JP2001264204A - 差圧測定装置 - Google Patents
差圧測定装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 測定ラインから差圧測定装置を取外す事無
く、封入液の漏洩を迅速簡易に自己診断出来る差圧測定
装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも１個の封入液室を有する差圧
測定装置において、差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正
圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値
をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ
０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ 0）｝−｛（ε10−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に封入液が漏洩
していると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時
に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所定温度で所
定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、ε10：メモ
リー手段に記憶されている所定測定圧ｐ1での初期ゼロ
点、ε00：メモリー手段に記憶されている所定校正圧力
ｐ0での初期ゼロ点、とする、を具備したことを特徴と
する差圧測定装置である。
く、封入液の漏洩を迅速簡易に自己診断出来る差圧測定
装置を提供する。 【解決手段】 少なくとも１個の封入液室を有する差圧
測定装置において、差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正
圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値
をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ
０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ 0）｝−｛（ε10−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に封入液が漏洩
していると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時
に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所定温度で所
定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、ε10：メモ
リー手段に記憶されている所定測定圧ｐ1での初期ゼロ
点、ε00：メモリー手段に記憶されている所定校正圧力
ｐ0での初期ゼロ点、とする、を具備したことを特徴と
する差圧測定装置である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、測定ラインから差圧測
定装置を取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断出来る
差圧測定装置に関するものである。更に詳述すれば、受
圧部の片側のシールダイアフラム部の封入液漏れによっ
て、特性曲線が製作時より変わることを利用して、受圧
部の封入液漏れを検出する差圧測定装置に関するもので
ある。
定装置を取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断出来る
差圧測定装置に関するものである。更に詳述すれば、受
圧部の片側のシールダイアフラム部の封入液漏れによっ
て、特性曲線が製作時より変わることを利用して、受圧
部の封入液漏れを検出する差圧測定装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】図６は従来より一般に使用されている従
来例の構成説明図で、例えば、特開昭５９―５６１３７
号の第１図に示されている。図において、ハウジング１
の両側にフランジ２、フランジ３が嵌合い組み立てられ
溶接等によって固定されており、両フランジ２，３には
測定せんとする圧力ＰHの高圧流体の導入口５、圧力ＰL
の低圧流体の導入口４が設けられている。
来例の構成説明図で、例えば、特開昭５９―５６１３７
号の第１図に示されている。図において、ハウジング１
の両側にフランジ２、フランジ３が嵌合い組み立てられ
溶接等によって固定されており、両フランジ２，３には
測定せんとする圧力ＰHの高圧流体の導入口５、圧力ＰL
の低圧流体の導入口４が設けられている。
【０００３】ハウジング１内に圧力測定室６が形成され
ており、この圧力測定室６内にセンタダイアフラム７と
シリコンダイアフラム８が設けられている。シリコンダ
イアフラム８は、単結晶のシリコン基板８１に凹部８２
を形成して形成される。
ており、この圧力測定室６内にセンタダイアフラム７と
シリコンダイアフラム８が設けられている。シリコンダ
イアフラム８は、単結晶のシリコン基板８１に凹部８２
を形成して形成される。
【０００４】センタダイアフラム７とシリコンダイアフ
ラム８はそれぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されて
おり、センタダイアフラム７とシリコンダイアフラム８
の両者でもって圧力測定室６を２分している。センタダ
イアフラム７と対向する圧力測定室６の壁には、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂが形成されている。センタダイアフ
ラム７は周縁部をハウジング１に溶接されている。
ラム８はそれぞれ別個に圧力測定室６の壁に固定されて
おり、センタダイアフラム７とシリコンダイアフラム８
の両者でもって圧力測定室６を２分している。センタダ
イアフラム７と対向する圧力測定室６の壁には、バック
プレ―ト６Ａ，６Ｂが形成されている。センタダイアフ
ラム７は周縁部をハウジング１に溶接されている。
【０００５】シリコン基板８１の一方の面にボロン等の
不純物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ９１を形成
する。４っのストレインゲ―ジ９１は、シリコンダイア
フラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、２つが引張り、
２つが圧縮を受けるようになっており、これらがホイ―
トストン・ブリッジ回路に接続され、抵抗変化が差圧Δ
Ｐの変化として検出される。
不純物を選択拡散して４っのストレンゲ―ジ９１を形成
する。４っのストレインゲ―ジ９１は、シリコンダイア
フラム８が差圧ΔＰを受けてたわむ時、２つが引張り、
２つが圧縮を受けるようになっており、これらがホイ―
トストン・ブリッジ回路に接続され、抵抗変化が差圧Δ
Ｐの変化として検出される。
【０００６】９２は、ストレインゲ―ジ９１に一端が取
付けられたリ―ドである。９３は、リ―ド９２の他端が
接続されたハ―メチック端子である。支持体９は、ハ―
メチック端子を備えており、支持体９の圧力測定室６側
端面に低融点ガラス接続等の方法でシリコンダイアフラ
ム８が接着固定されている。
付けられたリ―ドである。９３は、リ―ド９２の他端が
接続されたハ―メチック端子である。支持体９は、ハ―
メチック端子を備えており、支持体９の圧力測定室６側
端面に低融点ガラス接続等の方法でシリコンダイアフラ
ム８が接着固定されている。
【０００７】ハウジング１とフランジ２、およびフラン
ジ３との間に、圧力導入室１０，１１が形成されてい
る。この圧力導入室１０，１１内にシールダイアフラム
１２，１３を設け、このシールダイアフラム１２，１３
と対向するハウジング１の壁１０Ａ，１１Ａにシールダ
イアフラム１２，１３と類似の形状のバックプレ―トが
形成されている。
ジ３との間に、圧力導入室１０，１１が形成されてい
る。この圧力導入室１０，１１内にシールダイアフラム
１２，１３を設け、このシールダイアフラム１２，１３
と対向するハウジング１の壁１０Ａ，１１Ａにシールダ
イアフラム１２，１３と類似の形状のバックプレ―トが
形成されている。
【０００８】シールダイアフラム１２，１３とバックプ
レ―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定
室６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、シールダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル
等の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連
通孔１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下
面にまで至っている、封入液１０１，１０２はセンタダ
イアフラム７とシリコンダイアフラム８とによって２分
されているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮さ
れている。
レ―ト１０Ａ，１１Ａとで形成される空間と、圧力測定
室６は、連通孔１４，１５を介して導通している。そし
て、シールダイアフラム１２，１３間にシリコンオイル
等の封入液１０１，１０２が満たされ、この封入液が連
通孔１６，１７を介してシリコンダイアフラム８の上下
面にまで至っている、封入液１０１，１０２はセンタダ
イアフラム７とシリコンダイアフラム８とによって２分
されているが、その量が、ほぼ均等になるように配慮さ
れている。
【０００９】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、シールダイアフラム１３に作用する圧力が
封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝達さ
れる。一方、低圧側から圧力が作用した場合、シールダ
イアフラム１２に作用する圧力が封入液１０１によって
シリコンダイアフラム８に伝達される。
用した場合、シールダイアフラム１３に作用する圧力が
封入液１０２によってシリコンダイアフラム８に伝達さ
れる。一方、低圧側から圧力が作用した場合、シールダ
イアフラム１２に作用する圧力が封入液１０１によって
シリコンダイアフラム８に伝達される。
【００１０】この結果、高圧側と低圧側との圧力差に応
じてシリコンダイアフラム８が歪み、この歪み量がスト
レインゲ―ジ９１に因って電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。
じてシリコンダイアフラム８が歪み、この歪み量がスト
レインゲ―ジ９１に因って電気的に取出され、差圧の測
定が行なわれる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
な装置においては、何らかの原因で、封入液１０１，１
０２が漏洩しだした場合、漏れは、僅かづつ、しかも徐
々に漏れるので、出力がはっきりと異常になり、故障と
なるまで発見できなかった。
な装置においては、何らかの原因で、封入液１０１，１
０２が漏洩しだした場合、漏れは、僅かづつ、しかも徐
々に漏れるので、出力がはっきりと異常になり、故障と
なるまで発見できなかった。
【００１２】例えば、シールダイアフラム１２，１３が
ハウジング１にくっついて、入力が加わっても、出力が
変わらなくなるとか、あるいは、封入液１０１，１０２
がハウジング１内へ入り込み、絶縁劣化とか、断線とか
で、ストレインゲージ９１が異常となり、出力が異常に
なるとかで、初めて発見される。
ハウジング１にくっついて、入力が加わっても、出力が
変わらなくなるとか、あるいは、封入液１０１，１０２
がハウジング１内へ入り込み、絶縁劣化とか、断線とか
で、ストレインゲージ９１が異常となり、出力が異常に
なるとかで、初めて発見される。
【００１３】あるいは、入力テストをして、入力異常か
ら、故障個所を調べて初めて発見される。更に、シール
ダイアフラム１２，１３に、封入液１０１，１０２の漏
れが生じた場合には、差圧測定装置そのものの特性に直
接影響があり、プロセスの自動制御に支障をきたすこと
になる。
ら、故障個所を調べて初めて発見される。更に、シール
ダイアフラム１２，１３に、封入液１０１，１０２の漏
れが生じた場合には、差圧測定装置そのものの特性に直
接影響があり、プロセスの自動制御に支障をきたすこと
になる。
【００１４】本発明は、この問題点を、解決するもので
ある。本発明の目的は、測定ラインから差圧測定装置を
取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断出来る。加える
に、差圧測定装置としての機能は全く影響を受けない、
極めて安全性、信頼性が高い差圧測定装置を提供するに
ある。
ある。本発明の目的は、測定ラインから差圧測定装置を
取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断出来る。加える
に、差圧測定装置としての機能は全く影響を受けない、
極めて安全性、信頼性が高い差圧測定装置を提供するに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、 （１）少なくとも１個の封入液室を有する差圧測定装置
において、該差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所
定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正圧力か
ら上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモ
リーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ０≦｜
｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）
／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前記封入液が漏洩し
ていると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時に
前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を前記所定温
度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、
ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリー手段に記憶
されている前記所定校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、とす
る、を具備したことを特徴とする差圧測定装置。 （２）ハウジングの両側面にそれぞれ設けられた第１，
第２シールダイアフラムとを具備する差圧測定装置にお
いて、前記第１シールダイアフラムを覆って設けられ該
第１シールダイアフラムと第３シールダイアフラム室を
構成する第３シールダイアフラムと、前記第２ールダイ
アフラムを覆って設けられ該第２シールダイアフラムと
第４シールダイアフラム室を構成する第４シールダイア
フラムと、前記第３、第４シールダイアフラム室とをそ
れぞれ満たす封入液と、前記差圧測定装置の高圧側と低
圧側の圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら
所定校正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧
力特性値をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に
所定値Ｚ ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−
｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前
記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵと、但し、ε
1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得ら
れたゼロ点、ε10：前記メモリー手段に記憶されている
前記所定測定圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリ
ー手段に記憶されている前記所定校正圧力ｐ0での初期
ゼロ点、とする、を具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成したものである。
に、本発明は、 （１）少なくとも１個の封入液室を有する差圧測定装置
において、該差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所
定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正圧力か
ら上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモ
リーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ０≦｜
｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）
／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前記封入液が漏洩し
ていると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時に
前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を前記所定温
度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、
ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリー手段に記憶
されている前記所定校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、とす
る、を具備したことを特徴とする差圧測定装置。 （２）ハウジングの両側面にそれぞれ設けられた第１，
第２シールダイアフラムとを具備する差圧測定装置にお
いて、前記第１シールダイアフラムを覆って設けられ該
第１シールダイアフラムと第３シールダイアフラム室を
構成する第３シールダイアフラムと、前記第２ールダイ
アフラムを覆って設けられ該第２シールダイアフラムと
第４シールダイアフラム室を構成する第４シールダイア
フラムと、前記第３、第４シールダイアフラム室とをそ
れぞれ満たす封入液と、前記差圧測定装置の高圧側と低
圧側の圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら
所定校正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧
力特性値をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に
所定値Ｚ ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−
｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前
記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵと、但し、ε
1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得ら
れたゼロ点、ε10：前記メモリー手段に記憶されている
前記所定測定圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリ
ー手段に記憶されている前記所定校正圧力ｐ0での初期
ゼロ点、とする、を具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成したものである。
【００１６】
【作用】以上の構成において、通常の測定時において
は、高圧側から圧力が作用した場合、シールダイアフラ
ムに作用する圧力が封入液によってシリコンダイアフラ
ムに伝達される。
は、高圧側から圧力が作用した場合、シールダイアフラ
ムに作用する圧力が封入液によってシリコンダイアフラ
ムに伝達される。
【００１７】一方、低圧側から圧力が作用した場合、シ
ールダイアフラムに作用する圧力が封入液によってシリ
コンダイアフラムに伝達される。従って、高圧側と低圧
側との圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、こ
の歪み量がストレインゲ―ジに因って電気的に取出さ
れ、差圧の測定が行なわれる。
ールダイアフラムに作用する圧力が封入液によってシリ
コンダイアフラムに伝達される。従って、高圧側と低圧
側との圧力差に応じてシリコンダイアフラムが歪み、こ
の歪み量がストレインゲ―ジに因って電気的に取出さ
れ、差圧の測定が行なわれる。
【００１８】そして、自己診断時においては、ＣＰＵに
より、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）
／（ｔ1−ｔ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｔ1−ｔ0）｝
｜となった場合に、シールダイアフラムより封入液が漏
洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
より、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）
／（ｔ1−ｔ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｔ1−ｔ0）｝
｜となった場合に、シールダイアフラムより封入液が漏
洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。以下、実施例に基づき詳細に説明する。
【００１９】
【実施例】図１は本発明の一実施例の要部構成説明図で
ある。図において、図６と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図６と相違部分のみ説明する。
ある。図において、図６と同一記号の構成は同一機能を
表わす。以下、図６と相違部分のみ説明する。
【００２０】３１は、差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校
正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性
値をメモリーするメモリー手段である。３２は、自己診
断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に封入液１０１，１０２が漏洩していると判断す
るＣＰＵである。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段３１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段３１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、
圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校
正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性
値をメモリーするメモリー手段である。３２は、自己診
断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に封入液１０１，１０２が漏洩していると判断す
るＣＰＵである。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段３１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段３１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、
【００２１】なお、メモリー手段３１とＣＰＵ３２は、
この場合は、変換部ケース内のアンプに収納されてい
る。（図示せず）
この場合は、変換部ケース内のアンプに収納されてい
る。（図示せず）
【００２２】
【作用】以上の構成において、通常の測定時において
は、高圧側から圧力が作用した場合、シールダイアフラ
ム１３に作用する圧力が封入液１０２によってシリコン
ダイアフラム８に伝達される。
は、高圧側から圧力が作用した場合、シールダイアフラ
ム１３に作用する圧力が封入液１０２によってシリコン
ダイアフラム８に伝達される。
【００２３】一方、低圧側から圧力が作用した場合、シ
ールダイアフラム１２に作用する圧力が封入液１０１に
よってシリコンダイアフラム８に伝達される。従って、
高圧側と低圧側との圧力差に応じてシリコンダイアフラ
ム８が歪み、この歪み量がストレインゲ―ジ９１に因っ
て電気的に取出され、差圧の測定が行なわれる。
ールダイアフラム１２に作用する圧力が封入液１０１に
よってシリコンダイアフラム８に伝達される。従って、
高圧側と低圧側との圧力差に応じてシリコンダイアフラ
ム８が歪み、この歪み量がストレインゲ―ジ９１に因っ
て電気的に取出され、差圧の測定が行なわれる。
【００２４】次に、自己診断時においては、ＣＰＵ３２
により、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−
ε00）／（ｔ1−ｔ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｔ1−
ｔ0）｝｜となった場合に、シールダイアフラムより封
入液１０１，１０２が漏洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、
により、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−
ε00）／（ｔ1−ｔ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｔ1−
ｔ0）｝｜となった場合に、シールダイアフラムより封
入液１０１，１０２が漏洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、
【００２５】従って、測定ラインから差圧測定装置を取
外す事無く、封入液１０１，１０２の漏洩を自己診断出
来る差圧測定装置が得られる。
外す事無く、封入液１０１，１０２の漏洩を自己診断出
来る差圧測定装置が得られる。
【００２６】次に、具体的な自己診断動作に就いて以下
説明する。図２にゼロ点誤差の静圧特性図、図３に静圧
特性曲線を利用する場合の動作説明図を示す。図３にお
いて、Dは初期圧力特性曲線、Qは液漏れ状態の圧力特性
曲線を示す。 （１）図２、図３のフロー１に示す如く、現在使用して
いる温度ｔ１，圧力P1で、均圧弁を開き圧力P1とする。
圧力P1でのゼロ点ε1を測定する。，
説明する。図２にゼロ点誤差の静圧特性図、図３に静圧
特性曲線を利用する場合の動作説明図を示す。図３にお
いて、Dは初期圧力特性曲線、Qは液漏れ状態の圧力特性
曲線を示す。 （１）図２、図３のフロー１に示す如く、現在使用して
いる温度ｔ１，圧力P1で、均圧弁を開き圧力P1とする。
圧力P1でのゼロ点ε1を測定する。，
【００２７】（２）図３のフロー２に示す如く、メモリ
ー手段３１にメモリーした初期圧力特性曲線から、温度
ｔ１，大気圧ｐ0におけるゼロ点ε00を計算し求める。 （３）図３のフロー３に示す如く、（ε1−ε00）／
（ｐ1−ｐ0）を計算する。 （４）図３のフロー４に示す如く、メモリー手段３１に
メモリーした初期圧力特性曲線から、温度ｔ1，大気圧
ｐ0におけるゼロ点ε10を計算し求める。
ー手段３１にメモリーした初期圧力特性曲線から、温度
ｔ１，大気圧ｐ0におけるゼロ点ε00を計算し求める。 （３）図３のフロー３に示す如く、（ε1−ε00）／
（ｐ1−ｐ0）を計算する。 （４）図３のフロー４に示す如く、メモリー手段３１に
メモリーした初期圧力特性曲線から、温度ｔ1，大気圧
ｐ0におけるゼロ点ε10を計算し求める。
【００２８】（５）図３のフロー５に示す如く、メモリ
ー手段３１にメモリーした初期圧力特性曲線から、温度
ｔ1，大気圧ｐ0におけるゼロ点ε00を計算し求める。 （６）図３のフロー６に示す如く、（ε10−ε00）／
（ｐ1−ｐ0）を計算する。 （７）図３のフロー７に示す如く、Ｚ＝｛（ε1−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝を計算する。
ー手段３１にメモリーした初期圧力特性曲線から、温度
ｔ1，大気圧ｐ0におけるゼロ点ε00を計算し求める。 （６）図３のフロー６に示す如く、（ε10−ε00）／
（ｐ1−ｐ0）を計算する。 （７）図３のフロー７に示す如く、Ｚ＝｛（ε1−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝を計算する。
【００２９】（８）図３のフロー８に示す如く、｜Ｚ｜
≧Ｚ0（Ｚ0は一定のマージンを考慮に入れた誤差）であ
れば、高圧側又は低圧側のどちらかのシールダイアフラ
ム１３，１２部分より、封入液１０２，１０１が漏れて
いると判定する。
≧Ｚ0（Ｚ0は一定のマージンを考慮に入れた誤差）であ
れば、高圧側又は低圧側のどちらかのシールダイアフラ
ム１３，１２部分より、封入液１０２，１０１が漏れて
いると判定する。
【００３０】（９）図３のフロー９に示す如く、Ｚの符
号により、Ｚ＜０であれば、低圧側のシールダイアフラ
ム１２部分より、封入液１０１が漏れていると判定す
る。Ｚ＞０であれば、高圧側のシールダイアフラム１３
部分より、封入液１０２が漏れている。
号により、Ｚ＜０であれば、低圧側のシールダイアフラ
ム１２部分より、封入液１０１が漏れていると判定す
る。Ｚ＞０であれば、高圧側のシールダイアフラム１３
部分より、封入液１０２が漏れている。
【００３１】この結果、封入液１０１，１０２の漏洩が
僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動作するため、
装置が完全にダウンして初めて、封入液１０１，１０２
の漏洩に気付く様な恐れがなく、封入液１０１，１０２
の漏洩を容易に早期に検知することができる。また、装
置のダウンする前にダウンの予知診断ができる。
僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動作するため、
装置が完全にダウンして初めて、封入液１０１，１０２
の漏洩に気付く様な恐れがなく、封入液１０１，１０２
の漏洩を容易に早期に検知することができる。また、装
置のダウンする前にダウンの予知診断ができる。
【００３２】更に、測定流体の流れを止めることなく、
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は、前
述した如く容易であるので、プロセスの流れを乱すこと
がない差圧測定装置が得られる。更に、圧力特性の影響
を除いて判断できるので、より正確に封入液１０１，１
０２の漏洩を自己診断出来る差圧測定装置が得られる。
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は、前
述した如く容易であるので、プロセスの流れを乱すこと
がない差圧測定装置が得られる。更に、圧力特性の影響
を除いて判断できるので、より正確に封入液１０１，１
０２の漏洩を自己診断出来る差圧測定装置が得られる。
【００３３】更にまた、自己診断時の測定は、２個所で
なく、１個所のみでよいので、一点のみチェックしてい
れば良く、自己診断を極めて迅速簡易に行う事ができ
る。即ち、液漏れ状態の圧力特性曲線Qにおける校正圧
力P0でのゼロ点ε0は,実際は極めて小さいためにこれを
無視して迅速簡易性を採用したものである。
なく、１個所のみでよいので、一点のみチェックしてい
れば良く、自己診断を極めて迅速簡易に行う事ができ
る。即ち、液漏れ状態の圧力特性曲線Qにおける校正圧
力P0でのゼロ点ε0は,実際は極めて小さいためにこれを
無視して迅速簡易性を採用したものである。
【００３４】図４は本発明の他の実施例の要部構成説明
図、図５は図４の要部構成説明図である。図において、
図６と同一記号の構成は同一機能を表わす。以下、図６
と相違部分のみ説明する。
図、図５は図４の要部構成説明図である。図において、
図６と同一記号の構成は同一機能を表わす。以下、図６
と相違部分のみ説明する。
【００３５】４１は、差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校
正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性
値をメモリーするメモリー手段である。４２は、自己診
断時に所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に、封入液１０３，１０４が漏洩していると判断
するＣＰＵである。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。
圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら所定校
正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性
値をメモリーするメモリー手段である。４２は、自己診
断時に所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に、封入液１０３，１０４が漏洩していると判断
するＣＰＵである。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。
【００３６】なお、メモリー手段４１とＣＰＵ４２は、
この場合は、変換部ケース内のアンプに収納されてい
る。（図示せず）
この場合は、変換部ケース内のアンプに収納されてい
る。（図示せず）
【００３７】５１は、第１シールダイアフラム１３を覆
って設けられ、第１シールダイアフラム１３と第３シー
ルダイアフラム室５２を構成する第３シールダイアフラ
ムである。５３は、第２シールダイアフラム１２を覆っ
て設けられ、第２シールダイアフラム１２と第４シール
ダイアフラム室５４を構成する第４シールダイアフラム
である。
って設けられ、第１シールダイアフラム１３と第３シー
ルダイアフラム室５２を構成する第３シールダイアフラ
ムである。５３は、第２シールダイアフラム１２を覆っ
て設けられ、第２シールダイアフラム１２と第４シール
ダイアフラム室５４を構成する第４シールダイアフラム
である。
【００３８】５５は、第１シールダイアフラム１３と第
３シールダイアフラム５１との間に設けられたボディで
ある。５６は、第２シールダイアフラム１２と第４シー
ルダイアフラム５３との間に設けられたボディである。
１０３は、第３シールダイアフラム室５２に満たされた
封入液である。１０４は、第４シールダイアフラム室５
４に満たされた封入液である。
３シールダイアフラム５１との間に設けられたボディで
ある。５６は、第２シールダイアフラム１２と第４シー
ルダイアフラム５３との間に設けられたボディである。
１０３は、第３シールダイアフラム室５２に満たされた
封入液である。１０４は、第４シールダイアフラム室５
４に満たされた封入液である。
【００３９】以上の構成において、高圧側から圧力が作
用した場合、シールダイアフラム５１に作用する圧力が
封入液１０３，１０２によってシリコンダイアフラム８
に伝達される。一方、低圧側から圧力が作用した場合、
シールダイアフラム５３に作用する圧力が封入液１０
４，１０１によってシリコンダイアフラム８に伝達され
る。
用した場合、シールダイアフラム５１に作用する圧力が
封入液１０３，１０２によってシリコンダイアフラム８
に伝達される。一方、低圧側から圧力が作用した場合、
シールダイアフラム５３に作用する圧力が封入液１０
４，１０１によってシリコンダイアフラム８に伝達され
る。
【００４０】従って、高圧側と低圧側との圧力差に応じ
てシリコンダイアフラム８が歪み、この歪み量がストレ
インゲ―ジ９１に因って電気的に取出され、差圧の測定
が行なわれる。
てシリコンダイアフラム８が歪み、この歪み量がストレ
インゲ―ジ９１に因って電気的に取出され、差圧の測定
が行なわれる。
【００４１】次に、自己診断時においては、ＣＰＵ４２
により、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝｜となった場合に、シールダイアフラムより封
入液１０３，１０４が漏洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。
により、自己診断時に、所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−
ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝｜となった場合に、シールダイアフラムより封
入液１０３，１０４が漏洩していると判断する。但し、 ε1：自己診断時に差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧
力を所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼ
ロ点、 ε10：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
測定圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段４１に記憶されている前記所定
校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする。
【００４２】従って、測定ラインから差圧測定装置を取
外す事無く、封入液１０３，１０４の漏洩を自己診断出
来る差圧測定装置が得られる。
外す事無く、封入液１０３，１０４の漏洩を自己診断出
来る差圧測定装置が得られる。
【００４３】この結果、封入液１０３，１０４の漏洩が
僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動作するため、
装置が完全にダウンして初めて、封入液１０３，１０４
の漏洩に気付く様な恐れがなく、封入液１０３，１０４
の漏洩を容易に早期に検知することができる。また、装
置のダウンする前にダウンの予知診断ができる。
僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動作するため、
装置が完全にダウンして初めて、封入液１０３，１０４
の漏洩に気付く様な恐れがなく、封入液１０３，１０４
の漏洩を容易に早期に検知することができる。また、装
置のダウンする前にダウンの予知診断ができる。
【００４４】更に、測定流体の流れを止めることなく、
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は、前
述した如く容易であるので、プロセスの流れを乱すこと
がない差圧測定装置が得られる。更に、圧力特性の影響
を除いて判断できるので、より正確に封入液１０３，１
０４の漏洩を自己診断出来る差圧測定装置が得られる。
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は、前
述した如く容易であるので、プロセスの流れを乱すこと
がない差圧測定装置が得られる。更に、圧力特性の影響
を除いて判断できるので、より正確に封入液１０３，１
０４の漏洩を自己診断出来る差圧測定装置が得られる。
【００４５】加えるに、第１シールダイアフラム１３を
覆って設けられ、第１シールダイアフラム１３と第３シ
ールダイアフラム室５２を構成する第３シールダイアフ
ラム５１と、第２ールダイアフラム１２を覆って設けら
れ、第２シールダイアフラム１２と第４シールダイアフ
ラム室５４を構成する第４シールダイアフラム５３とが
設けられ、第３シールダイアフラム室５２と第４シール
ダイアフラム室５４とに、封入液１０３，１０４が満た
されている。
覆って設けられ、第１シールダイアフラム１３と第３シ
ールダイアフラム室５２を構成する第３シールダイアフ
ラム５１と、第２ールダイアフラム１２を覆って設けら
れ、第２シールダイアフラム１２と第４シールダイアフ
ラム室５４を構成する第４シールダイアフラム５３とが
設けられ、第３シールダイアフラム室５２と第４シール
ダイアフラム室５４とに、封入液１０３，１０４が満た
されている。
【００４６】従って、腐食性の測定液等により封入液１
０３，１０４が漏れたとしても、封入液１０１，１０２
は漏れることが無いので、差圧測定装置としての機能が
全く損ぜられることがなく、極めて安全性の高い装置が
得られる。
０３，１０４が漏れたとしても、封入液１０１，１０２
は漏れることが無いので、差圧測定装置としての機能が
全く損ぜられることがなく、極めて安全性の高い装置が
得られる。
【００４７】なお、均圧状態は、測定流体の流れる配管
から、差圧測定装置の高圧側と低圧側へそれぞれ連通す
る導管の連通を止め、差圧測定装置の高圧側と低圧側を
大気圧Ｐ0に解放にする。
から、差圧測定装置の高圧側と低圧側へそれぞれ連通す
る導管の連通を止め、差圧測定装置の高圧側と低圧側を
大気圧Ｐ0に解放にする。
【００４８】あるいは、３岐弁を使用して、差圧測定装
置の高圧側と低圧側の測定流体の配管への連通を止め、
かつ、高圧側と低圧側とを連通するように操作して、高
圧側と低圧側とを測定圧Ｐ1に均圧にする等、種々の方
法が採用可能であり、測定流体の流れる配管に於ける流
れを止めることなく、差圧測定装置の高圧側と低圧側と
を均圧にする事は容易である。
置の高圧側と低圧側の測定流体の配管への連通を止め、
かつ、高圧側と低圧側とを連通するように操作して、高
圧側と低圧側とを測定圧Ｐ1に均圧にする等、種々の方
法が採用可能であり、測定流体の流れる配管に於ける流
れを止めることなく、差圧測定装置の高圧側と低圧側と
を均圧にする事は容易である。
【００４９】なお、前述の実施例においては、差圧測定
装置に就いて説明したが、これに限ることはなく、圧力
測定装置でも良い。圧力測定装置は差圧測定装置の一方
の圧力を大気圧或いは真空にしたものであり、実質的に
差圧測定装置であるからである。なお、この場合は、測
定圧側を大気圧或いは真空にして零点をチェックするこ
とになる。
装置に就いて説明したが、これに限ることはなく、圧力
測定装置でも良い。圧力測定装置は差圧測定装置の一方
の圧力を大気圧或いは真空にしたものであり、実質的に
差圧測定装置であるからである。なお、この場合は、測
定圧側を大気圧或いは真空にして零点をチェックするこ
とになる。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、 （１）少なくとも１個の封入液室を有する差圧測定装置
において、該差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所
定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正圧力か
ら上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモ
リーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ０≦｜
｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）
／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前記封入液が漏洩し
ていると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時に
前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を前記所定温
度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、
ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリー手段に記憶
されている前記所定校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、とす
る、を具備したことを特徴とする差圧測定装置。 （２）ハウジングの両側面にそれぞれ設けられた第１，
第２シールダイアフラムとを具備する差圧測定装置にお
いて、前記第１シールダイアフラムを覆って設けられ該
第１シールダイアフラムと第３シールダイアフラム室を
構成する第３シールダイアフラムと、前記第２ールダイ
アフラムを覆って設けられ該第２シールダイアフラムと
第４シールダイアフラム室を構成する第４シールダイア
フラムと、前記第３、第４シールダイアフラム室とをそ
れぞれ満たす封入液と、前記差圧測定装置の高圧側と低
圧側の圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら
所定校正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧
力特性値をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に
所定値Ｚ ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−
｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前
記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵと、但し、ε
1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得ら
れたゼロ点、ε10：前記メモリー手段に記憶されている
前記所定測定圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリ
ー手段に記憶されている前記所定校正圧力ｐ0での初期
ゼロ点、とする、を具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成した。
において、該差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所
定温度で均圧状態になるようにしながら所定校正圧力か
ら上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモ
リーするメモリー手段と、自己診断時に所定値Ｚ０≦｜
｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）
／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前記封入液が漏洩し
ていると判断するＣＰＵと、但し、ε1：自己診断時に
前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を前記所定温
度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得られたゼロ点、
ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリー手段に記憶
されている前記所定校正圧力ｐ0での初期ゼロ点、とす
る、を具備したことを特徴とする差圧測定装置。 （２）ハウジングの両側面にそれぞれ設けられた第１，
第２シールダイアフラムとを具備する差圧測定装置にお
いて、前記第１シールダイアフラムを覆って設けられ該
第１シールダイアフラムと第３シールダイアフラム室を
構成する第３シールダイアフラムと、前記第２ールダイ
アフラムを覆って設けられ該第２シールダイアフラムと
第４シールダイアフラム室を構成する第４シールダイア
フラムと、前記第３、第４シールダイアフラム室とをそ
れぞれ満たす封入液と、前記差圧測定装置の高圧側と低
圧側の圧力を所定温度で均圧状態になるようにしながら
所定校正圧力から上限測定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧
力特性値をメモリーするメモリー手段と、自己診断時に
所定値Ｚ ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝−
｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となった場合に前
記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵと、但し、ε
1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の
圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得ら
れたゼロ点、ε10：前記メモリー手段に記憶されている
前記所定測定圧ｐ1での初期ゼロ点、ε00：前記メモリ
ー手段に記憶されている前記所定校正圧力ｐ0での初期
ゼロ点、とする、を具備したことを特徴とする差圧測定
装置を構成した。
【００５１】この結果、第１請求項の構成によれば、封
入液の漏洩が僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動
作するので、装置が完全にダウンして初めて封入液の漏
洩に気付く様な恐れがなく、封入液の漏洩を容易に早期
に検知することができる。また、装置のダウンする前に
ダウンの予知診断ができる。
入液の漏洩が僅かあっても、本発明の差圧測定装置は動
作するので、装置が完全にダウンして初めて封入液の漏
洩に気付く様な恐れがなく、封入液の漏洩を容易に早期
に検知することができる。また、装置のダウンする前に
ダウンの予知診断ができる。
【００５２】更に、測定流体の流れを止めることなく、
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は容易
であり、プロセスの流れを乱すことがない差圧測定装置
が得られる。更に、圧力特性の影響を除いて判断できる
ので、より正確に封入液の漏洩を自己診断出来る差圧測
定装置が得られる。
差圧測定装置の高圧側と低圧側とを均圧にする事は容易
であり、プロセスの流れを乱すことがない差圧測定装置
が得られる。更に、圧力特性の影響を除いて判断できる
ので、より正確に封入液の漏洩を自己診断出来る差圧測
定装置が得られる。
【００５３】更にまた、自己診断時の測定は、２個所で
なく、１個所のみでよいので、一点のみチェックしてい
れば良く、自己診断を極めて迅速簡易に行う事ができ
る。即ち、液漏れ状態の温度特性曲線における校正温度
でのゼロ点は実際は極めて小さいためにこれを無視して
迅速簡易性を採用したものである。
なく、１個所のみでよいので、一点のみチェックしてい
れば良く、自己診断を極めて迅速簡易に行う事ができ
る。即ち、液漏れ状態の温度特性曲線における校正温度
でのゼロ点は実際は極めて小さいためにこれを無視して
迅速簡易性を採用したものである。
【００５４】加えるに、第２請求項の構成によれば、腐
食性の測定液等により封入液１０３，１０４が漏れたと
しても、封入液１０１，１０２は漏れることが無いの
で、差圧測定装置としての機能が全く損ぜられることが
なく、極めて安全性、信頼性が高い装置が得られる。
食性の測定液等により封入液１０３，１０４が漏れたと
しても、封入液１０１，１０２は漏れることが無いの
で、差圧測定装置としての機能が全く損ぜられることが
なく、極めて安全性、信頼性が高い装置が得られる。
【００５５】従って、本発明によれば、測定ラインから
差圧測定装置を取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断
出来る。加えるに、差圧測定装置としての機能は全く影
響を受けない、極めて安全性、信頼性が高い差圧測定装
置を実現することが出来る。
差圧測定装置を取外す事無く、封入液の漏洩を自己診断
出来る。加えるに、差圧測定装置としての機能は全く影
響を受けない、極めて安全性、信頼性が高い差圧測定装
置を実現することが出来る。
【図１】本発明の一実施例の要部構成説明図である。
【図２】図１のゼロ点誤差の温度特性図である。
【図３】図１の温度特性曲線を利用する場合の動作説明
図である。
図である。
【図４】本発明の他の実施例の要部構成説明図である。
【図５】図４の要部構成説明図である。
【図６】従来より一般に使用されている従来例の構成説
明図である。
明図である。
１…ハウジング ２…フランジ ３…フランジ ４…導入口 ５…導入口 ６…圧力測定室 ６Ａ…バックプレ―ト ６Ｂ…バックプレ―ト ７…センターダイアフラム ８…シリコンダイアフラム ９…支持体 １０…圧力導入室 １０Ａ…バックプレ―ト １１…圧力導入室 １１Ａ…バックプレ―ト １２…シールダイアフラム １３…シールダイアフラム １４…連通孔 １５…連通孔 １６…連通孔 １７…連通孔 ３１…メモリー手段 ３２…ＣＰＵ ４１…メモリー手段 ４２…ＣＰＵ ５１…第３シールダイアフラム ５２…第３シールダイアフラム室 ５３…第４シールダイアフラム ５４…第４シールダイアフラム室 ５５…ボディ ５６…ボディ ８１…シリコン基板 ８２…凹部 ９１…ストレインゲ―ジ ９２…リード ９３…ハーメチック端子 １０１…封入液 １０２…封入液 １０３…封入液 １０４…封入液
Claims (2)
- 【請求項１】少なくとも１個の封入液室を有する差圧測
定装置において、 該差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所定温度で均
圧状態になるようにしながら所定校正圧力から上限測定
可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモリーするメ
モリー手段と、 自己診断時に所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に前記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵ
と、 但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、 を具備したことを特徴とする差圧測定装置。 - 【請求項２】ハウジングの両側面にそれぞれ設けられた
第１，第２シールダイアフラムとを具備する差圧測定装
置において、 前記第１シールダイアフラムを覆って設けられ該第１シ
ールダイアフラムと第３シールダイアフラム室を構成す
る第３シールダイアフラムと、 前記第２ールダイアフラムを覆って設けられ該第２シー
ルダイアフラムと第４シールダイアフラム室を構成する
第４シールダイアフラムと、 前記第３、第４シールダイアフラム室とをそれぞれ満た
す封入液と、 前記差圧測定装置の高圧側と低圧側の圧力を所定温度で
均圧状態になるようにしながら所定校正圧力から上限測
定可能圧力迄の初期ゼロ点の圧力特性値をメモリーする
メモリー手段と、 自己診断時に所定値Ｚ０≦｜｛（ε1−ε00）／（ｐ1−
ｐ0）｝−｛（ε10−ε00）／（ｐ1−ｐ0）｝｜となっ
た場合に前記封入液が漏洩していると判断するＣＰＵ
と、 但し、 ε1：自己診断時に前記差圧測定装置の高圧側と低圧側
の圧力を前記所定温度で所定測定圧ｐ1に均圧にして得
られたゼロ点、 ε10：前記メモリー手段に記憶されている前記所定測定
圧ｐ1での初期ゼロ点、 ε00：前記メモリー手段に記憶されている前記所定校正
圧力ｐ0での初期ゼロ点、 とする、 を具備したことを特徴とする差圧測定装置。
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|---|---|---|---|
| JP2001039648A JP3384457B2 (ja) | 1993-04-01 | 2001-02-16 | 差圧測定装置 |
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|---|---|---|---|
| JP5-75718 | 1993-04-01 | ||
| JP7571893 | 1993-04-01 | ||
| JP2001039648A JP3384457B2 (ja) | 1993-04-01 | 2001-02-16 | 差圧測定装置 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005121736A1 (de) * | 2004-06-14 | 2005-12-22 | Endress+Hauser Gmbh+Co. Kg | Differenzdruckaufnehmer |
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2001
- 2001-02-16 JP JP2001039648A patent/JP3384457B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
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