JP2001249358A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法Info
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- JP2001249358A JP2001249358A JP2000058437A JP2000058437A JP2001249358A JP 2001249358 A JP2001249358 A JP 2001249358A JP 2000058437 A JP2000058437 A JP 2000058437A JP 2000058437 A JP2000058437 A JP 2000058437A JP 2001249358 A JP2001249358 A JP 2001249358A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 反射型の液晶表示装置およびその製造方法に
関し、生産効率を損なうことなく反射型本来の高開口率
な液晶表示装置およびその製造方法を得る。 【解決手段】 アクティブ素子のチャネル部を被覆しか
つ直上の絶縁膜とともに第１の凹凸部および第１のコン
タクトホールを形成した第１の膜と、前記第１の凹凸部
上および前記第１のコンタクトホール上にそれぞれ第２
の凹凸部と第２のコンタクトホールとを有する第２の膜
と、前記第２のコンタクトホールを介しアクティブ素子
の電極と電気的に接続されかつ前記第２の凹凸部上に形
成された画素電極とを有する。
関し、生産効率を損なうことなく反射型本来の高開口率
な液晶表示装置およびその製造方法を得る。 【解決手段】 アクティブ素子のチャネル部を被覆しか
つ直上の絶縁膜とともに第１の凹凸部および第１のコン
タクトホールを形成した第１の膜と、前記第１の凹凸部
上および前記第１のコンタクトホール上にそれぞれ第２
の凹凸部と第２のコンタクトホールとを有する第２の膜
と、前記第２のコンタクトホールを介しアクティブ素子
の電極と電気的に接続されかつ前記第２の凹凸部上に形
成された画素電極とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報処理端末や映
像機器に用いられる液晶表示装置およびその製造方法に
関し、更に詳しくは入射光を反射することにより表示を
行う反射型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
像機器に用いられる液晶表示装置およびその製造方法に
関し、更に詳しくは入射光を反射することにより表示を
行う反射型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、情報の個人化にともない携帯電話
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、使用環境からの入射光を反射することによりバック
ライトなしで表示が可能な反射型液晶表示装置が注目さ
れている。
の高性能化に見られるように携帯性を重視した情報端末
機器が急速に発達している。これら携帯性のキーポイン
トであるバッテリーでの長時間駆動や薄型軽量化に対
し、使用環境からの入射光を反射することによりバック
ライトなしで表示が可能な反射型液晶表示装置が注目さ
れている。
【０００３】図４は従来の反射型の液晶表示装置および
その製造方法における平面図、図５は図４中A-Bでの断
面を各工程ごとに示した断面構造図である。
その製造方法における平面図、図５は図４中A-Bでの断
面を各工程ごとに示した断面構造図である。
【０００４】図４、図５において１は基板、２ａ、３、
４、５、６ａ、７は薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor；以下TFTと略す）を形成するそれぞれゲート
電極、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソー
ス電極、ドレイン電極、２はゲート電極２ａと一体化し
たゲート配線、６はソース電極６ａと一体化したソース
配線、８はレジスト９をマスクとした加工により第１の
凹凸部８ａならびに第１のコンタクトホール８ｂが形成
される第１の膜、１０は第１の凹凸部８ａを被覆し第２
のコンタクトホール１０ａを有する第２の膜、１１は画
素電極である。
４、５、６ａ、７は薄膜トランジスタ（Thin Film Tr
ansistor；以下TFTと略す）を形成するそれぞれゲート
電極、ゲート絶縁膜、チャネル層、コンタクト層、ソー
ス電極、ドレイン電極、２はゲート電極２ａと一体化し
たゲート配線、６はソース電極６ａと一体化したソース
配線、８はレジスト９をマスクとした加工により第１の
凹凸部８ａならびに第１のコンタクトホール８ｂが形成
される第１の膜、１０は第１の凹凸部８ａを被覆し第２
のコンタクトホール１０ａを有する第２の膜、１１は画
素電極である。
【０００５】まず基板１上に、Ｃｒ、Ｔａ等からなり分
岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配線２を形
成する。次に全面に窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲ
ート絶縁膜３を形成後ゲート電極２ａ上のゲート絶縁膜
３上に非晶質シリコン（以下ａ-Ｓｉと略す）からなる
チャネル層４を形成する。次にチャネル層４の両端に低
抵抗ａ-Ｓｉからなるコンタクト層５とＴｉ、Ａｌ等か
らなるソース電極６ａおよびドレイン電極７とを重畳形
成する。ここでソース電極６ａはソース配線６から分岐
した形に形成する。次に、チャネル層４の保護膜として
全面にＳｉＮからなる第１の膜８を形成しＴＦＴアレイ
が得られる（図５(a)）。
岐したゲート電極２ａを有する複数のゲート配線２を形
成する。次に全面に窒化シリコン（ＳｉＮ）からなるゲ
ート絶縁膜３を形成後ゲート電極２ａ上のゲート絶縁膜
３上に非晶質シリコン（以下ａ-Ｓｉと略す）からなる
チャネル層４を形成する。次にチャネル層４の両端に低
抵抗ａ-Ｓｉからなるコンタクト層５とＴｉ、Ａｌ等か
らなるソース電極６ａおよびドレイン電極７とを重畳形
成する。ここでソース電極６ａはソース配線６から分岐
した形に形成する。次に、チャネル層４の保護膜として
全面にＳｉＮからなる第１の膜８を形成しＴＦＴアレイ
が得られる（図５(a)）。
【０００６】以上のようにＴＦＴを形成後、第１の膜８
上にレジスト９をパターン形成する（図５(b)）。次に
レジスト９をマスクとして第１の膜８を加工し、反射電
極の形成部に多数の微細な第１の凹凸部８ａとドレイン
電極７上に第１のコンタクトホール８ｂとを形成後レジ
スト９を除去する（図５(c)）。次に、全面にアクリル
系樹脂を塗布し第２のコンタクトホール１０ａを有する
第２の膜１０を形成する（図５(d)）。次にＡｌ、Ａｇ
等の反射効率の高い金属を、凹凸を有する第２の膜１０
上ならびに第２のコンタクトホール１０ａを介してドレ
イン電極７に接続して形成し画素電極１１とすることに
よりアクティブ素子アレイ基板が得られる（図４、図５
(e)）。さらに、上記のアクティブ素子アレイ基板に対
向してカラーフィルターと透明電極を有する基板を貼り
合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が完成する。
上にレジスト９をパターン形成する（図５(b)）。次に
レジスト９をマスクとして第１の膜８を加工し、反射電
極の形成部に多数の微細な第１の凹凸部８ａとドレイン
電極７上に第１のコンタクトホール８ｂとを形成後レジ
スト９を除去する（図５(c)）。次に、全面にアクリル
系樹脂を塗布し第２のコンタクトホール１０ａを有する
第２の膜１０を形成する（図５(d)）。次にＡｌ、Ａｇ
等の反射効率の高い金属を、凹凸を有する第２の膜１０
上ならびに第２のコンタクトホール１０ａを介してドレ
イン電極７に接続して形成し画素電極１１とすることに
よりアクティブ素子アレイ基板が得られる（図４、図５
(e)）。さらに、上記のアクティブ素子アレイ基板に対
向してカラーフィルターと透明電極を有する基板を貼り
合わせ、間に液晶を封入して液晶表示装置が完成する。
【０００７】上記のように、第２の膜１０を用い第１の
膜８からなる平面状態の多い第１の凹凸部８ａ上に曲面
状態からなる凹凸を形成し、その上に画素電極１１を形
成することにより、画素電極１１による正反射成分（平
面による反射で鏡面状態を示す）が少なくなる。もっ
て、鏡面状態でなく散乱面状態に近い画素電極が得ら
れ、周辺光の映り込みが抑制されるとともに曲面状態か
らなる凹凸を制御することにより反射光を集光すること
による反射効率の高い液晶表示装置を得ることが可能と
なる。
膜８からなる平面状態の多い第１の凹凸部８ａ上に曲面
状態からなる凹凸を形成し、その上に画素電極１１を形
成することにより、画素電極１１による正反射成分（平
面による反射で鏡面状態を示す）が少なくなる。もっ
て、鏡面状態でなく散乱面状態に近い画素電極が得ら
れ、周辺光の映り込みが抑制されるとともに曲面状態か
らなる凹凸を制御することにより反射光を集光すること
による反射効率の高い液晶表示装置を得ることが可能と
なる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の液晶表示装置およびその製造方法では、保護膜とし
てのＳｉＮからなる第１の凹凸部８ａの形状でもって入
射光に対する反射特性を大まか決定し、その正反射成分
低減を目的として第２の膜１０の塗布形成を行っている
ため、第２の膜１０は第１の凹凸部８ａの平坦部を曲面
状態にする程度に薄く例えば０．５μm程度に形成する
必要がある。第２の膜１０を０．５μmより厚く例えば
１μm以上とすると第１の凹凸部８ａが埋まってしまい
全面平坦な鏡面状態となってしまう。
来の液晶表示装置およびその製造方法では、保護膜とし
てのＳｉＮからなる第１の凹凸部８ａの形状でもって入
射光に対する反射特性を大まか決定し、その正反射成分
低減を目的として第２の膜１０の塗布形成を行っている
ため、第２の膜１０は第１の凹凸部８ａの平坦部を曲面
状態にする程度に薄く例えば０．５μm程度に形成する
必要がある。第２の膜１０を０．５μmより厚く例えば
１μm以上とすると第１の凹凸部８ａが埋まってしまい
全面平坦な鏡面状態となってしまう。
【０００９】よって、液晶表示装置としての明るさを求
めて画素電極１１を大きくすなわち開口率を大きくする
と、画素電極とソース配線６ならびにゲート配線２との
間の距離が近接し、この間の寄生容量が大きくなること
によるクロストークの発生が懸念される。反射型液晶表
示装置の特徴のひとつは、画素電極をアクティブ素子ア
レイ基板の最上層に形成することにより、透過型で開口
率を規制する要因となる配線やアクティブ素子の面積を
考慮する必要がない点である。本来高開口率化に適する
反射型でありながら、この従来の液晶表示装置およびそ
の製造方法では、クロストーク発生の懸念から開口率を
犠牲にする必要が生じる。ここで第１の膜であるＳｉＮ
を厚くすることが考えられるが、この場合ＳｉＮ成膜時
間ならびに第１の凹凸部８ａおよび第１のコンタクトホ
ール８ｂの加工形成時間の延長や、ＳｉＮ厚膜化による
応力増加にともなう基板のそりによる破損等の生産性課
題の発生が懸念される。
めて画素電極１１を大きくすなわち開口率を大きくする
と、画素電極とソース配線６ならびにゲート配線２との
間の距離が近接し、この間の寄生容量が大きくなること
によるクロストークの発生が懸念される。反射型液晶表
示装置の特徴のひとつは、画素電極をアクティブ素子ア
レイ基板の最上層に形成することにより、透過型で開口
率を規制する要因となる配線やアクティブ素子の面積を
考慮する必要がない点である。本来高開口率化に適する
反射型でありながら、この従来の液晶表示装置およびそ
の製造方法では、クロストーク発生の懸念から開口率を
犠牲にする必要が生じる。ここで第１の膜であるＳｉＮ
を厚くすることが考えられるが、この場合ＳｉＮ成膜時
間ならびに第１の凹凸部８ａおよび第１のコンタクトホ
ール８ｂの加工形成時間の延長や、ＳｉＮ厚膜化による
応力増加にともなう基板のそりによる破損等の生産性課
題の発生が懸念される。
【００１０】本発明は上記課題に鑑み、生産効率を損な
うことなく本来の高開口率な液晶表示装置およびその製
造方法を得ることを目的とする。
うことなく本来の高開口率な液晶表示装置およびその製
造方法を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、工程削
減を行いながら厚い層間絶縁膜を導入し、厚い第２の膜
による凹凸制御により画素電極形状を形成する。
に本発明の液晶表示装置およびその製造方法は、工程削
減を行いながら厚い層間絶縁膜を導入し、厚い第２の膜
による凹凸制御により画素電極形状を形成する。
【００１２】この本発明によれば、生産効率を下げるこ
となく高開口率で明るい液晶表示装置およびその製造方
法が得られる。
となく高開口率で明るい液晶表示装置およびその製造方
法が得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、２枚の基板間に挟持された液晶を複数の画素電極を
介して駆動しその液晶により画像を表示する液晶表示装
置において、前期駆動用として液晶表示装置を構成する
アクティブ素子アレイ基板であって、アクティブ素子の
チャネル部を被覆しかつ直上の絶縁膜とともに第１の凹
凸部および第１のコンタクトホールを形成した第１の膜
と、前記第１の凹凸部上および前記第１のコンタクトホ
ール上にそれぞれ第２の凹凸部と第２のコンタクトホー
ルとを有する第２の膜と、前記第２のコンタクトホール
を介しアクティブ素子の電極と電気的に接続されかつ前
記第２の凹凸部上に形成された画素電極とを有すること
を特徴とする液晶表示装置であり、生産効率を下げるこ
となく高開口率な反射型アクティブ素子アレイ基板が得
られるという作用を有する。
は、２枚の基板間に挟持された液晶を複数の画素電極を
介して駆動しその液晶により画像を表示する液晶表示装
置において、前期駆動用として液晶表示装置を構成する
アクティブ素子アレイ基板であって、アクティブ素子の
チャネル部を被覆しかつ直上の絶縁膜とともに第１の凹
凸部および第１のコンタクトホールを形成した第１の膜
と、前記第１の凹凸部上および前記第１のコンタクトホ
ール上にそれぞれ第２の凹凸部と第２のコンタクトホー
ルとを有する第２の膜と、前記第２のコンタクトホール
を介しアクティブ素子の電極と電気的に接続されかつ前
記第２の凹凸部上に形成された画素電極とを有すること
を特徴とする液晶表示装置であり、生産効率を下げるこ
となく高開口率な反射型アクティブ素子アレイ基板が得
られるという作用を有する。
【００１４】請求項２に記載の発明は、絶縁膜と第２の
膜とが有機膜である請求項１記載の液晶表示装置とした
ものであり、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという
作用を有する。
膜とが有機膜である請求項１記載の液晶表示装置とした
ものであり、容易に厚い層間絶縁膜が形成できるという
作用を有する。
【００１５】請求項３に記載の発明は、第１の膜が絶縁
膜をマスクとして加工形成されたSiNである請求項１記
載の液晶表示装置としたものであり、工程数を低減でき
るという作用を有する。
膜をマスクとして加工形成されたSiNである請求項１記
載の液晶表示装置としたものであり、工程数を低減でき
るという作用を有する。
【００１６】請求項４に記載の発明は、画素電極がAlま
たはAl合金またはAgまたはAg合金である請求項１記載の
液晶表示装置としたものであり、高反射率の画素電極が
得られるという作用を有する。
たはAl合金またはAgまたはAg合金である請求項１記載の
液晶表示装置としたものであり、高反射率の画素電極が
得られるという作用を有する。
【００１７】請求項５に記載の発明は、２枚の基板間に
挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動しその液
晶により画像を表示する液晶表示装置の製造方法におい
て、前期駆動用として液晶表示パネルを構成するアクテ
ィブ素子アレイ基板の製造として、基板上にアクティブ
素子をアレイ状に形成する工程と、アクティブ素子のチ
ャネルを保護する第１の膜を全面に形成する工程と、前
記第１の膜上に第１の凹凸部および第１のコンタクトホ
ールを開口した絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を
マスクとし前記第１の膜をエッチングする工程と、前記
第１の凹凸部上および前記第１のコンタクトホール上に
それぞれ第２の凹凸部と第２のコンタクトホールとを有
する第２の膜を形成する工程と、前記第２のコンタクト
ホールを介しアクティブ素子の電極と電気的に接続され
かつ前記第２の凹凸部を被覆した画素電極を形成する工
程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法
であり、生産効率を下げることなく高開口率な反射型ア
クティブ素子アレイ基板が得られるという作用を有す
る。
挟持された液晶を複数の画素電極を介して駆動しその液
晶により画像を表示する液晶表示装置の製造方法におい
て、前期駆動用として液晶表示パネルを構成するアクテ
ィブ素子アレイ基板の製造として、基板上にアクティブ
素子をアレイ状に形成する工程と、アクティブ素子のチ
ャネルを保護する第１の膜を全面に形成する工程と、前
記第１の膜上に第１の凹凸部および第１のコンタクトホ
ールを開口した絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜を
マスクとし前記第１の膜をエッチングする工程と、前記
第１の凹凸部上および前記第１のコンタクトホール上に
それぞれ第２の凹凸部と第２のコンタクトホールとを有
する第２の膜を形成する工程と、前記第２のコンタクト
ホールを介しアクティブ素子の電極と電気的に接続され
かつ前記第２の凹凸部を被覆した画素電極を形成する工
程とを有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法
であり、生産効率を下げることなく高開口率な反射型ア
クティブ素子アレイ基板が得られるという作用を有す
る。
【００１８】請求項６に記載の発明は、絶縁膜および第
２の膜の形成工程が感光性有機膜を材料としたフォトリ
ソグラフィーによるものである請求項５記載の液晶表示
装置の製造方法としたものであり、容易に厚い層間絶縁
膜が形成できるという作用を有する。
２の膜の形成工程が感光性有機膜を材料としたフォトリ
ソグラフィーによるものである請求項５記載の液晶表示
装置の製造方法としたものであり、容易に厚い層間絶縁
膜が形成できるという作用を有する。
【００１９】請求項７に記載の発明は、第１の膜がSiN
である請求項５記載の液晶表示装置の製造方法としたも
のであり、良好なＴＦＴの保護膜が得られるという作用
を有する。
である請求項５記載の液晶表示装置の製造方法としたも
のであり、良好なＴＦＴの保護膜が得られるという作用
を有する。
【００２０】請求項８に記載の発明は、画素電極がAlま
たはAl合金またはAgまたはAg合金である請求項５記載の
液晶表示装置の製造方法としたものであり、高反射率の
画素電極が得られるという作用を有する。
たはAl合金またはAgまたはAg合金である請求項５記載の
液晶表示装置の製造方法としたものであり、高反射率の
画素電極が得られるという作用を有する。
【００２１】以下、本発明の実施の形態について、図
１、図２および図３を用いて説明する。
１、図２および図３を用いて説明する。
【００２２】（実施の形態１）図１は液晶表示装置のア
クティブ素子アレイ基板における画素部の断面構造を示
し、図２は同様に画素部の平面図、図３は図２中Ｃ-Ｄ
での断面を各工程ごとに示す。
クティブ素子アレイ基板における画素部の断面構造を示
し、図２は同様に画素部の平面図、図３は図２中Ｃ-Ｄ
での断面を各工程ごとに示す。
【００２３】図１、図２および図３において、２０は絶
縁膜、２１、２２は第１の膜８と絶縁膜２０とからなる
第１のコンタクトホールおよび第１の凹凸部、２３は絶
縁膜２０を被覆して形成した第２の膜、２３ａ、２３ｂ
は第２のコンタクトホールおよび第２の凹凸部である。
これらおよびその他の構成において、従来例として図
４、図５に示した液晶表示装置およびその製造方法と同
一構成部分については同一番号を、同一作用部分につい
ては同一名称を付して詳細な説明を省略する。
縁膜、２１、２２は第１の膜８と絶縁膜２０とからなる
第１のコンタクトホールおよび第１の凹凸部、２３は絶
縁膜２０を被覆して形成した第２の膜、２３ａ、２３ｂ
は第２のコンタクトホールおよび第２の凹凸部である。
これらおよびその他の構成において、従来例として図
４、図５に示した液晶表示装置およびその製造方法と同
一構成部分については同一番号を、同一作用部分につい
ては同一名称を付して詳細な説明を省略する。
【００２４】まず、ガラスからなる基板１上に、Arガス
を用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ10
0/200/100nm積層して成膜後、分岐したゲート電極２ａ
を有する複数のゲート配線２を形成する。次に、プラズ
マ化学気相蒸着法（以下p-CVD法と略す）によりSiNx、
ａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉの３層を成膜後、ＴＦＴ領域以
外のａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉをエッチング除去し島状の
それぞれチャネル層４とコンタクト層５ならびに全面に
わたるゲート絶縁膜３を形成する。次に、再度Arガスを
用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ100/
200/100nm積層して成膜後、複数のソース配線６とこれ
から分岐したＴＦＴのソース電極６ａならびにドレイン
電極７のパターンに加工する。ここで同時にコンタクト
層５は、ソースならびにドレインの領域に分離形成され
る。次に、全面にp-CVD法によりチャネル層４の保護膜
としてＳｉＮからなる第１の膜８を形成しＴＦＴアレイ
が得られる（図３(a)）。
を用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ10
0/200/100nm積層して成膜後、分岐したゲート電極２ａ
を有する複数のゲート配線２を形成する。次に、プラズ
マ化学気相蒸着法（以下p-CVD法と略す）によりSiNx、
ａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉの３層を成膜後、ＴＦＴ領域以
外のａ-Ｓｉ、低抵抗ａ-Ｓｉをエッチング除去し島状の
それぞれチャネル層４とコンタクト層５ならびに全面に
わたるゲート絶縁膜３を形成する。次に、再度Arガスを
用いたスパッタリング法によりTi/Al/Tiをそれぞれ100/
200/100nm積層して成膜後、複数のソース配線６とこれ
から分岐したＴＦＴのソース電極６ａならびにドレイン
電極７のパターンに加工する。ここで同時にコンタクト
層５は、ソースならびにドレインの領域に分離形成され
る。次に、全面にp-CVD法によりチャネル層４の保護膜
としてＳｉＮからなる第１の膜８を形成しＴＦＴアレイ
が得られる（図３(a)）。
【００２５】以上のように従来例と同様にＴＦＴを形成
後、第１の膜８上に感光性アクリル系樹脂（ＪＳＲ社製
ＰＣ３０５）を約３μm塗布しフォトリソグラフィーに
よりドレイン電極７上にコンタクトホールと画素部に凹
凸を有する形状に加工し絶縁膜２０を形成する。次に、
絶縁膜２０をマスクとして弗化炭素ガスからなるプラズ
マを用いたドライエッチングにより第１の膜８を加工
し、第１の膜８と絶縁膜２０とからなる第１のコンタク
トホール２１と第１の凹凸部２２とを形成する（図３
(b)）。次に、再度全面に感光性アクリル系樹脂（ＪＳ
Ｒ社製ＰＣ３０５）を約１μm塗布しフォトリソグラフ
ィーにより第１のコンタクトホール２１と重ねて第２の
コンタクトホール２３ａを形成した第２の膜２３を形成
する。
後、第１の膜８上に感光性アクリル系樹脂（ＪＳＲ社製
ＰＣ３０５）を約３μm塗布しフォトリソグラフィーに
よりドレイン電極７上にコンタクトホールと画素部に凹
凸を有する形状に加工し絶縁膜２０を形成する。次に、
絶縁膜２０をマスクとして弗化炭素ガスからなるプラズ
マを用いたドライエッチングにより第１の膜８を加工
し、第１の膜８と絶縁膜２０とからなる第１のコンタク
トホール２１と第１の凹凸部２２とを形成する（図３
(b)）。次に、再度全面に感光性アクリル系樹脂（ＪＳ
Ｒ社製ＰＣ３０５）を約１μm塗布しフォトリソグラフ
ィーにより第１のコンタクトホール２１と重ねて第２の
コンタクトホール２３ａを形成した第２の膜２３を形成
する。
【００２６】このとき第２の膜２３は第１の凹凸部２２
上を覆い、反射電極に適した凹凸形状を有する第２の凹
凸部２３ｂを形成する（図３(ｃ)）。次に全面にＡｌを
成膜後、第２の凹凸部２３ｂを覆い第２のコンタクトホ
ール２３ａを通じてドレイン電極７と電気的に接続する
とともにゲート配線２の一部ならびにソース配線６の一
部に重なり合うまで伸延した画素電極１１に加工形成す
ることによりアクティブ素子アレイ基板が得られる（図
２、図３(ｄ)）。さらに、従来例と同様に上記のアクテ
ィブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明
電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液
晶表示装置が完成する。
上を覆い、反射電極に適した凹凸形状を有する第２の凹
凸部２３ｂを形成する（図３(ｃ)）。次に全面にＡｌを
成膜後、第２の凹凸部２３ｂを覆い第２のコンタクトホ
ール２３ａを通じてドレイン電極７と電気的に接続する
とともにゲート配線２の一部ならびにソース配線６の一
部に重なり合うまで伸延した画素電極１１に加工形成す
ることによりアクティブ素子アレイ基板が得られる（図
２、図３(ｄ)）。さらに、従来例と同様に上記のアクテ
ィブ素子アレイ基板に対向してカラーフィルターと透明
電極を有する基板を貼り合わせ、間に液晶を封入して液
晶表示装置が完成する。
【００２７】以上の実施の形態１によれば、厚い第１の
凹凸部２２を有することにより、第２の膜２３を厚く形
成することが可能となり、生産タクトを大きく変えるこ
となくクロストークの発生懸念を低減して画素電極１１
をソース配線６ならびにゲート配線２近傍にまで形成で
きるという作用を有する。
凹凸部２２を有することにより、第２の膜２３を厚く形
成することが可能となり、生産タクトを大きく変えるこ
となくクロストークの発生懸念を低減して画素電極１１
をソース配線６ならびにゲート配線２近傍にまで形成で
きるという作用を有する。
【００２８】なお以上の説明では、画素電極１１をAlか
らなるものとしたが、画素電極１１はドレイン電極７と
電気的に接合し高反射率のものであれば何でもよく例え
ばAl合金またはAgまたはAg合金からなるものとしてもよ
い。さらに、アクティブ素子をＴＦＴからなるものとし
たが、ＭＩＭ等の非線形２端子素子としてもよいことは
明らかである。
らなるものとしたが、画素電極１１はドレイン電極７と
電気的に接合し高反射率のものであれば何でもよく例え
ばAl合金またはAgまたはAg合金からなるものとしてもよ
い。さらに、アクティブ素子をＴＦＴからなるものとし
たが、ＭＩＭ等の非線形２端子素子としてもよいことは
明らかである。
【００２９】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、フォトリ
ソグラフィーにより形成した絶縁膜２０をマスクとして
第１の膜８を加工し絶縁膜２０を残したままの厚い第１
の凹凸部２２を有することにより、第２の膜２３を厚く
形成することが可能となる。もって生産タクトを大きく
変えることなく高開口化のために画素電極１１をソース
配線６ならびにゲート配線２近傍に形成してもクロスト
ークの発生を抑制できるという有利な効果がもたらされ
る。
ソグラフィーにより形成した絶縁膜２０をマスクとして
第１の膜８を加工し絶縁膜２０を残したままの厚い第１
の凹凸部２２を有することにより、第２の膜２３を厚く
形成することが可能となる。もって生産タクトを大きく
変えることなく高開口化のために画素電極１１をソース
配線６ならびにゲート配線２近傍に形成してもクロスト
ークの発生を抑制できるという有利な効果がもたらされ
る。
【図１】実施の形態における液晶表示装置およびその製
造方法を示した断面構造図
造方法を示した断面構造図
【図２】実施の形態における液晶表示装置およびその製
造方法を示した平面図
造方法を示した平面図
【図３】実施の形態における液晶表示装置およびその製
造方法を各工程において示した断面構造図
造方法を各工程において示した断面構造図
【図４】従来の液晶表示装置およびその製造方法におけ
る平面図
る平面図
【図５】従来の液晶表示装置およびその製造方法におけ
る各工程を示した断面構造図
る各工程を示した断面構造図
【符号の説明】 １ 基板 ２ ゲート配線 ２ａ ゲート電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ チャネル層 ５ コンタクト層 ６ ソース配線 ６ａ ソース電極 ７ ドレイン電極 ８ 第１の膜 ８ａ、２２ 第１の凹凸部 ８ｂ、２１ 第１のコンタクトホール ９ レジスト １０、２３ 第２の膜 １０ａ、２３ａ 第２のコンタクトホール １１ 画素電極 ２０ 絶縁膜 ２３ｂ 第２の凹凸部
フロントページの続き (72)発明者 坊下 純二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 浅野 悟久 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 櫻井 芳亘 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 2H091 FA14Y FB04 FB08 FC02 FC10 FC26 FD04 FD12 FD23 GA13 HA07 LA03 LA12 LA16 2H092 HA05 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JA47 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB52 JB56 JB63 JB69 KA05 KA07 KA12 KA16 KA18 KB24 KB25 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA35 MA37 MA41 NA07 NA18 NA25 NA27 NA29 PA12 QA07 5C094 AA09 BA03 BA04 BA43 CA19 DA14 DA15 EA04 EA07 EB02 FB01 FB12 FB15 GB10 5F110 AA30 BB02 CC07 DD02 EE03 EE04 EE15 EE44 FF03 FF30 GG02 GG45 HK03 HK04 HK08 HK22 HK35 HL02 HL03 HL06 NN02 NN03 NN24 NN27 NN35 NN72
Claims (8)
- 【請求項１】 ２枚の基板間に挟持された液晶を複数の
画素電極を介して駆動しその液晶により画像を表示する
液晶表示装置において、前期駆動用として液晶表示装置
を構成するアクティブ素子アレイ基板であって、アクテ
ィブ素子のチャネル部を被覆しかつ直上の絶縁膜ととも
に第１の凹凸部および第１のコンタクトホールを形成し
た第１の膜と、前記第１の凹凸部上および前記第１のコ
ンタクトホール上にそれぞれ第２の凹凸部と第２のコン
タクトホールとを有する第２の膜と、前記第２のコンタ
クトホールを介しアクティブ素子の電極と電気的に接続
されかつ前記第２の凹凸部上に形成された画素電極とを
有することを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 絶縁膜と第２の膜とが有機膜である請求
項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項３】 第１の膜が絶縁膜をマスクとして加工形
成されたSiNである請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 画素電極がAlまたはAl合金またはAgまた
はAg合金である請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】 ２枚の基板間に挟持された液晶を複数の
画素電極を介して駆動しその液晶により画像を表示する
液晶表示装置の製造方法において、前期駆動用として液
晶表示パネルを構成するアクティブ素子アレイ基板の製
造として、基板上にアクティブ素子をアレイ状に形成す
る工程と、アクティブ素子のチャネルを保護する第１の
膜を全面に形成する工程と、前記第１の膜上に第１の凹
凸部および第１のコンタクトホールを開口した絶縁膜を
形成する工程と、前記絶縁膜をマスクとし前記第１の膜
をエッチングする工程と、前記第１の凹凸部上および前
記第１のコンタクトホール上にそれぞれ第２の凹凸部と
第２のコンタクトホールとを有する第２の膜を形成する
工程と、前記第２のコンタクトホールを介しアクティブ
素子の電極と電気的に接続されかつ前記第２の凹凸部を
被覆した画素電極を形成する工程とを有することを特徴
とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 絶縁膜および第２の膜の形成工程が感光
性有機膜を材料としたフォトリソグラフィーによるもの
である請求項５記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項７】 第１の膜がSiNである請求項５記載の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項８】 画素電極がAlまたはAl合金またはAgまた
はAg合金である請求項５記載の液晶表示装置の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058437A JP2001249358A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000058437A JP2001249358A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001249358A true JP2001249358A (ja) | 2001-09-14 |
Family
ID=18579030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000058437A Pending JP2001249358A (ja) | 2000-03-03 | 2000-03-03 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001249358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004004164A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2015065438A (ja) * | 2002-05-13 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
-
2000
- 2000-03-03 JP JP2000058437A patent/JP2001249358A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015065438A (ja) * | 2002-05-13 | 2015-04-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US9508756B2 (en) | 2002-05-13 | 2016-11-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US9966390B2 (en) | 2002-05-13 | 2018-05-08 | Semicondutcor Energy Laboratory Co., LTD. | Display device |
| JP2004004164A (ja) * | 2002-05-30 | 2004-01-08 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置及びその製造方法 |
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