JP2001244475A

JP2001244475A - 半導体回路

Info

Publication number: JP2001244475A
Application number: JP2001014643A
Authority: JP
Inventors: Hideki Uoji; 秀貴魚地; Yasuhiko Takemura; 保彦竹村
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1993-03-22
Filing date: 2001-01-23
Publication date: 2001-09-07
Anticipated expiration: 2019-06-07
Also published as: JP3535463B2

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造を有する特性
の優れた結晶性シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）お
よび、そのようなＴＦＴを製造する方法を提供する。【解決手段】絶縁表面を有する基板１０と、前記絶縁表
面上に形成された薄膜トランジスタを有する半導体回路
において、前記薄膜トランジスタは、前記絶縁表面上に
形成された結晶性半導体膜１２と、前記結晶性半導体膜
上に形成された絶縁膜１４と、前記絶縁膜上に形成され
たゲイト電極１５とを有し、前記結晶性半導体膜は、ソ
ース領域及びドレイン領域１８並びに前記ソース領域と
前記ドレイン領域との間にチャネル形成領域並びに前記
ソース領域と前記チャネル形成領域との間及び前記ドレ
イン領域と前記チャネル形成領域との間にそれぞれ低濃
度不純物領域１６とを有し、前記低濃度不純物領域に
は、元素が２×１０¹⁹ｃｍ^-3以下の濃度で含むことを特
徴とする半導体回路である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、非単結晶半導体薄膜を
有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびその作製方法
に関するものである。本発明によって作製される薄膜ト
ランジスタは、ガラス等の絶縁基板上、単結晶シリコン
等の半導体基板上、いずれにも形成される。特に本発明
は、熱アニールによる結晶化、活性化を経て作製される
薄膜トランジスタに関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、絶縁基板上に、薄膜状の活性層
（活性領域ともいう）を有する絶縁ゲイト型の半導体装
置の研究がなされている。特に、薄膜状の絶縁ゲイトト
ランジスタ、いわゆる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が熱
心に研究されている。これらは、利用する半導体の材料
・結晶状態によって、アモルファスシリコンＴＦＴや結
晶性シリコンＴＦＴというように区別されている。結晶
性シリコンとは言っても、単結晶ではない非単結晶のも
のである。

【０００３】一般にアモルファス状態の半導体の電界移
動度は小さく、したがって、高速動作が要求されるＴＦ
Ｔには利用できない。また、アモルファスシリコンで
は、Ｐ型の電界移動度は著しく小さいので、Ｐチャネル
型のＴＦＴ（ＰＭＯＳのＴＦＴ）を作製することができ
ず、したがって、Ｎチャネル型ＴＦＴ（ＮＭＯＳのＴＦ
Ｔ）と組み合わせて、相補型のＭＯＳ回路（ＣＭＯＳ）
を形成することができない。

【０００４】一方、結晶半導体は、アモルファス半導体
よりも電界移動度が大きく、したがって、高速動作が可
能である。結晶性シリコンでは、ＮＭＯＳのＴＦＴだけ
でなく、ＰＭＯＳのＴＦＴも同様に得られるのでＣＭＯ
Ｓ回路を形成することが可能である。また、より良い特
性を得るには、単結晶半導体のＭＯＳＩＣでおこなわれ
ているようなＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造を設けるこ
とが好ましいと指摘されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ＬＤＤ構造を得るため
には、以下のプロセスが必要である。島状半導体領域、ゲイト絶縁膜の形成ゲイト電極の形成低濃度の不純物の導入（イオン注入法もしくはイオ
ンドーピング法による）ＬＤＤ領域のマスクの形成（ゲイト電極を覆う絶縁
膜の異方性エッチングもしくはゲイト電極の陽極酸化等
の選択的酸化法による）高濃度の不純物の導入（イオン注入法もしくはイオ
ンドーピング法による）不純物の活性化（レーザーアニールもしくは熱アニ
ールによる）

【０００６】これらのプロセスの中で最大の問題点は
の工程である。レーザーアニールとは、レーザーもしく
はそれと同等な強光を照射することによってアモルファ
スシリコンを活性化させる方法であるが、レーザーの出
力の不安定性や極めて短時間のプロセスであることに由
来する不安定性のために量産実用化の目処がついていな
い。また、レーザー光はゲイト電極の上から照射される
ので、ＬＤＤ領域はの工程で形成されたマスクに遮ら
れて十分な活性化が期待できない。

【０００７】現在、実用的に採用できると考えられる方
法は、熱によってシリコン中の不純物を活性化させる方
法である。この方法では、ＬＤＤの領域も十分に活性化
され、バッチ間のばらつきも少ない。しかし、通常、シ
リコン膜中の不純物を活性化させるには６００℃程度の
温度での長時間のアニールか、もしくは１０００℃以上
の高温でのアニールが必要であった。後者の方法を採用
すれば選択できる基板が石英に限られ、基板コストが非
常に高くなった。前者の方法では基板選択の余地は拡が
るが、安価な基板を使用すれば、熱アニールの際の基板
の収縮等が問題となり、マスク合わせ失敗等による歩留
り低下が指摘され、より低温での処理が求められてい
る。具体的には、基板として用いられる各種無アルカリ
ガラスの歪み温度以下（好ましくはガラスの歪み温度よ
り５０℃以上低い温度）でおこなうことが望まれてい
る。本発明はこのような困難な課題に対して解答を与え
んとするものである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者の研究の結果、
実質的にアモルファス状態のシリコン被膜に微量の触媒
元素を添加することによって結晶化を促進させ、結晶化
温度を低下させ、結晶化時間を短縮できることが明らか
になった。触媒元素としては、ニッケル（Ｎｉ）、鉄
（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）が好まし
い。具体的には、これら触媒元素の単体、もしくはそれ
らの珪化物等の化合物被膜をアモルファスシリコンに密
着させ、あるいはイオン注入法等の方法によってアモル
ファスシリコン膜中にこれらの触媒元素を導入し、その
後、これを適当な温度、典型的には５８０℃以下の温度
で熱アニールすることによって結晶化させることができ
る。

【０００９】当然のことであるが、アニール温度が高い
ほど結晶化時間は短いという関係がある。また、ニッケ
ル、鉄、コバルト、白金の濃度が大きいほど結晶化温度
が低く、結晶化時間が短いという関係がある。本発明人
の研究では、結晶化を進行させるには、これらのうちの
少なくとも１つの元素の濃度が１×１０¹⁵ｃｍ^-3以上、
好ましくは５×１０¹⁸ｃｍ^-3以上存在することが必要で
あることがわかった。

【００１０】一方、上記触媒材料はいずれもシリコンに
とっては好ましくない材料であるので、できるだけその
濃度が低いことが望まれる。本発明人の研究では、これ
らの触媒材料の濃度は合計して２×１０¹⁹ｃｍ^-3を越え
ないことが望まれる。

【００１１】本発明人は、この触媒元素の効果に着目
し、これを利用することによって上記の問題を解決でき
ることを見出した。すなわち、本発明においては、これ
らの触媒元素を不純物導入によってアモルファス状態と
なったシリコン中に導入することによって、結晶化温度
を低下させ、ドーピング不純物の活性化（再結晶化）の
温度を低下させる。特に本発明人の研究によれば、イオ
ン注入法やイオンドーピング法によって最初から均等に
触媒元素が分布している場合には、極めて結晶化が進行
しやすかった。典型的には５５０℃以下の温度で十分に
結晶化、活性化が可能であり、また、アニール時間も８
時間以内、典型的には４時間以内で十分であることがわ
かった。

【００１２】また、従来の熱アニールによる結晶化では
１０００Å以下のシリコン膜を結晶化させることは困難
であったが、本発明では極めて容易に、しかも、より低
い温度、より短時間に結晶化させることができた。１０
００Å以下、特に５００Å以下の薄い活性領域のＴＦＴ
は特性が優れるだけでなく、段差が小さいためにゲイト
絶縁膜やゲイト電極の段差部での不良が少なく、歩留り
が高いという利点を有していた。しかしながら、従来は
結晶化が困難であるという理由によって、レーザーアニ
ールによる結晶化以外には作製する方法がなかった。本
発明は、それまでレーザーアニールによって独占されて
いた技術領域を熱アニールによって実施でき、また、上
記理由による歩留りを向上できるという意味でも画期的
なものである。以下に実施例を用いて、より詳細に本発
明を説明する。

【００１３】

【実施例】〔実施例１〕図１に本実施例の作製工程の
断面図を示す。まず、基板（コーニング７０５９）１０
上にスパッタリング法によって厚さ２０００Åの酸化珪
素の下地膜１１を形成した。さらに、プラズマＣＶＤ法
によって、厚さ５００〜１５００Å、例えば１５００Å
の真性（Ｉ型）のアモルファスシリコン膜１２を、さら
にその上にスパッタリング法によって厚さ２００Åの酸
化珪素膜１３を堆積した。そして、このシリコン膜にイ
オン注入法によって、ニッケルイオンを注入した。ドー
ズ量は２×１０¹³〜２×１０¹⁴ｃｍ^-2、例えば５×１０
¹³ｃｍ^-2とした。この結果、アモルファスシリコン膜１
２のニッケルの濃度は、５×１０¹⁸ｃｍ ^-3程度になっ
た。この工程は珪化ニッケル膜を５〜１００Å被着させ
ることによっても代用できる。ただし、その際には酸化
珪素膜１３は無いほうが望ましい。（図１（Ａ））

【００１４】そして、このアモルファスシリコン膜を窒
素雰囲気中、５５０℃、４時間アニールして結晶化させ
た。アニール後、シリコン膜をパターニングして、島状
シリコン領域１２ａを形成し、さらに、スパッタリング
法によって厚さ１０００Åの酸化珪素膜１４をゲイト絶
縁膜として堆積した。スパッタリングには、ターゲット
として酸化珪素を用い、スパッタリング時の基板温度は
２００〜４００℃、例えば２５０℃、スパッタリング雰
囲気は酸素とアルゴンで、アルゴン／酸素＝０〜０．
５、例えば０．１以下とした。

【００１５】引き続いて、減圧ＣＶＤ法によって、厚さ
３０００〜８０００Å、例えば６０００Åのシリコン膜
（０．１〜２％の燐を含む）を堆積した。なお、この酸
化珪素とシリコン膜の成膜工程は連続的におこなうこと
が望ましい。そして、シリコン膜をパターニングして、
ゲイト電極１５を形成した。（図１（Ｂ））

【００１６】次に、プラズマドーピング法によって、シ
リコン領域にゲイト電極をマスクとして不純物（燐）を
注入した。ドーピングガスとして、フォスフィン（ＰＨ
₃）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例えば８０ｋ
Ｖとした。ドーズ量は１×１０¹³〜８×１０¹³ｃｍ^-2、
例えば、２×１０¹³ｃｍ^-2とした。この結果、Ｎ型の低
濃度不純物領域１６ａ、１６ｂが形成された。（図１
（Ｃ））

【００１７】続いて、クエン酸溶液（１〜５％）に基板
を浸漬して、ゲイト電極に電流を通じ、ゲイト電極の表
面に陽極酸化物層１７を成長させた。陽極酸化物の厚さ
は１０００〜５０００Å、特に２０００〜３０００Åが
好ましかった。ここでは２５００Åとした。そして、再
び、プラズマドーピング法によって、シリコン領域にゲ
イト電極とその周囲の陽極酸化物をマスクとして不純物
（燐）を注入した。ドーピングガスとして、フォスフィ
ン（ＰＨ₃）を用い、加速電圧を６０〜９０ｋＶ、例え
ば８０ｋＶとした。ドーズ量は１×１０¹⁵〜８×１０¹⁵
ｃｍ^-2、例えば、２×１０¹⁵ｃｍ^-2とした。この結果、
Ｎ型の高濃度不純物領域１８ａ、１８ｂが形成された。
また、陽極酸化物がマスクとなって、一部には先に形成
された低濃度不純物領域（ＬＤＤ）が残存した。（図１
（Ｄ））

【００１８】その後、窒素雰囲気中、５００℃で４時間
アニールすることによって、不純物を活性化させた。こ
の活性化の温度は先の結晶化の温度よりも低いことが望
ましい。これは基板の収縮を極力少なくするためであ
る。このとき、シリコン膜中にはニッケルが分布してい
るので、低温のアニールにも関わらず再結晶化が容易に
進行した。こうして不純物領域１６ａ、１６ｂおよび１
８ａ、１８ｂを活性化できた。ここで注目すべきこと
は、この活性化プロセスが熱アニールによるため、レー
ザーアニール法では、十分な活性化が不可能であったＬ
ＤＤも活性化されたことである。また、不純物領域と活
性領域の結晶性も連続的であった。

【００１９】続いて、厚さ６０００Åの酸化珪素膜１９
を層間絶縁物としてプラズマＣＶＤ法によって形成し、
これにコンタクトホールを形成して、金属材料、例え
ば、窒化チタンとアルミニウムの多層膜によってＴＦＴ
のソース領域、ドレイン領域の電極・配線２０を形成し
た。最後に、１気圧の水素雰囲気で３５０℃、３０分の
アニールをおこなった。以上の工程によって薄膜トラン
ジスタが完成した。（図１（Ｅ））２次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）法によってニッケルの
濃度を調べたところ、ＴＦＴの不純物領域、活性領域と
も、１×１０¹⁸〜５×１０¹⁸ｃｍ^-3の濃度で検出され
た。

【００２０】〔実施例２〕図２に本実施例の作製工程
の断面図を示す。まず、基板（コーニング７０５９）２
１上にスパッタリング法によって厚さ２０００Åの酸化
珪素の下地膜２２を形成した。さらに、プラズマＣＶＤ
法によって、厚さ５００〜１５００Å、例えば５００Å
の真性（Ｉ型）のアモルファスシリコン膜を堆積した。
そして、このシリコン膜をパターニングして、島状シリ
コン膜２３を形成した。

【００２１】さらに、テトラ・エトキシ・シラン（Ｓｉ
（ＯＣ₂Ｈ₅）₄、ＴＥＯＳ）と酸素を原料として、プ
ラズマＣＶＤ法によって結晶シリコンＴＦＴのゲイト絶
縁膜として、厚さ１０００Åの酸化珪素２４を形成し
た。原料には、上記ガスに加えて、トリクロロエチレン
（Ｃ₂ＨＣｌ₃）を用いた。成膜前にチャンバーに酸素
を４００ＳＣＣＭ流し、基板温度３００℃、全圧５Ｐ
ａ、ＲＦパワー１５０Ｗでプラズマを発生させ、この状
態を１０分保った。その後、チャンバーに酸素３００Ｓ
ＣＣＭ、ＴＥＯＳを１５ＳＣＣＭ、トリクロロエチレン
を２ＳＣＣＭを導入して、酸化珪素膜の成膜をおこなっ
た。基板温度、ＲＦパワー、全圧は、それぞれ３００
℃、７５Ｗ、５Ｐａであった。成膜完了後、チャンバー
に１００Ｔｏｒｒの水素を導入し、３５０℃で３５分の
水素アニールをおこなった。

【００２２】引き続いて、スパッタリング法によって、
厚さ３０００〜８０００Å、例えば６０００Åのタンタ
ル膜を堆積した。タンタルの代わりにチタンやタングス
テン、モリブテン、シリコンでもよい。但し、後の活性
化に耐えられるだけの耐熱性が必要である。なお、この
酸化珪素２４とタンタル膜の成膜工程は連続的におこな
うことが望ましい。そして、タンタル膜をパターニング
して、ＴＦＴのゲイト電極２６を形成した。ゲイト電極
の幅（＝チャネル長）は５〜２０μｍとした。（図２
（Ａ））

【００２３】次に、イオン注入法によって、アモルファ
スシリコン領域にゲイト電極をマスクとして不純物
（燐）を注入した。加速電圧は８０ｋＶとした。ドーズ
量は２×１０¹³ｃｍ^-2とした。この結果、Ｎ型の低濃度
不純物領域２６ａ、２６ｂが形成された。（図２
（Ｂ））引き続いて、イオン注入法によって、ゲイト電極をマス
クとしてニッケルを注入した。ドーズ量は２×１０¹³〜
２×１０¹⁴ｃｍ^-2、例えば１×１０¹⁴ｃｍ^-2とした。こ
の結果、アモルファスシリコン領域２３のニッケルの濃
度は、１×１０ ¹⁹ｃｍ^-3程度になった。（図２（Ｃ））

【００２４】次に、このタンタル配線の表面を陽極酸化
して、表面に酸化物層２７を形成した。陽極酸化は、酒
石酸の１〜５％エチレングリコール溶液中でおこなっ
た。得られた酸化物層の厚さは２０００Åであった。そ
して、再びイオン注入法によって、ゲイト電極をマスク
として不純物（燐）を注入した。加速電圧を８０ｋＶと
し、ドーズ量は２×１０¹⁵ｃｍ^-2とした。この結果、Ｎ
型の高濃度不純物領域２８ａ、２８ｂが形成された。
（図２（Ｄ））

【００２５】その後、窒素雰囲気中、５００℃で４時間
アニールすることによって、アモルファスシリコン膜の
結晶化および不純物の活性化をおこなった。このとき、
Ｎ型不純物領域２８ａ、２８ｂおよび２６ａおよび２６
ｂにはニッケルが注入されているので、このアニールに
よって活性化が容易に進行した。一方、ゲイト電極の下
の活性領域にはニッケルは注入されなかったが、不純物
領域２６からニッケルが拡散することによって、結晶化
が進行した。１０μｍ以下のチャネル長では完全に結晶
化することができた。しかし、それ以上のチャネル長で
は完全に結晶化することは困難であった。しかし、アニ
ール温度を５５０℃としたところ、２０μｍのチャネル
長のものでも活性領域の結晶化が認められた。このよう
な横方向の結晶化を促進するには、アニール温度を上げ
るか、アニール時間を長くすると良いことが明らかにな
った。

【００２６】続いて、層間絶縁物として厚さ２０００Å
の酸化珪素膜２９をＴＥＯＳを原料とするプラズマＣＶ
Ｄ法によって形成し、これにコンタクトホールを形成し
て、金属材料、例えば、窒化チタンとアルミニウムの多
層膜によってソース、ドレイン電極・配線３０を形成し
た。以上の工程によって半導体回路が完成した。（図２
（Ｅ））

【００２７】作製された薄膜トランジスタの電界効果移
動度は、ゲイト電圧１０Ｖで７０〜１００ｃｍ²／Ｖ
ｓ、しきい値は２．５〜４．０Ｖ、ゲイトに−２０Ｖの
電圧を印加したときのリーク電流は１０^-13Ａ以下であ
った。

【００２８】

【発明の効果】本発明は、例えば、５００〜５５０℃と
いうような低温、かつ、４時間という短時間でアモルフ
ァスシリコン膜の結晶化およびシリコン中のドーピング
不純物の活性化をおこなうことによって、スループット
を向上させることができる。加えて、従来、６００℃以
上のプロセスを採用した場合にはガラス基板の縮みが歩
留り低下の原因として問題となっていたが、本発明を利
用することによってそのような問題点は一気に解消でき
た。

【００２９】このことは、大面積の基板を一度に処理で
きることを意味するものである。すなわち、大面積基板
を処理することによって、１枚の基板から多くの半導体
回路（マトリクス回路等）を切りだすことによって単価
を大幅に低下させることができる。これを液晶ディスプ
レーに応用した場合には、量産性の向上と特性の改善が
図られる。

【００３０】本明細書においては、実施例を２つ示した
が、特に実施例２のプロセスにおいては、アモルファス
シリコン膜の結晶化と不純物の活性化が同時に行われる
ことが注目される。従来は、実施例１に示したように結
晶化後に、不純物を導入して活性化をおこなうことが普
通であった。しかし、このような方法ではプロセスが重
複するうえ、最初の結晶化によって形成される活性領域
と、不純物導入後に再結晶化されるソース、ドレインに
おいて結晶成長の不連続性が生じ、信頼性に悪影響をも
たらした。実施例２のように、結晶化と活性化が同時に
おこなわれることは、プロセスの簡略化（とそれに伴う
スループットの上昇）および結晶性の連続性による信頼
性向上という効果をもたらした。このように本発明は工
業上有益な発明である。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１の作製工程断面図を示す。

【図２】実施例２の作製工程断面図を示す。

【符号の説明】

１０・・・基板１１・・・下地絶縁膜（酸化珪素）１２・・・アモルファスシリコン膜１３・・・酸化珪素膜１２ａ・・島状シリコン領域１４・・・ゲイト絶縁膜（酸化珪素）１５・・・ゲイト電極（燐ドープされたシリコン）１６・・・低濃度不純物領域（ＬＤＤ）１７・・・陽極酸化物（酸化珪素）１８・・・ソース、ドレイン１９・・・層間絶縁物（酸化珪素）２０・・・金属配線・電極（窒化チタン／アルミニウ
ム）

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁表面を有する基板と、前記絶縁表面上に形成された薄膜トランジスタを有する
半導体回路において、前記薄膜トランジスタは、前記絶縁表面上に形成された
結晶性半導体膜と、前記結晶性半導体膜上に形成された
絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたゲイト電極とを有
し、前記結晶性半導体膜は、ソース領域及びドレイン領域並
びに前記ソース領域と前記ドレイン領域との間にチャネ
ル形成領域並びに前記ソース領域と前記チャネル形成領
域との間及び前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域
との間にそれぞれ低濃度不純物領域とを有し、前記低濃度不純物領域には、元素が２×１０¹⁹ｃｍ^-3以
下の濃度で含むことを特徴とする半導体回路。
【請求項２】請求項１において、前記低濃度不純物領域は、前記チャネル形成領域よりも
不純物濃度が高く、前記低濃度不純物領域は、前記ソース領域及び前記ドレ
イン領域よりも不純物濃度が低いことを特徴とする半導
体回路。
【請求項３】請求項１において、前記元素は、ニッケル、鉄、コバルト、白金又は珪化物
であることを特徴とする半導体回路。
【請求項４】請求項１において、前記ゲイト電極は、タンタルを含み、前記ゲイト電極は、厚さが３００〜８００ｎｍであるこ
とを特徴とする半導体回路。