JP2001235873A - Method for forming tapered shape - Google Patents

Method for forming tapered shape

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JP2001235873A
JP2001235873A JP2000047770A JP2000047770A JP2001235873A JP 2001235873 A JP2001235873 A JP 2001235873A JP 2000047770 A JP2000047770 A JP 2000047770A JP 2000047770 A JP2000047770 A JP 2000047770A JP 2001235873 A JP2001235873 A JP 2001235873A
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JP
Japan
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tapered shape
photosensitive layer
forming
substrate
film
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JP2000047770A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshinori Yokoyama
吉典 横山
Munehisa Takeda
宗久 武田
Hitoshi Ota
斎 太田
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a method for forming a high-accuracy tapered shape using only the photolithography method. SOLUTION: The method for forming the three-dimensional tapered shape on a substrate 1 having a photosensitive layer 3 has a first step of forming an antireflection film 2 between the substrate and the photosensitive layer, a second step of exposing the photosensitive layer by rays 5 inclined in optical axis with respect to the substrate and a third step of obtaining the tapered shape by removing either of the exposed segment 3a or non-exposed segment 3b of the photosensitive layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、光集積回路など
の3次元形状のマイクロパーツに用いられるテーパ形状
の形成方法に関し、特に感光層を傾斜露光するとともに
基板からの反射波による露光を抑制して精度を向上させ
たテーパ形状の形成方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a tapered shape used in a three-dimensional micropart such as an optical integrated circuit, and more particularly to a method for obliquely exposing a photosensitive layer and suppressing exposure due to a reflected wave from a substrate. And a method for forming a tapered shape with improved accuracy.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6はたとえば特開平6−21039号
公報に示された従来のテーパ形状の形成方法を段階的
(a)〜(g)に示す側断面図である。
2. Description of the Related Art FIGS. 6A to 6G are side sectional views showing stepwise (a) to (g) steps of a conventional method of forming a tapered shape disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-21039.

【0003】図6において、10は半導体基板(以下、
単に「基板」という)、11は基板10上に形成された
SiO2からなる熱酸化膜、12、13は熱酸化膜11
上に形成されたSiON(光導波路層)からなる第1、
第2の薄膜層、15は第2の薄膜層13上に配設された
フォトレジスト層からなるマスクである。
In FIG. 6, reference numeral 10 denotes a semiconductor substrate (hereinafter, referred to as a semiconductor substrate).
11 is a thermal oxide film made of SiO 2 formed on the substrate 10, and 12 and 13 are thermal oxide films 11
The first, consisting of SiON (optical waveguide layer) formed on
The second thin film layer 15 is a mask made of a photoresist layer disposed on the second thin film layer 13.

【0004】図6(g)において、16は第1の薄膜層
12上に形成された光導波路層であり、第2の薄膜層1
3の除去後に、第1の薄膜層12のテーパ形状にならっ
て形成される。光導波路層16の屈折率は、第1の薄膜
層12のテーパ部分での屈折率よりも小さく設定されて
いる。17は導波光であり、光導波路層16から第1の
薄膜層12に結合する。
In FIG. 6G, reference numeral 16 denotes an optical waveguide layer formed on the first thin film layer 12,
After the removal of 3, the first thin film layer 12 is formed following the tapered shape. The refractive index of the optical waveguide layer 16 is set smaller than the refractive index at the tapered portion of the first thin film layer 12. Reference numeral 17 denotes a guided light, which is coupled from the optical waveguide layer 16 to the first thin film layer 12.

【0005】以下、図6(a)〜(g)を参照しなが
ら、従来のテーパ形状の形成方法について具体的に説明
する。まず、図6(a)のように、熱酸化膜11が施さ
れた基板10上に、同一エッチング溶液でエッチングさ
れた第1、第2の薄膜層12、13を形成し、第2の薄
膜層13の上にマスク15を形成する。
Hereinafter, a conventional method for forming a tapered shape will be specifically described with reference to FIGS. 6 (a) to 6 (g). First, as shown in FIG. 6A, first and second thin film layers 12 and 13 etched with the same etching solution are formed on a substrate 10 on which a thermal oxide film 11 has been formed. A mask 15 is formed on the layer 13.

【0006】このとき、第1、第2の薄膜層12、13
の2層は、上層側ほどエッチング溶液に対するエッチレ
ートが大きくなるように、第1、第2の薄膜層12、1
3の順で積層される。
At this time, the first and second thin film layers 12 and 13
Of the first and second thin film layers 12 and 1 so that the etch rate with respect to the etching solution becomes higher toward the upper layer side.
The layers are stacked in the order of 3.

【0007】次に、マスク15を用いて、エッチング溶
液により第2の薄膜層13および第1の薄膜層12を選
択的にエッチングして、図6(b)〜(e)のようにテ
ーパ形状を形成する。
Next, using the mask 15, the second thin film layer 13 and the first thin film layer 12 are selectively etched by an etching solution to form a tapered shape as shown in FIGS. To form

【0008】このときの薄膜テーパ形状の形成におい
て、エッチング溶液によるエッチングとこれに続くリン
ス工程とが複数回繰り返され、これにより、第2の薄膜
層13および第1の薄膜層12は選択的にエッチングさ
れる。
In the formation of the tapered thin film at this time, the etching with the etching solution and the subsequent rinsing step are repeated a plurality of times, whereby the second thin film layer 13 and the first thin film layer 12 are selectively formed. Etched.

【0009】次に、図6(f)のように、マスク15を
除去した後、フッ酸系溶液などで第2の薄膜層13を除
去する。このとき、第2の薄膜層13のエッチレートが
第1の薄膜層12のエッチレートよりもはるかに大きい
ので、第1の薄膜層12は変化しない。
Next, as shown in FIG. 6F, after removing the mask 15, the second thin film layer 13 is removed with a hydrofluoric acid-based solution or the like. At this time, since the etching rate of the second thin film layer 13 is much higher than the etching rate of the first thin film layer 12, the first thin film layer 12 does not change.

【0010】最後に、図6(g)にように、第1の薄膜
層12の上に、CVD法、スパッタ法、蒸着法、プラズ
マCVD法などにより、別の光導波路層16を形成す
る。図中左側から光導波路層16の端面に入射した導波
光17は、テーパ形状部分において、光導波路層16よ
りも大きい屈折率の第1の薄膜層12に結合する。
Finally, as shown in FIG. 6G, another optical waveguide layer 16 is formed on the first thin film layer 12 by a CVD method, a sputtering method, a vapor deposition method, a plasma CVD method, or the like. The guided light 17 incident on the end face of the optical waveguide layer 16 from the left side in the figure is coupled to the first thin film layer 12 having a larger refractive index than the optical waveguide layer 16 at the tapered portion.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来のテーパ形状の形
成方法は以上のように、エッチング溶液によるエッチン
グとこれに続くリンス工程とを複数回(図6(b)〜
(e)参照)繰り返すことによりテーパ形状を形成して
いる。
As described above, the conventional method of forming a tapered shape involves performing etching with an etching solution and a subsequent rinsing step a plurality of times (FIG. 6B).
(See (e)) The taper shape is formed by repeating.

【0012】したがって、所望のテーパ形状を得るため
には、複数の薄膜層12、13のエッチングレートの条
件設定が必要であり、また、プロセス工程数が非常に多
くなるうえ、大きなテーパ角度を実現することができ
ず、テーパ形状の精度を向上させることができないとい
う問題点があった。
Therefore, in order to obtain a desired tapered shape, it is necessary to set conditions for the etching rates of the plurality of thin film layers 12 and 13, and the number of process steps becomes extremely large, and a large taper angle is realized. Therefore, there is a problem that the accuracy of the tapered shape cannot be improved.

【0013】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、フォトリソグラフィ法のみを用
いて、所望のテーパ形状を高精度に形成することのでき
るテーパ形状の形成方法を得ることを目的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and provides a method of forming a tapered shape capable of forming a desired tapered shape with high accuracy using only photolithography. The purpose is to:

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】この発明の請求項1に係
るテーパ形状の形成方法は、感光層を有する基板上に3
次元のテーパ形状を形成する方法において、基板と感光
層との間に反射防止膜を形成する第1のステップと、光
遮断部分を有するマスクを介して、基板に対して光軸が
傾斜された光線により感光層を露光する第2のステップ
と、感光層の露光部分または非露光部分の一方を除去し
てテーパ形状を得る第3のステップとを含むものであ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for forming a tapered shape on a substrate having a photosensitive layer.
In a method of forming a three-dimensional tapered shape, a first step of forming an anti-reflection film between a substrate and a photosensitive layer, and an optical axis inclined with respect to the substrate via a mask having a light blocking portion. The method includes a second step of exposing the photosensitive layer with a light beam, and a third step of removing one of an exposed portion and a non-exposed portion of the photosensitive layer to obtain a tapered shape.

【0015】また、この発明の請求項2に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1において、反射防止膜は、ポ
リイミドまたは金属の表面の面粗さを大きくした膜によ
り形成されたものである。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for forming a tapered shape according to the first aspect, wherein the antireflection film is formed by a film having a surface roughness of polyimide or metal increased. .

【0016】また、この発明の請求項3に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1において、反射防止膜は、光
を吸収する膜により形成されたものである。
According to a third aspect of the present invention, in the method for forming a tapered shape according to the first aspect, the antireflection film is formed by a film that absorbs light.

【0017】また、この発明の請求項4に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項3において、反射防止膜は、基
板からの反射光を感光層に到達させない程度の厚さを有
するものである。
According to a fourth aspect of the present invention, in the method for forming a tapered shape according to the third aspect, the antireflection film has a thickness that does not allow the reflected light from the substrate to reach the photosensitive layer. .

【0018】また、この発明の請求項5に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1において、反射防止膜は、感
光層よりも大きい屈折率を有する膜により形成されたも
のである。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a tapered shape forming method according to the first aspect, wherein the antireflection film is formed of a film having a refractive index larger than that of the photosensitive layer.

【0019】また、この発明の請求項6に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1から請求項5までのいずれか
において、第2のステップは、基板に対する光軸の傾斜
角度を変更して感光層を多重露光する第4のステップを
含むものである。
According to a sixth aspect of the present invention, in the method for forming a tapered shape according to any one of the first to fifth aspects, the second step includes changing an inclination angle of the optical axis with respect to the substrate. The method includes a fourth step of multiple exposure of the photosensitive layer.

【0020】また、この発明の請求項7に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1から請求項6までのいずれか
において、第2のステップは、基板を回転することによ
りテーパ形状の回転体を形成する第5のステップを含む
ものである。
According to a seventh aspect of the present invention, in the method for forming a tapered shape according to any one of the first to sixth aspects, the second step includes rotating the substrate to form a tapered rotator. Is formed.

【0021】また、この発明の請求項8に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項1から請求項7までのいずれか
において、第3のステップにより得られたテーパ形状を
転写用の型として使用し、テーパ形状の部分に転写物を
形成する第6のステップと、テーパ形状を形成していた
感光層の残り部分を除去する第7のステップとを含むも
のである。
According to a eighth aspect of the present invention, there is provided a method for forming a tapered shape according to any one of the first to seventh aspects, wherein the tapered shape obtained in the third step is used as a transfer mold. Then, the method includes a sixth step of forming a transferred material on the tapered portion, and a seventh step of removing the remaining portion of the photosensitive layer having the tapered shape.

【0022】また、この発明の請求項9に係るテーパ形
状の形成方法は、請求項8において、第1のステップ
は、反射防止膜の上面に導電膜を電極層として形成する
第8のステップを含むものである。
According to a ninth aspect of the present invention, in the method for forming a tapered shape according to the ninth aspect, the first step includes an eighth step of forming a conductive film on the upper surface of the antireflection film as an electrode layer. Including.

【0023】また、この発明の請求項10に係るテーパ
形状の形成方法は、請求項9において、電極層は、反射
防止膜の上面に蒸着された銅により構成され、転写物
は、電気メッキにより形成された銅により構成されたも
のである。
According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect, the electrode layer is made of copper deposited on the upper surface of the antireflection film, and the transferred material is formed by electroplating. It is composed of the formed copper.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】実施の形態1.以下、この発明の
実施の形態1を図について説明する。図1はこの発明の
実施の形態1によるテーパ形状の形成方法を説明するた
めの図であり、図1(a)は露光時の状態を示す側断面
図、図1(b)は図1(a)の現像により形成された後
のテーパ形状を示す側断面図である。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Embodiment 1 Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1A and 1B are views for explaining a method of forming a tapered shape according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 1A is a side sectional view showing a state at the time of exposure, and FIG. It is a sectional side view which shows the taper shape after forming by development of a).

【0025】図1において、1はたとえばSiからなる
基板、2は基板1の上に形成された反射防止膜である。
反射防止膜2の表面は、たとえばポリイミドの表面をサ
ンドブラスタで適当な粗さに設定されており、入射光を
反射させないように構成されている。
In FIG. 1, 1 is a substrate made of, for example, Si, and 2 is an antireflection film formed on the substrate 1.
The surface of the anti-reflection film 2 is, for example, a surface of polyimide set to an appropriate roughness by a sandblaster, and is configured not to reflect incident light.

【0026】3は反射防止膜2の上に形成された感光層
であり、たとえばネガレジスト(IBM社製のEPON
SU−8)により構成される。3aは感光層3の露光
部分、3bは感光層3の非露光部分である。
Reference numeral 3 denotes a photosensitive layer formed on the anti-reflection film 2, for example, a negative resist (EPON manufactured by IBM).
SU-8). 3a is an exposed portion of the photosensitive layer 3, and 3b is a non-exposed portion of the photosensitive layer 3.

【0027】4はたとえば所望の形状がCrで描かれた
ガラスマスクであり、4aはガラスマスク4の光透過部
分、4bはガラスマスク4の光遮断部分(Cr部分)で
ある。
Reference numeral 4 denotes a glass mask having a desired shape drawn with Cr, for example, 4a denotes a light transmitting portion of the glass mask 4, and 4b denotes a light blocking portion (Cr portion) of the glass mask 4.

【0028】5は感光層3を露光する光線であり、たと
えば、水銀ランプなどの光源(図示せず)から出射さ
れ、さらに平行光に変換されているものとする。
Reference numeral 5 denotes a light beam for exposing the photosensitive layer 3, which is emitted from, for example, a light source (not shown) such as a mercury lamp, and further converted into parallel light.

【0029】次に、図1を参照しながら、この発明の実
施の形態1を具体的に説明する。まず、第1のステップ
として、基板1と感光層3との間に反射防止膜2が形成
される。
Next, a first embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIG. First, as a first step, an antireflection film 2 is formed between the substrate 1 and the photosensitive layer 3.

【0030】続いて、第2のステップとして、図1
(a)のように、光線5の光軸に対して基板1を斜めに
配置し、光遮断部分4bを有するガラスマスク4を介し
て、所望の角度θだけ傾けた状態で露光を行う。なお、
ここでは図示しないが、基板1の傾斜角度θを設定する
ためには、周知の位置決め機構が用いられる。
Next, as a second step, FIG.
As shown in (a), the substrate 1 is arranged obliquely with respect to the optical axis of the light beam 5, and exposure is performed at a desired angle θ via a glass mask 4 having a light blocking portion 4b. In addition,
Although not shown here, a known positioning mechanism is used to set the inclination angle θ of the substrate 1.

【0031】最後に、第3のステップとして、感光層3
の非露光部分3bを除去してテーパ形状を形成する。す
なわち、ネガレジストからなる感光層3の非露光部分3
bを現像液で現像して除去し、図1(b)のように、感
光層3の露光部分3aに傾斜角度θのテーパ形状を形成
する。
Finally, as a third step, the photosensitive layer 3
Is removed to form a tapered shape. That is, the non-exposed portion 3 of the photosensitive layer 3 made of a negative resist
b is removed by developing with a developing solution, and as shown in FIG. 1B, a tapered shape having an inclination angle θ is formed in the exposed portion 3a of the photosensitive layer 3.

【0032】このように、感光層3(ネガレジスト)が
形成された基板1を光線5の光軸に対して斜めに傾けて
露光し、感光層3を露光した後に感光層3を現像するの
みで、容易にテーパ形状を得ることができる。したがっ
て、所望のテーパ形状を有する基板1を大量且つ安価に
製造することができる。
As described above, the substrate 1 on which the photosensitive layer 3 (negative resist) is formed is exposed to light obliquely with respect to the optical axis of the light beam 5, and after the photosensitive layer 3 is exposed, the photosensitive layer 3 is developed. Thus, a tapered shape can be easily obtained. Therefore, a large number of substrates 1 having a desired tapered shape can be manufactured at low cost.

【0033】また、基板1と感光層3の間に反射防止膜
2を形成することにより、テーパ形状を形成する際の露
光時に、反射防止膜2を介して基板1からの反射波を減
少させることができるので、反射波による露光を防止す
ることができ、より精密なテーパ形状を構成することが
できる。
Further, by forming the anti-reflection film 2 between the substrate 1 and the photosensitive layer 3, the reflection wave from the substrate 1 is reduced via the anti-reflection film 2 at the time of the exposure for forming the tapered shape. Therefore, exposure due to reflected waves can be prevented, and a more precise tapered shape can be formed.

【0034】したがって、フォトリソグラフィ法を用い
ることのみで、所望のテーパ形状を構成することができ
る。なお、図1においては、1つのパターンのテーパ形
状のみが示されているが、2つ以上のパターンがあって
も同様に形成することができる。
Therefore, a desired tapered shape can be formed only by using the photolithography method. Although FIG. 1 shows only one tapered shape of a pattern, the same pattern can be formed even if there are two or more patterns.

【0035】また、基板1をSiで構成したが、Siに
限定されることはなく、アルミナ、ガラス、銅などで構
成することができ、上述と同様の作用効果を奏すること
は言うまでもない。
Although the substrate 1 is made of Si, it is not limited to Si, but may be made of alumina, glass, copper or the like, and it goes without saying that the same operation and effect as described above can be obtained.

【0036】また、反射防止膜2として、ポリイミドの
表面をサンドブラスタなどで適当な表面粗さに構成した
ものを用いたが、サンドブラスタに限定されることはな
く、イオンビームやラッピングなどで適当な表面粗さに
構成してもよい。
As the anti-reflection film 2, a polyimide surface having a suitable surface roughness using a sand blaster or the like is used. However, the present invention is not limited to the sand blaster. It may be configured to have an appropriate surface roughness.

【0037】また、反射防止膜2として、樹脂製のポリ
イミドを用いたが、ポリイミドに限定されることはな
く、たとえば金属の表面を適当な表面粗さに構成しても
よく、上述と同様の作用効果が得られる。
Further, although polyimide made of resin is used as the antireflection film 2, it is not limited to polyimide. For example, the surface of a metal may be formed to have an appropriate surface roughness. An effect can be obtained.

【0038】さらに、感光層3としてネガレジストを用
いたが、ネガレジストに限定されることはなく、ポジレ
ジストを用いても同様の作用効果が得られる。この場
合、非露光部分3bではなく、露光部分3aがレジスト
除去されることになる。
Further, although a negative resist was used as the photosensitive layer 3, the present invention is not limited to the negative resist, and the same effect can be obtained by using a positive resist. In this case, the exposed portion 3a, not the non-exposed portion 3b, is removed by the resist.

【0039】実施の形態2.なお、上記実施の形態1で
は、図1に示すように、1回の露光により、両側面で平
行の傾斜角度θのテーパ形状を形成したが、複数回(た
とえば、2回)の露光により、任意のテーパ形状を形成
してもよい。
Embodiment 2 In the first embodiment, as shown in FIG. 1, a taper shape having a parallel inclination angle θ is formed on both sides by one exposure, but a plurality of (eg, two) exposures Any tapered shape may be formed.

【0040】図2は2回の露光により断面台形のテーパ
形状を形成するようにしたこの発明の実施の形態2を説
明するための側断面図であり、テーパ形成後の状態を示
している。
FIG. 2 is a side sectional view for explaining a second embodiment of the present invention in which a trapezoidal cross section is formed by two exposures, and shows a state after the taper is formed.

【0041】図2において、1〜3、3a、θは前述
(図1参照)と同様のものであり、図2に示されない露
光工程は、図1(a)に示した方法と同様である。
In FIG. 2, 1-3, 3a, and θ are the same as those described above (see FIG. 1), and the exposure steps not shown in FIG. 2 are the same as those in the method shown in FIG. .

【0042】この場合、感光層3の露光部分3aにおい
ては、基板1の傾き方向を反転させて、それぞれ逆方向
の傾斜角度θで2回の露光が実行され、これにより、対
称形の傾斜角度θを有する断面台形のテーパ形状が形成
されている。
In this case, in the exposed portion 3 a of the photosensitive layer 3, the direction of inclination of the substrate 1 is reversed, and two exposures are performed at the respective inclination angles θ in the opposite directions, whereby a symmetrical inclination angle is obtained. A tapered section having a trapezoidal cross section having θ is formed.

【0043】次に、図1および図2を参照しながら、こ
の発明の実施の形態2を具体的に説明する。まず、図1
(a)と同様に、光線5に対して基板1を所定の角度θ
に傾けて露光した後、基板1の傾斜方向を逆(対称方
向)に変更して、同様に傾斜角度θで露光する。これに
より、非露光部分3bの断面形状は台形のテーパ形状と
なる。
Next, a second embodiment of the present invention will be specifically described with reference to FIGS. First, FIG.
As in (a), the substrate 1 is set at a predetermined angle θ with respect to the light beam 5.
After the exposure, the direction of inclination of the substrate 1 is changed to the opposite (symmetric direction), and the exposure is similarly performed at the inclination angle θ. Thereby, the cross-sectional shape of the non-exposed portion 3b becomes a trapezoidal tapered shape.

【0044】こうして、2回の露光を実行した後、前述
と同様に現像液で現像することにより、非露光部分3b
のネガレジストが除去される。したがって、図2に示す
ように、露光部分3aにより、対称形の傾斜角度θを有
するテーパ形状が形成される。
After the two exposures are performed in this way, the non-exposed portion 3b is developed by developing with a developing solution as described above.
Is removed. Therefore, as shown in FIG. 2, the exposed portion 3a forms a tapered shape having a symmetrical inclination angle θ.

【0045】このように、光線5に対して基板1を斜め
に傾けてレジストを多重(2重)露光した後に現像する
ことのみで、対称形の傾斜角度θを有するテーパ形状が
得られるので、所望のテーパ形状を有する基板1を大量
且つ安価に製造することができる。
As described above, a taper shape having a symmetrical inclination angle θ can be obtained only by developing the resist after the resist is multiplexed (doubled) by inclining the substrate 1 with respect to the light beam 5. The substrate 1 having a desired tapered shape can be manufactured in large quantities at low cost.

【0046】また、前述と同様に、テーパ形状のパター
ン数は任意に形成することができ、基板1、反射防止膜
2および感光層3は、任意に構成され得ることは言うま
でもない。
As described above, the number of the tapered patterns can be arbitrarily formed, and the substrate 1, the antireflection film 2 and the photosensitive layer 3 can be formed arbitrarily.

【0047】実施の形態3.なお、上記実施の形態2で
は、2重露光により台形形状のテーパ溝を形成したが、
2重露光を利用した場合、台形形状のテーパ溝に限らず
様々のテーパ形状が形成可能であり、たとえば断面V字
形のテーパ溝を形成してもよい。
Embodiment 3 In the second embodiment, a trapezoidal tapered groove is formed by double exposure.
When double exposure is used, not only a trapezoidal tapered groove but also various tapered shapes can be formed. For example, a tapered groove having a V-shaped cross section may be formed.

【0048】すなわち、露光ステップ(第2のステッ
プ)において、光軸に対する基板1の傾斜角度θを任意
に変更して感光層3を多重露光することにより、対称形
のテーパ形状のみならず任意の傾斜角度を有するテーパ
形状を形成することができる。
That is, in the exposure step (second step), the photosensitive layer 3 is subjected to multiple exposure by arbitrarily changing the inclination angle θ of the substrate 1 with respect to the optical axis, so that not only a symmetric taper shape but also an arbitrary A tapered shape having an inclination angle can be formed.

【0049】図3は断面V字形のテーパ溝を形成するよ
うにしたこの発明の実施の形態3を説明するための側断
面図であり、テーパ形成用の露光工程時の基板状態を示
している。図3において、1〜4およびθは前述(図1
参照)と同様のものである。
FIG. 3 is a side sectional view for explaining a third embodiment of the present invention in which a tapered groove having a V-shaped cross section is formed, and shows a substrate state in an exposure step for forming a taper. . In FIG. 3, 1-4 and θ are as described above (FIG. 1).
Reference).

【0050】この場合、反射防止膜2は、感光層3と同
様のネガレジストにより形成されており、感光層3と同
時に基板1上に塗布されるものとする。反射防止膜2
は、反射波に対して光吸収性を有する層により形成され
ており、また、基板1からの反射光を感光層3に到達さ
せない程度の厚さを有している。
In this case, the antireflection film 2 is formed of the same negative resist as that of the photosensitive layer 3 and is applied onto the substrate 1 at the same time as the photosensitive layer 3. Anti-reflection film 2
Is formed of a layer having a light absorbing property for a reflected wave, and has a thickness that does not allow the reflected light from the substrate 1 to reach the photosensitive layer 3.

【0051】また、ガラスマスク4の光遮断部分4bの
幅は、前述(図1参照)よりも短く設定されており、基
板1の傾き方向を反転して2回の露光を実行した場合
に、傾斜角度θの大きさおよび感光層3の厚さに関連し
て、光線5(図1参照)の反転光路の端部が反射防止膜
2の表面で一致するようになっている。
The width of the light blocking portion 4b of the glass mask 4 is set shorter than that described above (see FIG. 1). When the exposure is performed twice by reversing the tilt direction of the substrate 1, In relation to the magnitude of the inclination angle θ and the thickness of the photosensitive layer 3, the end of the inverted optical path of the light ray 5 (see FIG. 1) is made to coincide on the surface of the antireflection film 2.

【0052】したがって、光線5に対して基板1を所定
の角度θに傾けて露光した後、基板1の傾きを逆(対
称)方向の角度θに変更して露光すると、非露光部分3
bの断面形状は、図3のようにV字形のテーパ形状とな
る。
Therefore, when the substrate 1 is exposed to the light beam 5 at a predetermined angle θ, and then the substrate 1 is changed to a reverse (symmetrical) angle θ, the non-exposed portion 3 is exposed.
The cross-sectional shape of b is a V-shaped tapered shape as shown in FIG.

【0053】また、反射防止膜2に入射された光線は、
基板1との境界面で反射防止される(図3内の破線参
照)。以下、前述と同様に現像液で現像することによ
り、非露光部分3bのネガレジストが除去され、図3の
ように、断面V字形のテーパ形状が形成される。
The light beam incident on the anti-reflection film 2 is
The reflection is prevented at the boundary surface with the substrate 1 (see the broken line in FIG. 3). Thereafter, the negative resist in the non-exposed portion 3b is removed by developing with a developer in the same manner as described above, and a tapered shape having a V-shaped cross section is formed as shown in FIG.

【0054】この場合も、反射防止膜2は、基板1から
の反射光を感光層3に到達させないので、基板からの反
射波による露光を防ぎ、より精密なテーパ形状を形成す
ることができる。
Also in this case, since the antireflection film 2 does not allow the light reflected from the substrate 1 to reach the photosensitive layer 3, it is possible to prevent the exposure by the reflected wave from the substrate and to form a more precise tapered shape.

【0055】なお、ここでは、反射防止膜2および感光
層3を同一の材料を用いて一度に塗布するものとしてい
るが、種類の異なるレジストを別々に塗布してもよい。
また、反射防止膜2および感光層3は、ネガレジストに
限らず、ポジレジストであっても同様の効果が得られ
る。
Here, the antireflection film 2 and the photosensitive layer 3 are applied at once using the same material, but different types of resists may be applied separately.
Further, the same effect can be obtained even if the antireflection film 2 and the photosensitive layer 3 are not limited to a negative resist but are also a positive resist.

【0056】実施の形態4.なお、上記実施の形態3で
は、反射防止膜2を光吸収層により形成したが、反射防
止膜2の屈折率を感光層3の屈折率よりも大きく設定し
てもよい。
Embodiment 4 In the third embodiment, the antireflection film 2 is formed of the light absorbing layer. However, the refractive index of the antireflection film 2 may be set to be larger than the refractive index of the photosensitive layer 3.

【0057】この場合、基板1からの反射波は、反射防
止膜2と感光層3との境界面において、反射防止膜2か
ら感光層3への入射が抑制されるので、反射光による露
光が防止され、より精密なテーパ形状を形成することが
できる。
In this case, the reflected wave from the substrate 1 is suppressed from entering the photosensitive layer 3 from the anti-reflection film 2 at the boundary between the anti-reflection film 2 and the photosensitive layer 3, so that the exposure by the reflected light can be performed. Thus, a more precise tapered shape can be formed.

【0058】実施の形態5.また、上記実施の形態2で
は、非露光部分3bを断面台形に形成したが、逆に露光
部分3aを断面台形に形成してもよい。さらに、露光中
に基板1を回転させることにより、露光部分3aを円錐
台形状としてもよい。
Embodiment 5 FIG. Further, in the second embodiment, the non-exposed portion 3b is formed to have a trapezoidal cross section, but the exposed portion 3a may be formed to have a trapezoidal cross section. Further, by rotating the substrate 1 during the exposure, the exposed portion 3a may have a truncated cone shape.

【0059】図4(a)、(b)は露光部分3aを円錐
台形状としたこの発明の実施の形態5を説明するための
側断面図および斜視図であり、図4(a)は露光時の状
態を示し、図(b)は現像後のテーパ形状を示してい
る。図4において、1〜4およびθは前述と同様のもの
である。
FIGS. 4 (a) and 4 (b) are a side sectional view and a perspective view for explaining a fifth embodiment of the present invention in which the exposed portion 3a has a truncated cone shape, and FIG. FIG. 3B shows the tapered shape after development. In FIG. 4, 1 to 4 and θ are the same as described above.

【0060】この場合、光源からの光線5(図1参照)
に対して、基板1を所定の角度θに傾け、さらに基板1
を回転しながら露光した後に、現像液で現像する。これ
により、非露光部分3bのネガレジストが除去され、図
4(b)に示す円錐台形状の突起が形成される。
In this case, the light beam 5 from the light source (see FIG. 1)
, The substrate 1 is inclined at a predetermined angle θ, and
Is exposed while rotating, and then developed with a developer. Thereby, the negative resist in the non-exposed portion 3b is removed, and a truncated cone-shaped projection shown in FIG. 4B is formed.

【0061】このように、光源に対して基板1を斜めに
傾けながら回転させて、レジストを露光した後に現像す
ることにより、テーパ部を有する円錐台形状(回転体)
のパターン(露光部分3a)を大量に且つ安価に製造す
ることができる。
As described above, the substrate 1 is rotated obliquely with respect to the light source, and the resist is exposed to light and then developed, thereby forming a truncated cone having a tapered portion (rotator).
(Exposed portion 3a) can be manufactured in large quantities at low cost.

【0062】なお、上記実施の形態5では、反射防止膜
2を光吸収層により構成したが、前述と同様に、表面粗
さの大きいポリイミドまたは金属を用いてもよく、感光
層3とは屈折率の異なる膜を用いてもよい。
In the fifth embodiment, the anti-reflection film 2 is formed of a light absorbing layer. However, as described above, polyimide or metal having a large surface roughness may be used. Films having different rates may be used.

【0063】また、露光ステップ(基板1の回転中)で
の感光層3と光線5との傾斜角度θおよび光遮断部分4
bの形状は、任意に設定することができ、これにより、
任意のテーパ形状の回転体を形成することができる。
In the exposure step (during the rotation of the substrate 1), the inclination angle θ between the photosensitive layer 3 and the light beam 5 and the light blocking portion 4
The shape of b can be set arbitrarily, whereby
A rotating body having an arbitrary tapered shape can be formed.

【0064】たとえば、ガラスマスク4の光遮断部分4
bの形状を変更することにより、任意形状の円錐台(ま
たは、円錐)パターンを形成することもできる。さら
に、図4においては、基板1上に1つのパターンのみを
形成したが、同時に多数のパターンを形成してもよい。
For example, the light shielding portion 4 of the glass mask 4
By changing the shape of b, a truncated cone (or cone) pattern of any shape can be formed. Further, in FIG. 4, only one pattern is formed on the substrate 1, but a large number of patterns may be formed at the same time.

【0065】実施の形態6.なお、上記実施の形態1〜
5では、感光層3の非露光部分3bを除去した後に何ら
追加処理を施さなかったが、たとえば金属メッキなどに
より転写物を注入した後に、感光層3の露光部分3aを
除去してもよい。
Embodiment 6 FIG. It should be noted that the first to the first embodiments
In No. 5, no additional processing was performed after removing the unexposed portion 3b of the photosensitive layer 3, but the exposed portion 3a of the photosensitive layer 3 may be removed after injecting a transcript by, for example, metal plating.

【0066】図5はレジスト除去後のテーパ形状を型と
して使用して転写物を形成したこの発明の実施の形態6
を説明すための側断面図であり、転写物によるテーパ形
状を形成する前の状態を示している。
FIG. 5 shows a sixth embodiment of the present invention in which a transferred product is formed using the tapered shape after removing the resist as a mold.
FIG. 5 is a side cross-sectional view for explaining a state before a tapered shape is formed by a transferred material.

【0067】図5において、1〜3およびθは前述と同
様のものである。また、この場合、非露光部分(除去さ
れた部分)は、光線5の入射側が狭い形状の断面台形を
有するものとする。
In FIG. 5, 1 to 3 and θ are the same as described above. In this case, the non-exposed portion (removed portion) has a trapezoidal cross section in which the light beam 5 incident side is narrow.

【0068】6はたとえば銅からなる電極層であり、反
射防止膜2と感光層3との境界面において、反射防止膜
2の上面に蒸着により形成されている。7はたとえば銅
からなるテーパ形状の転写物であり、非露光部分3bを
除去した後の電極層6上にメッキにより形成される。
Reference numeral 6 denotes an electrode layer made of, for example, copper, which is formed on the upper surface of the antireflection film 2 by vapor deposition at the boundary between the antireflection film 2 and the photosensitive layer 3. Numeral 7 denotes a tapered transfer material made of, for example, copper, which is formed by plating on the electrode layer 6 after removing the non-exposed portion 3b.

【0069】この場合、第1のステップとして、反射防
止膜2の上面に銅を蒸着して電極層6を形成するステッ
プを含み、反射防止膜2が成膜された上に電極層6が成
膜される。
In this case, the first step includes a step of depositing copper on the upper surface of the antireflection film 2 to form the electrode layer 6, and the electrode layer 6 is formed on the antireflection film 2. Filmed.

【0070】続いて、電極層6の上に感光層3を塗布し
た後、前述と同様の露光処理を実行する。このとき、反
射防止膜2の表面の粗さが大きければ、反射防止膜2上
に蒸着された電極層6も表面の粗さが大きくなるので、
その後の露光ステップにおいて、反射防止膜2としての
機能が損なわれることはない。
Subsequently, after the photosensitive layer 3 is applied on the electrode layer 6, the same exposure processing as described above is performed. At this time, if the surface roughness of the antireflection film 2 is large, the electrode layer 6 deposited on the antireflection film 2 also has a large surface roughness.
In the subsequent exposure step, the function as the antireflection film 2 is not impaired.

【0071】すなわち、光線5の光軸に対して基板1を
所望の角度θに斜めに傾けた状態で露光し、続いて、傾
ける方向を反転して露光した後に現像液で現像すること
により、非露光部分3bのネガレジストを除去して傾斜
角度θのテーパ形状を形成する。
That is, by exposing the substrate 1 to the optical axis of the light beam 5 in a state where the substrate 1 is obliquely inclined at a desired angle θ, subsequently inverting the direction of the inclination and exposing, and then developing with a developing solution, The negative resist in the non-exposed portion 3b is removed to form a tapered shape having an inclination angle θ.

【0072】その後、非露光部分3bの除去部分に電気
メッキで銅メッキすることにより、図5に示すように、
たとえば銅からなるテーパ形状の転写物7を形成する。
最後に、テーパ形状を形成していた感光層3の残り部分
(露光部分3a)を除去することにより、転写物7から
なるテーパ形状が基板1上に形成される。
Thereafter, the removed portion of the non-exposed portion 3b is plated with copper by electroplating, as shown in FIG.
For example, a transfer material 7 having a tapered shape made of copper is formed.
Finally, by removing the remaining portion (exposed portion 3a) of the photosensitive layer 3 having the tapered shape, a tapered shape composed of the transferred material 7 is formed on the substrate 1.

【0073】したがって、基板1上に転写物7からなる
テーパ形状を形成することができ、なた、電極層6を有
する場合などであっても、任意のテーパ形状を形成する
ことができ、広い用途に適用することができる。
Therefore, it is possible to form a tapered shape composed of the transferred material 7 on the substrate 1, and to form an arbitrary tapered shape even when the electrode layer 6 is provided. Can be applied to applications.

【0074】このとき、図5のように銅蒸着により電極
層6が形成されている場合には、銅メッキからなる転写
物7は、電極層6に電気的および機械的に一体に接続さ
れ、基板1に対しても強固に一体形成される。
At this time, when the electrode layer 6 is formed by copper vapor deposition as shown in FIG. 5, the transfer 7 made of copper plating is electrically and mechanically connected to the electrode layer 6 integrally. It is also firmly formed integrally with the substrate 1.

【0075】これにより、感光層3のテーパ形状(非露
光部分3bの除去部分)は、転写物7を形成するための
型として用いられ、感光層3のテーパ形状を転写物7に
転写することができる。
As a result, the tapered shape of the photosensitive layer 3 (the portion where the non-exposed portion 3b is removed) is used as a mold for forming the transferred material 7, and the tapered shape of the photosensitive layer 3 is transferred to the transferred material 7. Can be.

【0076】このように、光源に対して基板1を斜めに
傾けて感光層3(レジスト)を露光した後、現像および
メッキすることのみにより、任意形状の転写物7を容易
に得ることができるので、大量に且つ安価にテーパ形状
を製造することができる。
As described above, by simply exposing the photosensitive layer 3 (resist) by obliquely tilting the substrate 1 with respect to the light source, and then developing and plating, it is possible to easily obtain the transfer product 7 having an arbitrary shape. Therefore, the tapered shape can be manufactured in large quantities and at low cost.

【0077】なお、上記実施の形態6では、反射防止膜
2上の電極層6として銅を蒸着した場合を示したが、電
極層6は他の金属または導電膜であってもよく、蒸着以
外の方法で反射防止膜2上に形成されてもよい。
In the sixth embodiment, copper is deposited as the electrode layer 6 on the antireflection film 2. However, the electrode layer 6 may be made of another metal or conductive film. May be formed on the antireflection film 2 by the above method.

【0078】また、図5においては、転写物7からなる
テーパ形状として1つのパターンのみを示したが、前述
と同様に、2つ以上のパターンを形成可能なことは言う
までもない。
Further, in FIG. 5, only one pattern is shown as the tapered shape of the transferred material 7, but it is needless to say that two or more patterns can be formed as described above.

【0079】[0079]

【発明の効果】以上のようにこの発明の請求項1によれ
ば、感光層を有する基板上に3次元のテーパ形状を形成
する方法において、基板と感光層との間に反射防止膜を
形成する第1のステップと、光遮断部分を有するマスク
を介して、基板に対して光軸が傾斜された光線により感
光層を露光する第2のステップと、感光層の露光部分ま
たは非露光部分の一方を除去してテーパ形状を得る第3
のステップとを含むので、フォトリソグラフィ法のみを
用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成することので
きるテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the present invention, in a method for forming a three-dimensional tapered shape on a substrate having a photosensitive layer, an antireflection film is formed between the substrate and the photosensitive layer. A second step of exposing the photosensitive layer with a light beam whose optical axis is inclined with respect to the substrate through a mask having a light blocking part; and exposing the exposed or unexposed part of the photosensitive layer. 3rd to remove one to obtain tapered shape
And a step of forming a tapered shape capable of forming a desired tapered shape with high accuracy by using only the photolithography method.

【0080】また、この発明の請求項2によれば、請求
項1において、反射防止膜は、ポリイミドまたは金属の
表面の面粗さを大きくした膜により形成されたので、フ
ォトリソグラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を
高精度に形成することのできるテーパ形状の形成方法が
得られる効果がある。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect, the antireflection film is formed by a film having a large surface roughness of the surface of polyimide or metal. Thus, there is an effect that a method of forming a tapered shape that can form a desired tapered shape with high accuracy is obtained.

【0081】また、この発明の請求項3によれば、請求
項1において、反射防止膜は、光を吸収する膜により形
成されたので、フォトリソグラフィ法のみを用いて、所
望のテーパ形状を高精度に形成することのできるテーパ
形状の形成方法が得られる効果がある。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the anti-reflection film is formed of a film that absorbs light. There is an effect that a method for forming a tapered shape that can be formed with high accuracy is obtained.

【0082】また、この発明の請求項4によれば、請求
項3において、反射防止膜は、基板からの反射光を感光
層に到達させない程度の厚さを有するので、フォトリソ
グラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に
形成することのできるテーパ形状の形成方法が得られる
効果がある。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect, the antireflection film has a thickness that does not allow the reflected light from the substrate to reach the photosensitive layer. Thus, there is an effect that a method of forming a tapered shape that can form a desired tapered shape with high accuracy is obtained.

【0083】また、この発明の請求項5によれば、請求
項1において、反射防止膜は、感光層よりも大きい屈折
率を有する膜により形成されたので、フォトリソグラフ
ィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成す
ることのできるテーパ形状の形成方法が得られる効果が
ある。
According to a fifth aspect of the present invention, in the first aspect, the anti-reflection film is formed by a film having a refractive index larger than that of the photosensitive layer. There is an effect that a method for forming a tapered shape that can form the tapered shape with high precision can be obtained.

【0084】また、この発明の請求項6によれば、請求
項1から請求項5までのいずれかにおいて、第2のステ
ップは、基板に対する光軸の傾斜角度を変更して感光層
を多重露光する第4のステップを含むので、フォトリソ
グラフィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に
形成するとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能
なテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。
According to a sixth aspect of the present invention, in any one of the first to fifth aspects, the second step comprises changing the angle of inclination of the optical axis with respect to the substrate to multiple exposure of the photosensitive layer. Since the method includes the fourth step, a desired taper shape can be formed with high accuracy using only the photolithography method, and a method of forming a taper shape capable of easily realizing various taper shapes can be obtained. .

【0085】また、この発明の請求項7によれば、請求
項1から請求項6までのいずれかにおいて、第2のステ
ップは、基板を回転することによりテーパ形状の回転体
を形成する第5のステップを含むので、フォトリソグラ
フィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成
するとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能なテ
ーパ形状の形成方法が得られる効果がある。
According to a seventh aspect of the present invention, in any one of the first to sixth aspects, the second step is the fifth step of forming a tapered rotator by rotating the substrate. In addition to the steps described above, there is an effect that a desired tapered shape can be formed with high accuracy using only the photolithography method, and a tapered shape forming method capable of easily realizing various tapered shapes can be obtained.

【0086】また、この発明の請求項8によれば、請求
項1から請求項7までのいずれかにおいて、第3のステ
ップにより得られたテーパ形状を転写用の型として使用
し、テーパ形状の部分に転写物を形成する第6のステッ
プと、テーパ形状を形成していた感光層の残り部分を除
去する第7のステップとを含むので、フォトリソグラフ
ィ法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成す
るとともに、種々のテーパ形状を容易に実現可能なテー
パ形状の形成方法が得られる効果がある。
According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, the tapered shape obtained in the third step is used as a transfer mold to form the tapered shape. Since the method includes a sixth step of forming a transfer material on a portion and a seventh step of removing the remaining portion of the photosensitive layer having the tapered shape, the desired tapered shape is formed only by photolithography. In addition to the high-precision formation, there is an effect that a method of forming a taper shape capable of easily realizing various taper shapes is obtained.

【0087】また、この発明の請求項9によれば、請求
項8において、第1のステップは、反射防止膜の上面に
導電膜を電極層として形成する第8のステップを含むの
で、フォトリソグラフィ法のみを用いて、所望のテーパ
形状を高精度に形成するとともに、種々の用途に適用可
能なテーパ形状の形成方法が得られる効果がある。
According to a ninth aspect of the present invention, in the eighth aspect, the first step includes the eighth step of forming a conductive film as an electrode layer on the upper surface of the antireflection film, so that photolithography is performed. By using only the method, a desired tapered shape can be formed with high precision, and a method of forming a tapered shape applicable to various uses can be obtained.

【0088】また、この発明の請求項10によれば、請
求項9において、電極層は、反射防止膜の上面に蒸着さ
れた銅により構成され、転写物は、電気メッキにより形
成された銅により構成されたので、フォトリソグラフィ
法のみを用いて、所望のテーパ形状を高精度に形成する
とともに、種々の用途に適用可能なテーパ形状の形成方
法が得られる効果がある。
According to a tenth aspect of the present invention, in the ninth aspect, the electrode layer is made of copper deposited on the upper surface of the antireflection film, and the transferred material is made of copper formed by electroplating. With such a configuration, there is an effect that a desired tapered shape can be formed with high precision using only the photolithography method, and a tapered shape forming method applicable to various uses can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施の形態1を説明するための側
断面図であり、(a)は露光状態を示し、(b)はレジ
スト除去後のテーパ形状を示している。
FIGS. 1A and 1B are side sectional views for explaining Embodiment 1 of the present invention, in which FIG. 1A shows an exposed state, and FIG. 1B shows a tapered shape after removing a resist.

【図2】 この発明の実施の形態2により形成されたテ
ーパ形状を示す側断面図である。
FIG. 2 is a side sectional view showing a tapered shape formed according to a second embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の実施の形態3を説明するための側
断面図であり、露光時の感光層内の光路を示している。
FIG. 3 is a side sectional view for explaining Embodiment 3 of the present invention, showing an optical path in a photosensitive layer at the time of exposure.

【図4】 この発明の実施の形態5を説明するための図
であり、(a)は時の感光層内の光路を示す側断面図で
あり、(b)はレジスト除去後のテーパ形状を示す斜視
図である。
FIGS. 4A and 4B are views for explaining Embodiment 5 of the present invention, wherein FIG. 4A is a side sectional view showing an optical path in a photosensitive layer at the time, and FIG. FIG.

【図5】 この発明の実施の形態6を説明するための側
断面図であり、テーパ形状の型内に転写物を形成した状
態を示している。
FIG. 5 is a side sectional view for describing Embodiment 6 of the present invention, and shows a state in which a transferred material is formed in a tapered mold.

【図6】 従来のテーパ形状の形成方法を段階的に示す
側断面図である。
FIG. 6 is a side sectional view showing stepwise a conventional method of forming a tapered shape.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板、2 反射防止膜、3 感光層、3a 露光部
分、3b 非露光部分、4 ガラスマスク、4a 光透
過部分、4b 光遮断部分、5 光線、6 電極層、7
転写物、θ 傾斜角度。
Reference Signs List 1 substrate, 2 antireflection film, 3 photosensitive layer, 3a exposed portion, 3b unexposed portion, 4 glass mask, 4a light transmitting portion, 4b light blocking portion, 5 light beams, 6 electrode layers, 7
Transcript, θ tilt angle.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/027 H01L 21/30 514C 574 576 (72)発明者 太田 斎 東京都千代田区丸の内二丁目2番3号 三 菱電機株式会社内 Fターム(参考) 2H025 AB14 AB17 AB20 AC01 AD01 BC13 BC31 DA34 DA40 FA03 FA04 FA39 2H096 AA28 AA30 BA01 CA05 EA12 EA30 2H097 BB03 CA13 LA10 4K024 AA09 AB08 BA09 BB12 FA05 GA16 5F046 CB25 CC01 DA12 PA05 PA06 PA07 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI FI Theme Court ゛ (Reference) H01L 21/027 H01L 21/30 514C 574 576 (72) Inventor Sai Ota 2-chome Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo No. 3 Mitsubishi Electric Corporation F-term (reference) 2H025 AB14 AB17 AB20 AC01 AD01 BC13 BC31 DA34 DA40 FA03 FA04 FA39 2H096 AA28 AA30 BA01 CA05 EA12 EA30 2H097 BB03 CA13 LA10 4K024 AA09 AB08 BA09 BB12 FA05 GA16 5F046 CB25 PA07

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 感光層を有する基板上に3次元のテーパ
形状を形成する方法において、 前記基板と前記感光層との間に反射防止膜を形成する第
1のステップと、 光遮断部分を有するマスクを介して、前記基板に対して
光軸が傾斜された光線により前記感光層を露光する第2
のステップと、 前記感光層の露光部分または非露光部分の一方を除去し
てテーパ形状を得る第3のステップとを含むことを特徴
とするテーパ形状の形成方法。
1. A method for forming a three-dimensional tapered shape on a substrate having a photosensitive layer, comprising: a first step of forming an antireflection film between the substrate and the photosensitive layer; and a light blocking portion. A second step of exposing the photosensitive layer with a light beam having an optical axis inclined with respect to the substrate through a mask;
And a third step of removing one of an exposed portion and a non-exposed portion of the photosensitive layer to obtain a tapered shape.
【請求項2】 前記反射防止膜は、ポリイミドまたは金
属の表面の面粗さを大きくした膜により形成されたこと
を特徴とする請求項1に記載のテーパ形状の形成方法。
2. The method according to claim 1, wherein the antireflection film is formed of a film having a surface roughness of polyimide or metal.
【請求項3】 前記反射防止膜は、光を吸収する膜によ
り形成されたことを特徴とする請求項1に記載のテーパ
形状の形成方法。
3. The method according to claim 1, wherein the antireflection film is formed of a light absorbing film.
【請求項4】 前記反射防止膜は、前記基板からの反射
光を前記感光層に到達させない程度の厚さを有すること
を特徴とする請求項3に記載のテーパ形状の形成方法。
4. The method according to claim 3, wherein the antireflection film has a thickness that does not allow light reflected from the substrate to reach the photosensitive layer.
【請求項5】 前記反射防止膜は、前記感光層よりも大
きい屈折率を有する膜により形成されたことを特徴とす
る請求項1に記載のテーパ形状の形成方法。
5. The method according to claim 1, wherein the antireflection film is formed of a film having a higher refractive index than the photosensitive layer.
【請求項6】 前記第2のステップは、前記基板に対す
る前記光軸の傾斜角度を変更して前記感光層を多重露光
する第4のステップを含むことを特徴とする請求項1か
ら請求項5までのいずれかに記載のテーパ形状の形成方
法。
6. The method according to claim 1, wherein the second step includes a fourth step of changing a tilt angle of the optical axis with respect to the substrate and performing multiple exposure of the photosensitive layer. The method for forming a tapered shape according to any one of the above.
【請求項7】 前記第2のステップは、前記基板を回転
することによりテーパ形状の回転体を形成する第5のス
テップを含むことを特徴とする請求項1から請求項6ま
でのいずれかに記載のテーパ形状の形成方法。
7. The method according to claim 1, wherein the second step includes a fifth step of forming a tapered rotator by rotating the substrate. A method for forming the tapered shape described above.
【請求項8】 前記第3のステップにより得られたテー
パ形状を転写用の型として使用し、前記テーパ形状の部
分に転写物を形成する第6のステップと、前記テーパ形
状を形成していた前記感光層の残り部分を除去する第7
のステップとを含むことを特徴とする請求項1から請求
項7までのいずれかに記載のテーパ形状の形成方法。
8. The method according to claim 6, wherein the tapered shape obtained in the third step is used as a transfer die, and a sixth step of forming a transferred material on the tapered portion, and the tapered shape is formed. Removing the remaining portion of the photosensitive layer.
The method of forming a tapered shape according to any one of claims 1 to 7, comprising the following steps:
【請求項9】 前記第1のステップは、前記反射防止膜
の上面に導電膜を電極層として形成する第8のステップ
を含むことを特徴とする請求項8に記載のテーパ形状の
形成方法。
9. The method according to claim 8, wherein the first step includes an eighth step of forming a conductive film on the upper surface of the antireflection film as an electrode layer.
【請求項10】 前記電極層は、前記反射防止膜の上面
に蒸着された銅により構成され、 前記転写物は、電気メッキにより形成された銅により構
成されたことを特徴とする請求項9に記載のテーパ形状
の形成方法。
10. The method according to claim 9, wherein the electrode layer is made of copper deposited on an upper surface of the anti-reflection film, and the transferred material is made of copper formed by electroplating. A method for forming the tapered shape described above.
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