JP2001259358A - Exhaust gas treatment device - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置か
ら排出される排ガス等に含まれる有害成分の除去などに
適用される排ガス処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus used for removing harmful components contained in exhaust gas discharged from a semiconductor manufacturing apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体製造装置から排出される排
ガス等に含まれる有害成分を除去する排ガス処理装置と
しては、いわゆる「ロータリアトマイザ」として知られ
る微細気泡発生装置が知られている。この微細気泡発生
装置としては、液中に配設される回転インペラが、吸気
管の内部を貫通する回転軸の下端に連結され、液槽の上
方に配置された駆動部によって高速回転し、このとき生
じる負圧によって、気体導入口である吸気管の上端から
吸引した気体を、この吸気管の開放端から微細気泡とし
て液中に分散させる装置が知られている(特開昭61−
35832号公報)。2. Description of the Related Art Conventionally, as an exhaust gas treatment apparatus for removing harmful components contained in exhaust gas and the like discharged from a semiconductor manufacturing apparatus, a fine bubble generator known as a so-called "rotary atomizer" is known. In this microbubble generator, a rotary impeller disposed in a liquid is connected to a lower end of a rotary shaft penetrating through the inside of an intake pipe, and is rotated at a high speed by a drive unit disposed above a liquid tank. A device is known which disperses a gas sucked from an upper end of an intake pipe, which is a gas introduction port, into liquid as fine bubbles from an open end of the intake pipe by a negative pressure generated (Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 61-61).
35832).
【0003】すなわち、上記した駆動部を液槽の上方に
設ける、いわゆる上部駆動式の場合、この駆動部と軸封
装置を介して上端を接続された回転軸は、吸気管の中を
貫通して、液中開放端の下方で、その下端を回転インペ
ラと接続されている。したがって、回転軸の周囲の狭い
空間が、吸引された気体の通路となるため、気体中に例
えば、水分と反応して固形物を生成し易い物質が存在す
ると、吸気管内で固形物が生成して、気体の通路を閉塞
するという問題が生じ易い。That is, in the case of a so-called upper drive type in which the above-described drive unit is provided above the liquid tank, a rotary shaft connected to the drive unit and the upper end via a shaft sealing device passes through the intake pipe. The lower end is connected to the rotary impeller below the submerged open end. Therefore, a narrow space around the rotation axis becomes a passage for the sucked gas.If, for example, a substance that easily reacts with moisture to generate a solid is present in the gas, the solid is generated in the intake pipe. Thus, the problem of blocking the gas passage is likely to occur.
【0004】そこで、吸気管の中を貫通する回転軸を設
けることなく、液中に配設された回転インペラを、この
回転インペラの下方に設けた駆動部によって高速回転さ
せる、いわゆる、下部駆動式の微細気泡発生装置に関す
る技術が、本出願人によって既に出願されている(特願
平11−202903)。上記技術においては、吸気管
の内部全体が気体の通路となるため、従来の上部駆動式
における場合より、固形物の生成による気体の通路の閉
塞という問題は改善されている。Therefore, a so-called lower drive type, in which a rotary impeller disposed in the liquid is rotated at a high speed by a drive unit provided below the rotary impeller without providing a rotary shaft penetrating through the intake pipe. (Japanese Patent Application No. 11-202903) has already applied for a technique relating to the microbubble generating device. In the above technique, since the entire inside of the intake pipe forms a gas passage, the problem of the blockage of the gas passage due to generation of solids is improved as compared with the conventional upper drive type.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、現在の半導
体製造産業では、シリコンウェハのドライエッチングや
チャンバークリーニング等の工程において、エッチング
ガスとして、CF4、CHF3、C2F6、SF6、Cl2、BCl3、HCl、
HBr、ClF3等の各種ガスが使用されている。これらの工
程から排出される排ガス中には、上記のエッチングガス
が未反応で排出されたもの、エッチングに使用された
後、HF、SiF、SiCl4等の分解生成物に変化したもの等、
各種化合物が含まれている。これらの化合物はいずれも
有害であるため、除去装置により有害成分を除去した
後、大気中に放出しなければならない。By the way, in the current semiconductor manufacturing industry, CF 4 , CHF 3 , C 2 F 6 , SF 6 , Cl 6 are used as etching gases in processes such as dry etching of silicon wafers and chamber cleaning. 2, BCl 3, HCl,
Various gases such as HBr and ClF 3 are used. In the exhaust gas discharged from these steps, the above-mentioned etching gas is discharged without reacting, after being used for etching, HF, SiF, those converted into decomposition products such as SiCl 4 and the like,
Contains various compounds. Since all of these compounds are harmful, they must be released to the atmosphere after removing harmful components with a removal device.
【0006】一方、排ガス中には上記したように各種化
合物が含まれているが、中でもSiF4、BCl3は、水分の存
在下で下記の反応式に従ってSiO2、B2O3を生成する。On the other hand, the exhaust gas contains various compounds as described above. Among them, SiF 4 and BCl 3 generate SiO 2 and B 2 O 3 in the presence of moisture according to the following reaction formula. .
【0007】[0007]
【化1】 Embedded image
【0008】一方、高速回転する回転インペラによって
吸引された気体は、放射旋回状に液中に供給され、微細
気泡となって気液接触されるのであるが、吸気管の液中
に設けられた下部開放端(吸引ガス出口)は、激しい渦
流状の水又は薬液から構成される吸収液と常に接触する
状態となる。On the other hand, the gas sucked by the rotating impeller which rotates at a high speed is supplied into the liquid in a radially swirling manner and comes into gas-liquid contact as fine bubbles, but is provided in the liquid in the intake pipe. The lower open end (suction gas outlet) is in a state of being constantly in contact with an absorbing liquid composed of a violent swirling water or a chemical liquid.
【0009】したがって、上記した半導体製造工程から
排出される排ガスを微細気泡発生装置の処理ガスとした
場合、たとえ、回転インペラを下部駆動式として、吸気
管の内部全体を排ガス通路としても、吸収液の一部は、
液中における吸気管の開放端から巻きあがり、あるいは
ハネ上がって、吸気管の内壁を湿らせることとなる。そ
の場合、吸収液によって湿った吸気管の内壁には、上記
反応式に従って生成したSiO2、B2O3が固体となって付着
し、あるいはこれら以外の若干の固形物も付着して、や
がてその量が増えてくると排ガスの流入を妨げ、ついに
は、吸気管を閉塞させる事態となる。Therefore, when the exhaust gas discharged from the above-described semiconductor manufacturing process is used as the processing gas for the fine bubble generator, even if the rotary impeller is driven downward and the entire interior of the intake pipe is used as the exhaust gas passage, the absorption liquid can be used. Some of the
Winding or splashing from the open end of the intake pipe in the liquid will wet the inner wall of the intake pipe. In that case, SiO 2 and B 2 O 3 generated according to the above reaction formula become solid and adhere to the inner wall of the intake pipe moistened by the absorbent, or some other solid matter also adheres, and eventually. When the amount increases, the flow of exhaust gas is hindered, and eventually the intake pipe is closed.
【0010】そこで、上記特願平11−202903に
おいては、吸気管の内壁の排ガス導入部近傍あるいは開
放端の近傍等に付着したSiO2、B2O3等の固形物を除去す
るために吸気管内部に水スプレイ手段を設け、水の持つ
溶解力、水勢等を利用して、固形物を除去する微細気泡
発生装置が提案されている。Therefore, in Japanese Patent Application No. 11-202903, the intake air is removed in order to remove solid substances such as SiO 2 and B 2 O 3 attached near the exhaust gas introduction portion or near the open end of the inner wall of the intake pipe. A microbubble generator has been proposed in which a water spray means is provided inside a pipe and solid matter is removed by utilizing the dissolving power, water force, and the like of water.
【0011】しかしながら、この方法を実施した場合、
スプレイした水が吸気管の内壁に当たる際の飛沫により
スプレイ位置またはそれよりも若干上方の部分で吸気管
の内壁が湿り、排ガス中のSiF4、BCl3が既述した化学式
により水分と反応して、新たにSiO2、B2O3等の固形物が
生成することになる。したがって、排ガスの供給を継続
した状態で水スプレイを継続的に行うと、スプレイ位置
よりも下方の固形物は除去される反面、スプレイ位置又
はそれよりも若干上方の位置では新たに固形物の堆積が
生じて、長時間運転を継続すると遂には、吸気管を閉塞
させるという問題が生じる。また、そのような問題の発
生を回避するためには、吸気管への排ガスの供給を中断
した状態で水スプレイによる固形物除去を行わなければ
ならないが、その場合には排ガス発生源である半導体製
造装置等の運転中断につながる。However, when this method is implemented,
When the sprayed water hits the inner wall of the intake pipe, the inner wall of the intake pipe becomes wet at the spray position or a part slightly higher than the spray position, and SiF 4 and BCl 3 in the exhaust gas react with moisture according to the chemical formula described above. Then, solids such as SiO 2 and B 2 O 3 are newly generated. Therefore, if water spraying is continuously performed with the supply of exhaust gas, solids below the spray position are removed, but solids are newly deposited at the spray position or at a position slightly higher than the spray position. Occurs, and if the operation is continued for a long time, a problem that the intake pipe is finally blocked occurs. In order to avoid such a problem, solids must be removed by water spray in a state where the supply of exhaust gas to the intake pipe is interrupted. This leads to interruption of the operation of manufacturing equipment.
【0012】そこで、本発明の課題は、水スプレイによ
る固形物除去の機能を有する排ガス処理装置において、
排ガス供給を中断することなく、水スプレイに伴う新た
な固形物の生成を解消又は軽減することにある。Therefore, an object of the present invention is to provide an exhaust gas treatment apparatus having a function of removing solids by water spray.
It is an object of the present invention to eliminate or reduce the generation of new solids caused by water spray without interrupting the supply of exhaust gas.
【0013】[0013]
【発明の開示】本発明者らが鋭意検討した結果、次のよ
うな事実を見出した。まず、吸気管の下部開放端の近傍
に付着した固形物を完全に除去するには、水スプレイを
所定時間(例えば、5分程度)だけ行えば充分であり、
それ以上に水スプレイを継続してもスプレイ位置又はそ
の若干上方に固形物が新たに形成されるだけである。し
たがって、水スプレイは所定時間継続した後は一旦中断
し、中断後に同じ箇所に固形物が一定量以上堆積した後
又は一定時間経過後に水スプレイを再開することを繰り
返し行えば、スプレイ位置又はそれよりも上方に新たに
形成される固形物の量を大きく減少させることができ、
連続して排ガスを供給できる時間が水スプレイを連続し
て行う場合よりもはるかに長くできることになる。DISCLOSURE OF THE INVENTION As a result of intensive studies by the present inventors, the following facts have been found. First, in order to completely remove solid matter attached near the lower open end of the intake pipe, it is sufficient to perform water spraying for a predetermined time (for example, about 5 minutes).
Further continuation of the water spray will only create new solids at or slightly above the spray position. Therefore, if the water spray is suspended for a predetermined time, it is temporarily stopped, and after the suspension, the solid is deposited at a certain amount or more in the same place or the water spray is restarted after a certain period of time. Can also greatly reduce the amount of solids newly formed above,
The time during which the exhaust gas can be continuously supplied can be much longer than when water spraying is continuously performed.
【0014】また、水スプレイにより新たに固形物が形
成されるのは、スプレイ位置又はその若干上方の箇所な
のであるから、スプレイ位置自体を上方へ移動させれば
新たに形成される固形物はこれにより除去されることに
なる。この場合、スプレイ位置を上昇させると、吸気管
の下部開放端から徐々に遠ざかることになり、回転イン
ペラからの飛沫水分により形成される固形物を除去しに
くくなるが、その場合でも、一旦最上位まで上昇したス
プレイ位置を再び最下位まで下降させて、同じ操作を繰
り返せば何ら問題は生じない。[0014] Further, since a new solid is formed by the water spray at the spray position or a position slightly above the spray position, the solid formed newly is moved by moving the spray position itself upward. Will be removed. In this case, when the spray position is raised, it gradually moves away from the lower open end of the intake pipe, and it becomes difficult to remove solids formed by water splashing from the rotary impeller. There is no problem if the same spraying position is lowered again to the lowest position and the same operation is repeated.
【0015】すなわち、本発明の第1の側面に係る排ガ
ス処理装置は、吸収液中に下部が浸漬され且つ当該吸収
液との接触により固形物を生成する成分を含む排ガスが
導入される吸気管を備える構成において、上記吸気管
は、当該吸気管内でその下部開放端よりも上方において
水スプレイ手段を備えており、この水スプレイ手段に水
を間欠的に供給するための間欠的水供給手段をさらに設
けたことを特徴とする。That is, in the exhaust gas treatment apparatus according to the first aspect of the present invention, the intake pipe into which the lower part is immersed in the absorbing solution and into which the exhaust gas containing a component that generates a solid substance by contact with the absorbing solution is introduced. In the above configuration, the intake pipe is provided with water spray means above the lower open end in the intake pipe, and intermittent water supply means for intermittently supplying water to the water spray means. It is further characterized by being provided.
【0016】通常、この種の排ガス処理装置において排
ガスの処理を行うと、運転開始後、数時間〜数十時間経
過すると、主として、吸気管の下部開放端の近傍に固形
物が付着する。この場合、吸収液を収容している吸収液
槽や上記吸気管が透明な材料で形成されている場合に
は、固形物付着の様子が目視により確認できるため、目
視で適宜判断して上記間欠的水供給手段を手動により作
動させて、水スプレイ手段から水を所定時間だけスプレ
イし、固形物を除去できた時点で水の供給を中断する。
この際、吸気管への排ガス供給は中断する必要はない。
そして、再び固形物の付着が目視により確認されると、
再度同様の操作を繰り返すのである。このため、水スプ
レイの時間は全体として大きく短縮できるため、水スプ
レイの飛沫による新たな固形物付着は大きく低減するこ
とが可能となる。この場合、上記間欠的水供給手段は、
上記水スプレイ手段への水供給配管と手動によるオン・
オフが可能な給水ポンプにより構成される。Normally, when exhaust gas is treated in this type of exhaust gas treatment apparatus, solid matter mainly adheres to the vicinity of the lower open end of the intake pipe when several to several tens of hours have elapsed after the start of operation. In this case, when the absorbing liquid tank containing the absorbing liquid and the above-mentioned intake pipe are formed of a transparent material, the state of solid matter adhesion can be visually confirmed. The target water supply means is manually operated, water is sprayed from the water spray means for a predetermined time, and the supply of water is interrupted when solids can be removed.
At this time, there is no need to interrupt the supply of exhaust gas to the intake pipe.
Then, when the adhesion of the solid substance is visually confirmed again,
The same operation is repeated again. For this reason, the time of the water spray can be greatly reduced as a whole, and it is possible to greatly reduce the adhesion of new solid matter due to the splash of the water spray. In this case, the intermittent water supply means
Water supply piping to the water spray means and manual on / off
It consists of a water pump that can be turned off.
【0017】本発明の好適な実施形態によれば、上記間
欠的水供給手段は、上記吸気管に供給される排ガスの圧
力変動を検知する圧力検知手段と、この圧力検知手段が
所定値の圧力を検知したことを示す信号に応答して作動
し上記水スプレイ手段に水が供給される時間を決定する
タイマと、を含んでいる。この場合、上記タイマは水ス
プレイ手段に接続された水供給配管に水を送る給水ポン
プを自動的に制御してタイマにより予め決定された時間
だけ水の供給を行うことができるので、手動の場合のよ
うな作業者への負担はない。但し、この場合でも、吸収
液を収容している吸収液槽や上記吸気管を透明な材料で
形成しておけば、誤動作の場合に手動に切換えるので、
万全を期すことができる。According to a preferred embodiment of the present invention, the intermittent water supply means includes a pressure detection means for detecting a pressure change of exhaust gas supplied to the intake pipe, and a pressure detection means for detecting a pressure change of a predetermined value. A timer that operates in response to a signal indicating that water has been detected and that determines a time during which water is supplied to the water spray means. In this case, since the timer can automatically control the water supply pump that sends water to the water supply pipe connected to the water spray means and supply water for a predetermined time by the timer, There is no burden on the operator as described above. However, even in this case, if the absorbing liquid tank containing the absorbing liquid and the above-mentioned intake pipe are formed of a transparent material, the operation is switched manually in the case of a malfunction,
You can be assured.
【0018】一方、本発明の第2の側面によれば、吸収
液中に下部が浸漬され且つ当該吸収液との接触により固
形物を生成する成分を含む排ガスが導入される吸気管を
備える排ガス処理装置であって、上記吸気管は、当該吸
気管内でその下部開放端よりも上方において水スプレイ
手段を備えており、この水スプレイ手段が上記吸気管内
で上下移動自在で異なる高さ位置にて水スプレイを行う
ようになっていることを特徴とする、排ガス処理装置が
提供される。On the other hand, according to a second aspect of the present invention, an exhaust gas provided with an intake pipe whose lower part is immersed in an absorbing solution and into which exhaust gas containing a component which generates a solid by contact with the absorbing solution is introduced. In the treatment apparatus, the intake pipe includes a water spray means in the intake pipe above a lower open end thereof, and the water spray means is vertically movable in the intake pipe at different height positions. An exhaust gas treatment device characterized by performing water spray is provided.
【0019】以上の構成の排ガス処理装置においては、
水スプレイを連続的に行ってもよく、この場合には、水
スプレイを連続的に行いながら水スプレイ手段を上下移
動させることになる。In the exhaust gas treatment apparatus having the above configuration,
Water spraying may be performed continuously. In this case, the water spraying means is moved up and down while water spraying is continuously performed.
【0020】しかしながら、本発明によれば、本発明の
第1の側面による間欠的な水スプレイと本発明の第2の
側面による異なる高さ位置における水スプレイとを組合
せてもよい。しかも、このような組み合わせを排ガス処
理装置としての微細気泡発生装置にて実施すれば特に有
利である。典型的には、微細気泡発生装置は、液中に配
設された回転インペラと、この回転インペラを高速回転
させたときに生じる負圧を利用して処理ガスを吸引する
吸気管と、この吸気管の上部に液面上方で接続された処
理ガス導入配管と、上記回転インペラを高速回転させる
べく上記処理ガス導入配管の下方に設けられた駆動手段
と、上記吸気管の内部に付着した固形物を除去するべく
当該吸気管内でその下部開放端よりも上方に設けられた
水スプレイ手段と、を含んでおり、この水スプレイ手段
により異なる高さ位置において間欠的な水スプレイを行
わせるのである。However, according to the present invention, intermittent water spray according to the first aspect of the present invention may be combined with water spray at different heights according to the second aspect of the present invention. Moreover, it is particularly advantageous to implement such a combination in a microbubble generator as an exhaust gas treatment device. Typically, the microbubble generator includes a rotary impeller disposed in a liquid, an intake pipe that suctions a processing gas by using a negative pressure generated when the rotary impeller is rotated at a high speed, and an air intake pipe. A processing gas introduction pipe connected above the liquid level above the pipe, a driving means provided below the processing gas introduction pipe to rotate the rotary impeller at a high speed, and solid matter adhered inside the suction pipe. Water spray means provided above the lower open end in the intake pipe in order to remove the water, and the water spray means makes intermittent water spray at different height positions.
【0021】[0021]
【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態について、図面を参照しつつ説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0022】図1は、本発明の第1の実施形態を示す概
略構成図であり、図2は、本発明の第2の実施形態を示
す概略構成図である。まず、両実施形態に共通する微細
気泡発生装置(排ガス処理装置の代表例)の主要部につ
いて説明する。吸気管1は、吸収液槽2中で底面から所
定の高さに下部開放端3が位置するように、吸収液槽2
に固定される。開放端3の直下には、回転インペラ5が
水又はアルカリ性水溶液からなる吸収液4中に配設さ
れ、開放端3と回転インペラ5との間は、高速回転する
回転インペラ5により一定の負圧が発生するよう、数m
mの間隔に調節される。また、回転インペラ5は公知の
軸封装置7を介して、回転軸6と連結され、吸収液槽2
の底部の下側に設けられたモータと歯車類から構成され
る駆動部8によって、高速回転される。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a second embodiment of the present invention. First, a main part of a fine bubble generation device (a typical example of an exhaust gas treatment device) common to both embodiments will be described. The suction pipe 1 is arranged so that the lower open end 3 is located at a predetermined height from the bottom in the absorption liquid tank 2.
Fixed to Immediately below the open end 3, a rotary impeller 5 is disposed in an absorbing solution 4 made of water or an alkaline aqueous solution, and a constant negative pressure is applied between the open end 3 and the rotary impeller 5 by the rotary impeller 5 rotating at high speed. Several m so that
m. Further, the rotary impeller 5 is connected to the rotary shaft 6 via a known shaft sealing device 7 and
It is rotated at a high speed by a drive unit 8 including a motor and gears provided below the bottom of the motor.
【0023】吸気管1の材質としては、特に限定され
ず、プラスチックス、ステンレス鋼、強化ガラス等が用
いられる。しかし、排ガスの成分中には水に溶解して酸
性を示す成分が多いことから、ポリ塩化ビニル、ポリエ
チレン、ポリプロピレン等のプラスチックスを用いるこ
と好ましく、そのうち目視を可能にできる透明な材質の
ものを選ぶのが特に有利である。また、吸気管1の内面
をテフロンでコーティングをすると生成したSiO2、B2O3
等の固形物が付着し難いという点でさらに好ましい。The material of the intake pipe 1 is not particularly limited, and plastics, stainless steel, tempered glass and the like are used. However, it is preferable to use plastics such as polyvinyl chloride, polyethylene, and polypropylene because many components of the exhaust gas dissolve in water and show acidity. It is particularly advantageous to choose. Also, SiO 2 and B 2 O 3 formed when the inner surface of the intake pipe 1 is coated with Teflon
Is more preferable in that solid substances such as
【0024】同様に、吸収液槽2の材質としても、プラ
スチックス、ステンレス鋼、強化ガラス等が用いられ
る。これらのうち、外部からの目視が可能なように、透
明な材質のものを選ぶのが特に有利である。Similarly, plastics, stainless steel, tempered glass and the like are used as the material of the absorbing liquid tank 2. Of these, it is particularly advantageous to select a transparent material so that it can be viewed from the outside.
【0025】また、回転インペラ5は、通常1000〜
3000rpmの高速で回転される。上記回転インペラ
の形状としては、例えば、上端有蓋又は上下両端有蓋中
空のロータの上面に放射状のインペラと、その外周側面
に中心線に平行な縦縞状の畝を植設したもの、あるいは
中空のロータの内部に平面視で放射状にインペラを設け
たもの等が挙げられ、特に限定されるものではない。The rotary impeller 5 is usually
It is rotated at a high speed of 3000 rpm. Examples of the shape of the rotating impeller include, for example, a radial impeller on the upper surface of a hollow rotor with a top end or a hollow with upper and lower ends, and a vertical stripe-shaped ridge parallel to the center line implanted on the outer peripheral surface, or a hollow rotor. Are provided with an impeller radially in plan view, and are not particularly limited.
【0026】図示しない半導体製造装置からの排ガスA
は、排ガス導入配管9から、吸気管1と排ガス導入配管
9の接続部(排ガス導入部)10を経て、回転インペラ
5の高速回転によって生じる負圧によって吸気管1内に
吸引され、開放端3から吸収液4中に微細気泡として分
散される。排ガス導入配管9には、排ガスの吸気圧力を
測定するためのマノメータ11が設けられている。Exhaust gas A from a semiconductor manufacturing apparatus (not shown)
Is sucked from the exhaust gas introduction pipe 9 through the connection part (exhaust gas introduction part) 10 between the intake pipe 1 and the exhaust gas introduction pipe 9 by the negative pressure generated by the high-speed rotation of the rotary impeller 5, and is sucked into the intake pipe 1. Is dispersed as fine bubbles in the absorbing solution 4. The exhaust gas introduction pipe 9 is provided with a manometer 11 for measuring the intake pressure of the exhaust gas.
【0027】吸収液槽2には、常に一定量の新しい吸収
液Bが吸収液供給口から補充され、排ガスAを吸収した
吸収液4は、オーバーフローして気液分離槽12に導か
れる。気液分離槽12で吸収液4と分離した処理後の排
ガスCは、排ガス出口から排出され、また、気液分離し
た後の吸収液は廃液Dとして、図示しない廃液処理装置
に送られる。The absorption liquid tank 2 is always replenished with a constant amount of new absorption liquid B from the absorption liquid supply port, and the absorption liquid 4 having absorbed the exhaust gas A overflows and is led to the gas-liquid separation tank 12. The treated exhaust gas C separated from the absorbent 4 in the gas-liquid separation tank 12 is discharged from the exhaust gas outlet, and the absorbent after gas-liquid separation is sent as a waste liquid D to a waste liquid treatment device (not shown).
【0028】また、吸気管1内には、常に一定量の窒素
ガスEが、窒素導入配管13から排ガスAとともに吸気
管1に導入される構成となっている。この窒素ガスE
は、半導体製造装置側、あるいは微細気泡発生装置側の
トラブルにより発生する不測の事態に備えて、吸収液4
が半導体製造装置側に逆流しないように、常に吸収液4
を吸気管1内において押し下げる役目を果たしている。
さらに窒素ガスEは、例えば、定期的な点検、整備等を
行った後、吸気管1の乾燥用としても利用される。In the intake pipe 1, a constant amount of nitrogen gas E is always introduced into the intake pipe 1 together with the exhaust gas A from the nitrogen introduction pipe 13. This nitrogen gas E
Is prepared in case of an unexpected situation caused by a trouble on the semiconductor manufacturing apparatus side or the microbubble generator side.
So that the liquid does not flow back to the semiconductor manufacturing equipment side.
In the intake pipe 1.
Further, the nitrogen gas E is also used for drying the intake pipe 1 after performing, for example, periodic inspection and maintenance.
【0029】本発明の第1の実施形態においては、図1
に示すように、吸気管1の内部に設けられた水供給配管
14の下方端に水スプレイ手段15が設けられている。
水供給配管14の他端は、水供給源Xからの水を供給す
るための給水ポンプ16に接続されている。例えば、透
明塩化ビニル製の吸気管1の外部から目視により、開放
端3の近傍で固形物の付着が顕著となった時点で、給水
ポンプ16から所定時間(例えば、5分間)だけ水スプ
レイ手段15に水を供給し、固形物を除去する。もちろ
ん、水スプレイする間も、排ガスAは吸気管1から吸引
され、その処理が行われている。In the first embodiment of the present invention, FIG.
As shown in FIG. 1, a water spray means 15 is provided at a lower end of a water supply pipe 14 provided inside the intake pipe 1.
The other end of the water supply pipe 14 is connected to a water supply pump 16 for supplying water from the water supply source X. For example, when the adhesion of solid matter becomes noticeable in the vicinity of the open end 3 by visual observation from the outside of the intake pipe 1 made of transparent vinyl chloride, the water spray means is supplied from the water supply pump 16 for a predetermined time (eg, 5 minutes). Feed water to 15 to remove solids. Of course, even during the water spray, the exhaust gas A is sucked from the intake pipe 1 and the processing is performed.
【0030】給水ポンプ16の間欠運転は、以上のよう
に目視を基本とする手作業によって行ってもよいし、以
下のように自動的に行ってもよい。すなわち、自動的に
行う場合は、マノメータ11の読みが所定の圧力となっ
た時点でタイマを組み込んだ制御手段17により、給水
ポンプ16をタイマに設定された所定時間だけ稼動さ
せ、水スプレイ手段15に水を供給するように構成す
る。そして、再びマノメータ11の読みが所定の圧力に
なると、同じ操作を自動的に繰り返す。また、水供給配
管14には、水−窒素ガス切替弁を操作することにより
窒素ガスFを導入できる構成とする。この窒素ガスF
は、水が供給されない間、水供給配管14に流され、水
スプレイ手段15のノズルが固形物により閉塞されるこ
とを防止する。The intermittent operation of the water supply pump 16 may be performed manually as described above or automatically as described below. In other words, in the case of automatic operation, when the reading of the manometer 11 reaches a predetermined pressure, the control means 17 incorporating a timer activates the water supply pump 16 for a predetermined time set in the timer, and the water spraying means 15 It is configured to supply water to. When the reading of the manometer 11 reaches a predetermined pressure again, the same operation is automatically repeated. Further, the water supply pipe 14 is configured so that the nitrogen gas F can be introduced by operating the water-nitrogen gas switching valve. This nitrogen gas F
Is supplied to the water supply pipe 14 while water is not supplied to prevent the nozzle of the water spraying means 15 from being blocked by solid matter.
【0031】一方、本発明の第2の実施形態において
は、図2に示すように、吸気管1の内部に設けられた水
供給配管14の下方端には、水スプレイ手段15が設け
られているとともに、その他端は、公知の上部軸封装置
18を介して外部に突き出ている。この突き出し部分を
上下に移動することにより、排ガスAの吸引及びその処
理を行いながら、吸気管1内で水スプレイ手段15を当
該吸気管1の下部開放端近傍と排ガス導入部10の下方
近傍との間を上下させて水を噴射し、固形物を除去す
る。水供給配管14の上下移動は連続的に行ってもよい
し、カム機構等を採用し、一定間隔ごとに移動するよう
にしてもよい。On the other hand, in the second embodiment of the present invention, as shown in FIG. 2, a water spray means 15 is provided at a lower end of a water supply pipe 14 provided inside the intake pipe 1. The other end protrudes outside through a known upper shaft sealing device 18. By moving the protruding portion up and down, the water spray means 15 is moved in the intake pipe 1 between the vicinity of the lower open end of the intake pipe 1 and the vicinity of the lower part of the exhaust gas introduction section 10 while performing suction and treatment of the exhaust gas A. Spray water up and down to remove solids. The water supply pipe 14 may be moved up and down continuously, or may be moved at regular intervals by employing a cam mechanism or the like.
【0032】図2の構成例では、水供給配管14の他端
は、フレキシブルな給水配管19を介して給水ポンプ1
6に接続されており、水スプレイ手段15が上下自在に
移動しても、水供給配管14の他端近傍に無理な力が加
わることのないようにしている。もちろん、水供給配管
14全体をフレキシブルな構成とすることもできる。ま
た、上記第1の実施形態と同様に、水供給配管14には
水−窒素ガス切替弁を操作することにより窒素ガスFが
導入される構成とすることが好ましい。In the configuration example shown in FIG. 2, the other end of the water supply pipe 14 is connected to the water supply pump 1 through a flexible water supply pipe 19.
6, so that no excessive force is applied to the vicinity of the other end of the water supply pipe 14 even when the water spray means 15 moves up and down freely. Of course, the entire water supply pipe 14 can be made flexible. Further, similarly to the first embodiment, it is preferable that the water supply pipe 14 be configured to introduce the nitrogen gas F by operating a water-nitrogen gas switching valve.
【0033】水供給配管14としては、通常、ステンレ
ス鋼、ニッケル合金鋼等、耐腐食性に優れた金属製の配
管を用いる。水供給配管14全体をフレキシブルな構成
とする場合は、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン、等のプラスチック製の配管を用いることが好
ましい。As the water supply pipe 14, a pipe made of a metal having excellent corrosion resistance, such as stainless steel or nickel alloy steel, is usually used. When the entire water supply pipe 14 has a flexible configuration, it is preferable to use plastic pipes such as polyvinyl chloride, polyethylene, and polypropylene.
【0034】図3は、本発明の第3の実施形態を示して
いる。この実施形態においては、第1の実施形態におけ
る間欠的水スプレイのための構成と第2の実施形態にお
ける上下移動しながらの水スプレイのための構成とが組
み合わされている。すなわち、まず水スプレイ手段15
を下部開放端3の近傍まで下げた状態(最下位位置)
で、マノメータ11の読みが所定値に到達すると、制御
手段17によりタイマにて設定された所定時間だけ給水
ポンプ16からの給水を行い、固形物を除去する。そし
て、水スプレイの中断中に水スプレイ手段15を所定距
離(例えば、10cm)だけ上昇させ、その位置(第2
段位置)にて再び水スプレイを行うのである。このよう
な間欠的且つ高さ変位を伴う水スプレイを、水スプレイ
手段15が接続部10の下方近傍の最上位位置まで達す
るまで各段位ごとに行い、最上位位置に到達後は再び最
下位位置に水スプレイ手段15を戻して同じ操作をサイ
クル的に繰り返すのである。但し、各段位ごとに複数回
の間欠的水スプレイを行ってから段位間の移動を行って
もよい。FIG. 3 shows a third embodiment of the present invention. In this embodiment, the configuration for intermittent water spray in the first embodiment and the configuration for water spray while moving up and down in the second embodiment are combined. That is, first, the water spray means 15
Is lowered to the vicinity of the lower open end 3 (lowest position)
When the reading of the manometer 11 reaches a predetermined value, water is supplied from the water supply pump 16 for a predetermined time set by a timer by the control means 17 to remove solids. Then, during the suspension of the water spray, the water spray means 15 is raised by a predetermined distance (for example, 10 cm), and the position (second
The water spray is performed again at the step position). Such intermittent and water displacement with height displacement is performed for each step until the water spray means 15 reaches the uppermost position near the lower part of the connection portion 10, and after reaching the uppermost position, the lowermost position is returned again. Then, the same operation is repeated cyclically by returning the water spraying means 15 to the water spraying means. However, it is also possible to perform intermittent water spraying a plurality of times for each stage before moving between stages.
【0035】次に、本発明の実施例について説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されるものではな
い。Next, embodiments of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these embodiments.
【0036】[0036]
【実施例1】図1に示す実施形態に準拠して構成された
本発明の微細気泡発生装置(排ガス処理装置)を用い
て、混合ガスの処理を行った。混合ガスは、半導体製造
装置から排出される排ガスの組成を想定し、濃度既知の
各種ガスを混合して、実験室的に製造されたものを使用
した。Example 1 A mixed gas was processed using a microbubble generator (exhaust gas processing apparatus) of the present invention configured based on the embodiment shown in FIG. As the mixed gas, the composition of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus was assumed, and various gases having known concentrations were mixed and used in a laboratory.
【0037】吸気管1は、内径53mmの透明塩化ビニ
ル製であり、内径400mmの吸収液槽2に固定されて
いる。吸気管1の開放端3は、吸収液槽2の底部から2
25mmの高さに位置し、吸収液4としての水の液面
は、785mmである。水面からの深さ、560mmに
位置する開放端3と回転インペラ5のすきまは、4.5
mmにセットされている。開放端3と排ガス導入部10
の間の長さ865mmであり、水スプレイ手段15は下
部開放端3の近傍に位置している。テフロン(登録商
標)製のインペラを有する回転インペラ5(直径120
mm)は、軸封装置7を介して回転軸6により駆動部8
に接続されている。The intake pipe 1 is made of transparent vinyl chloride having an inner diameter of 53 mm, and is fixed to an absorbing liquid tank 2 having an inner diameter of 400 mm. The open end 3 of the suction pipe 1 is
The liquid level of the water as the absorbing liquid 4 is located at a height of 25 mm and is 785 mm. The clearance between the open end 3 located at a depth of 560 mm from the water surface and the rotary impeller 5 is 4.5.
mm. Open end 3 and exhaust gas introduction part 10
The water spray means 15 is located near the lower open end 3. Rotating impeller 5 having a Teflon (registered trademark) impeller (diameter 120
mm) is the driving unit 8 by the rotating shaft 6 via the shaft sealing device 7.
It is connected to the.
【0038】回転インペラ5は約1500rpmで回転
され、この高速回転により生じる負圧によって、混合ガ
スは排ガス導入配管9から排ガス導入部10を経由して
吸気管1に吸引される。吸引された混合ガスは、吸気管
1の水中の開放端3(吸引ガス出口)から、激しい渦流
状とされた水と接触し、水中に分散される。The rotary impeller 5 is rotated at about 1500 rpm, and the mixed gas is sucked from the exhaust gas introduction pipe 9 via the exhaust gas introduction section 10 into the intake pipe 1 by the negative pressure generated by this high-speed rotation. The sucked mixed gas comes into contact with the violently swirled water from the open end 3 (suction gas outlet) of the intake pipe 1 in water and is dispersed in the water.
【0039】(間欠的な水スプレイによる固形物の除
去)半導体製造装置から排出される排ガスの組成と同様
な組成を持つ混合ガスを、BCl32.5(SLM)、Cl2
0.68(SLM)、HCl0.20(SLM)、SiF
40.30(SLM)及びN2100(SLM)を混合し
て調製した。なお、SLMはStandard Liter per Minut
eの略で、室温、1気圧におけるガス流量(L/分)を
表す。(Removal of Solids by Intermittent Water Spray) A mixed gas having a composition similar to that of the exhaust gas discharged from the semiconductor manufacturing apparatus was mixed with BCl 3 2.5 (SLM), Cl 2
0.68 (SLM), HCl 0.20 (SLM), SiF
4 0.30 (SLM) and N 2 100 (SLM) were prepared by mixing. SLM stands for Standard Liter per Minut
Abbreviation of e indicates a gas flow rate (L / min) at room temperature and 1 atm.
【0040】ついで、上記した条件で運転されている微
細気泡発生装置に、排ガス導入配管9から上記混合ガス
を導入し、この混合ガスの処理を行った。なお、このと
き、吸収液としての水は3.4L/分の割合で吸収液槽
2に補給されている。混合ガスの処理を、約3時間連続
して行ったところ、下部開放端3上方の80〜150m
m付近で固形物の付着が顕著となり、マノメータ11の
指示圧力が上昇し始めた。Next, the mixed gas was introduced from the exhaust gas introduction pipe 9 into the fine bubble generator operated under the above conditions, and the mixed gas was treated. At this time, water as the absorbing liquid is supplied to the absorbing liquid tank 2 at a rate of 3.4 L / min. When the treatment of the mixed gas was continuously performed for about 3 hours, 80 to 150 m above the lower open end 3.
At around m, the adhesion of solid matter became remarkable, and the indicated pressure of the manometer 11 began to increase.
【0041】そこで、水供給配管14に水を2.6L/
分の流量で1分間供給し、下部開放端3の上方200m
mに位置している水スプレイ手段15から、水を1分間
スプレイした。以後、同様にして固形物を付着させ、水
供給時間を5分、10分、30分と変化させ、固形物除
去の状態を目視により判定した。Therefore, 2.6 L / water is supplied to the water supply pipe 14.
1 minute at a flow rate of 200 m above the lower open end 3
The water was sprayed for 1 minute from the water spraying means 15 located at m. Thereafter, solids were adhered in the same manner, and the water supply time was changed to 5 minutes, 10 minutes, and 30 minutes, and the state of solids removal was visually determined.
【0042】その結果、水スプレイが1分の場合は、当
初付着固形物の除去率は約50%であったが、水スプレ
イ時間を5分とした場合は、当初付着固形物はほぼ10
0%除去されていると判定された。水スプレイを10分
とした場合には、当初付着固形物は実質的に除去できた
ものの、水スプレイ手段15のノズル上方近傍に新たに
固形物が生成した。水スプレイ時間を30分とした場合
は、新たな固形物の生成が一層顕著となった。以上の結
果から、一回の水スプレイ時間は5分で十分であると判
断された。As a result, when the water spray was 1 minute, the removal rate of the attached solids was about 50% at first, but when the water spray time was 5 minutes, the initially attached solids were almost 10%.
It was determined that 0% had been removed. When the water spray was performed for 10 minutes, the solids attached to the water could be substantially removed at first, but new solids were generated in the vicinity of the nozzle of the water spray means 15 above the nozzle. When the water spray time was set to 30 minutes, generation of new solids became more remarkable. From the above results, it was determined that a single water spray time of 5 minutes was sufficient.
【0043】[0043]
【実施例2】図3に示す実施形態に準拠して構成された
微細気泡発生装置(排ガス処理装置)を用いて、混合ガ
スの処理を実施例1と同様に行った。Example 2 A mixed gas was treated in the same manner as in Example 1 using a fine bubble generator (exhaust gas treatment device) configured according to the embodiment shown in FIG.
【0044】(上下移動を行いながらの間欠的水スプレ
イによる固形物の除去)吸気管1における下部開放端3
の上方200mmに位置する水スプレイ手段15から、
混合ガスの吸引が2時間経過するごとに、水スプレイを
5分行う操作を3回繰り返した(1段目)。次に、水ス
プレイ手段15を100mm上方に移動して、再び1段
目と同様の間欠的スプレイを3回繰り返した(2段
目)。このような操作を6段目まで行い、6段目のスプ
レイは1回だけとし、その後、再び1段目に戻った。こ
のように、水スプレイ手段15から間欠的に水をスプレ
イするとともに、水スプレイ手段15を上下に繰り返し
て移動する操作を混合ガスの供給を停止することなく9
6時間行ったが、運転に支障をきたすような固形物の付
着・成長は認められなかった。(Removal of solids by intermittent water spray while moving up and down) Lower open end 3 of intake pipe 1
From the water spray means 15 located 200 mm above
The operation of spraying water for 5 minutes was repeated three times every two hours after the suction of the mixed gas (first stage). Next, the water spraying means 15 was moved upward by 100 mm, and the same intermittent spraying as the first stage was repeated three times (second stage). Such an operation was performed up to the sixth step, and the spraying of the sixth step was performed only once, and thereafter, the procedure returned to the first step again. In this manner, the operation of intermittently spraying water from the water spraying means 15 and repeatedly moving the water spraying means 15 up and down can be performed without stopping the supply of the mixed gas.
After 6 hours, no adhesion or growth of solid matter that would hinder operation was observed.
【0045】[0045]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、排
ガス処理装置の運転を行いながら、吸気管1の内部に設
けられた水スプレイ手段15から水を間欠的にスプレイ
するだけで、吸気管1の開放端3近傍に付着した固形物
を簡単に除去でき、しかも水スプレイの飛沫による新た
な固形物の形成も顕著に抑制することができる。さら
に、水スプレイ手段15を上下移動することによって、
水スプレイの飛沫によって新たに生成した固形物を効率
的に除去することができる。したがって、排ガス処理を
長期間連続的に行うことが可能となり、半導体製造装置
の安定した操業に寄与するところが大きい。As described above, according to the present invention, it is only necessary to spray water intermittently from the water spray means 15 provided inside the intake pipe 1 while operating the exhaust gas treatment apparatus. Solid matter adhering to the vicinity of the open end 3 of the intake pipe 1 can be easily removed, and the formation of new solid matter due to water spray droplets can be significantly suppressed. Further, by moving the water spray means 15 up and down,
The solid matter newly generated by the spray of the water spray can be efficiently removed. Therefore, it is possible to continuously perform the exhaust gas treatment for a long period of time, which greatly contributes to the stable operation of the semiconductor manufacturing apparatus.
【図1】本発明の第1の実施形態に係る排ガス処理装置
を示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an exhaust gas treatment device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第2の実施形態に係る排ガス処理装置
を示す概略構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust gas treatment device according to a second embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第3の実施形態に係る排ガス処理装置
を示す概略構成図である。FIG. 3 is a schematic configuration diagram illustrating an exhaust gas treatment device according to a third embodiment of the present invention.
1 吸気管 2 吸収液槽 3 下部開放端 4 吸収液 5 回転インペラ 8 駆動部 9 排ガス導入配管 11 マノメータ 12 気液分離槽 14 水供給配管 15 水スプレイ手段 16 給水ポンプ 17 制御手段 A 排ガス B 補充用新吸収液 C 処理済み排ガス D 廃液 E、F 窒素ガス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Intake pipe 2 Absorption liquid tank 3 Lower open end 4 Absorption liquid 5 Rotating impeller 8 Drive unit 9 Exhaust gas introduction pipe 11 Manometer 12 Gas-liquid separation tank 14 Water supply pipe 15 Water spray means 16 Water supply pump 17 Control means A Exhaust gas B Refill New absorption liquid C Treated exhaust gas D Waste liquid E, F Nitrogen gas
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) B01F 15/00 B01D 53/34 120A 5F045 H01L 21/205 ZAB 21/3065 H01L 21/302 B Fターム(参考) 4D002 AA18 AA19 AA22 AA24 AA26 BA02 CA01 CA06 DA35 EA13 GA03 GB04 GB20 HA01 4D020 AA10 BA23 BB03 BC06 CB02 CB04 CB27 CC20 CC21 DA01 DB04 DB15 DB20 4G035 AB18 AE08 AE13 4G037 DA14 DA16 EA03 5F004 AA16 BC08 CA09 DA00 DA04 DA11 DA25 DA29 5F045 BB10 BB20 EC07 EG07 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (reference) B01F 15/00 B01D 53/34 120A 5F045 H01L 21/205 ZAB 21/3065 H01L 21/302 B F term (reference) 4D002 AA18 AA19 AA22 AA24 AA26 BA02 CA01 CA06 DA35 EA13 GA03 GB04 GB20 HA01 4D020 AA10 BA23 BB03 BC06 CB02 CB04 CB27 CC20 CC21 DA01 DB04 DB15 DB20 4G035 AB18 AE08 AE13 4G037 DA14 DA16 EA03 5F004 AA00 BC08 DA07 DA07
Claims (5)
液との接触により固形物を生成する成分を含む排ガスが
導入される吸気管を備える排ガス処理装置であって、上
記吸気管は、当該吸気管内でその下部開放端よりも上方
において水スプレイ手段を備えており、この水スプレイ
手段に水を間欠的に供給するための間欠的水供給手段を
さらに設けたことを特徴とする、排ガス処理装置。1. An exhaust gas treatment apparatus including an intake pipe into which an exhaust gas containing a component that produces a solid by contact with the absorbent is introduced, the lower part of the exhaust pipe being immersed in the absorbent. Exhaust gas, comprising water spray means above the lower open end in the intake pipe, and further comprising intermittent water supply means for intermittently supplying water to the water spray means. Processing equipment.
供給される排ガスの圧力変動を検知する圧力検知手段
と、この圧力検知手段が所定値の圧力を検知したことを
示す信号に応答して作動し上記水スプレイ手段に水が供
給される時間を決定するタイマと、を含んでいる、請求
項1に記載の排ガス処理装置。2. An intermittent water supply means, comprising: a pressure detection means for detecting a pressure change of exhaust gas supplied to the intake pipe; and a response to a signal indicating that the pressure detection means has detected a predetermined pressure. The exhaust gas treatment device according to claim 1, further comprising: a timer which operates as a timer to determine a time during which water is supplied to the water spray means.
下移動自在で異なる高さ位置にて間欠的な水スプレイを
行うようになっている、請求項1又は2に記載の排ガス
処理装置。3. The exhaust gas treatment apparatus according to claim 1, wherein the water spray means is vertically movable in the intake pipe and performs intermittent water spray at different height positions.
液との接触により固形物を生成する成分を含む排ガスが
導入される吸気管を備える排ガス処理装置であって、上
記吸気管は、当該吸気管内でその下部開放端よりも上方
において水スプレイ手段を備えており、この水スプレイ
手段が上記吸気管内で上下移動自在で異なる高さ位置に
て水スプレイを行うようになっていることを特徴とす
る、排ガス処理装置。4. An exhaust gas treatment apparatus including an intake pipe into which an exhaust gas containing a component that generates a solid by contact with the absorbent is introduced, the lower part being immersed in the absorbent. Water intake means is provided above the lower open end in the intake pipe, and the water spray means is capable of moving vertically in the intake pipe and performing water spray at different height positions. An exhaust gas treatment device characterized by the following.
回転インペラを高速回転させたときに生じる負圧を利用
して処理ガスを吸引する吸気管と、この吸気管の上部に
液面上方で接続された処理ガス導入配管と、上記回転イ
ンペラを高速回転させるべく上記処理ガス導入配管の下
方に設けられた駆動手段と、上記吸気管の内部に付着し
た固形物を除去するべく当該吸気管内でその下部開放端
よりも上方に設けられた水スプレイ手段と、を備えた排
ガス処理装置であって、上記水スプレイ手段に水を間欠
的に供給するための間欠的水供給手段が設けられてお
り、さらに上記水スプレイ手段が上記吸気管内で上下移
動自在で異なる高さ位置にて間欠的な水スプレイを行う
ようになっていることを特徴とする、排ガス処理装置。5. A rotary impeller disposed in a liquid, an intake pipe for sucking a processing gas by using a negative pressure generated when the rotary impeller is rotated at a high speed, and a liquid level above the intake pipe. A processing gas introduction pipe connected above, a driving means provided below the processing gas introduction pipe for rotating the rotary impeller at a high speed, and a suction pipe for removing solid matter adhered inside the intake pipe. A water spray means provided in the pipe above the lower open end thereof, wherein an intermittent water supply means for intermittently supplying water to the water spray means is provided. An exhaust gas treatment apparatus, wherein the water spray means is vertically movable in the intake pipe and intermittently performs water spray at different height positions.
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