JP3473944B2 - Die attach paste and semiconductor device - Google Patents

Die attach paste and semiconductor device

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JP3473944B2
JP3473944B2 JP2000029132A JP2000029132A JP3473944B2 JP 3473944 B2 JP3473944 B2 JP 3473944B2 JP 2000029132 A JP2000029132 A JP 2000029132A JP 2000029132 A JP2000029132 A JP 2000029132A JP 3473944 B2 JP3473944 B2 JP 3473944B2
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acid
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    • H01L2924/10253Silicon [Si]

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a die attach paste which can be cured while maintaining the characteristics of a conventional die attach paste in a very short time. SOLUTION: A die attach paste consists of (A) a urethandi(metha)acrylate obtainable by reacting a hudroxyalkyl(metha) acrylic acid with a polyalkylene glycol and a diisocyanate, (B) a reactive diluent having a (metha)acrylic group, (C) a diallyl monoglycidyl isocyanurie acid, (D) a phosphoric acid group- containing(metha) acrylate which is shown by general formula (1), (E) an alkoxy silane having an epoxy group, (F) an organic peroxide and/or an azo compound and (G) a die attach paste consisting of an inorganic filler.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、接着性、速硬化性
及び信頼性に優れた半導体接着用ペーストに関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor bonding paste which is excellent in adhesiveness, fast curing property and reliability.

【0002】[0002]

【従来の技術】最近のコンピューターの普及に伴い半導
体パッケージの生産量は年々増加しており、これに伴い
製造コストの削減は重要な課題となっている。半導体パ
ッケージ組立の中でダイアタッチペーストで半導体とリ
ードフレームを接着する工程が有るが、この工程におい
て時間短縮、及び低温硬化がキーポイントになってい
る。ダイアタッチペーストの硬化方法としては、バッチ
式オーブン法、インラインで硬化させる方法に大別され
るが、インラインで用いられる速硬化性ペーストを用い
た通常のダイマウントは、150℃から200℃で30
秒から60秒の間で行われる。しかし、今後は更に低
温、短時間硬化可能なペーストの開発が望まれている。
2. Description of the Related Art With the recent widespread use of computers, the amount of semiconductor packages produced has been increasing year by year, and as a result, reduction of manufacturing costs has become an important issue. In the semiconductor package assembly, there is a step of adhering the semiconductor and the lead frame with a die attach paste, and the key points are the time reduction and low temperature curing in this step. The method of curing the die attach paste is roughly classified into a batch type oven method and a method of in-line curing. However, a normal die mount using a quick-curing paste used in-line is 30 ° C. at 150 ° C. to 200 ° C.
It is performed in the range from 60 seconds to 60 seconds. However, in the future, it is desired to develop a paste that can be cured at a lower temperature for a shorter time.

【0003】一方、パッケージとしての信頼性は、特に
耐半田クラック性が重要であるが、半田接着時に高温下
にさらされた場合でもダイアタッチペースト層の剥離か
ら生じるパッケージのクラックを阻止するために、ダイ
アタッチペーストには特に低応力性、吸湿処理後の接着
性が要求されている。
On the other hand, regarding the reliability of the package, solder crack resistance is particularly important, but in order to prevent cracking of the package caused by peeling of the die attach paste layer even when exposed to high temperature during solder bonding. In particular, the die attach paste is required to have low stress and adhesiveness after moisture absorption treatment.

【0004】ダイアタッチペーストのベースレジンはエ
ポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂系等
が知られているが、例えば30秒以内に硬化が可能であ
り、それぞれの用途に適した特性(接着性、低応力性
等)を満足する材料は全く見いだされていなかった。
又、特性を満足したとしても常温での粘度上昇が激しす
ぎ、使用に適さない材料しかなかった。
Epoxy resin, cyanate resin, bismaleimide resin, etc. are known as the base resin of the die attach paste, but they can be cured within, for example, 30 seconds, and have characteristics (adhesiveness, adhesiveness, No material satisfying the requirements for low stress, etc.) has been found.
Further, even if the properties were satisfied, the viscosity at room temperature increased too much, and only materials suitable for use were available.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のダイ
アタッチペーストの特性を維持し、且つ非常に短時間で
も硬化が可能なダイアタッチペーストを提供する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a die attach paste which retains the characteristics of the conventional die attach paste and can be cured even in a very short time.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、(A)ヒドロ
キシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリ
コール及びジイソシアネートを反応させて得られるウレ
タンジ(メタ)アクリレート、(B)(メタ)アクリル
基を有する反応性希釈剤、(C)ジアリルモノグリシジ
ルイソシアヌル酸、(D)一般式(1)で示されるリン
酸基含有(メタ)アクリレート、(E)エポキシ基を有
するアルコキシシラン、(F)有機過酸化物及び/又は
アゾ化合物、(G)無機フィラーからなるダイアタッチ
ペーストである。
The present invention provides a urethane di (meth) acrylate obtained by reacting (A) hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, and (B) (meth) acrylic group. Reactive diluent having, (C) diallyl monoglycidyl isocyanuric acid, (D) phosphoric acid group-containing (meth) acrylate represented by the general formula (1), (E) epoxy group-containing alkoxysilane, (F) organic peroxide It is a die attach paste comprising an oxide and / or an azo compound and (G) an inorganic filler.

【化2】 [Chemical 2]

【0007】更に好ましい形態としては、該(A)ヒド
ロキシアルキルアクリル酸、ポリアルキレングリコール
及びジイソシアネートを反応させて得られるウレタンジ
(メタ)アクリレートと該(B)(メタ)アクリル基を
有する反応性希釈剤との重量比が80/20から20/
80であるダイアタッチペーストである。また、ダイア
タッチペーストを用いて製作された半導体装置である。
As a further preferred embodiment, the urethane di (meth) acrylate obtained by reacting the (A) hydroxyalkyl acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate with the (B) (meth) acryl group-containing reactive diluent 80/20 to 20 /
80 is a die attach paste. In addition, it is a semiconductor device manufactured using a die attach paste.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明に用いられるアクリレート
樹脂はヒドロキシアルキル(メタ)アクリル酸、ポリア
ルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させて
得られるウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤の重量比が80/20〜
20/80である事が好ましい。ヒドロキシアルキル
(メタ)アクリル酸、ポリアルキレングリコール及びジ
イソシアネートを反応させて得られるウレタンジ(メ
タ)アクリレートの割合が、80/20より高いとペー
スト粘度が高すぎ塗布作業性が著しく悪くなる。一方、
20/80より小さいと接着性、耐熱性が悪くなる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The acrylate resin used in the present invention is a urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate with a reactive diluent having a (meth) acrylic group. The weight ratio of the agent is from 80/20
It is preferably 20/80. If the proportion of urethane di (meth) acrylate obtained by reacting hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate is higher than 80/20, the paste viscosity becomes too high and the coating workability becomes significantly poor. on the other hand,
If it is less than 20/80, the adhesiveness and heat resistance will deteriorate.

【0009】本発明に用いられるウレタンジ(メタ)ア
クリレートは常法によりヒドロキシアルキルアクリル酸
又はメタクリル酸、ポリアルキレングリコール、ジイソ
シアネートの反応により合成される。ヒドロキシアルキ
ルアクリル酸又はメタクリル酸の例としては、2−ヒド
ロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタ
クリレート、2−ヒドロキシプロピルアクリレート、2
−ヒドロキシプロピルメタクリレート等がある。ポリア
ルキレングリコールの例としては、ポリエチレングリコ
ールやポリプロピレングリコール、ポリブチレングリコ
ール等がある。又、ジイソシアネートの例としてはヘキ
サメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシア
ネート、トルエンジイソシアネート及びその水素添加物
等がある。
The urethane di (meth) acrylate used in the present invention is synthesized by a reaction of hydroxyalkyl acrylic acid or methacrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate by a conventional method. Examples of hydroxyalkyl acrylic acid or methacrylic acid include 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, and 2
-Hydroxypropyl methacrylate and the like. Examples of polyalkylene glycols include polyethylene glycol, polypropylene glycol, polybutylene glycol and the like. Examples of diisocyanates include hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, toluene diisocyanate and hydrogenated products thereof.

【0010】ウレタンジ(メタ)アクリレートと混合す
る(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤の例として
は、
Examples of reactive diluents having (meth) acrylic groups which are mixed with urethane di (meth) acrylate include:

【化3】 等のモノ(メタ)アクリレートや、ジメチロールトリシ
クロデカンジ(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)
アクリレートが挙げられ、これらの内の1種類あるいは
複数種と併用可能である。
[Chemical 3] (Meth) acrylates such as methacrylic acid and polyfunctional (meth) acrylates such as dimethyloltricyclodecanedi (meth) acrylate
Acrylate can be used, and it can be used in combination with one or more of these.

【0011】(C)ジアリルモノグリシジルイソシアヌ
ル酸の添加量は成分(A)及び成分(B)の総重量に対
して、0.01≦C/(A+B)≦0.5であることが
好ましい。0.01を下回ると吸湿処理後の接着性に効
果を示さず、0.5より多いとペースト粘度が高すぎ塗
布作業性が著しく悪くなる。
The addition amount of (C) diallyl monoglycidyl isocyanuric acid is preferably 0.01≤C / (A + B) ≤0.5 based on the total weight of the components (A) and (B). If it is less than 0.01, no effect is exerted on the adhesiveness after the moisture absorption treatment, and if it is more than 0.5, the paste viscosity is too high and the coating workability is significantly deteriorated.

【0012】一般式(1)で示される成分(D)として
は、例えば、モノ(2−メタクリロイルオキシエチル)
アシッドホスフェート、ジ(2−メタクリロイルオキシ
エチル)アシッドホスフェート、モノ(2−アクリロイ
ルオキシエチル)アシッドホスフェート、ジ(2−アク
リロイルオキシエチル)アシッドホスフェート等があ
り、成分(E)としては、例えば、3−グリシドキシプ
ロピルトリメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシ
クロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等
がある。
Examples of the component (D) represented by the general formula (1) include mono (2-methacryloyloxyethyl).
There are acid phosphate, di (2-methacryloyloxyethyl) acid phosphate, mono (2-acryloyloxyethyl) acid phosphate, di (2-acryloyloxyethyl) acid phosphate, and the like. Examples of the component (E) include 3- Glycidoxypropyltrimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, etc.
There is.

【0013】次に、成分(D)と成分(E)の総添加量
は成分(A)、成分(B)及び成分(C)の総重量に対
して、0.001≦(D+E)/(A+B+C)≦0.
1であることが好ましい。0.001を下回ると接着性
に効果を示さず、0.1より多いと硬化中のボイドによ
り、接着性が低下する。
Next, the total addition amount of the component (D) and the component (E) is 0.001≤ (D + E) / (with respect to the total weight of the component (A), the component (B) and the component (C). A + B + C) ≦ 0.
It is preferably 1. If it is less than 0.001, it has no effect on the adhesiveness, and if it is more than 0.1, the adhesiveness is lowered due to voids during curing.

【0014】本発明において成分(D)と成分(E)は
必須成分であり、一方が欠けても本発明を具現する事は
できない。その構成比は0.1≦D/E≦10であるこ
とが好ましい。0.1を下回るとリン酸基の濃度が低く
なり、リードフレーム界面への効果が低下する。また、
10を越えるとリン酸基の濃度が高くなり必要以上に接
着界面に作用し接着性を低下させてしまう。
In the present invention, the component (D) and the component (E) are essential components, and the present invention cannot be embodied even if one of them is missing. The composition ratio is preferably 0.1 ≦ D / E ≦ 10. If it is less than 0.1, the concentration of phosphate groups will be low, and the effect on the lead frame interface will be reduced. Also,
If it exceeds 10, the concentration of phosphoric acid groups increases and acts on the adhesive interface more than necessary, resulting in a decrease in adhesiveness.

【0015】次に、重合開始剤の例としては、有機過酸
化物やアゾ化合物等がある。有機過酸化物は、急速加熱
試験(資料1gを電熱板の上にのせ、4℃/分で昇温し
たときの分解開始温度)における分解温度が40℃から
140℃であることが好ましい。分解温度が40℃に満
たない場合は、常温における保存性が悪くなり、140
℃を越えると硬化時間が極端に長くなるためである。
Next, examples of the polymerization initiator include organic peroxides and azo compounds. The decomposition temperature of the organic peroxide in the rapid heating test (decomposition start temperature when 1 g of the material is placed on an electric heating plate and heated at 4 ° C./minute) is preferably 40 ° C. to 140 ° C. If the decomposition temperature is less than 40 ° C, the storage stability at room temperature becomes poor, and
This is because if the temperature exceeds ° C, the curing time becomes extremely long.

【0016】本発明で用いられる有機過酸化物の例とし
ては、キュミルパーオキシネオデカネート、t−ブチル
パーオキシネオデカネート、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシネオデカネート、1,1,3,
3−テトラメチルパーオキシネオデカネート、1,1,
3,3−テトラメチルブチルパーオキシ−2−エチルヘ
キサネート、ビス(4−ブチルシクロヘキシル)パーオ
キシジカーボネート、t−ブチルパーオキシイソプロピ
ルモノカーボネート、1,1−ビス(t−ブチルパーオ
キシ)−3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、t−
ブチルパーオキシベンゾエート、t−ブチルパーオキシ
3,5,5−トリメチルヘキサネート、t−ブチルパー
オキシ−2−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘ
キシルパーオキシ−2−エチルヘキサネート等がある。
アゾ化合物の例としては、2,2’−アゾビスイソブチ
ルニトリル、1,1’−アゾビス(1−アセトキシ−1
−フェニルエタン)等がある。
Examples of the organic peroxides used in the present invention include cumyl peroxyneodecanate, t-butylperoxyneodecanate and 1-cyclohexyl-1-.
Methyl ethyl peroxyneodecanate, 1,1,3
3-tetramethylperoxyneodecanate, 1,1,
3,3-Tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanate, bis (4-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, 1,1-bis (t-butylperoxy)- 3,3,5-trimethylcyclohexane, t-
There are butyl peroxy benzoate, t-butyl peroxy 3,5,5-trimethyl hexanate, t-butyl peroxy-2-ethylhexyl monocarbonate, t-hexyl peroxy-2-ethyl hexanate and the like.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobisisobutylnitrile and 1,1′-azobis (1-acetoxy-1).
-Phenylethane) and the like.

【0017】これら有機過酸化物、アゾ化合物は単独あ
るいは硬化性をコントロールするため2種類以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
These organic peroxides and azo compounds may be used alone or in admixture of two or more in order to control the curability. Furthermore, it is possible to add various polymerization inhibitors in advance in order to improve the storage stability of the resin.

【0018】これら有機過酸化物、アゾ化合物の添加量
は、成分(A)+成分(B)+成分(C)の総重量に対
して、0.1重量%から5重量%であることが好まし
い。5重量%より多いとペーストの粘度経時変化が大き
く作業性に問題が生じる。0.1重量%より少ないと硬
化性が著しく低下するので好ましくない。
The amount of the organic peroxide or azo compound added is 0.1 to 5% by weight based on the total weight of the component (A) + component (B) + component (C). preferable. If it is more than 5% by weight, the viscosity of the paste changes with time and the workability becomes a problem. If it is less than 0.1% by weight, the curability is significantly lowered, which is not preferable.

【0019】本発明に用いる無機フィラーとしては、銀
粉、金粉、ニッケル粉、銅粉等の導電性フィラー、窒化
アルミニウム、炭酸カルシウム、シリカ、アルミナ等の
絶縁フィラーが挙げられる。
Examples of the inorganic filler used in the present invention include conductive fillers such as silver powder, gold powder, nickel powder and copper powder, and insulating fillers such as aluminum nitride, calcium carbonate, silica and alumina.

【0020】導電性を付与するフィラーとしては銀粉が
好ましく、ハロゲンイオン、アルカリ金属イオン等のイ
オン性不純物の含有量は10ppm以下であることが好
ましい。また、銀粉の形状としては、フレーク状、樹枝
状、球状等が用いられる。必要とするペーストの粘度に
より、使用する銀粉の粒径は異なるが、通常平均粒径は
2〜10μm、最大粒径は50μm程度のものが好まし
い。また、比較的粗い銀粉と細かい銀粉とを混合して用
いることもでき、形状についても各種のものを便宜混合
してもよい。
Silver powder is preferable as the filler that imparts conductivity, and the content of ionic impurities such as halogen ions and alkali metal ions is preferably 10 ppm or less. The silver powder may have a flake shape, a dendritic shape, a spherical shape, or the like. Although the particle size of the silver powder to be used varies depending on the viscosity of the paste required, it is usually preferable that the average particle size is 2 to 10 μm and the maximum particle size is about 50 μm. Further, a relatively coarse silver powder and a fine silver powder can be mixed and used, and various shapes may be conveniently mixed.

【0021】次に、絶縁フィラーの一つであるシリカフ
ィラーは平均粒径1〜20μmで最大粒径50μm以下
のものが好ましい。平均粒径が1μm未満だと粘度が高
くなり、20μmを越えると塗布または硬化時に樹脂分
が流出するのでブリードが発生するため好ましくない。
また、最大粒径が50μmを越えるとディスペンサーで
ペーストを塗布するときに、ニードル詰まりを起こすた
め好ましくない。更に、比較的粗いシリカフィラーと細
かいシリカフィラーを混合して用いることもでき、形状
についても各種のものを便宜混合してもよい。
Next, the silica filler, which is one of the insulating fillers, preferably has an average particle size of 1 to 20 μm and a maximum particle size of 50 μm or less. If the average particle size is less than 1 μm, the viscosity becomes high, and if it exceeds 20 μm, the resin component flows out during coating or curing, which causes bleeding, which is not preferable.
If the maximum particle size exceeds 50 μm, needle clogging occurs when the paste is applied with a dispenser, which is not preferable. Further, a relatively coarse silica filler and a fine silica filler may be mixed and used, and various shapes may be conveniently mixed.

【0022】本発明におけるダイアタッチペーストは、
必要により消泡剤、界面活性剤、エラストマー等の添加
剤を用いることができる。
The die attach paste of the present invention is
If necessary, an additive such as a defoaming agent, a surfactant or an elastomer can be used.

【0023】本発明のダイアタッチペーストの製造方法
としては、例えば、予備混合し、三本ロール等を用いて
ペーストを得た後、真空下脱泡して製作する。本発明の
ダイアタッチペーストを用いて製作された半導体装置
は、信頼性、生産性の高い半導体装置である。半導体装
置の製造方法は従来の公知の方法を使用することが出来
る。
As a method for producing the die attach paste of the present invention, for example, pre-mixing is performed to obtain a paste by using a triple roll or the like, followed by defoaming under vacuum to produce. A semiconductor device manufactured using the die attach paste of the present invention is a semiconductor device having high reliability and high productivity. As a method for manufacturing a semiconductor device, a conventionally known method can be used.

【0024】[0024]

【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。 <実施例1〜8>ドロキシアルキルアクリル酸、ポリア
ルキレングリコール及びジイソシアネートを反応させて
得られるウレタンジアクリレート(東亞合成(株)・
製、M−1600)、下記の構造式で示されるモノアク
リレート又はジアクリレート、ジアリルモノグリシジル
イソシアヌル酸(四国化成工業(株)・製、MA−DG
IC)、カップリング剤としてリン酸基含有メタクリレ
ート(日本化薬(株)・製、PM−21)及び脂環式エ
ポキシアルコキシシラン(信越化学工業(株)・製、K
BM303)、重合開始剤として下記の有機過酸化物
1、2及びアゾ化合物、更に無機フィラーとして平均粒
径3μm、最大粒径20μmのフレーク状銀粉、又は平
均粒径5μm、最大粒径20μmのシリカフィラーを表
1のように配合し、3本ロールを用いて混錬し、脱泡後
ペーストを得た。得られたペーストを以下の方法により
評価した。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. <Examples 1 to 8> Urethane diacrylate obtained by reacting droxyalkyl acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate (Toagosei Co., Ltd.
Manufactured by M-1600), monoacrylate or diacrylate represented by the following structural formula, diallyl monoglycidyl isocyanuric acid (manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd., MA-DG).
IC), phosphate group-containing methacrylate (Nippon Kayaku Co., Ltd., PM-21) as a coupling agent, and alicyclic epoxyalkoxysilane (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., K)
BM303), the following organic peroxides 1 and 2 as a polymerization initiator, and an azo compound, and further an inorganic filler having a flake-like silver powder having an average particle size of 3 μm and a maximum particle size of 20 μm, or silica having an average particle size of 5 μm and a maximum particle size of 20 μm. The filler was blended as shown in Table 1 and kneaded using a three-roll mill to obtain a paste after defoaming. The obtained paste was evaluated by the following methods.

【化4】 [Chemical 4]

【0025】<評価方法> ・粘度:25℃でE型粘度計を用いて回転数2.5rp
mでの粘度を測定した。 ・保存性:25℃の恒温槽で72時間静置後の粘度を測
定した。粘度の上昇が初期の粘度の10%以下なら良
好、10%を越えると不良とした。 ・接着強度:ダイアタッチペーストを用いて、6×6m
mのシリコンチップを銅フレームにマウントし、所定の
硬化条件で硬化した。硬化後、及び硬化後85℃/85
%RH/72時間処理後、自動せん断強度測定装置(D
AGE社製、PC2400)を用いて250℃での熱時
ダイシェア強度を測定した。 ・ボイド:リードフレームに10mm×10mmのガラ
スチップをダイアタッチペーストを用いてマウントし、
所定の硬化条件で硬化後、外観を目視でボイドをチェッ
クした。被着面積の15%以下のボイドならば良好、1
5%を越えるものを不良とした。
<Evaluation Method> Viscosity: Rotation speed 2.5 rp at 25 ° C. using E-type viscometer
The viscosity at m was measured. -Preservability: The viscosity was measured after standing still for 72 hours in a constant temperature bath at 25 ° C. If the increase in viscosity was 10% or less of the initial viscosity, it was judged as good, and if it exceeded 10%, it was judged as poor. -Adhesive strength: 6 x 6 m using die attach paste
m silicon chips were mounted on a copper frame and cured under prescribed curing conditions. After curing and 85 ° C / 85 after curing
% RH / 72 hours after treatment, automatic shear strength measuring device (D
The die shear strength at the time of heating at 250 ° C. was measured using PC2400 manufactured by AGE. -Void: Mount a 10 mm x 10 mm glass chip on the lead frame using die attach paste,
After curing under predetermined curing conditions, the appearance was checked visually for voids. Good if the void is 15% or less of the adhered area, 1
Those exceeding 5% were regarded as defective.

【0026】・ワイヤーボンディング処理時の剥離:リ
ードフレームに6mm×15mmのチップをダイアタッ
チペーストを用いてマウントし、所定の硬化条件で硬化
後、250℃にてワイヤーボンディング処理を行ない、
ペレットの接着状態を観察した。剥離が無ければ良好、
剥離が観察されれば不良とした。 ・反り:低応力性の評価として反りを測定した。厚み2
00μmの銅フレームに6mm×15mm×0.3mm
のシリコンチップをダイアタッチペーストを用いてペー
スト厚みが20μmになるよう接着し、表面粗さ計を用
いて、長手方向のチップの変位を測定しその高低差によ
り反り量を測定した。
Peeling during wire bonding treatment: A 6 mm × 15 mm chip is mounted on a lead frame using a die attach paste, and after curing under predetermined curing conditions, wire bonding treatment is performed at 250 ° C.
The adhered state of the pellet was observed. Good if there is no peeling,
If peeling was observed, it was regarded as defective. Warpage: Warpage was measured as an evaluation of low stress. Thickness 2
6mm x 15mm x 0.3mm on a 00μm copper frame
The silicon chip of No. 2 was bonded using a die attach paste to a paste thickness of 20 μm, the displacement of the chip in the longitudinal direction was measured using a surface roughness meter, and the amount of warpage was measured by the height difference.

【0027】・耐パッケージクラック性:スミコンEM
E−7320(住友ベークライト(株)製)の封止材料
を用い、下記の条件で成形したパッケージを85℃/6
0%RH/168時間吸水処理した後、IRリフロー
(240℃、10秒)にかけ、断面観察により内部クラ
ックの数を測定し、耐パッケージクラック性の指標とし
た。 パッケージ:80pQFP(14×20×2mm厚さ) チップサイズ:7.5×7.5mm(アルミ配線のみ) リードフレーム:Cu(ダイアタッチペーストを用いて
リードフレーム上に上記のチップを接着) 成形:175℃、2分間 ポストモールドキュア:175℃、4時間 全パッケージ数:12
・ Package crack resistance: SUMICON EM
Using a sealing material of E-7320 (Sumitomo Bakelite Co., Ltd.), a package molded under the following conditions was 85 ° C / 6.
After water absorption treatment for 0% RH / 168 hours, it was subjected to IR reflow (240 ° C., 10 seconds) and the number of internal cracks was measured by observing a cross section, which was used as an index of package crack resistance. Package: 80 pQFP (14 x 20 x 2 mm thickness) Chip size: 7.5 x 7.5 mm (only aluminum wiring) Lead frame: Cu (bond the above chip to the lead frame using die attach paste) Molding: 175 ℃, 2 minutes Post mold cure: 175 ℃, 4 hours Total number of packages: 12

【0028】<比較例1〜7>表2に示した組成の各成
分を配合し、実施例1と同様にペーストを得て、同様の
評価を行った。
<Comparative Examples 1 to 7> Each component having the composition shown in Table 2 was mixed, a paste was obtained in the same manner as in Example 1, and the same evaluation was performed.

【0029】評価結果を表1及び表2に示す。The evaluation results are shown in Tables 1 and 2.

【表1】 [Table 1]

【0030】[0030]

【表2】 [Table 2]

【0031】有機過酸化物1:日本油脂(株)製、キュ
ミルパーオキシネオデカネート(急速加熱試験における
分解温度:65℃) 有機過酸化物2:日本油脂(株)製、t−ブチルパーオ
キシイソプロピルモノカーボネート(急速加熱試験にお
ける分解温度:108℃) アゾ化合物:和光純薬工業(株)製、2,2’−アゾイ
ソブチルニトリル
Organic peroxide 1: manufactured by NOF CORPORATION, cumyl peroxyneodecanate (decomposition temperature in a rapid heating test: 65 ° C.) Organic peroxide 2: manufactured by NOF CORPORATION, t-butyl Peroxyisopropyl monocarbonate (decomposition temperature in rapid heating test: 108 ° C.) Azo compound: 2,2′-azoisobutylnitrile manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明のダイアタッチペーストは、柔軟
な構造のウレタンジ(メタ)アクリレートと(メタ)ア
クリル基を有する反応性希釈剤との組み合わせにより低
応力性に優れ、更にジアリルモノグリシジルイソシアヌ
ル酸を加えることにより吸湿後の接着性が向上し、その
結果優れた耐半田クラック性が発現された速硬化性ペー
ストである。
The die attach paste of the present invention is excellent in low stress due to the combination of a flexible structure urethane di (meth) acrylate and a reactive diluent having a (meth) acrylic group, and further, diallyl monoglycidyl isocyanuric acid. Is a fast-curing paste in which the adhesiveness after moisture absorption is improved, and as a result, excellent solder crack resistance is exhibited.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 (A)ヒドロキシアルキル(メタ)アク
リル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネー
トを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレー
ト、(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈剤、
(C)ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、(D)
一般式(1)で示されるリン酸基含有(メタ)アクリレ
ート、(E)エポキシ基を有するアルコキシシラン、
(F)有機過酸化物及び/又はアゾ化合物、(G)無機
フィラーからなることを特徴とするダイアタッチペース
ト。 【化1】
1. A urethane di (meth) acrylate obtained by reacting (A) hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, (B) a reactive diluent having a (meth) acrylic group,
(C) diallyl monoglycidyl isocyanuric acid, (D)
A phosphoric acid group-containing (meth) acrylate represented by the general formula (1), (E) an alkoxysilane having an epoxy group,
A die attach paste comprising (F) an organic peroxide and / or an azo compound and (G) an inorganic filler. [Chemical 1]
【請求項2】 該(A)ヒドロキシアルキル(メタ)ア
クリル酸、ポリアルキレングリコール及びジイソシアネ
ートを反応させて得られるウレタンジ(メタ)アクリレ
ートと該(B)(メタ)アクリル基を有する反応性希釈
剤との重量比が80/20から20/80である請求項
1記載のダイアタッチペースト。
2. A urethane di (meth) acrylate obtained by reacting the (A) hydroxyalkyl (meth) acrylic acid, polyalkylene glycol and diisocyanate, and a reactive diluent having the (B) (meth) acrylic group. The die attach paste according to claim 1, wherein the weight ratio of is 20/20 to 20/80.
【請求項3】 該(C)ジアリルモノグリシジルイソシ
アヌル酸の添加量が成分(A)及び成分(B)の総重量
に対して、0.01≦C/(A+B)≦0.5である請
求項1及び2記載のダイアタッチペースト。
3. The addition amount of the diallyl monoglycidyl isocyanuric acid (C) is 0.01 ≦ C / (A + B) ≦ 0.5 based on the total weight of the components (A) and (B). The die attach paste according to items 1 and 2.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれかに記載のダイア
タッチペーストを用いて製作した半導体装置。
4. A semiconductor device manufactured using the die attach paste according to claim 1.
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