JP2001257201A - マイクロ波プラズマ処理装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置Info
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- JP2001257201A JP2001257201A JP2000070987A JP2000070987A JP2001257201A JP 2001257201 A JP2001257201 A JP 2001257201A JP 2000070987 A JP2000070987 A JP 2000070987A JP 2000070987 A JP2000070987 A JP 2000070987A JP 2001257201 A JP2001257201 A JP 2001257201A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】マイクロ波が垂直入射するように構成されたマ
イクロ波プラズマ処理装置において、安価な構造でプラ
ズマからの入熱による導波管の取付部品への熱の影響を
なくす。 【解決手段】内部にプラズマが発生させられるプラズマ
発生室９に対し、マイクロ波導入窓５を介してプラズマ
発生室９の上部にプラズマ発生室９と略同内径の大きさ
を有する空洞共振室６を設け、空洞共振室６の該内径よ
り小さい開口の上部開口部に垂直方向に整合器４，アイ
ソレータ３，マグネトロン１が取付けられた導波管２を
設け、空洞共振室６の側壁に冷却用のガスを導入するガ
ス導入口７と空洞共振室６内のガスを排出するガス排出
口８とを設ける。
イクロ波プラズマ処理装置において、安価な構造でプラ
ズマからの入熱による導波管の取付部品への熱の影響を
なくす。 【解決手段】内部にプラズマが発生させられるプラズマ
発生室９に対し、マイクロ波導入窓５を介してプラズマ
発生室９の上部にプラズマ発生室９と略同内径の大きさ
を有する空洞共振室６を設け、空洞共振室６の該内径よ
り小さい開口の上部開口部に垂直方向に整合器４，アイ
ソレータ３，マグネトロン１が取付けられた導波管２を
設け、空洞共振室６の側壁に冷却用のガスを導入するガ
ス導入口７と空洞共振室６内のガスを排出するガス排出
口８とを設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はマイクロ波プラズマ
処理装置に係り、特にマイクロ波の導入が垂直入射方式
のものに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するも
のである。
処理装置に係り、特にマイクロ波の導入が垂直入射方式
のものに好適なマイクロ波プラズマ処理装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来の装置は、例えば、特開昭６２−２
６４６２３号公報に記載のように、マイクロ波透過窓が
設けられたマイクロ波導波管に、マイクロ波透過窓の中
央部に気体を吹き付ける冷却手段を設け、プラズマによ
って熱せられるマイクロ波透過窓の冷却効率を高くする
ものが知られている。
６４６２３号公報に記載のように、マイクロ波透過窓が
設けられたマイクロ波導波管に、マイクロ波透過窓の中
央部に気体を吹き付ける冷却手段を設け、プラズマによ
って熱せられるマイクロ波透過窓の冷却効率を高くする
ものが知られている。
【０００３】また、特開昭５９−１７７９３１号公報に
記載のように、マイクロ波発生装置のアンテナが配設さ
れた導波管内に、ガスを流してアンテナを冷却するよう
にしたものが知られている。
記載のように、マイクロ波発生装置のアンテナが配設さ
れた導波管内に、ガスを流してアンテナを冷却するよう
にしたものが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、導波
管内に設けられた部品への加熱された気体の影響につい
て十分に配慮されていなかった。
管内に設けられた部品への加熱された気体の影響につい
て十分に配慮されていなかった。
【０００５】マイクロ波プラズマ処理装置においては、
プラズマによって加熱されたマイクロ波導入窓の輻射熱
により、試料の処理分布並びに経時的な処理速度の不均
一が生じる、また、プラズマからの入熱による金属製の
導波管を介しての伝熱によってマイクロ波発生装置及び
アンテナが必要以上に高温に加熱される、等の問題があ
った。上記従来技術の前者は、マイクロ波導入窓を効果
的に冷却でき試料への影響を抑制することができるが、
導波管、特にマイクロ波を垂直に入射させるように垂直
方向に導波管を設けたものでは、加温された空気が上部
に溜まる可能性がある。また、後者は、チャンバに近い
マイクロ波導入部の加温された部分にガスを供給するよ
うにし、導波管内を介してアンテナ部から排出するよう
にしているので、排出部でのガス温度が高くならないよ
うに導入するガスを予め冷却する必要があり、ガスを冷
却するための冷却装置が必要であり装置が複雑化，高価
になる等の問題がある。
プラズマによって加熱されたマイクロ波導入窓の輻射熱
により、試料の処理分布並びに経時的な処理速度の不均
一が生じる、また、プラズマからの入熱による金属製の
導波管を介しての伝熱によってマイクロ波発生装置及び
アンテナが必要以上に高温に加熱される、等の問題があ
った。上記従来技術の前者は、マイクロ波導入窓を効果
的に冷却でき試料への影響を抑制することができるが、
導波管、特にマイクロ波を垂直に入射させるように垂直
方向に導波管を設けたものでは、加温された空気が上部
に溜まる可能性がある。また、後者は、チャンバに近い
マイクロ波導入部の加温された部分にガスを供給するよ
うにし、導波管内を介してアンテナ部から排出するよう
にしているので、排出部でのガス温度が高くならないよ
うに導入するガスを予め冷却する必要があり、ガスを冷
却するための冷却装置が必要であり装置が複雑化，高価
になる等の問題がある。
【０００６】本発明の目的は、安価な構造でプラズマか
らの入熱による導波管の取付部品への熱の影響をなくす
ことのできるマイクロ波プラズマ処理装置を提供するこ
とにある。
らの入熱による導波管の取付部品への熱の影響をなくす
ことのできるマイクロ波プラズマ処理装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的は、内部でプラ
ズマを用いた試料の処理が行われるプラズマ発生室と、
プラズマ発生室に対しマイクロ波導入窓を介してプラズ
マ発生室の上部に設けられプラズマ発生室と略同内径の
大きさを有する空洞共振室と、空洞共振室の該内径より
小さい開口の上部開口部に垂直方向に設けられ整合器，
アイソレータ，マグネトロンが取付けられた導波管とを
具備し、空洞共振室の側壁に冷却用のガスを導入するガ
ス導入口と空洞共振室内のガスを排出するガス排出口と
を設けることにより、達成される。
ズマを用いた試料の処理が行われるプラズマ発生室と、
プラズマ発生室に対しマイクロ波導入窓を介してプラズ
マ発生室の上部に設けられプラズマ発生室と略同内径の
大きさを有する空洞共振室と、空洞共振室の該内径より
小さい開口の上部開口部に垂直方向に設けられ整合器，
アイソレータ，マグネトロンが取付けられた導波管とを
具備し、空洞共振室の側壁に冷却用のガスを導入するガ
ス導入口と空洞共振室内のガスを排出するガス排出口と
を設けることにより、達成される。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施例を図１に
より説明する。図１は、本発明のマイクロ波プラズマ処
理装置を示す図である。この場合、マイクロ波プラズマ
処理装置は、マイクロ波を伝播する導波管２と、導波管
２の端部に設けられマイクロ波を発生させるマグネトロ
ン１と、導波管２に取付けられマイクロ波の反射波を調
整するための負荷インピーダンス整合を行なう整合器４
と、導波管２のマグネトロン１と整合器４との間に取付
けられ導波管内を戻る反射波を吸収するアイソレータ３
と、導波管２の他端が接続される空洞共振室６と、空洞
共振室６が連結されるプラズマ発生室９と、空洞共振室
６とプラズマ発生室９との間に配置されプラズマ発生室
９の空間を形成するマイクロ波導入窓５と、空洞共振室
６及びプラズマ発生室９の連結部に設けられ内部に冷却
媒体が流れる流路が形成された冷却ジャケット１４と、
空洞共振室６の側壁に設けられマイクロ波導入窓５を冷
却するための冷却用の冷却ガスを導入するガス導入口７
と、空洞共振室６の側壁に設けられ導入した気体を排出
するためのガス排出口８と、プラズマ発生室９の他方に
つながる処理室１２と、プラズマ発生室９に設けられプ
ラズマ処理用の反応性の処理ガスを導入するための導入
口１０と、プラズマ発生室９と処理室１２との間に設け
られプラズマ中の荷電粒子をトラップする遮蔽板１１
と、処理室１２内に設けられプラズマ処理される試料を
載置するための試料台１３と、処理室１２及びプラズマ
発生室９を減圧状態に保つ排気装置（図示省略）とで構
成される。なお、空洞共振室９に設けたガス供給口７及
びガス排気口８の大きさは、マイクロ波の伝播を遮蔽で
きる形状，大きさであれば特に指定はない。
より説明する。図１は、本発明のマイクロ波プラズマ処
理装置を示す図である。この場合、マイクロ波プラズマ
処理装置は、マイクロ波を伝播する導波管２と、導波管
２の端部に設けられマイクロ波を発生させるマグネトロ
ン１と、導波管２に取付けられマイクロ波の反射波を調
整するための負荷インピーダンス整合を行なう整合器４
と、導波管２のマグネトロン１と整合器４との間に取付
けられ導波管内を戻る反射波を吸収するアイソレータ３
と、導波管２の他端が接続される空洞共振室６と、空洞
共振室６が連結されるプラズマ発生室９と、空洞共振室
６とプラズマ発生室９との間に配置されプラズマ発生室
９の空間を形成するマイクロ波導入窓５と、空洞共振室
６及びプラズマ発生室９の連結部に設けられ内部に冷却
媒体が流れる流路が形成された冷却ジャケット１４と、
空洞共振室６の側壁に設けられマイクロ波導入窓５を冷
却するための冷却用の冷却ガスを導入するガス導入口７
と、空洞共振室６の側壁に設けられ導入した気体を排出
するためのガス排出口８と、プラズマ発生室９の他方に
つながる処理室１２と、プラズマ発生室９に設けられプ
ラズマ処理用の反応性の処理ガスを導入するための導入
口１０と、プラズマ発生室９と処理室１２との間に設け
られプラズマ中の荷電粒子をトラップする遮蔽板１１
と、処理室１２内に設けられプラズマ処理される試料を
載置するための試料台１３と、処理室１２及びプラズマ
発生室９を減圧状態に保つ排気装置（図示省略）とで構
成される。なお、空洞共振室９に設けたガス供給口７及
びガス排気口８の大きさは、マイクロ波の伝播を遮蔽で
きる形状，大きさであれば特に指定はない。
【０００９】上記構成のマイクロ波プラズマ処理装置で
は、マグネトロン１で発生させた２.４５ＧＨｚ のマイ
クロ波が導波管２を介し空洞共振室６内に入り、空洞共
振室６内で特定モードに共振して強い電界となりマイク
ロ波導入窓５を透過してプラズマ発生室９に導入され
る。プラズマ発生室９に導入されたマイクロ波は導入口
１０より供給された処理ガスを電離，分解してプラズマ
を発生させ、処理室１２内の試料台１３に載置された試
料を処理する。この処理過程において、プラズマからの
入熱により加熱されたマイクロ波導入窓５の輻射熱が、
試料の処理分布並びに経時的な処理速度を不均一する等
の影響を与えたり、また加熱されたマイクロ波導入窓５
やプラズマ発生室９の熱が導波管２に取付けられた装置
構成部品（整合器，アイソレータ，マグネトロン等）に
伝わり部品の温度を上昇させ、部品の信頼性に影響を与
える。特に、本実施例のようにプラズマ発生室９と処理
室１２との間に遮蔽板１１を設けたものでは、プラズマ
発生室９に温度の高いプラズマが閉じ込められた状態に
なるとともに遮蔽板１１からの反射熱によって、これら
マイクロ波導入窓５，プラズマ発生室９，空洞共振室６
が加熱される傾向が高い。装置構成部品への熱の伝わり
方は、導波管２内の空気を加熱して空気を介しての伝導
と、加熱されたプラズマ発生室９及びマイクロ導入窓５
からの熱が空洞共振室６，導波管２を伝達することによ
る伝導等がある。本実施例では、これらの熱の伝導を防
止するようにした。
は、マグネトロン１で発生させた２.４５ＧＨｚ のマイ
クロ波が導波管２を介し空洞共振室６内に入り、空洞共
振室６内で特定モードに共振して強い電界となりマイク
ロ波導入窓５を透過してプラズマ発生室９に導入され
る。プラズマ発生室９に導入されたマイクロ波は導入口
１０より供給された処理ガスを電離，分解してプラズマ
を発生させ、処理室１２内の試料台１３に載置された試
料を処理する。この処理過程において、プラズマからの
入熱により加熱されたマイクロ波導入窓５の輻射熱が、
試料の処理分布並びに経時的な処理速度を不均一する等
の影響を与えたり、また加熱されたマイクロ波導入窓５
やプラズマ発生室９の熱が導波管２に取付けられた装置
構成部品（整合器，アイソレータ，マグネトロン等）に
伝わり部品の温度を上昇させ、部品の信頼性に影響を与
える。特に、本実施例のようにプラズマ発生室９と処理
室１２との間に遮蔽板１１を設けたものでは、プラズマ
発生室９に温度の高いプラズマが閉じ込められた状態に
なるとともに遮蔽板１１からの反射熱によって、これら
マイクロ波導入窓５，プラズマ発生室９，空洞共振室６
が加熱される傾向が高い。装置構成部品への熱の伝わり
方は、導波管２内の空気を加熱して空気を介しての伝導
と、加熱されたプラズマ発生室９及びマイクロ導入窓５
からの熱が空洞共振室６，導波管２を伝達することによ
る伝導等がある。本実施例では、これらの熱の伝導を防
止するようにした。
【００１０】プラズマにより加熱されたプラズマ発生室
９と輻射熱及び伝導により加熱された空洞共振室９を効
率よく冷却できる位置に対応、この場合、これらの連結
部に対応して、冷却ジャケット１４を設けたが、例え
ば、プラズマ発生室９外周に冷却液を循環させる冷却パ
イプを巻装して配設しても良い。これにより、プラズマ
発生室９及び空洞共振室６を冷却することで、空洞共振
室６，導波管２を介しての伝熱を抑制できる。また、マ
イクロ波導入窓５はガス導入口７から導入される冷却用
のガスによって冷却されるとともに、冷却に用いられ空
洞共振室６内に存在する加温されたガスがガス排気口８
から排出されるので、導波管２への熱の伝達を抑制する
ことができる。これにより、導波管２に取付けられた装
置構成部品の温度上昇を抑制することができる。また、
導波管２よりも断面積の大きい空洞共振室６にガス排出
口８を設けているので、内部で加温されたガスが溜まり
易い空洞共振室６で効果的にガスを排出することができ
る。
９と輻射熱及び伝導により加熱された空洞共振室９を効
率よく冷却できる位置に対応、この場合、これらの連結
部に対応して、冷却ジャケット１４を設けたが、例え
ば、プラズマ発生室９外周に冷却液を循環させる冷却パ
イプを巻装して配設しても良い。これにより、プラズマ
発生室９及び空洞共振室６を冷却することで、空洞共振
室６，導波管２を介しての伝熱を抑制できる。また、マ
イクロ波導入窓５はガス導入口７から導入される冷却用
のガスによって冷却されるとともに、冷却に用いられ空
洞共振室６内に存在する加温されたガスがガス排気口８
から排出されるので、導波管２への熱の伝達を抑制する
ことができる。これにより、導波管２に取付けられた装
置構成部品の温度上昇を抑制することができる。また、
導波管２よりも断面積の大きい空洞共振室６にガス排出
口８を設けているので、内部で加温されたガスが溜まり
易い空洞共振室６で効果的にガスを排出することができ
る。
【００１１】なお、本実施例ではガス導入口７とガス排
出口８を同じ高さの位置に設けているが、ガス導入口７
を空洞共振室６の下部に設け、ガス排出口８を空洞共振
室６の上部、例えば、側壁上部又は天板に設けるように
すれば、マイクロ波導入窓５を冷却し加温されて空洞共
振室６の上部に上がったガスを効果的に排出することが
できるので、さらに空洞共振室６内のガスの温度上昇を
抑制でき、導波管２に取付けられた装置構成部品の温度
上昇をさらに抑制することができる。
出口８を同じ高さの位置に設けているが、ガス導入口７
を空洞共振室６の下部に設け、ガス排出口８を空洞共振
室６の上部、例えば、側壁上部又は天板に設けるように
すれば、マイクロ波導入窓５を冷却し加温されて空洞共
振室６の上部に上がったガスを効果的に排出することが
できるので、さらに空洞共振室６内のガスの温度上昇を
抑制でき、導波管２に取付けられた装置構成部品の温度
上昇をさらに抑制することができる。
【００１２】また、本実施例において、導波管２と空洞
共振室６との連結部の開口を、紙等のマイクロ波を透過
する部材であって空気を遮断可能な部材によって塞ぐこ
とによって、空洞共振室９内の加温されたガスが導波管
２内に流れないようにすることも有効である。
共振室６との連結部の開口を、紙等のマイクロ波を透過
する部材であって空気を遮断可能な部材によって塞ぐこ
とによって、空洞共振室９内の加温されたガスが導波管
２内に流れないようにすることも有効である。
【００１３】図２及び図３は、空洞共振室９の他の実施
例を示す平面図及び断面図である。本他の実施例では、
マイクロ波導入窓５を効率よく均一に冷却できるよう
に、空洞共振室６下部の複数箇所、この場合、等間隔で
４個所にガス導入口７を設けるとともに、空洞共振室６
上部の複数箇所、この場合、等間隔で４個所にガス排気
口８を設けている。なお、ガス導入口７とガス排出口８
は、上下において同じ位置に設けても良いし、ずらして
設けても良い。
例を示す平面図及び断面図である。本他の実施例では、
マイクロ波導入窓５を効率よく均一に冷却できるよう
に、空洞共振室６下部の複数箇所、この場合、等間隔で
４個所にガス導入口７を設けるとともに、空洞共振室６
上部の複数箇所、この場合、等間隔で４個所にガス排気
口８を設けている。なお、ガス導入口７とガス排出口８
は、上下において同じ位置に設けても良いし、ずらして
設けても良い。
【００１４】これによれば、空洞共振室６内でマイクロ
波導入窓５を均等に冷却できるとともに、空洞共振室６
内の加温されたガスは均等に排出され内部に滞ることが
ないので、導波管２に取付けられた装置構成部品の温度
上昇を抑制することができる。
波導入窓５を均等に冷却できるとともに、空洞共振室６
内の加温されたガスは均等に排出され内部に滞ることが
ないので、導波管２に取付けられた装置構成部品の温度
上昇を抑制することができる。
【００１５】次に、図４により本発明のさらに他の実施
例を説明する。図４はマイクロ波プラズマ処理装置を示
す断面図である。本図において図１と同符号は同一部材
を示し説明を省略する。本図が図１と異なる点は、導波
管２の上部に開口部１５を設け、ガス排気口８に排気装
置１６、例えば排気ポンプを接続した点である。なお、
開口部１５の大きさはマイクロ波の伝播を遮断可能な大
きさであれば良い。
例を説明する。図４はマイクロ波プラズマ処理装置を示
す断面図である。本図において図１と同符号は同一部材
を示し説明を省略する。本図が図１と異なる点は、導波
管２の上部に開口部１５を設け、ガス排気口８に排気装
置１６、例えば排気ポンプを接続した点である。なお、
開口部１５の大きさはマイクロ波の伝播を遮断可能な大
きさであれば良い。
【００１６】排気装置１６の排気流量をガス導入口７か
ら供給するガス流量の値より多くすることにより、導波
管２に設けた開口部１５から装置外部の空気が流れ込
み、導波管２側から空洞共振室６側への空気の流れがで
きる。これによって、空洞共振室６内で加温されたガス
が導波管２側に流れるのを防止でき、また装置外からの
空気によって導波管２内部を冷却することができる。こ
れによって、導波管２に取付けられた装置構成部品の温
度上昇を抑制することができる。
ら供給するガス流量の値より多くすることにより、導波
管２に設けた開口部１５から装置外部の空気が流れ込
み、導波管２側から空洞共振室６側への空気の流れがで
きる。これによって、空洞共振室６内で加温されたガス
が導波管２側に流れるのを防止でき、また装置外からの
空気によって導波管２内部を冷却することができる。こ
れによって、導波管２に取付けられた装置構成部品の温
度上昇を抑制することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、安価な構造でプラズマ
からの入熱による導波管の取付部品への熱の影響をなく
すことができるという効果がある。
からの入熱による導波管の取付部品への熱の影響をなく
すことができるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例であるマイクロ波プラズマ処
理装置を示す縦断面図である。
理装置を示す縦断面図である。
【図２】図１の装置の空洞共振室の他の実施例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図３】図２の空洞共振室をＡ−Ａから見た矢視図であ
る。
る。
【図４】本発明のさらに他の実施例であるマイクロ波プ
ラズマ処理装置を示す縦断面図である。
ラズマ処理装置を示す縦断面図である。
１…マグネトロン、２…導波管、３…アイソレ−タ、４
…整合器、５…マイクロ波導入窓、６…空洞共振室、７
…ガス導入口、８…ガス排気口、９…プラズマ発生室、
１０…導入口、１１…遮蔽板、１２…処理室、１３…試
料台、１４…冷却ジャケット、１５…開口部、１６…排
気装置。
…整合器、５…マイクロ波導入窓、６…空洞共振室、７
…ガス導入口、８…ガス排気口、９…プラズマ発生室、
１０…導入口、１１…遮蔽板、１２…処理室、１３…試
料台、１４…冷却ジャケット、１５…開口部、１６…排
気装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G075 AA22 AA24 CA03 CA26 CA47 DA02 DA11 EA01 EA05 EB01 EC25 4K030 EA06 EA11 FA02 5F004 AA16 BA20 BB14 5F045 AA09 EB02 EH03 EJ04 EJ10
Claims (4)
- 【請求項１】内部でプラズマを用いた試料の処理が行わ
れるプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室に対しマイ
クロ波導入窓を介して前記プラズマ発生室の上部に設け
られ前記プラズマ発生室と略同内径の大きさを有する空
洞共振室と、前記空洞共振室の該内径より小さい開口の
上部開口部に垂直方向に設けられ整合器，アイソレー
タ，マグネトロンが取付けられた導波管とを具備し、前
記空洞共振室の側壁に冷却用のガスを導入するガス導入
口と前記空洞共振室内のガスを排出するガス排出口とを
設けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項２】内部でプラズマを用いた試料の処理が行わ
れるプラズマ発生室と、前記プラズマ発生室に対しマイ
クロ波導入窓を介して前記プラズマ発生室の上部に設け
られ前記プラズマ発生室と略同内径の大きさを有する空
洞共振室と、前記空洞共振室の該内径より小さい開口の
上部開口部に垂直方向に設けられ整合器，アイソレー
タ，マグネトロンが取付けられた導波管とを具備し、前
記空洞共振室の側壁下部に冷却用のガスを導入するガス
導入口を設け、前記空洞共振室の上部にガス排出口を設
けたことを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。 - 【請求項３】請求項１および２記載のマイクロ波プラズ
マ処理装置において、前記ガス導入口は前記マイクロ波
導入窓に向けてガスを吹き付けるように複数箇所設けら
れ、前記ガス排出口を円周上に複数設けたマイクロ波プ
ラズマ処理装置。 - 【請求項４】請求項１および２記載のマイクロ波プラズ
マ処理装置において、前記導波管の上部に開口部を設け
るとともに、前記ガス供給口から供給するガス流量より
も大きい値の排気流量を有する排気装置を前記ガス排出
口に接続し前記ガスを強制排出するマイクロ波プラズマ
処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070987A JP2001257201A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000070987A JP2001257201A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001257201A true JP2001257201A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18589642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000070987A Pending JP2001257201A (ja) | 2000-03-09 | 2000-03-09 | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001257201A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005104203A1 (ja) * | 2004-03-31 | 2005-11-03 | Fujitsu Limited | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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- 2000-03-09 JP JP2000070987A patent/JP2001257201A/ja active Pending
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