JP2001271180A - エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置 - Google Patents

エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置

Info

Publication number
JP2001271180A
JP2001271180A JP2000088069A JP2000088069A JP2001271180A JP 2001271180 A JP2001271180 A JP 2001271180A JP 2000088069 A JP2000088069 A JP 2000088069A JP 2000088069 A JP2000088069 A JP 2000088069A JP 2001271180 A JP2001271180 A JP 2001271180A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
frequency
etching solution
diaphragm
fixed electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2000088069A
Other languages
English (en)
Inventor
Teru Matsuura
輝 松浦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
ENHAMA KK
Original Assignee
ENHAMA KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ENHAMA KK filed Critical ENHAMA KK
Priority to JP2000088069A priority Critical patent/JP2001271180A/ja
Publication of JP2001271180A publication Critical patent/JP2001271180A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Apparatuses For Generation Of Mechanical Vibrations (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】導体箔張基板の導体箔を高精度にエッチング処
理する。 【解決手段】エッチング液(7)を収容する容器(6)
に超音波振動装置(10)を設け、該超音波振動装置
(10)により上記容器(6)内に収容したエッチング
液(7)を振動させる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面に銅箔、アル
ミ箔等の導体箔を張った導体箔張基板、導体箔を有しな
い金属、樹脂等の基材の表面をエッチング処理するエッ
チング装置及びエッチング液を振動させる超音波振動装
置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】銅箔あるいはアルミ箔を張った導体箔張
基板をエッチングするエッチング装置として、従来はエ
ッチングレジストにより導体箔の回路構成部を被覆処理
し、この被覆処理された導体箔張基板にスプレーノズル
からエッチング液を噴霧し、該エッチング液により上記
被覆部を除く導体箔を溶解除去するようにしたものがあ
った。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来のエッチング
装置は、エッチング液を単に導体箔張基板に噴霧するの
みであったため、エッチングレジストで被覆した近傍の
導体箔を垂直方向に高精度に溶解させることができず、
図7に示すように、エッチングレジスト1の下面両側が
アンダーカットされ、基板2の上面に形成されるパター
ン回路3が断面台形状となるものであった。このため、
断面積が小さくなり、パターン回路3を高密度にするこ
とができなかった。本発明は、エッチング液を振動させ
ることにより、上記不具合を解消した新規なエッチング
装置及びエッチング液の超音波振動装置を得ることを目
的とする。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために以下の如く構成したものである。即ち、請
求項1に係る発明は、エッチング液を収容する容器に超
音波振動装置を設け、該超音波振動装置により上記容器
内に収容したエッチング液を振動させる構成にしたもの
である。また、請求項2に係る発明は、エッチング液を
収容する容器に面状の固定電極を固定し、振動板を前記
容器の内側から前記固定電極に所定の間隔をおいて対面
させるとともに、該振動板の固定電極と対面する面に多
数の可動電極を所定ピッチで設け、前記固定電極に高電
圧発生器を接続し、前記可動電極に周波数及び振幅を不
規則に発生させる不規則高周波発生装置を接続する構成
にしたものである。また、請求項3に係る発明は、固定
電極と振動板との間にスペーサーを設けるとともに、該
スペーサーに各可動電極を個々に固定電極に連通させる
連通室を設けたものである。また、請求項4に係る発明
は、高電圧発生器は、直流の高電圧を発生する高電圧発
生器としたものである。また、請求項5に係る発明は、
不規則高周波発生装置は、高周波発生器により44KH
Z 以上の周波数を周波数変調し、この周波数変調した高
周波を20KHZ以下の周波数を振幅変調する低周波発
生器により不規則な周波数及び振幅に変調させる構成に
したものである。
【0005】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態を図面に
基いて説明する。図面において、図1は本発明の第1実
施例を示すエッチング装置の説明用断面図、図2は図1
のA部拡大断面図、図3は本発明による振動板及び可動
電極の下面図、図4は本発明によるスペーサーの要部斜
視図、図5は本発明の第2実施例を示すエッチング装置
の説明用断面図、図6は本発明によりエッチング処理さ
れた回路基板の要部拡大断面図である。
【0006】図1において、5はエッチング装置であ
り、箱形の容器6に超音波振動装置10を設け、該超音
波振動装置10により上記容器6内に収容したエッチン
グ液7を振動させることにより、上記エッチング液7内
に浸した導体箔張基板22をエッチング処理する。
【0007】上記超音波振動装置10は図1〜図4に示
すようになっている。即ち、容器6の底面を絶縁性の底
板6aにより閉塞し、該底板6aの上面の略全面に面状
の固定電極11を一体的に固着する。この固定電極11
は導電性の金属板、例えばステンレス板、あるいは銅板
等からなる。上記固定電極11の上面に絶縁性のスペー
サー12を介して絶縁性の振動板13を載置し、該振動
板13の下面に多数の可動電極14を所定ピッチで固着
する。
【0008】上記スペーサー12は、例えばFRP(繊
維強化プラスチック)の絶縁板からなり、図4に示すよ
うに、全面に多数の連通室(小孔)12aを貫通形成
し、各連通室12aにより、上記振動板13の下面に設
けた各可動電極14を個々に固定電極11に連通させ
る。また、上記振動板13及び可動電極14は、例えば
下面に銅箔を張ったポリイミドフィルム(振動板13)
の銅箔をエッチング処理し、図3に示すように、上記ポ
リイミドフィルム(振動板13)の下面に多数の円板状
の可動電極14、及び該各可動電極14を接続するライ
ン15を形成してなり、上記各可動電極14を上記スペ
ーサー12に明けた連通室12aを介して個々に固定電
極11に連通させる。
【0009】上記固定電極11に約12KVのプラス電
圧を発生させる高電圧発生器16を接続し、また、上記
可動電極14のライン15に不規則高周波発生装置17
を接続する。この不規則高周波発生装置17は、図1に
示すように、高周波発生器18により44KHZ 〜3M
Z 間の所定の範囲の周波数を周波数変調(FM変調)
し、この周波数変調される高周波を10HZ 〜20KH
Z 間の所定の範囲で振幅変調(AM変調)する低周波発
生器19により不規則な周波数及び振幅に変調し、これ
をパルス増幅器20により増幅して上記ライン15を介
して各可動電極14に供給するようになっている。
【0010】22はエッチング液7内に水平配置して浸
したエッチング用の導体箔張基板(銅箔張基板)であ
り、絶縁性の基板の下面に銅箔を張り、該銅箔の回路構
成部をエッチングレジストにより被覆したものである。
【0011】上記第1実施例によれば、不規則高周波発
生装置17から各可動電極14に周波数及び振幅の異な
った不規則な高周波が供給されるため、各可動電極14
と固定電極11との間に不規則な吸引力及び反発力が発
生し、振動板13が不規則にな周波数で超音波振動し、
該振動板13によって容器6内のエッチング液7は直進
性を有する高い周波数域の振動と直進性の乏しい低い周
波数域の振動とが混在することになる。
【0012】このため、上記エッチング液7は、その振
動波がエッチング液7内に浸した導体箔張基板22に対
して面と直交方向のみならず、面に対して傾斜方向にも
作用する。また、エッチング液7は幅広い周波数によっ
て振動するので、エッチング液7の濃度、種類、及び導
体箔張基板22の導体箔の厚さ、材質等に対応するとと
もに、小ピッチ部あるいは小径の孔部であってもこの部
に振動波が円滑に伝播することになる。これにより、図
6に示すように、導体箔(銅箔)がエッチングレジスト
23の両側にて垂直に溶解除去され、基板24の面に形
成されるパターン回路25が断面矩形となり、パターン
回路25を高密度にすることができる。なお、図1にお
いて、8は浄化されたエッチング液7を容器6内に供給
する供給口、9は容器6内のエッチング液7を外部に流
出させるオーバーフロー口である。
【0013】図5は第2実施例を示す。このものは、両
面に導体箔(銅箔)が張られた導体箔張基板22−1を
上記容器6の左右中間部に鉛直配置してエッチング液7
内に浸し、容器6の左右両側に前述した第1実施例の超
音波振動装置10と略同様の超音波振動装置10−1,
10−2を設けたものである。
【0014】上記第2実施例も第1実施例と同様にエッ
チング液7が幅広い周波数によって振動し、エッチング
液7の濃度、種類、及び導体箔張基板22の導体箔の厚
さ、材質等に対応するとともに、小ピッチ部あるいは小
径の孔部であってもこの部に振動波が円滑に伝播し、導
体箔張基板22に張られた両面の導体箔(銅箔)を高精
度にエッチングすることができる。
【0015】なお、本発明によるエッチング装置5は、
導体箔が張られていない金属、樹脂等の基材の表面をエ
ッチング処理して該表面に模様、所定のパターン溝等を
形成するようにしてもよい。この場合、容器6内のエッ
チング液7はエッチング処理する基材を溶解するエッチ
ング液とする。また、本発明による超音波振動装置10
(10−1,10−2)は、容器6内に水、洗浄液、メ
ッキ液等の液体を収容し、この液体を振動させるように
してもよい。
【0016】
【発明の効果】以上の説明から明らかな如く、本発明
は、エッチング液を超音波振動装置により振動させるよ
うにしたので、エッチング液が基材表面の各部に均等に
接触し、該基材の表面を高精度にエッチングすることが
できる。また、超音波振動装置は、面状の固定電極と振
動板とを所定の間隔をおいて対面させるとともに、該振
動板の固定電極と対面する面に多数の可動電極を所定ピ
ッチで設け、固定電極に高電圧発生器を接続し、可動電
極に周波数及び振幅を不規則に発生させる不規則高周波
発生装置を接続するようにしたので、エッチング液が幅
広い周波数によって振動し、エッチング液の濃度、種
類、及び基材の厚さ、材質等に左右されることなく、高
精度にエッチングすることができる。また、固定電極と
振動板との間にスペーサーを設けるとともに、該スペー
サーに各可動電極を個々に固定電極に連通させる連通室
を設けたので、広面積の振動板を効率良く振動させるこ
とができる。また、固定電極に直流の高電圧を付与する
高電圧発生器を接続し、可動電極に不規則高周波発生装
置を接続し、該不規則高周波発生装置により、44KH
Z 以上の周波数変調した高周波を20KHZ 以下で振幅
変調する低周波発生器により不規則な周波数及び振幅に
変調させるようにしたので、直進性及びエネルギー密度
が大きく、かつ広範囲の超音波でエッチング液を振動さ
せることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例を示すエッチング装置の説
明用断面図である。
【図2】図1のA部拡大断面図である。
【図3】本発明による振動板及び可動電極の下面図であ
る。
【図4】本発明によるスペーサーの要部斜視図である。
【図5】本発明の第2実施例を示すエッチング装置の説
明用断面図である。
【図6】本発明によりエッチング処理された回路基板の
要部拡大断面図である。
【図7】従来によりエッチング処理された回路基板の要
部拡大断面図である。
【符号の説明】
5 エッチング装置 6 容器 6a 底板 7 エッチング液 8 供給口 9 オーバーフロー口 10(10−1,10−2) 超音波振動装置 11 固定電極 12 スペーサー 12a 連通室 13 振動板 14 可動電極 15 ライン 16 高電圧発生器 17 不規則高周波発生装置 18 高周波発生器 19 低周波発生器 20 パルス増幅器 22(22−1) 導体箔張基板(基材) 23 エッチングレジスト 24 基板 25 パターン回路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】エッチング液(7)を収容する容器(6)
    に超音波振動装置(10)を設け、該超音波振動装置
    (10)により上記容器(6)内に収容したエッチング
    液(7)を振動させてなることを特徴とするエッチング
    装置。
  2. 【請求項2】エッチング液(7)を収容する容器(6)
    に面状の固定電極(11)を固定し、振動板(13)を
    前記容器(6)の内側から前記固定電極(11)に所定
    の間隔をおいて対面させるとともに、該振動板(13)
    の固定電極(11)と対面する面に多数の可動電極(1
    4)を所定ピッチで設け、前記固定電極(11)に高電
    圧発生器(16)を接続し、前記可動電極(14)に周
    波数及び振幅を不規則に発生させる不規則高周波発生装
    置(17)を接続したことを特徴とするエッチング液の
    超音波振動装置。
  3. 【請求項3】固定電極(11)と振動板(13)との間
    にスペーサー(12)を設けるとともに、該スペーサー
    (12)に各可動電極(14)を個々に固定電極(1
    1)に連通させる連通室(12a)を設けたことを特徴
    とする請求項2記載のエッチング液の超音波振動装置。
  4. 【請求項4】高電圧発生器(16)は直流の高電圧を発
    生してなる請求項2又は3記載のエッチング液の超音波
    振動装置。
  5. 【請求項5】不規則高周波発生装置(17)は、高周波
    発生器(18)により44KHZ 以上の周波数を周波数
    変調し、この周波数変調した高周波を20KHZ 以下の
    周波数を振幅変調する低周波発生器(19)により不規
    則な周波数及び振幅に変調させてなる請求項2〜4いず
    れか1項記載のエッチング液の超音波振動装置。
JP2000088069A 2000-03-28 2000-03-28 エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置 Pending JP2001271180A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000088069A JP2001271180A (ja) 2000-03-28 2000-03-28 エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000088069A JP2001271180A (ja) 2000-03-28 2000-03-28 エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001271180A true JP2001271180A (ja) 2001-10-02

Family

ID=18603994

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000088069A Pending JP2001271180A (ja) 2000-03-28 2000-03-28 エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001271180A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007215119A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd 電気音響変換器
JP2011226993A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Nippon Steel Corp 鋼の凝固組織の検出方法
JP5598829B2 (ja) * 2012-04-27 2014-10-01 独立行政法人科学技術振興機構 オゾン水を用いたパターニング方法
CN104962916A (zh) * 2015-07-09 2015-10-07 湖南城市学院 一种蚀刻辅助的微细超声加工装置及方法
CN106573829A (zh) * 2014-07-30 2017-04-19 康宁股份有限公司 超声槽和均匀玻璃基板蚀刻方法
CN111524834A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种多晶硅清洗装置及方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007215119A (ja) * 2006-02-13 2007-08-23 Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd 電気音響変換器
JP2011226993A (ja) * 2010-04-22 2011-11-10 Nippon Steel Corp 鋼の凝固組織の検出方法
JP5598829B2 (ja) * 2012-04-27 2014-10-01 独立行政法人科学技術振興機構 オゾン水を用いたパターニング方法
CN106573829A (zh) * 2014-07-30 2017-04-19 康宁股份有限公司 超声槽和均匀玻璃基板蚀刻方法
CN111499210A (zh) * 2014-07-30 2020-08-07 康宁股份有限公司 超声槽和均匀玻璃基板蚀刻方法
US11610783B2 (en) 2014-07-30 2023-03-21 Corning Incorporated Ultrasonic tank and methods for uniform glass substrate etching
CN104962916A (zh) * 2015-07-09 2015-10-07 湖南城市学院 一种蚀刻辅助的微细超声加工装置及方法
CN111524834A (zh) * 2020-04-29 2020-08-11 西安奕斯伟硅片技术有限公司 一种多晶硅清洗装置及方法
CN111524834B (zh) * 2020-04-29 2023-08-18 西安奕斯伟材料科技股份有限公司 一种多晶硅清洗装置及方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR890008952A (ko) 반도체 기판의 표면처리방법
JPH04131395A (ja) 半導体ウエハのメッキ方法及び装置
JP2001271180A (ja) エッチング装置及びエッチング液の超音波振動装置
JP3960190B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4036287B2 (ja) 超音波洗浄装置
KR100979568B1 (ko) 초음파 정밀세정장치
KR20030026875A (ko) 반도체 집적회로, 그 제조방법 및 제조장치
JP3093572B2 (ja) ドライエッチング方法
JP2000269198A (ja) プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
JPH05317820A (ja) 超音波洗浄方法及び装置
US8652262B2 (en) Ultrasonic cleaning method for generating ultrasonic vibrations by a frequency modulated signal
JP2007082052A (ja) 静電型超音波トランスデューサ及びその製造方法
KR20070073478A (ko) 액정 적하 장치
KR102065067B1 (ko) 다중 주파수 동시 구동형 멀티진동자 기반 초음파세척장치
JPH06255078A (ja) 基板にペーストを塗布する方法
JPH08108157A (ja) 超音波洗浄装置
JPH03232562A (ja) 超音波発生装置および超音波霧化装置
JPH04207798A (ja) 超音波霧化装置
JP2936334B2 (ja) 超音波洗浄方法および装置
KR20040047482A (ko) 초음파를 이용한 기판 표면에 생기는 기포 제거 방법 및장치
JP3286900B2 (ja) メッキ方法及びメッキ装置
JP4123746B2 (ja) 流体処理装置
JP2002138155A (ja) エッチング方法
JPH0513396A (ja) 半導体装置の洗浄方法
JP3681328B2 (ja) 基板処理装置