JP2001256909A - X線発生装置 - Google Patents
X線発生装置Info
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Abstract
ット径を大幅に小さくすることができ、しかも管電流を
増大させてもそのフォーカススポット径が変化すること
がなく、また、長寿命化が容易なX線発生装置を提供す
る。 【解決手段】 フィルム状基材11にターゲット材料か
らなる微粒子12の複数個を所定の間隔で1個ずつ固定
したターゲット1を用い、そのターゲット1に照射され
る電子ビームBのフォーカススポット内に順次ターゲッ
ト材料からなる微粒子12が1個ずつ位置するようにフ
ィルム状基材11を巻き取る。ターゲット材料からなる
微粒子12の粒径を電子ビームBのフォーカススポット
径よりも小さくすることで、電子ビームBのフォーカス
スポット径よりも小さい領域からX線を発生させること
を可能とし、また、微粒子12の数に比例してX線発生
装置としての寿命を伸ばすことが可能とする。
Description
透視装置や産業用X線CT装置等のX線源として用いら
れるX線発生装置に関する。
てのX線発生装置は、一般に、タングステン等からなる
棒状あるいは板状に形成されたターゲット材料に対し、
フィラメントに通電することにより発生させた熱電子か
らなる電子ビームを照射することによってX線を発生さ
せる、X線管が用いられている。
つ、点光源として鮮明なX線透過像を得るために、ター
ゲット材料の表面にフォーカススポットが照射されるよ
うに絞られる。
な従来のX線発生装置においては、ターゲット材料の表
面に照射される電子ビームのフォーカススポット径が小
さければ小さいほど、点光源としての性能は向上するの
であるが、そのフォーカススポット径はせいぜい1μm
程度が限度であり、高倍率のX線透過像の鮮明度を向上
させるには限度がある。
線強度を増大させるべく管電流を増大させると、電子ビ
ームのフォーカススポット径が大きくなり、X線透過像
の鮮明度が低下するという問題もある。
ト材料を用いたX線発生装置においては、電子ビームの
照射位置における材料の窒化、炭化あるいは蒸発に起因
する劣化により、その寿命は密閉管で1000〜200
0時間程度であり、開放管では200時間程度である。
もので、従来のX線発生装置に比してフォーカススポッ
ト径を大幅に小さくすることができ、しかも管電流を増
大させてもそのフォーカススポット径が変化することが
なく、また、長寿命化が簡単で、長期にわたって鮮明な
X線透視像を得ることのできるX線発生装置の提供を目
的としている。
め、本発明のX線発生装置は、ターゲットに電子ビーム
を照射することによってX線を発生するX線発生装置に
おいて、上記ターゲットは、当該ターゲット表面に照射
される電子ビームのスポット径よりも小径の微粒子状の
ターゲット材料と、そのターゲット材料の複数個を所定
の間隔で1個ずつ固定するフィルム状基材とを含むとと
もに、そのフィルム状基材を、上記微粒子状のターゲッ
ト材料が1個ずつ電子ビームの照射スポット内に位置す
るように順次巻き取る巻き取り機構を備えていることに
よって特徴づけられる(請求項1)。
ーゲット材料の粒径を3〜500nmの範囲とし、か
つ、個々のターゲット材料の粒径が互いに概略揃ってい
ること(請求項2)が望ましい。
て、その微粒子状のターゲット材料に対して任意のフォ
ーカススポット径の電子ビームを照射してX線を発生さ
せることで、電子ビームのフォーカススポット径に大き
さに係わらず、実質的なフォーカススポット径をターゲ
ット材料の粒径とするとともに、その微粒子状のターゲ
ット材料の複数個をフィルム状の基材に固定し、その基
材を巻き取って電子ビームのフォーカススポット内に微
粒子状のターゲット材料を1個ずつ供給することで、実
質的な寿命を長くするものである。
小径の微粒子状のターゲット材料に電子ビームを照射す
ると、X線は微粒子状のターゲット材料から発生するが
故に、その実質的なフォーカススポット径はターゲット
材料の粒径と等価となる。従って、電子ビームのフォー
カススポット径の限度よりも小径の超微細フォーカスス
ポット径を簡単に実現できると同時に、管電流を変更し
てもそのフォーカススポット径が変化することがない。
の寿命は、小径であるが故に短いが、その複数個をフィ
ルム状の基材に固定し、その基材を巻き取ることによっ
て微粒子状のターゲット材料を1個ずつ電子ビームの照
射位置に供給すれば、X線発生装置としての実質的な寿
命はターゲット材料の個数に比例して長くなり、容易に
長寿命化を達成することができる。
粒子状のターゲット材料の粒径を3〜500nmの範囲
とすることで、実質的なフォーカススポット径をナノメ
ートルオーダーとすることが可能となり、基材にこのよ
うな粒径範囲で、かつ、相互の粒径が互いに概略揃った
ものとすることで、ナノメートルオーダーの微細なフォ
ーカススポット径によるX線を継続的に出力することが
可能となり、高倍率で鮮明なX線透過像が得られる。な
お、タングステンのような高融点材料をレーザを用いて
上記の粒径範囲の極微粒子化する技術は既に開発されて
いる(例えば平成11年11月22日付け日経産業新
聞;真空冶金社)。
好適な実施の形態について説明する。図1は本発明の実
施の形態の要部構造を示す模式的斜視図で、X線管内の
ターゲット1への電子ビームBの照射位置近傍を示して
いる。
面に、長手方向に一定の間隔を開けてターゲット材料で
あるタングステン微粒子12を1個ずつ固定したもので
あり、フィルム状基材11は、例えばケブラー(商品
名)等の芳香族ポリアミドをカーボン繊維で強化した材
料であって、このフィルム状基材11の両縁部には、一
定の間隔で孔11aが連続的に形成されている。フィル
ム状基材11としてはタングステン等のターゲット材料
に比して相対的にX線の発生が少なく、更に、発生する
熱を逃がすために熱伝導のよい材料が望ましい。タング
ステン微粒子12は、例えば100nm程度で、各微粒
子の粒径は互いに略揃っている。
が巻き取り機構2の駆動ドラム21と従動ドラム22に
巻き付けられた状態で、ケーシング(X線管)内に収容
される。駆動ドラム21および従動ドラム22には、そ
れぞれの両端部外周にフィルム基材11の両縁部に形成
されている孔11aに対応する突起21a,22aが形
成されており、フィルム状基材11はその各孔11aが
突起21a,22aに嵌まり込んだ状態で各ドラム2
1,22に巻き付けられている。巻き取り機構2は、写
真機のこま送り機構(巻き上げ機構)と同等の機構であ
り、制御部3の制御下にあるモータ23の駆動によって
駆動ドラム21を一定の回転角度ずつ回転させ、フィル
ム状基材11をタングステン微粒子12の配設ピッチと
等しい寸法ずつ巻き取るように構成されている。
同様にして生成されるものであり、熱陰極(フィラメン
ト)から出た電子線をウェーネルト電極等によって集束
し、駆動ドラム21と従動ドラム22の中間位置におい
てターゲット1の表面に焦点を結ぶように導かれる。そ
して、そのフォーカススポット上にタングステン微粒子
12が位置するように、巻き取り機構2によりフィルム
基材11が一定寸法ずつこま送りされる。この実施の形
態における電子ビームBのフォーカススポット径は、例
えば10μm程度とされる。
照射されることによって発生するX線は、フィルム基材
11を透過してケーシング(X線管)に設けられた窓
(図示せず)を介して外部に出力され、例えばX線透視
装置にあっては試料に照射された後にX線カメラに入射
し、表示器に試料のX線透過像を表示する。
明るさをモニタする等の手法により、発生しているX線
の強度を刻々と監視し、タングステン微粒子12の蒸発
やその他の劣化によってX線強度があらかじめ設定され
ている強度にまで低下した時点で、巻き取り機構2のモ
ータ3に駆動指令を与え、新たなタングステン微粒子1
2を電子ビームBのフォーカススポット内に供給する。
ビームBの照射により発生するX線は、粒径100nm
程度のタングステン微粒子12から出る。従って、電子
ビームBのフォーカススポット径が10μm程度であっ
ても、X線は直径100nm程度の領域から発生するこ
とになり、実質的に100nmかそれ以下のフォーカス
スポット径の電子ビームを通常のターゲットに照射した
場合と同等のX線が得られる。
命が例え短いものであっても、X線強度の低下に呼応し
て順次新しいタングステン微粒子12が電子ビームBの
フォーカススポット内に供給されるため、1本のフィル
ム基材11に固定するタングステン微粒子12の数を多
くすることにより、X線発生装置としての寿命を容易に
従来に比して長くすることができる。例えばタングステ
ン微粒子12の1個当たり50時間耐久できるとする
と、フィルム状基材11に200個のタングステン微粒
子12を固定することで、10,000時間の寿命を達
成することができる。
ものに限られることなく、また、ターゲット材料もタン
グステンに限られることなく、発生すべきX線の種類等
に応じた材料を用い得ることは勿論である。また、フィ
ルム基材11をこま送りする機構についても、他の公知
の機構を採用し得ることは言うまでもない。
ム状の基材にタングステン等のターゲット材料からなる
微粒子を所定の間隔を開けて1個ずつ固定したターゲッ
トを用いるとともに、そのフィルム状基材を一定寸法ず
つ巻き取って電子ビームの照射スポット内にターゲット
材料からなる微粒子を供給するように構成しているか
ら、ターゲット材料の微粒子の粒径をナノメートルオー
ダーとすることにより、X線の発生領域を電子ビームの
フォーカススポットよりも大幅に小さいナノメートルオ
ーダーとすることができ、従来のX線発生装置よりもは
るかに小さなX線スポット径を得ることができる。しか
も、このX線スポット径は、管電流を変化させても全く
変化しないという利点がある。
ルム状の基材に固定するターゲット材料からなる微粒子
の数に比例して長くすることが可能となり、従来の棒状
や板状のターゲットを用いる場合に比してより長寿命の
X線発生装置を容易に得ることができる。
視図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 ターゲットに電子ビームを照射すること
によってX線を発生するX線発生装置において、 上記ターゲットは、当該ターゲット表面に照射される電
子ビームのスポット径よりも小径の微粒子状のターゲッ
ト材料と、そのターゲット材料の複数個を所定の間隔で
1個ずつ固定するフィルム状基材とを含むとともに、そ
のフィルム状基材を、上記微粒子状のターゲット材料が
1個ずつ電子ビームの照射スポット内に位置するように
順次巻き取る巻き取り機構を備えていることを特徴とす
るX線発生装置。 - 【請求項2】 上記微粒子状のターゲット材料の粒径が
3〜500nmの範囲にあり、かつ、個々のターゲット
材料の粒径が互いに概略揃っていることを特徴とするX
線発生装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067508A JP2001256909A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | X線発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000067508A JP2001256909A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | X線発生装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001256909A true JP2001256909A (ja) | 2001-09-21 |
Family
ID=18586690
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000067508A Pending JP2001256909A (ja) | 2000-03-10 | 2000-03-10 | X線発生装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001256909A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007123022A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Shimadzu Corp | X線源およびそれに用いられるターゲット |
JP2015523685A (ja) * | 2012-06-14 | 2015-08-13 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft | X線源、その使用およびx線生成方法 |
JP2015526839A (ja) * | 2012-06-14 | 2015-09-10 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft | X線源、x線を発生させる方法ならびに単色のx線を放射するx線源の使用 |
US11882642B2 (en) | 2021-12-29 | 2024-01-23 | Innovicum Technology Ab | Particle based X-ray source |
-
2000
- 2000-03-10 JP JP2000067508A patent/JP2001256909A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2007123022A (ja) * | 2005-10-27 | 2007-05-17 | Shimadzu Corp | X線源およびそれに用いられるターゲット |
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JP2015526839A (ja) * | 2012-06-14 | 2015-09-10 | シーメンス アクチエンゲゼルシヤフトSiemens Aktiengesellschaft | X線源、x線を発生させる方法ならびに単色のx線を放射するx線源の使用 |
US9520262B2 (en) | 2012-06-14 | 2016-12-13 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray source, method for producing X-rays and use of an X-ray source emitting monochromatic X-rays |
RU2611051C2 (ru) * | 2012-06-14 | 2017-02-21 | Сименс Акциенгезелльшафт | Источник рентгеновского излучения и его применение и способ генерации рентгеновского излучения |
US9761405B2 (en) | 2012-06-14 | 2017-09-12 | Siemens Aktiengesellschaft | X-ray source and the use thereof and method for producing X-rays |
US11882642B2 (en) | 2021-12-29 | 2024-01-23 | Innovicum Technology Ab | Particle based X-ray source |
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