JP2001267272A - Grinding apparatus and grinding method - Google Patents

Grinding apparatus and grinding method

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JP2001267272A
JP2001267272A JP2001048158A JP2001048158A JP2001267272A JP 2001267272 A JP2001267272 A JP 2001267272A JP 2001048158 A JP2001048158 A JP 2001048158A JP 2001048158 A JP2001048158 A JP 2001048158A JP 2001267272 A JP2001267272 A JP 2001267272A
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JP
Japan
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cutting
workpiece
gas
contact portion
blade
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2001048158A
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Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Sekiya
憲一 関家
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Disco Corp
Original Assignee
Disco Abrasive Systems Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To save the used amount of a working liquid without lowering a grinding accuracy and the quality of the resultant product formed by a grinding, in the grinding work performed as feeding the working liquid to the contracting portion of a grinding blade with a worked object. SOLUTION: A grinding apparatus is provided with a gas jetting means for so jetting a gas as to make forcedly a working liquid penetrate the contacting portion of a grinding blade with a work. Thereby, the working liquid is so concentrated on the contacting portion of the grinding blade with the work by such a gas as air jetted from the gas jetting means to improve the cooling effect of the contacting portion.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、切削ブレードを被
加工物に接触させて切削加工を行う場合に、切削ブレー
ドと被加工物との接触部に加工液を供給しながら切削を
遂行する切削装置及び切削方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a cutting method in which a cutting blade is brought into contact with a workpiece to perform a cutting process, and the cutting is performed while supplying a working fluid to a contact portion between the cutting blade and the workpiece. The present invention relates to an apparatus and a cutting method.

【0002】[0002]

【従来の技術】切削装置においては、切削ブレードを被
加工物に接触させて加工を行うとき、切削ブレードと被
加工物との接触部に加工液を供給し、当該接触部を冷却
することにより被加工物の加工精度及び品質の向上を図
っている。
2. Description of the Related Art In a cutting apparatus, when a cutting blade is brought into contact with a workpiece and machining is performed, a working fluid is supplied to a contact portion between the cutting blade and the workpiece and the contact portion is cooled. The processing accuracy and quality of the workpiece are improved.

【0003】例えば切削装置としては、図5に示すよう
な、半導体ウェーハをダイシングするダイシング装置5
0が周知である。このダイシング装置50においては、
被加工物である半導体ウェーハWは、図6にも示すよう
に、保持テープTを介してフレームFに保持されてカセ
ット71に収納される。
For example, as a cutting device, a dicing device 5 for dicing a semiconductor wafer as shown in FIG.
0 is well known. In this dicing apparatus 50,
As shown in FIG. 6, the semiconductor wafer W to be processed is held by the frame F via the holding tape T and stored in the cassette 71.

【0004】半導体ウェーハWの表面には、所定間隔を
置いて格子状に配列された複数の直線状領域であるスト
リートSが存在し、ストリートSによって区画された多
数の矩形領域には回路パターンが施されている。
[0004] On the surface of the semiconductor wafer W, there are a plurality of straight areas, ie, streets S, arranged in a grid at predetermined intervals, and a circuit pattern is formed in a large number of rectangular areas defined by the streets S. It has been subjected.

【0005】カセット71に収納された半導体ウェーハ
Wは、搬出入手段72によって1枚ずつ仮置き領域73
に取り出され、搬送手段74に吸着されて搬送手段74
が旋回動することによりチャックテーブル58に搬送さ
れ、吸引保持される。
The semiconductor wafers W stored in the cassette 71 are temporarily stored one by one by the loading / unloading means 72.
And is adsorbed by the transporting means 74 and transported by the transporting means 74
Is swiveled to be conveyed to the chuck table 58 and held by suction.

【0006】チャックテーブル58に半導体ウェーハW
が保持されると、チャックテーブル58がX軸方向に移
動し、アライメント手段75の直下に位置付けられてパ
ターンマッチング等の処理によって切削すべきストリー
トが検出される。そして、更にチャックテーブル58が
X軸方向に移動することにより、加工液の一種である切
削液の供給を受けながら、回転する切削ブレード76を
備えた切削手段77の作用を受けて検出されたストリー
トが切削される。このようにしてストリートが1本ずつ
縦横に切削されることによりダイシングされ、個々のチ
ップが形成される。
The semiconductor wafer W is placed on the chuck table 58.
Is held, the chuck table 58 moves in the X-axis direction, and is positioned directly below the alignment means 75, and the street to be cut is detected by processing such as pattern matching. Further, as the chuck table 58 further moves in the X-axis direction, while receiving the supply of the cutting fluid, which is a kind of the machining fluid, the street detected by the action of the cutting means 77 having the rotating cutting blade 76 is detected. Is cut. In this way, the streets are cut one by one vertically and horizontally to be diced to form individual chips.

【0007】切削手段77は、図7に示すように、切削
ブレード76がブレードカバー78によって覆われた構
成となっており、切削ブレード76の両面の外周部79
は、ダイヤモンド砥粒等の砥粒がボンド剤によって固定
されて固定砥粒を形成している。また、切削手段77に
は、図8に示すように、スピンドルハウジング80に回
転可能に支持された回転スピンドル81の先端に装着さ
れた切削ブレード76を両側から挟むようにして切削液
ノズル82a、82bを備えており、切削中は、切削液
ノズル82a、82bから毎分2リットル程の切削液が
供給されて切削ブレード76及び半導体ウェーハWの冷
却が行われる。
As shown in FIG. 7, the cutting means 77 has a structure in which a cutting blade 76 is covered by a blade cover 78, and outer peripheral portions 79 on both surfaces of the cutting blade 76.
, Abrasive grains such as diamond abrasive grains are fixed by a bonding agent to form fixed abrasive grains. As shown in FIG. 8, the cutting means 77 is provided with cutting fluid nozzles 82a and 82b so as to sandwich the cutting blade 76 mounted on the tip of a rotary spindle 81 rotatably supported by a spindle housing 80 from both sides. During the cutting, a cutting fluid of about 2 liters per minute is supplied from the cutting fluid nozzles 82a and 82b to cool the cutting blade 76 and the semiconductor wafer W.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の切削手段77では、半導体ウェーハWの表面
全体にある程度切削液が行き渡り、切削ブレード76と
半導体ウェーハWとの接触部に特に重点的に切削液が供
給されているにもかかわらず、当該接触部の冷却効果が
十分ではない。従って、ダイシングによって形成された
チップの縁にチッピングが生じやすく、加工精度、チッ
プの品質の点で問題がある。
However, in the cutting means 77 having such a structure, the cutting fluid spreads to some extent over the entire surface of the semiconductor wafer W, and the cutting portion 77 is particularly focused on the contact portion between the cutting blade 76 and the semiconductor wafer W. Although the cutting fluid is supplied, the cooling effect of the contact portion is not sufficient. Therefore, chipping is likely to occur at the edge of the chip formed by dicing, and there is a problem in processing accuracy and chip quality.

【0009】また、半導体ウェーハWの切削液が大量に
供給されると、切削により生じた切削屑が切削液に混じ
って大量に排出されるため、環境問題を引き起こすとい
う問題もある。
Further, when a large amount of the cutting liquid for the semiconductor wafer W is supplied, a large amount of cutting chips generated by cutting is mixed with the cutting liquid and discharged in a large amount, thereby causing an environmental problem.

【0010】更に、半導体ウェーハWと切削ブレード7
6との接触部に切削液を充分に供給しようとするため、
必要以上に切削液を使用することになり、無駄が多く不
経済である。特に、チップの品質向上のために蒸留水の
ような高価な水を切削液として使用している場合には極
めて不経済である。
Further, the semiconductor wafer W and the cutting blade 7
In order to sufficiently supply cutting fluid to the contact area with 6,
Cutting fluid is used more than necessary, which is wasteful and uneconomical. In particular, it is extremely uneconomical when expensive water such as distilled water is used as a cutting fluid for improving the quality of chips.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の具体的手段として本発明は、少なくとも、被加工物を
保持するチャックテーブルと、チャックテーブルに保持
された被加工物に接触し切削加工を施す切削ブレードを
備えた切削手段と、切削ブレードと被加工物との接触部
に加工液を供給する加工液供給手段とを含み、加工液供
給手段から供給された加工液を切削ブレードと被加工物
との接触部に侵入させるようにガスを噴出するガス噴出
手段を配設した切削装置を提供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION As a specific means for solving the above-mentioned problems, the present invention provides at least a chuck table for holding a workpiece, and a cutting process in contact with the workpiece held on the chuck table. Cutting means provided with a cutting blade for applying a cutting fluid, and a working fluid supply means for supplying a working fluid to a contact portion between the cutting blade and the workpiece. An object of the present invention is to provide a cutting device provided with gas ejection means for ejecting gas so as to enter a contact portion with a workpiece.

【0012】そしてこの切削装置は、被加工物が半導体
ウェーハであり、ガスがエアーであることを付加的要件
とするものである。
The cutting apparatus has an additional requirement that the workpiece is a semiconductor wafer and the gas is air.

【0013】また、本発明は、チャックテーブルに保持
された被加工物に切削ブレードを接触させ被加工物に切
削加工を施す切削方法であって、切削ブレードと被加工
物との接触部に加工液を供給しながら切削を遂行する際
に、加工液が該切削ブレードと被加工物との接触部に侵
入するようにガスを噴出しながら切削を遂行する切削方
法を提供するものである。
The present invention also relates to a cutting method for cutting a workpiece by bringing a cutting blade into contact with the workpiece held on a chuck table, wherein the processing is performed on a contact portion between the cutting blade and the workpiece. An object of the present invention is to provide a cutting method for performing cutting while ejecting gas so that a working liquid enters a contact portion between the cutting blade and a workpiece when performing cutting while supplying a liquid.

【0014】そしてこの切削方法は、被加工物が半導体
ウェーハであり、ガスがエアーであることを付加的要件
とするものである。
This cutting method has an additional requirement that the workpiece is a semiconductor wafer and the gas is air.

【0015】このように構成される切削装置及び切削方
法によれば、エアー等のガスが噴出されることにより切
削ブレードと被加工物との接触部に加工液が強制的に押
し込まれて極めて有効かつ効率的に当該接触部に加工液
が供給される。
According to the cutting apparatus and the cutting method configured as described above, a gas such as air is jetted, whereby the working fluid is forcibly pushed into the contact portion between the cutting blade and the workpiece, which is extremely effective. The working fluid is efficiently supplied to the contact portion.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態として、半導
体ウェーハのダイシングを行うダイシング装置及びダイ
シング装置において切削液を供給しながら半導体ウェー
ハのダイシングを行う方法を例に挙げて説明する。な
お、ここで説明するダイシング装置は、従来の技術で説
明したダイシング装置50と切削手段の構成のみが異な
り、それ以外は従来と同様に構成されるため、共通する
部位については従来と同一の符号を付し、その説明は省
略することとする。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A dicing apparatus for dicing a semiconductor wafer and a method for dicing a semiconductor wafer while supplying a cutting liquid in the dicing apparatus will be described as an embodiment of the present invention. The dicing apparatus described here differs from the dicing apparatus 50 described in the prior art only in the configuration of the cutting means, and is otherwise configured in the same manner as the conventional dicing apparatus. And a description thereof will be omitted.

【0017】切削手段51は、図1に示すように、切削
ブレード52がブレードカバー53によって覆われた構
成となっており、切削ブレード52の両面の外周部54
は、ダイヤモンド砥粒等の砥粒が電着(電鋳)によって
固定されて固定砥粒を形成している。また、ブレードカ
バー53からは、図2に示すように、切削ブレード52
を挟むようにして加工液供給手段である2本の切削液ノ
ズル55a、55bが切削ブレード52と一定の距離を
おいて平行に配設されている。
As shown in FIG. 1, the cutting means 51 has a structure in which a cutting blade 52 is covered with a blade cover 53, and outer peripheral portions 54 on both surfaces of the cutting blade 52.
The abrasive grains such as diamond abrasive grains are fixed by electrodeposition (electroforming) to form fixed abrasive grains. Further, from the blade cover 53, as shown in FIG.
The two cutting fluid nozzles 55a and 55b, which are the machining fluid supply means, are arranged in parallel with the cutting blade 52 at a fixed distance.

【0018】図2に示したように、切削ブレード52の
面の延長線上の位置には、切削ブレード52と半導体ウ
ェーハWとの接触部付近に加工液である切削液を供給す
る切削液ノズル56を配設し、更にその外側には、高圧
エアーのようなガスを噴出するガス噴出手段57を配設
している。
As shown in FIG. 2, a cutting fluid nozzle 56 for supplying a machining fluid as a machining fluid near a contact portion between the cutting blade 52 and the semiconductor wafer W is provided at a position on an extension of the surface of the cutting blade 52. And a gas ejection means 57 for ejecting gas such as high-pressure air.

【0019】このように構成される切削手段51を用い
て被加工物である半導体ウェーハWを切削する際は、各
切削液ノズルから切削液、例えば、水が供給されると共
に、半導体ウェーハWを吸引保持する保持手段であるチ
ャックテーブル58がX軸方向に移動し、切削ブレード
52が回転してダイシング溝が形成されていく。
When cutting the semiconductor wafer W, which is a workpiece, using the cutting means 51 configured as described above, a cutting liquid, for example, water is supplied from each cutting liquid nozzle and the semiconductor wafer W is cut. The chuck table 58, which is a holding unit for suction holding, moves in the X-axis direction, and the cutting blade 52 rotates to form dicing grooves.

【0020】図2に示すように、切削液ノズル55a、
55bから供給される切削水は、切削ブレード52と半
導体ウェーハWとの接触部に向けて流れ、更に、切削液
ノズル56から供給される切削液も当該接触部に向けて
流れる。そして更に、切削液ノズル56から供給される
切削液は、ガス噴出手段57から噴出されるエアーによ
って接触部に集中し、切削液が接触部に充分に供給さ
れ、切削ブレード52と半導体ウェーハWとの間にでき
るわずかな隙間にも侵入し、冷却が促進される。
As shown in FIG. 2, the cutting fluid nozzle 55a,
The cutting water supplied from 55b flows toward the contact portion between the cutting blade 52 and the semiconductor wafer W, and the cutting fluid supplied from the cutting fluid nozzle 56 also flows toward the contact portion. Further, the cutting fluid supplied from the cutting fluid nozzle 56 is concentrated on the contact portion by the air jetted from the gas jetting means 57, and the cutting fluid is sufficiently supplied to the contact portion, so that the cutting blade 52 and the semiconductor wafer W It penetrates even into the slight gaps created between them, promoting cooling.

【0021】また、エアーの噴出によって切削液の気化
が促進され、気化熱によって接触部の熱が奪われること
になり、より一層冷却効果が増大する。
[0021] Further, the vaporization of the cutting fluid is promoted by the ejection of air, and heat of the contact portion is taken away by the vaporization heat, thereby further increasing the cooling effect.

【0022】このように、切削液を切削ブレード52と
半導体ウェーハWとの接触部に集中させて当該接触部の
冷却が促進されると、切削の際に半導体ウェーハWにチ
ッピングが生じにくく、加工精度が増してチップの品質
が向上することが確認された。
As described above, when the cutting fluid is concentrated on the contact portion between the cutting blade 52 and the semiconductor wafer W to promote the cooling of the contact portion, chipping is less likely to occur in the semiconductor wafer W during cutting, and It was confirmed that the accuracy was increased and the quality of the chip was improved.

【0023】なお、切削手段は、図3及び図4に示すよ
うに構成されていてもよい。図3及び図4の例における
切削手段62においては、切削ブレード59を挟むよう
にして2本の切削液ノズル60a、60bが切削ブレー
ド59と一定の距離をおいて平行に配設されており、更
にその外側には平行に2つのガス噴出手段61a、61
bを配設している。そして、ガス噴出手段61a、61
bの切削液ノズル側には、多数のエアー噴出口(図示せ
ず)を備えている。
The cutting means may be constructed as shown in FIGS. 3 and 4. In the cutting means 62 in the examples of FIGS. 3 and 4, two cutting fluid nozzles 60 a and 60 b are arranged in parallel with the cutting blade 59 at a fixed distance so as to sandwich the cutting blade 59. On the outside, two gas ejection means 61a, 61 are provided in parallel.
b is provided. Then, gas ejection means 61a, 61
On the cutting fluid nozzle side b, a number of air ejection ports (not shown) are provided.

【0024】このような構成において切削液を供給しな
がらエアーを噴出すると、切削液ノズル60aから供給
される切削液は、ガス噴出手段61aから噴出するエア
ーによってその大部分が切削ブレード59と半導体ウェ
ーハWとの接触部の片面側に集中する。同様に、切削液
ノズル60bから供給される切削液も、ガス噴出手段6
1bから噴出するエアーによってその大部分が切削ブレ
ード59と半導体ウェーハWとの接触部のもう片面側に
集中する。
When air is blown out while supplying the cutting fluid in such a configuration, the cutting fluid supplied from the cutting fluid nozzle 60a is mostly discharged by the air ejected from the gas blowing means 61a. It is concentrated on one side of the contact portion with W. Similarly, the cutting fluid supplied from the cutting fluid nozzle 60 b also
Most of the air is blown out from 1b and concentrated on the other side of the contact portion between the cutting blade 59 and the semiconductor wafer W.

【0025】こうして、図2の例の場合よりも更に切削
水が切削ブレードと半導体ウェーハWとの接触部に侵入
し、冷却効果がより一層高まる。その結果、チップの加
工精度、品質も一層向上する。
In this way, the cutting water penetrates into the contact portion between the cutting blade and the semiconductor wafer W more than in the case of the example of FIG. 2, and the cooling effect is further enhanced. As a result, the processing accuracy and quality of the chip are further improved.

【0026】また、切削ブレードとしては様々なものが
あるが、天然ダイヤモンド砥粒、人造ダイヤモンド砥
粒、CBN砥粒、カーボランダム砥粒、アランダム砥粒
等の砥粒を、電着、電鋳等で固めた砥石である固定砥粒
であればよい。
There are various types of cutting blades, and abrasive grains such as natural diamond abrasive grains, artificial diamond abrasive grains, CBN abrasive grains, carborundum abrasive grains, and alundum abrasive grains are electrodeposited and electroformed. Any fixed abrasive, which is a grindstone hardened by, for example, may be used.

【0027】なお、切削装置がクリーンルーム等の比較
的密閉された部屋に設置されている場合は、ガス噴出手
段から噴出するガスはエアーであることが好ましい。不
活性ガスの場合はオペレータが呼吸困難を起こすことが
あるからである。
When the cutting device is installed in a relatively closed room such as a clean room, the gas ejected from the gas ejecting means is preferably air. This is because the inert gas may cause the operator to have difficulty breathing.

【0028】[0028]

【発明の効果】このように構成される切削装置及び切削
方法によれば、エアー等のガスが噴出されることにより
切削ブレードと被加工物との接触部に加工液が強制的に
押し込まれて極めて有効かつ効率的に加工液が供給さ
れ、ガスの噴出により加工液の気化が促進されて気化熱
によって接触部の熱が奪われて冷却効果が増大する。
According to the cutting apparatus and the cutting method configured as described above, the working fluid is forcibly pushed into the contact portion between the cutting blade and the workpiece by jetting gas such as air. The working fluid is supplied very effectively and efficiently, and the gas is expelled to promote the vaporization of the working fluid, and the heat of the vaporization deprives the heat of the contact portion to increase the cooling effect.

【0029】従って、加工液の供給量を従来よりも大幅
に少なく、例えば、1/5以下にしても、従来と遜色な
い切削が可能である。
Therefore, even if the supply amount of the working fluid is set to be much smaller than that of the conventional one, for example, 1/5 or less, cutting comparable to the conventional one can be performed.

【0030】また、気化熱によって接触部が充分に冷却
されるため、ダイシング溝の両側にチッピングが生じに
くく、品質の高いチップの生産が可能となる。
Further, since the contact portion is sufficiently cooled by the heat of vaporization, chipping hardly occurs on both sides of the dicing groove, and a high quality chip can be produced.

【0031】更に、加工液の節減によって環境問題及び
経済性の問題を同時に解決することができる。
Further, the problem of the environment and the problem of economy can be simultaneously solved by saving the working fluid.

【0032】また、被加工物の品質を従来と同等にでき
ることは勿論のこと、従来では成し得なかった高い品質
の加工を可能にするという優れた効果を奏する。
In addition, not only can the quality of the workpiece be made equal to that of the prior art, but also an excellent effect of enabling high-quality processing, which could not be achieved conventionally, is exhibited.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る切削装置の実施の形態であるダイ
シング装置の切削手段を示す説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing cutting means of a dicing device which is an embodiment of a cutting device according to the present invention.

【図2】同切削手段の第一の構成例、及び、当該切削手
段を用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しなが
ら半導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図で
ある。
FIG. 2 is a diagram illustrating a first configuration example of the cutting means and a state in which dicing of a semiconductor wafer is performed while supplying cutting water and blowing air using the cutting means.

【図3】同切削手段の第二の構成例及び当該切削手段を
用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しながら半
導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory view showing a second configuration example of the cutting means and a state of dicing a semiconductor wafer while supplying cutting water and blowing air using the cutting means.

【図4】同切削手段の第二の構成例及び当該切削手段を
用いて切削水を供給すると共にエアーを噴出しながら半
導体ウェーハをダイシングする様子を示す説明図であ
る。
FIG. 4 is an explanatory view showing a second configuration example of the cutting means and a state of dicing a semiconductor wafer while supplying cutting water and jetting air using the cutting means.

【図5】ダイシング装置の外観を示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing the appearance of a dicing apparatus.

【図6】フレームに保持された半導体ウェーハの表面を
示す説明図である。
FIG. 6 is an explanatory view showing a surface of a semiconductor wafer held by a frame.

【図7】ダイシング装置における従来の切削手段を示す
説明図である。
FIG. 7 is an explanatory view showing a conventional cutting means in a dicing device.

【図8】同切削手段の構成及びを当該切削手段を用いて
切削水を供給しながら半導体ウェーハをダイシングする
様子を示す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory view showing a configuration of the cutting means and a state of dicing a semiconductor wafer while supplying cutting water using the cutting means.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

50……ダイシング装置 51……切削手段 52……
切削ブレード 53……ブレードカバー 54……外周部 55a、5
5b……切削液ノズル 56……切削液ノズル 57……ガス噴出手段 58…
…チャックテーブル 59……切削ブレード 60a、60b……切削液ノズ
ル 61a、61b……ガス噴出手段 62……切削手段 71……カセット 72……搬出入手段 73……仮置
き領域 74……搬送手段 75……アライメント手段 76…
…切削ブレード 77……切削手段 78……ブレードカバー 79……
ブレードカバー 80……スピンドルハウジング 81……回転スピンド
ル 82a、82b……切削液ノズル
50 dicing device 51 cutting means 52
Cutting blade 53: Blade cover 54: Outer peripheral portion 55a, 5
5b cutting fluid nozzle 56 cutting fluid nozzle 57 gas jetting means 58
... Chuck table 59 ... Cutting blades 60a, 60b ... Cutting fluid nozzles 61a, 61b ... Gas jetting means 62 ... Cutting means 71 ... Cassette 72 ... Carry-in / out means 73 ... Temporary placement area 74 ... Carrying means 75 ... alignment means 76 ...
... cutting blade 77 ... cutting means 78 ... blade cover 79 ...
Blade cover 80 Spindle housing 81 Rotating spindle 82a, 82b Cutting fluid nozzle

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、被加工物を保持するチャッ
クテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工
物に接触し切削加工を施す切削ブレードを備えた切削手
段と、該切削ブレードと該被加工物との接触部に加工液
を供給する加工液供給手段とを含み、 該加工液供給手段から供給された加工液を該切削ブレー
ドと該被加工物との接触部に侵入させるようにガスを噴
出するガス噴出手段を配設した切削装置。
At least a cutting table having a chuck table for holding a workpiece, a cutting blade for performing a cutting process by contacting the workpiece held on the chuck table, the cutting blade and the workpiece A machining fluid supply means for supplying a machining fluid to a contact portion with the workpiece, wherein a gas is supplied so that the machining fluid supplied from the machining fluid supply means enters the contact portion between the cutting blade and the workpiece. A cutting device equipped with a gas blowing means for blowing gas.
【請求項2】 被加工物は半導体ウェーハであり、ガス
はエアーである請求項1に記載の切削装置。
2. The cutting device according to claim 1, wherein the workpiece is a semiconductor wafer, and the gas is air.
【請求項3】 チャックテーブルに保持された被加工物
に切削ブレードを接触させ該被加工物に切削加工を施す
切削方法であって、 該切削ブレードと該被加工物との接触部に加工液を供給
しながら切削を遂行する際に、該加工液が該切削ブレー
ドと該被加工物との接触部に侵入するようにガスを噴出
しながら切削を遂行する切削方法。
3. A cutting method in which a cutting blade is brought into contact with a workpiece held on a chuck table to perform a cutting process on the workpiece, wherein a working fluid is applied to a contact portion between the cutting blade and the workpiece. A cutting method for performing cutting while ejecting gas so that the working fluid enters a contact portion between the cutting blade and the workpiece when the cutting is performed while supplying the cutting fluid.
【請求項4】 被加工物は半導体ウェーハであり、ガス
はエアーである請求項3に記載の切削方法。
4. The cutting method according to claim 3, wherein the workpiece is a semiconductor wafer, and the gas is air.
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JP2016197637A (en) * 2015-04-02 2016-11-24 株式会社ディスコ Cutting method

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