984-08-24 1989-10-27 가부시끼가이샤 도오시바 광(光) 디스크 메모리
US4670345A (en) * 1985-02-22 1987-06-02 Asahi Kasei Kogyo Kabushiki Kaisha Information recording medium
US5010517A (en) 1987-11-18 1991-04-23 Hitachi, Ltd. Semiconductor optical apparatus
GB8923921D0 (en) * 1989-10-24 1989-12-13 Minnesota Mining & Mfg Optical recording elements
JPH03182725A (ja) 1989-12-08 1991-08-08 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 非線形光学素子及びその製造方法
JPH03199137A (ja) * 1989-12-28 1991-08-30 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体微粒子分散非晶質体の製造方法
JPH0528535A (ja) 1991-07-17 1993-02-05 Victor Co Of Japan Ltd 光記録媒体
JPH0524254A (ja) 1991-07-22 1993-02-02 Canon Inc 画像処理装置
DE4133621A1 (de) * 1991-10-10 1993-04-22 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Nanoskalige teilchen enthaltende kompositmaterialien, verfahren zu deren herstellung und deren verwendung fuer optische elemente
JP3155636B2 (ja) * 1992-04-15 2001-04-16 日立マクセル株式会社 光記録媒体及び光記録再生システム
JPH0628713A (ja) * 1992-07-13 1994-02-04 Pioneer Electron Corp 光ディスク
US5824240A (en) 1993-02-12 1998-10-20 Fuji Xerox Co. Ltd. Nonlinear optical element and process for the preparation of same
US5474874A (en) * 1993-02-16 1995-12-12 Sony Corporation Optical recording medium
JPH07296419A (ja) 1994-04-25 1995-11-10 Sony Corp 光記録媒体
AUPP004497A0 (en) * 1997-10-28 1997-11-20 University Of Melbourne, The Stabilized particles
JP2001035011A (ja) 1999-07-26 2001-02-09 Victor Co Of Japan Ltd 光ディスク

Also Published As

Publication number Publication date
JP4537528B2 (ja) 2010-09-01
US7081328B2 (en) 2006-07-25
EP1139161A1 (en) 2001-10-04
US20010038900A1 (en) 2001-11-08
TW501124B (en) 2002-09-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2001273681A (ja) 光記録媒体
Wang et al. Recent advances in perovskite micro‐and nanolasers
Beecroft et al. Nanocomposite materials for optical applications
Tonkaev et al. Multifunctional and transformative metaphotonics with emerging materials
Yadav et al. Tunable random lasing behavior in plasmonic nanostructures
JP2004530867A (ja) ナノ粒子、マイクロキャビティ、および半連続金属膜を使用した光デバイスおよび光学的方法
Frumar et al. Photoinduced changes of structure and properties of amorphous binary and ternary chalcogenides
Lin et al. Large‐Scale Robust Quantum Dot Microdisk Lasers with Controlled High Quality Cavity Modes
Vinayaka et al. Facile synthesis and photophysical characterization of luminescent CdTe quantum dots for Forster resonance energy transfer based immunosensing of staphylococcal enterotoxin B
Limosani et al. Formation of CdSe quantum dots from single source precursor obtained by thermal and laser treatment
Pellegri et al. Fabrication of PbS nanoparticles embedded in silica gel by reverse micelles and sol-gel routes
Ferri et al. Near-field optical addressing of luminescent photoswitchable supramolecular systems embedded in inert polymer matrices
Gridyakina et al. Optical nonlinearity in nanocomposites based on metal alkanoates with hybrid metal/semiconductor and semiconductor/semiconductor nanoparticles
Yamada et al. Manipulation of the spontaneous emission in mesoporous synthetic opals impregnated with fluorescent guests
Seo et al. Electron‐Beam‐Induced Nanopatterning of J‐Aggregate Thin Films for Excitonic and Photonic Response Control
Sun et al. Controlled formation of Ag/poly (methyl-methacrylate) thin films by RAFT technique for optical switcher
Elopov et al. Effect of the Polymer on the Photoluminescent Spectrum and Kinetics of Quantum Dots of Cadmium Selenide in Amorphous and Liquid Crystalline Polymer Matrices
US20070072098A1 (en) Optical recording medium
Karthigha et al. Synthesis, growth, structural, optical and third order nonlinear optical properties of new quinolinium derivative single crystal: 1-ethyl-2-[2-(3, 4, 5-trimethoxy-phenyl) vinyl]-quinolinium iodide
Friend et al. Multifunctional organic-inorganic nanocomposites for photonics
JP2003084322A6 (ja) 有機・無機複合微結晶の製造方法
RU2783806C1 (ru) Способ получения люминесцентной среды с лазерным управлением
Boilot et al. Hybrid Gels and Nanoscale Chemistry for Optical Applications
JP3032805B1 (ja) 高い第三次光非線形係数を有するｊ会合体薄膜、それを用いた光学素子及びその製造方法
Lavarda et al. Tunable emission from H-type supramolecular polymers in optical nanocavities

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20050222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050308

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050427

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061212

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100419

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20100618

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees