JP2001257219A - Die attach paste and semiconductor device - Google Patents
Die attach paste and semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、接着性、速硬化性
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor bonding paste which is excellent in adhesiveness, rapid curing property and reliability.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近のコンピューターの普及に伴い半導
体パッケージの生産量は年々増加しており、これに伴い
製造コストの削減は重要な課題となっている。半導体パ
ッケージ組立の中にダイアタッチペーストで半導体とリ
ードフレームを接着する工程が有るが、この工程におい
て時間短縮及び低温硬化がキーポイントになっている。
ダイアタッチペーストの硬化方法としては、バッチ式オ
ーブン法、インラインで硬化させる方法に大別される
が、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用いた
通常のダイマウントは、200℃以上の熱盤上で60秒
以上の時間をかけて行われる。しかし、更に低温、短時
間硬化可能なペーストの開発が望まれている。2. Description of the Related Art With the recent spread of computers, the production volume of semiconductor packages has been increasing year by year, and accordingly, reduction of manufacturing costs has become an important issue. In the process of assembling a semiconductor package, there is a process of bonding a semiconductor and a lead frame with a die attach paste. In this process, time reduction and low-temperature curing are key points.
The method of curing the die attach paste is roughly classified into a batch oven method and an in-line curing method. A normal die mount using a quick-curing paste used in the in-line is on a hot plate at 200 ° C. or higher. For more than 60 seconds. However, development of a paste that can be cured at a lower temperature for a shorter time is desired.
【0003】一方、パッケージとしての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、半田接着時に高温下
にさらされた場合でもダイアタッチペースト層の剥離か
ら生じるパッケージのクラックを阻止するために、ダイ
アタッチペーストには特に低応力性、吸湿処理後の接着
性が要求されている。On the other hand, the reliability of the package is particularly important in terms of solder crack resistance. However, even if the package is exposed to a high temperature during solder bonding, it is necessary to prevent the package from cracking due to peeling of the die attach paste layer. In particular, the die attach paste is required to have low stress and adhesiveness after moisture absorption.
【0004】ダイアタッチペーストのベースレジンはエ
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等
が知られているが、例えば60秒以内に硬化が可能であ
り、それぞれの用途に適した特性(接着性、低応力性
等)を満足する材料は全く見いだされていなかった。
又、特性を満足したとしても常温での粘度上昇が激しす
ぎ、使用に適さない材料しかなかった。As the base resin of the die attach paste, epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide resin and the like are known. For example, the resin can be cured within 60 seconds and has properties (adhesion, No material that satisfies low stress properties) has been found at all.
Further, even if the properties are satisfied, the viscosity at room temperature increases too much, and there are only materials that are not suitable for use.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のダイ
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを提供する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a die attach paste which maintains the characteristics of a conventional die attach paste and can be cured in a very short time.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明は、(A)ヒドロ
キシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリ
コール及びジイソシアネートを反応させて得られるウレ
タンジ(メタ)アクリレート、(B)(メタ)アクリル
基を有する反応性希釈剤、(C)硫黄原子を含むシラン
カップリング剤、(D)有機過酸化物及び/又はアゾ化
合物、(E)無機フィラーからなり、該(D)成分の添
加割合が、成分(A)及び成分(B)の総重量に対し
0.1〜5重量%であるダイアタッチペーストである。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to (A) urethane di (meth) acrylate and (B) (meth) acryl groups obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate. A reactive diluent, (C) a silane coupling agent containing a sulfur atom, (D) an organic peroxide and / or an azo compound, and (E) an inorganic filler. The die attach paste is 0.1 to 5% by weight based on the total weight of (A) and component (B).
【0007】更に好ましい形態としては、該(A)ヒド
ロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコール
及びジイソシアネートを反応させて得られるウレタンジ
(メタ)アクリレートと該(B)(メタ)アクリル基を
有する反応性希釈剤との重量比が80/20から20/
80であるダイアタッチペーストである。また、上記の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置で
ある。In a more preferred embodiment, (A) a urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkylacrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate with (B) a reactive diluent having a (meth) acrylic group Weight ratio of 80/20 to 20 /
80 is the die attach paste. Further, it is a semiconductor device manufactured using the above-mentioned die attach paste.
【0008】[0008]
【発明の実施の形態】本発明に用いられるアクリレート
樹脂は、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリ
アルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させ
て得られるウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)
アクリル基を有する反応性希釈剤の重量比が80/20
〜20/80である事が好ましい。ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジ
イソシアネートを反応させて得られるウレタンジ(メ
タ)アクリレートの割合が、80/20より高いとペー
スト粘度が高すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、
20/80より小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The acrylate resin used in the present invention is composed of urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate with (meth) acrylate.
80/20 weight ratio of reactive diluent having acrylic group
It is preferable that it is 20/80. If the ratio of urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate is higher than 80/20, the paste viscosity is too high, and the coating workability is significantly deteriorated. on the other hand,
If it is less than 20/80, the adhesiveness and heat resistance will be poor.
【0009】本発明に用いられるウレタンジ(メタ)ア
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル酸
又はメタクリル酸、ポリアルキレングリコール、ジイソ
シアネートの反応により合成される。ヒドロキシアルキ
ルアクリル酸又はメタクリル酸の例としては、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート等がある。ポリア
ルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコ
ールやポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコ
ール等がある。又、ジイソシアネートの例としてはヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシア
ネート、トルエンジイソシアネート及びその水素添加物
等がある。The urethane di (meth) acrylate used in the present invention is synthesized by a conventional method by reacting hydroxyalkylacrylic acid or methacrylic acid, polyalkylene glycol, and diisocyanate. Examples of hydroxyalkyl acrylic acid or methacrylic acid include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate,
-Hydroxypropyl methacrylate and the like. Examples of the polyalkylene glycol include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutylene glycol and the like. Examples of diisocyanates include hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, toluene diisocyanate and hydrogenated products thereof.
【0010】ウレタンジ(メタ)アクリレートと混合す
る(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤の例として
は、Examples of reactive diluents having (meth) acrylic groups which are mixed with urethane di (meth) acrylate include:
【化1】 等のモノ(メタ)アクリレートや、ジメチロールトリシ
クロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)
アクリレートが挙げられ、これらの内の1種類あるいは
複数種と併用可能である。Embedded image (Meth) acrylates and polyfunctional (meth) acrylates such as dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate
Acrylates can be used, and one or more of these can be used in combination.
【0011】本発明に用いられる成分(C)の硫黄原子
を含むシランカップリング剤は樹脂に配合することによ
り、金属との接着性を格段に向上させることが出来る。
添加量は成分(A)及び成分(B)の総重量に対して、
0.001≦(C)/((A)+(B))≦0.1であ
ることが好ましい。0.001を下回ると接着性向上の
効果が乏しく、0.1より多いと硬化速度を低下させる
ので好ましくない。例としては、ビス(3−トリエトキ
シシリルプロピル)テトラスルファン、γ−メルカプト
プロピルトリメトキシシラン等がある。When the silane coupling agent containing a sulfur atom of the component (C) used in the present invention is mixed with a resin, the adhesiveness to a metal can be remarkably improved.
The amount added is based on the total weight of component (A) and component (B).
It is preferable that 0.001 ≦ (C) / ((A) + (B)) ≦ 0.1. If it is less than 0.001, the effect of improving the adhesiveness is poor, and if it is more than 0.1, the curing speed is undesirably reduced. Examples include bis (3-triethoxysilylpropyl) tetrasulfane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, and the like.
【0012】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。Next, examples of the polymerization initiator include organic peroxides and azo compounds. The decomposition temperature of the organic peroxide in a rapid heating test (decomposition start temperature when 1 g of a sample is placed on an electric heating plate and heated at a rate of 4 ° C./min) is preferably from 40 ° C. to 140 ° C. When the decomposition temperature is lower than 40 ° C., the storage stability at room temperature becomes poor,
When the temperature exceeds ℃, the curing time becomes extremely long.
【0013】本発明で用いられる有機過酸化物の例とし
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。Examples of the organic peroxide used in the present invention include cumylperoxyneodecanate, t-butylperoxyneodecanate, 1-cyclohexyl-1-
Methyl ethyl peroxy neodecaneate, 1,1,3
3-tetramethyl peroxyneodecane, 1,1,
3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanate, bis (4-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, 1,1-bis (t-butylperoxy)- 3,3,5-trimethylcyclohexane, t-
Butyl peroxybenzoate, t-butyl peroxy 3,5,5-trimethyl hexanate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanate and the like.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobisisobutylnitrile and 1,1′-azobis (1-acetoxy-1
-Phenylethane).
【0014】これら有機過酸化物、アゾ化合物は単独あ
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。These organic peroxides and azo compounds can be used alone or in combination of two or more to control curability. Further, various polymerization inhibitors can be added in advance in order to improve the storage stability of the resin.
【0015】これら有機過酸化物、アゾ化合物の添加量
は、成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に
対して、0.1重量%から5重量%であることが好まし
い。5重量%より多いとペーストの粘度経時変化が大き
く作業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬
化性が著しく低下するので好ましくない。The amount of these organic peroxides and azo compounds to be added is from 0.1% by weight to 5% by weight based on the total weight of the components (A), (B) and (C). preferable. If the content is more than 5% by weight, the viscosity of the paste changes with time, causing a problem in workability. If the amount is less than 0.1% by weight, the curability is remarkably reduced, which is not preferable.
【0016】本発明に用いる無機フィラーとしては、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。Examples of the inorganic filler used in the present invention include conductive fillers such as silver powder, gold powder, nickel powder, and copper powder, and insulating fillers such as aluminum nitride, calcium carbonate, silica, and alumina.
【0017】導電性を付与するフィラーとしては銀粉が
好ましく、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイ
オン性不純物の含有量は10ppm以下であることが好
ましい。また、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝
状、球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好まし
い。また、比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用
いることもでき、形状についても各種のものを便宜混合
してもよい。Silver is preferred as the filler for imparting conductivity, and the content of ionic impurities such as halogen ions and alkali metal ions is preferably 10 ppm or less. In addition, as the shape of the silver powder, a flake shape, a tree shape, a spherical shape, or the like is used. The particle size of the silver powder to be used varies depending on the required viscosity of the paste, but usually the average particle size is preferably 2 to 10 μm and the maximum particle size is preferably about 50 μm. In addition, a mixture of relatively coarse silver powder and fine silver powder can be used, and various shapes may be conveniently mixed.
【0018】次に、絶縁フィラーの一つであるシリカフ
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。Next, the silica filler as one of the insulating fillers preferably has an average particle size of 1 to 20 μm and a maximum particle size of 50 μm or less. If the average particle size is less than 1 μm, the viscosity increases, and if the average particle size exceeds 20 μm, bleeding occurs because the resin component flows out during coating or curing, which is not preferable.
On the other hand, if the maximum particle size exceeds 50 μm, it is not preferable because needle clogging occurs when applying the paste with a dispenser. Furthermore, a relatively coarse silica filler and a fine silica filler may be mixed and used, and various shapes may be conveniently mixed.
【0019】本発明におけるダイアタッチペーストは、
必要によりカップリング剤、消泡剤、界面活性剤、エラ
ストマー等の添加剤を用いることができる。The die attach paste in the present invention comprises:
If necessary, additives such as a coupling agent, an antifoaming agent, a surfactant, and an elastomer can be used.
【0020】本発明のダイアタッチペーストの製造方法
としては、例えば、予備混合し、三本ロール等を用いて
ペーストを得た後、真空下脱泡して製作する。本発明の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置
は、信頼性、生産性の高い半導体装置である。半導体装
置の製造方法は従来の公知の方法を使用することが出来
る。As a method for producing the die attach paste of the present invention, for example, the paste is prepared by premixing, using a three roll or the like to obtain a paste, and then defoaming under vacuum. A semiconductor device manufactured using the die attach paste of the present invention is a semiconductor device having high reliability and high productivity. As a method for manufacturing a semiconductor device, a conventionally known method can be used.
【0021】[0021]
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 <実施例1〜8>ヒドロキシアルキルアクリル酸、ポリ
アルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させ
て得られるウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・
製、M−1600)、下記の構造式で示されるモノアク
リレート又はジアクリレート、硫黄原子を含むシランカ
ップリング剤(日本ユニカー(株)・製、A−128
9)、重合開始剤として下記の有機過酸化物及びアゾ化
合物、更に無機フィラーとして平均粒径3μm、最大粒
径20μmのフレーク状銀粉、又は平均粒径5μm、最
大粒径20μmのシリカフィラーを表1のように配合
し、3本ロールを用いて混錬し、脱泡後ダイアッッチペ
ーストを得た。得られたペーストを以下の方法により評
価した。The present invention will be specifically described below with reference to examples. <Examples 1 to 8> Urethane diacrylate obtained by reacting hydroxyalkylacrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate (Toagosei Co., Ltd.)
M-1600), a monoacrylate or diacrylate represented by the following structural formula, a silane coupling agent containing a sulfur atom (manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd., A-128
9), the following organic peroxides and azo compounds as polymerization initiators, and flake silver powder having an average particle diameter of 3 μm and a maximum particle diameter of 20 μm, or a silica filler having an average particle diameter of 5 μm and a maximum particle diameter of 20 μm as an inorganic filler. The mixture was blended as in Example 1, kneaded using three rolls, and defoamed to obtain a diach paste. The obtained paste was evaluated by the following method.
【0022】<評価方法> ・粘度:25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5rp
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ダイアタッチペーストを用いて、6×6m
mのシリコンチップを銅フレームにマウントし、所定の
硬化条件で硬化した。硬化後及び硬化後85℃/85%
RH/72時間処理後、自動せん断強度測定装置(DA
GE社製、PC2400)を用いて250℃での熱時ダ
イシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをダイアタッチペーストを用いてマウントし、
所定の硬化条件で硬化後、外観を目視でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。<Evaluation method> Viscosity: 2.5 rpm using an E-type viscometer at 25 ° C.
The viscosity in m was measured. -Storage property: The viscosity after standing for 72 hours in a thermostat at 25 ° C was measured. If the increase in viscosity was 10% or less of the initial viscosity, it was good, and if it exceeded 10%, it was bad.・ Adhesive strength: 6 × 6m using die attach paste
m silicon chips were mounted on a copper frame and cured under predetermined curing conditions. 85 ° C / 85% after and after curing
After treatment for RH / 72 hours, an automatic shear strength measuring device (DA
The hot die shear strength at 250 ° C. was measured using PC2400 manufactured by GE Corporation.・ Void: A glass chip of 10 mm × 10 mm is mounted on a lead frame using a die attach paste,
After curing under predetermined curing conditions, the appearance was visually checked for voids. Good if the void is 15% or less of the adhered area, 1
Those exceeding 5% were regarded as defective.
【0023】・ワイヤーボンディング処理時の剥離:リ
ードフレームに6mm×15mmのチップをダイアタッ
チペーストを用いてマウントし、所定の硬化条件で硬化
後、250℃にてワイヤーボンディング処理を行ない、
ペレットの接着状態を観察した。剥離が無ければ良好、
剥離が観察されれば不良とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00μmの銅フレームに6mm×15mm×0.3mm
のシリコンチップをダイアタッチペーストを用いてペー
スト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗さ計を用
いて、長手方向のチップの変位を測定しその高低差によ
り反り量を測定した。Peeling at the time of wire bonding: A chip of 6 mm × 15 mm is mounted on a lead frame using a die attach paste, cured under predetermined curing conditions, and then subjected to wire bonding at 250 ° C.
The adhesion state of the pellet was observed. Good if there is no peeling,
If peeling was observed, it was determined to be defective. -Warpage: Warpage was measured as an evaluation of low stress. Thickness 2
6mm x 15mm x 0.3mm in a 00μm copper frame
Was bonded using a die attach paste so that the paste thickness became 20 μm, the displacement of the chip in the longitudinal direction was measured using a surface roughness meter, and the amount of warpage was measured based on the difference in height.
【0024】・耐パッケージクラック性:スミコンEM
E−7320(住友ベークライト(株)製)の封止材料
を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃/6
0%RH/168時間吸水処理した後、IRリフロー
(240℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラ
ックの数を測定し、耐パッケージクラック性の指標とし
た。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12Package crack resistance: Sumicon EM
Using a sealing material of E-7320 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), a package molded under the following conditions at 85 ° C./6
After water absorption treatment at 0% RH / 168 hours, the sample was subjected to IR reflow (240 ° C., 10 seconds), the number of internal cracks was measured by cross-sectional observation, and this was used as an index of package crack resistance. Package: 80pQFP (14 × 20 × 2mm thickness) Chip size: 7.5 × 7.5mm (aluminum wiring only) Lead frame: Cu Molding: 175 ° C, 2 minutes Post-mold cure: 175 ° C, 4 hours Total number of packages : 12
【0025】<比較例1〜5>表2に示した組成の各成
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。<Comparative Examples 1 to 5> Each component having the composition shown in Table 2 was blended, a paste was obtained in the same manner as in Example 1, and the same evaluation was performed.
【0026】評価結果を表1及び表2に示す。The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.
【表1】 [Table 1]
【0027】[0027]
【表2】 [Table 2]
【0028】[0028]
【化2】 Embedded image
【0029】有機過酸化物:日本油脂(株)・製、キュミ
ルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における分
解温度:65℃)アゾ化合物:和光純薬工業(株)・製、
2,2’−アゾイソブチルニトリルOrganic peroxide: Cumyl peroxyneodecanate (decomposition temperature in a rapid heating test: 65 ° C.) manufactured by NOF Corporation Azo compound: manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.
2,2'-azoisobutylnitrile
【0030】[0030]
【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、柔軟
な構造のウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤との組み合わせにより低
応力性に優れ、更に硫黄原子を含むシランカップリング
剤を加えることにより金属への接着性が向上し、その結
果優れた耐半田クラック性が発現された速硬化性ペース
トである。The die attach paste of the present invention is excellent in low stress property by combining urethane di (meth) acrylate having a flexible structure and a reactive diluent having a (meth) acrylic group, and further comprises a silane containing a sulfur atom. By adding a coupling agent, the adhesion to metal is improved, and as a result, the paste is a fast-curing paste having excellent solder crack resistance.
Claims (4)
リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
(C)硫黄原子を含むシランカップリング剤、(D)有
機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(E)無機フィラー
からなり、該(D)成分の添加割合が、成分(A)及び
成分(B)の総重量に対し0.1〜5重量%であること
を特徴とするダイアタッチペースト。1. (A) urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, (B) a reactive diluent having a (meth) acryl group,
It comprises (C) a silane coupling agent containing a sulfur atom, (D) an organic peroxide and / or an azo compound, and (E) an inorganic filler, and the addition ratio of the (D) component is as follows. A die attach paste, which is 0.1 to 5% by weight based on the total weight of B).
クリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネ
ートを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレ
ートと該(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈
剤との重量比が80/20から20/80である請求項
1記載のダイアタッチペースト。2. A urethane di (meth) acrylate obtained by reacting (A) hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, and (B) a reactive diluent having a (meth) acryl group. The die attach paste according to claim 1, wherein the weight ratio of the die attach paste is from 80/20 to 20/80.
ング剤の添加量が成分(A)及び成分(B)の総重量に
対して、0.001≦(C)/((A)+(B))≦
0.1である請求項1及び2記載のダイアタッチペース
ト。3. The addition amount of the (C) silane coupling agent containing a sulfur atom is 0.001 ≦ (C) / ((A) + based on the total weight of the components (A) and (B). (B)) ≦
3. The die attach paste according to claim 1, wherein the value is 0.1.
タッチペーストを用いて製作した半導体装置。4. A semiconductor device manufactured using the die attach paste according to claim 1.
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---|---|
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257220A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
JP2004179275A (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Semiconductor device |
JP2004186525A (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Area package type semiconductor device |
JP2006022240A (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced using the resin composition |
JP2006220200A (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Kurashiki Kako Co Ltd | Vibration control structure and its manufacturing method |
JP2007169453A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device formed with the resin composition |
JP4352282B1 (en) * | 2008-10-24 | 2009-10-28 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device manufactured using the same |
JP2009256619A (en) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive composition, adhesive for circuit connection, connected product, and semiconductor device |
CN104245875A (en) * | 2012-04-26 | 2014-12-24 | 陶氏环球技术有限责任公司 | Epoxy adhesive composition |
JP2015140409A (en) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition, electronic member using the adhesive composition and manufacturing method of semiconductor device |
WO2016121806A1 (en) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 住友ベークライト株式会社 | Paste adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heat radiation plate |
Citations (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5792024A (en) * | 1980-11-29 | 1982-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Electron radiation curing composition |
JPS63284213A (en) * | 1987-04-14 | 1988-11-21 | チバ−ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | Photopolymerizable material composition |
JPH07292048A (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Curable resin composition |
JPH1135903A (en) * | 1997-07-14 | 1999-02-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropically conductive adhesive |
JPH1160654A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach resin paste for semiconductor |
JPH1161086A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attach resin paste for semiconductor |
JPH11100419A (en) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Jsr Corp | Radiation-curable resin composition |
JPH11172205A (en) * | 1997-12-11 | 1999-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Preparation of die attach paste |
JPH11171943A (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attachpaste |
JPH11189747A (en) * | 1997-09-18 | 1999-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attaching paste |
JPH11189763A (en) * | 1997-09-29 | 1999-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attaching paste |
JPH11199758A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11265901A (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11265902A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11269452A (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11293213A (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Production of die attach paste |
JPH11335630A (en) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attaching paste |
JP2000044905A (en) * | 1998-03-18 | 2000-02-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic, electrically conductive adhesive and electronic equipment using the same |
JP2000063452A (en) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Insulating die attach paste |
JP2000234083A (en) * | 1998-10-13 | 2000-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Preparation of anisotropically conductive adhesive, and electronic apparatus made by using adhesive prepared thereby |
JP2000256641A (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropically conductive adhesive and electronic equipment made by using it |
JP2000265117A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2000265120A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2000290597A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2001115132A (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic electrically conductive adhesive |
JP2001126541A (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic-conductive film and electric/electronic parts |
JP2001181595A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic conductive adhesive |
JP2001223225A (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
JP2001254058A (en) * | 2000-01-06 | 2001-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisometric conductive adhesive |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000068098A patent/JP2001257219A/en active Pending
Patent Citations (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5792024A (en) * | 1980-11-29 | 1982-06-08 | Dainippon Printing Co Ltd | Electron radiation curing composition |
JPS63284213A (en) * | 1987-04-14 | 1988-11-21 | チバ−ガイギー アクチエンゲゼルシヤフト | Photopolymerizable material composition |
JPH07292048A (en) * | 1994-04-28 | 1995-11-07 | Denki Kagaku Kogyo Kk | Curable resin composition |
JPH1135903A (en) * | 1997-07-14 | 1999-02-09 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropically conductive adhesive |
JPH1160654A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach resin paste for semiconductor |
JPH1161086A (en) * | 1997-08-19 | 1999-03-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attach resin paste for semiconductor |
JPH11189747A (en) * | 1997-09-18 | 1999-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attaching paste |
JPH11100419A (en) * | 1997-09-26 | 1999-04-13 | Jsr Corp | Radiation-curable resin composition |
JPH11189763A (en) * | 1997-09-29 | 1999-07-13 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die-attaching paste |
JPH11172205A (en) * | 1997-12-11 | 1999-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Preparation of die attach paste |
JPH11171943A (en) * | 1997-12-16 | 1999-06-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attachpaste |
JPH11199758A (en) * | 1998-01-09 | 1999-07-27 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11265901A (en) * | 1998-03-17 | 1999-09-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2000044905A (en) * | 1998-03-18 | 2000-02-15 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic, electrically conductive adhesive and electronic equipment using the same |
JPH11265902A (en) * | 1998-03-18 | 1999-09-28 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11269452A (en) * | 1998-03-25 | 1999-10-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JPH11293213A (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Production of die attach paste |
JPH11335630A (en) * | 1998-05-27 | 1999-12-07 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attaching paste |
JP2000063452A (en) * | 1998-08-24 | 2000-02-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Insulating die attach paste |
JP2000234083A (en) * | 1998-10-13 | 2000-08-29 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Preparation of anisotropically conductive adhesive, and electronic apparatus made by using adhesive prepared thereby |
JP2000256641A (en) * | 1999-03-04 | 2000-09-19 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropically conductive adhesive and electronic equipment made by using it |
JP2000265120A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2000265117A (en) * | 1999-03-16 | 2000-09-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2000290597A (en) * | 1999-04-09 | 2000-10-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste |
JP2001115132A (en) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic electrically conductive adhesive |
JP2001126541A (en) * | 1999-10-28 | 2001-05-11 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic-conductive film and electric/electronic parts |
JP2001181595A (en) * | 1999-12-27 | 2001-07-03 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisotropic conductive adhesive |
JP2001254058A (en) * | 2000-01-06 | 2001-09-18 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Anisometric conductive adhesive |
JP2001223225A (en) * | 2000-02-07 | 2001-08-17 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001257220A (en) * | 2000-03-13 | 2001-09-21 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Die attach paste and semiconductor device |
JP2004179275A (en) * | 2002-11-26 | 2004-06-24 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Semiconductor device |
JP2004186525A (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-02 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Area package type semiconductor device |
JP2006022240A (en) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device produced using the resin composition |
JP2006220200A (en) * | 2005-02-09 | 2006-08-24 | Kurashiki Kako Co Ltd | Vibration control structure and its manufacturing method |
JP4547280B2 (en) * | 2005-02-09 | 2010-09-22 | 倉敷化工株式会社 | Anti-vibration structure and manufacturing method thereof |
JP2007169453A (en) * | 2005-12-21 | 2007-07-05 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | Resin composition and semiconductor device formed with the resin composition |
JP2009256619A (en) * | 2008-03-28 | 2009-11-05 | Hitachi Chem Co Ltd | Adhesive composition, adhesive for circuit connection, connected product, and semiconductor device |
WO2010046996A1 (en) * | 2008-10-24 | 2010-04-29 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device manufactured using the same |
JP4352282B1 (en) * | 2008-10-24 | 2009-10-28 | 住友ベークライト株式会社 | Adhesive composition for semiconductor and semiconductor device manufactured using the same |
CN104245875A (en) * | 2012-04-26 | 2014-12-24 | 陶氏环球技术有限责任公司 | Epoxy adhesive composition |
JP2015140409A (en) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | 日立化成株式会社 | Adhesive composition, electronic member using the adhesive composition and manufacturing method of semiconductor device |
WO2016121806A1 (en) * | 2015-01-29 | 2016-08-04 | 住友ベークライト株式会社 | Paste adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heat radiation plate |
JPWO2016121806A1 (en) * | 2015-01-29 | 2017-04-27 | 住友ベークライト株式会社 | Paste adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heat sink |
CN107207941A (en) * | 2015-01-29 | 2017-09-26 | 住友电木株式会社 | Paste-type adhesive composition, semiconductor device, the adhesive bonding method of the manufacture method of semiconductor device and heat sink |
CN107207941B (en) * | 2015-01-29 | 2018-07-17 | 住友电木株式会社 | The adhesive bonding method of paste-type adhesive composition, semiconductor device, the manufacturing method of semiconductor device and heat sink |
US10259976B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-04-16 | Sumitomo Bakelite Co., Ltd. | Paste-like adhesive composition, semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for bonding heatsink |
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