JP2001233939A - 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 - Google Patents
液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置Info
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Abstract
において、より高い信頼性を有する液状封止樹脂組成物
を提供する。 【解決手段】 (A)式(1)で示されるエポキシ樹
脂、(B)硬化剤、(C)シリカからなる液状封止樹脂
組成物である。また、半導体素子を上記の液状封止樹脂
組成物を用いて封止して製作された半導体装置である。 【化3】
Description
いられる液状封止樹脂組成物に関するものであり、その
樹脂組成物を用いた半導体装置である。
の多ピン化、多様化に伴い周辺材料である樹脂材料に対
する信頼性の要求は年々厳しいものとなってきている。
従来はリードフレームに半導体チップを接着しモールド
樹脂で封止したパッケージが主流であったが、多ピン化
の限界からボールグリッドアレイ(BGA)の様なパッ
ケージがかなり増えてきている。
封止されるが、基板、ソルダーレジスト、及び金、ニッ
ケル等のメッキ部分から構成されているためそれらに対
する接着性が重要である。また表面実装方式でマザーボ
ードと接合するため耐半田クラック性が必要である。更
に信頼性の一環として温度サイクル試験(T/C試験)があ
り、パッケージには高い信頼性が要求される。
ては、 ・耐半田クラック性:30℃、60%RHの条件でパッ
ケージを一週間吸湿させた後リフロー処理し剥離、クラ
ックのないこと ・T/C試験:-55℃〜125℃(各温度さらし時間30
分)、1000サイクル以上の処理をした後、剥離、クラッ
クのないことなどである。
を一週間吸湿させた後リフロー処理し剥離、クラックの
ないこと ・T/C試験:-65℃〜150℃(各さらし時間30分)、100
0サイクル以上の処理をした後、剥離、クラックのない
ことなどリードフレーム型パッケージと同等のより厳し
い条件が要求されている。しかし、半導体を封止する液
状封止樹脂組成物においてこのような信頼性を満足する
材料はなかった。
おいて、耐半田クラック性試験、T/C試験等を満足す
る信頼性の高い液状封止樹脂組成物を提供することにあ
る。
のような問題を解決するために鋭意検討を重ねてきた結
果、式(1)で示されるエポキシ樹脂、硬化剤、シリカ
からなる液状封止樹脂組成物が低応力性を有し信頼性に
優れていることを見出し本発明を完成させるに至った。
アルキル化ジアミノジフェニルメタンである液状封止樹
脂組成物である。また、半導体素子が上記の液状封止樹
脂組成物を用いて封止された半導体装置である。
されるエポキシ樹脂(A)を用いると、硬化物が低弾性
率化され、液状封止樹脂に求められる低応力性を有する
ことを見いだした。また、信頼性の優れた液状封止樹脂
組成物を得るために、硬化剤のNa+、Cl-等のイオン性不
純物はできるだけ少ないものが好ましい。
フェノール樹脂等があるが特に限定されない。より好ま
しくはアルキル化ジアミノジフェニルメタンである。ア
ルキル化ジアミノジフェニルメタンの例としては、エチ
ル化ジアミノジフェニルメタン、メチル化ジアミノジフ
ェニルメタン等がある。これを用いた場合、特に金属、
ソルダーレジスト等BGAパッケージに必須の被着体へ
の接着性が、式(1)で示されるエポキシ樹脂との組み
合わせにおいて特に優れるからである。また、信頼性の
優れた液状封止樹脂組成物を得るために、硬化剤のN
a+、Cl-等のイオン性不純物はできるだけ少ないものが
好ましい。
剤との配合モル比は0.8〜1.2が望ましい。0.8未満の場
合は、過剰に未反応の硬化剤の反応基が残存することと
なり、耐湿性の低下、信頼性の低下に繋がる。逆に1.2
を越えると硬化が不十分となり、信頼性の低下に繋が
る。
填に用いることができるものなら何れも使用できる。そ
の中でもシリカが好ましく、例えば、結晶シリカ、溶融
シリカ等が用いられる。形状は一般に球状、破砕状、フ
レーク状等があるが、充填材をより多く添加することに
より線膨張係数の低減化が図られ、その効果をあげるた
めには球状の無機充填材が最も良い。
90wt%が望ましい。60wt%未満だと、硬化物の線膨張
係数が大きくなり、硬化後のパッケージへの応力蓄積や
T/C試験での樹脂クラックを起こす恐れがある。一方、
90wt%を越えると結果として得られる液状封止樹脂組
成物の粘度が高くなり過ぎ、実用レベルではないため好
ましくない。
必須成分の他に必要に応じて、硬化促進剤、希釈剤、顔
料、カップリング剤、難燃剤、レベリング剤、消泡剤等
の添加物を用いても差し支えない。液状封止樹脂組成物
は、各成分、添加物等を3本ロールにて分散混練し、真
空下で脱泡処理して製造する。
体装置を製作すると、従来より信頼性の高い半導体装置
を得ることが出来る。半導体装置の製造方法は公知の方
法を用いることが出来る。
25)100重量部、硬化剤としてエチル化ジアミノジ
フェニルメタン(カヤハート゛A-A、日本化薬社製、当量65)3
0重量部、密着性助剤としてγ-グリシジルトリメトキ
シシラン6重量部、平均粒径6μm、最大粒径50μm
の球状シリカ320重量部、希釈剤として、ブチルセロ
ソルブアセテート7.5重量部、カーボンブラック1重
量部を秤量し、これらの原材料を3本ロールにて分散混
練し、真空下脱泡処理をして液状封止樹脂組成物を得
た。次に、得られた液状封止樹脂組成物を用いて接着
性、靱性値の尺度として破壊エネルギー及び信頼性試験
を行った。
樹脂(等量225)100重量部、硬化剤としてアリル
フェノールノボラック(MEH-8000、明和化成製、水酸基
141)62重量部、密着性助剤としてγ-グリシジルトリ
メトキシシラン7重量部、平均粒径6μm、最大粒径5
0μmの球状シリカ395重量部、希釈剤として、ブチ
ルセロソルブアセテート7.5重量部、カーボンブラッ
ク1重量部を秤量し、これの原材料を3本ロールにて分
散混練し、真空下脱泡処理をして液状封止樹脂組成物を
得た。次に、得られた液状封止樹脂組成物を用いて接着
性、靱性値の尺度として破壊エネルギー及び信頼性試験
を行った。
樹脂(当量165)100重量部、硬化剤としてエチル化ジ
アミノジフェニルメタン(カヤハート゛A-A、日本化薬社製、
当量65)40重量部、密着性助剤としてγ-グリシジルト
リメトキシシラン6重量部、平均粒径6μm、最大粒径
50μmの球状シリカ350重量部、希釈剤としてブチ
ルセロソルブアセテート7.5重量部、カーボンブラッ
ク1重量部を秤量し、これらの原材料を3本ロールに
て、分散混練し真空下脱泡処理をして液状封止樹脂組成
物を得た。次に、得られた液状封止樹脂組成物を用いて
接着性、靱性値の尺度として破壊エネルギー及び信頼性
試験を行った。
樹脂(当量165)100重量部、硬化剤としてアリルフェ
ノールノボラック(MEH-8000、明和化成製、水酸基141)
83重量部、密着性助剤としてγ-グリシジルトリメト
キシシラン6重量部、平均粒径6μm、最大粒径50μ
mの球状シリカ445重量部、希釈剤としてブチルセロ
ソルブアセテート7.5重量部、カーボンブラック1重
量部を秤量し、これらの原材料を3本ロールにて分散混
練し、真空下脱泡処理をして液状封止樹脂組成物を得
た。次に、得られた液状封止樹脂組成物を用いて接着
性、靱性値の尺度として破壊エネルギー及び信頼性試験
を行った。
000AUS05/CA-40AUS2)が塗布されたガラス−エポキシ
基板に液状封止樹脂組成物を塗布し、上から6x6mmのチ
ップをマウントし、150℃、3時間で硬化させ、200
℃のホットプレートに載置しタ゛イシェアー強度を測定した。 2)弾性率;幅10mm、厚み4mm、長さ13mmの試験片
を作製し(試験片の硬化条件:150℃,3時間)、万
能試験機を用いて曲げ試験を行い、ひずみ−応力グラフ
より計算し求めた。
リコンチップがマウントされたBGA基板に液状封止樹
脂組成物を塗布し(キャヒ゛ティサイス゛:25mmx25mmx1mmt)、1
50℃、3時間の条件で硬化させて、試験片を作製し
た。次に、T/C処理(−55℃/30分←→125℃
/30分、1000サイクル)を施した後、超音波探傷機
(SAT)にて半導体チップとプリント基板界面との剥
離、クラックの有無を確認した。試験に用いたサンプル
数は10個である。
条件で作製したテストピース10個を、85℃、85%
RHの条件で72時間の湿度処理を施したのち、IRリ
フロー(最大温度240℃、90秒)にて2回処理した
後、SATにて剥離、クラックの有無を確認した。
応力性を有し、よって耐半田クラック性試験、T/C試
験等を満足し、信頼性の高い液状封止樹脂組成物であ
り、半導体装置である。
Claims (3)
- 【請求項1】 (A)式(1)で示されるエポキシ樹
脂、(B)硬化剤、(C)無機フィラーからなることを
特徴とする液状封止樹脂組成物。 【化1】 (nは1から50までの整数) - 【請求項2】 該硬化剤がアルキル化ジアミノジフェニ
ルメタンである請求項1記載の液状封止樹脂組成物。 - 【請求項3】 請求項1記載の液状封止樹脂組成物を用
いて半導体素子を封止して製作された半導体装置。
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JP2000043815A JP3622950B2 (ja) | 2000-02-22 | 2000-02-22 | 液状封止樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322831A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kanazawa Inst Of Technology | 超伝導素子の封止剤及び封止方法並びに超伝導素子 |
-
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- 2000-02-22 JP JP2000043815A patent/JP3622950B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP2005322831A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Kanazawa Inst Of Technology | 超伝導素子の封止剤及び封止方法並びに超伝導素子 |
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