JP2001230187A - 低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法 - Google Patents
低表面エネルギ層を用いるリソグラフィック・プリンティングを行う方法Info
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- JP2001230187A JP2001230187A JP2000040706A JP2000040706A JP2001230187A JP 2001230187 A JP2001230187 A JP 2001230187A JP 2000040706 A JP2000040706 A JP 2000040706A JP 2000040706 A JP2000040706 A JP 2000040706A JP 2001230187 A JP2001230187 A JP 2001230187A
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- low surface
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】第１および第２表面を有する部分的に透明なマ
スク（１８）を用いて装置上に密接焼付を行う方法を提
供する。 【解決手段】この方法は、低表面エネルギの高分子材料
（２２）の層をマスクの第１表面（２４）に堆積する段
階と、装置（１０）に隣接するマスクの第１表面（２
４）を載置する段階であって、低表面エネルギの高分子
材料の層は実質的に装置に接触している段階と、装置の
パターンに影響を与えるために、マスクの第２表面に放
射を与える段階と、から構成される。
スク（１８）を用いて装置上に密接焼付を行う方法を提
供する。 【解決手段】この方法は、低表面エネルギの高分子材料
（２２）の層をマスクの第１表面（２４）に堆積する段
階と、装置（１０）に隣接するマスクの第１表面（２
４）を載置する段階であって、低表面エネルギの高分子
材料の層は実質的に装置に接触している段階と、装置の
パターンに影響を与えるために、マスクの第２表面に放
射を与える段階と、から構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般に密着焼付法
に関し、さらに詳しくは、写真製版工程(photolithogra
phic process)でマスクを被覆する方法に関するもので
ある。
に関し、さらに詳しくは、写真製版工程(photolithogra
phic process)でマスクを被覆する方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】集積回路の製造は、何らかの形で影響を
及ぼし合う幾つかの材料層を生成することを含む。これ
らの層の１つあるいはそれ以上の層はパターン化され、
その層の様々な領域は異なる電気的特性を有し、層内あ
るいは他の層と内部結合して電気的要素あるいは回路を
作り出す。これらの領域は、様々な物質を選択的に導入
しあるいは除去することにより作り出される。このよう
な領域を定義するパターンは製版工程によって作り出さ
れてもよい。例えば、フォトレジスト材料層はウェーハ
基板を覆う層上に塗布される。マスク（透明および不透
明領域を含む）は、紫外線、電子線あるいはエックス線
などの放射線をこのフォトレジスト材料に選択的に照射
するために使用される。フォトレジスト材料がその線に
照射されようとされまいと、溶解液を与えることによっ
て取り除かれる。その後エッチングが残されたレジスト
によって保護されない層に対して行われ、そのレジスト
が取り除かれると基板を覆う層がパターン化される。
及ぼし合う幾つかの材料層を生成することを含む。これ
らの層の１つあるいはそれ以上の層はパターン化され、
その層の様々な領域は異なる電気的特性を有し、層内あ
るいは他の層と内部結合して電気的要素あるいは回路を
作り出す。これらの領域は、様々な物質を選択的に導入
しあるいは除去することにより作り出される。このよう
な領域を定義するパターンは製版工程によって作り出さ
れてもよい。例えば、フォトレジスト材料層はウェーハ
基板を覆う層上に塗布される。マスク（透明および不透
明領域を含む）は、紫外線、電子線あるいはエックス線
などの放射線をこのフォトレジスト材料に選択的に照射
するために使用される。フォトレジスト材料がその線に
照射されようとされまいと、溶解液を与えることによっ
て取り除かれる。その後エッチングが残されたレジスト
によって保護されない層に対して行われ、そのレジスト
が取り除かれると基板を覆う層がパターン化される。
【０００３】この写真製版工程では、マスクはフォトレ
ジストに接触して載置してもよく（密着焼付法）、フォ
トレジストに近接して載置してもよく（近接焼付法）、
あるいはより遠くから投射してもよい（投射焼付法）。
密着焼付法は、集積回路上にパターンを形成するために
おそらく最も初期に用いられた方法であるが、すばらし
い分解能と高いスループットを提供する。マスクは、た
とえば、前のパターンが形成されたとき、フォトレジス
ト／層の上に正確に整合される。マスクは、たとえば、
クランピングまたは真空によってカバーされたフォトレ
ジスト層によって確保される。
ジストに接触して載置してもよく（密着焼付法）、フォ
トレジストに近接して載置してもよく（近接焼付法）、
あるいはより遠くから投射してもよい（投射焼付法）。
密着焼付法は、集積回路上にパターンを形成するために
おそらく最も初期に用いられた方法であるが、すばらし
い分解能と高いスループットを提供する。マスクは、た
とえば、前のパターンが形成されたとき、フォトレジス
ト／層の上に正確に整合される。マスクは、たとえば、
クランピングまたは真空によってカバーされたフォトレ
ジスト層によって確保される。
【０００４】しかしながら、密着焼付法に対しては、パ
ターンまたはマスク中の欠陥が継続的に現れ、特にマス
クを洗浄しないで連続的に幾つかの基板を焼く付けるた
めに繰り返して用いられると発生する。これらの欠陥
は、そのマスクに晒される次の層上に焼き付けられる。
次に、密着焼付法で用いられる硬い表面のマスクは定期
的に検査されかつ清浄されなければならないが、時間が
かかり費用のかかる工程である。欠陥が除去できない場
合、そのマスクは取り替えなければならない。
ターンまたはマスク中の欠陥が継続的に現れ、特にマス
クを洗浄しないで連続的に幾つかの基板を焼く付けるた
めに繰り返して用いられると発生する。これらの欠陥
は、そのマスクに晒される次の層上に焼き付けられる。
次に、密着焼付法で用いられる硬い表面のマスクは定期
的に検査されかつ清浄されなければならないが、時間が
かかり費用のかかる工程である。欠陥が除去できない場
合、そのマスクは取り替えなければならない。
【０００５】密着焼付法でのこれらの欠陥は、フォトレ
ジストの粒子がべとべとして粘着性があって、マスクに
付着する場合に発生する。従来のマスクは、クロムでは
なくガラスを通して放射して、クロムおよびガラスの表
面から成る。ガラスおよびクロム双方とも高い表面エネ
ルギを持ち、フォトレジストの粒子およびそれに粘着す
る汚れを容易に生み出す。粒子がガラスに付着すると、
放射が吸収（阻止）され、次に処理される層の上にある
フォトレジストに到達しない。次のフォトレジスト層の
上にあるこれらの小さな領域に到達するための放射がう
まくいかないと欠陥を生じさせる。さらに、ガラスある
いはクロムのいずれかに粘着する粒子はマスクとフォト
レジスト表面との間の密着性を阻止し（間隙を生じさ
せ）、結果として像の解像度を落とすことになる。解像
度が落ちると、領域間の境界画定は、不明瞭な線とな
る。したがって、解像度の損失を導く回折を最小限にす
ることが望まれる。
ジストの粒子がべとべとして粘着性があって、マスクに
付着する場合に発生する。従来のマスクは、クロムでは
なくガラスを通して放射して、クロムおよびガラスの表
面から成る。ガラスおよびクロム双方とも高い表面エネ
ルギを持ち、フォトレジストの粒子およびそれに粘着す
る汚れを容易に生み出す。粒子がガラスに付着すると、
放射が吸収（阻止）され、次に処理される層の上にある
フォトレジストに到達しない。次のフォトレジスト層の
上にあるこれらの小さな領域に到達するための放射がう
まくいかないと欠陥を生じさせる。さらに、ガラスある
いはクロムのいずれかに粘着する粒子はマスクとフォト
レジスト表面との間の密着性を阻止し（間隙を生じさ
せ）、結果として像の解像度を落とすことになる。解像
度が落ちると、領域間の境界画定は、不明瞭な線とな
る。したがって、解像度の損失を導く回折を最小限にす
ることが望まれる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】過去においてこれらの
問題を解決する努力が、薄い、１分子の深さの、マスク
への変換コーティング（フッ化された、炭化水素のクロ
ロシレン・モノマー）を応用することにより行われた。
このコーティングは、マスクのガラス部分に接合する
が、マスクのクロム部分とは低い接合性を有する。少な
い数のサンプルを用いた試験結果はこのコーティングが
非常に限定された耐久性しか持たないことを示した。こ
の耐久性の欠如の結果として、コーティングは数回の使
用後に再度施すことを要する。
問題を解決する努力が、薄い、１分子の深さの、マスク
への変換コーティング（フッ化された、炭化水素のクロ
ロシレン・モノマー）を応用することにより行われた。
このコーティングは、マスクのガラス部分に接合する
が、マスクのクロム部分とは低い接合性を有する。少な
い数のサンプルを用いた試験結果はこのコーティングが
非常に限定された耐久性しか持たないことを示した。こ
の耐久性の欠如の結果として、コーティングは数回の使
用後に再度施すことを要する。
【０００７】したがって、写真製版工程中にマスクに付
着する粒子の数を減らすことにより欠陥を極力押さえる
改良された密着焼付法が望まれる。
着する粒子の数を減らすことにより欠陥を極力押さえる
改良された密着焼付法が望まれる。
【０００８】
【実施例】図１を参照して、製造中の集積回路１０が示
され、層１４に下の基板１２を含む。基板１２および層
１４は集積回路を作る際に用いられる材料、例えば現在
良く知られているシリコンまたはガリウム砒素から成
る。従来の方法によって、フォトレジストである層１６
は層１４上に被覆される。
され、層１４に下の基板１２を含む。基板１２および層
１４は集積回路を作る際に用いられる材料、例えば現在
良く知られているシリコンまたはガリウム砒素から成
る。従来の方法によって、フォトレジストである層１６
は層１４上に被覆される。
【０００９】図２を参照して、マスク１８の簡単な図が
示され、典型的にはガラスまたは石英から製造される基
体２０からなり、不透明な材料の部分をもち、典型的に
はクロムであるが、当業者にはよく知られた方法で分散
される。溶剤を含む低表面エネルギの高分子材料である
層２２が基体２０の表面２４に堆積される。１実施例と
しての材料は、樹脂を含む四フッ化エチレン、あるいは
四フッ化エチレンおよびビストリフルオルエチレン二フ
ッ化二オクソール(bistrifluoromethyl disfluoro diox
ole)の共重合体である。これらの材料は耐熱性、耐久
性、透明性を有すると共に、実質的に水分吸収性がゼロ
を示しかつ低摩擦係数を持つ。さらに重要なことは、こ
れらは耐粘着性があり、レジストとの接触を形成する際
にその材料はレジストおよび粉塵の粒子を集積するのを
防ぐ。他の実施例では、その材料は、例えば、アモルフ
ァス・フッ化重合体(amorphous fluoropolymer)、炭化
水素(hydrocarbon)、またはシリコンを基本とする材料
である。その材料は幾つかの従来の方法、例えばスピン
・コーティング、吹き付け(spraying)、または蒸気蒸着
(vsapor deposition) のいずれかで行われる。その材料
は例えば４０オングストロームから５０ミクロンの厚さ
に形成されるが、７００オングストロームが最も良く作
用することが示された。
示され、典型的にはガラスまたは石英から製造される基
体２０からなり、不透明な材料の部分をもち、典型的に
はクロムであるが、当業者にはよく知られた方法で分散
される。溶剤を含む低表面エネルギの高分子材料である
層２２が基体２０の表面２４に堆積される。１実施例と
しての材料は、樹脂を含む四フッ化エチレン、あるいは
四フッ化エチレンおよびビストリフルオルエチレン二フ
ッ化二オクソール(bistrifluoromethyl disfluoro diox
ole)の共重合体である。これらの材料は耐熱性、耐久
性、透明性を有すると共に、実質的に水分吸収性がゼロ
を示しかつ低摩擦係数を持つ。さらに重要なことは、こ
れらは耐粘着性があり、レジストとの接触を形成する際
にその材料はレジストおよび粉塵の粒子を集積するのを
防ぐ。他の実施例では、その材料は、例えば、アモルフ
ァス・フッ化重合体(amorphous fluoropolymer)、炭化
水素(hydrocarbon)、またはシリコンを基本とする材料
である。その材料は幾つかの従来の方法、例えばスピン
・コーティング、吹き付け(spraying)、または蒸気蒸着
(vsapor deposition) のいずれかで行われる。その材料
は例えば４０オングストロームから５０ミクロンの厚さ
に形成されるが、７００オングストロームが最も良く作
用することが示された。
【００１０】図３において、熱２６（矢印で示されてい
る）が層２２の低表面エネルギの高分子材料に与えら
れ、溶剤を除去する。材料が高温度Tgで熱的に安定であ
っても、Tgを越えて（おおよそ摂氏160度から摂氏300
度）その材料を短時間、例えば、摂氏180度で3分加熱
（焼成）すれば、材料中の溶剤を除去することができる
であろう。
る）が層２２の低表面エネルギの高分子材料に与えら
れ、溶剤を除去する。材料が高温度Tgで熱的に安定であ
っても、Tgを越えて（おおよそ摂氏160度から摂氏300
度）その材料を短時間、例えば、摂氏180度で3分加熱
（焼成）すれば、材料中の溶剤を除去することができる
であろう。
【００１１】図４を参照して、集積回路１０と接触する
マスク１８の断面図が示される。上述したように、透明
材料２８は基体２０内に点在する。放射３２（矢印で示
されている）が基体２０の表面３０に照射されて、基体
２０によって吸収されあるいは反射されるが、透明材料
２８および層２２の低表面エネルギの高分子材料を通過
し、パターンを形成する層１６のレジストに衝突する。
マスク１８の断面図が示される。上述したように、透明
材料２８は基体２０内に点在する。放射３２（矢印で示
されている）が基体２０の表面３０に照射されて、基体
２０によって吸収されあるいは反射されるが、透明材料
２８および層２２の低表面エネルギの高分子材料を通過
し、パターンを形成する層１６のレジストに衝突する。
【００１２】その後、マスク１８は層２２上の材料に密
着している層１６のいずれのレジストもなしに、取り除
かれる。マスク１８と層１６との間および層１６と下層
１４との間の乾燥粘着力が拡散相互作用によって次のよ
うに表わされる。
着している層１６のいずれのレジストもなしに、取り除
かれる。マスク１８と層１６との間および層１６と下層
１４との間の乾燥粘着力が拡散相互作用によって次のよ
うに表わされる。
【数１】 ここで、サフィックスＭ，Ｒ，およびＳはマスク１８、
層１６および層１４をそれぞれ示す。Ｗaはサフィック
スで指示する２つの材料間の相性を示す粘着性の作用で
あり、Ｙdは表面の自由エネルギの分散成分である。粘
着性はＷaとともに増加するので、フォトレジストは、
層１６および層１４をそれぞれ示す。Ｗaはサフィック
スで指示する２つの材料間の相性を示す粘着性の作用で
あり、Ｙdは表面の自由エネルギの分散成分である。粘
着性はＷaとともに増加するので、フォトレジストは、
【数２】 の場合、基板よりむしろフォトマスクに粘着する。
【００１３】第１および第２の数式を第３に代入して、
次式を得る。
次式を得る。
【数３】 続いて、フォトレジストがマスクに粘着するのを防ぐた
めに、
めに、
【数４】 は
【数５】 より小さくなければならない。適切な低表面エネルギ材
料で表面をコーティングすることによりマスクの表面エ
ネルギを低下させることによって目標を達成する。材料
２２に接着しない層１６のレジストによって、先行技術
より優れた少なくとも２つの利点が挙げられる。第１
に、マスク１８（材料２２）を次のマスク操作で層１６
のフォトレジストと直接接触（間隙なし）して載置で
き、それにより良好な解像度を提供する。第２に、ガラ
ス２８を通過する放射３２，３６は前回の操作によるレ
ジスト粒子によって次のレジストに到達するのを阻止さ
れることがなく、それにより欠陥を防止できる。低表面
エネルギ材料による１つの試験は、１００枚のウェーハ
に照射した後、照射エネルギに変化がなく、無欠陥の導
入および解像度に損失がないことを示した。
料で表面をコーティングすることによりマスクの表面エ
ネルギを低下させることによって目標を達成する。材料
２２に接着しない層１６のレジストによって、先行技術
より優れた少なくとも２つの利点が挙げられる。第１
に、マスク１８（材料２２）を次のマスク操作で層１６
のフォトレジストと直接接触（間隙なし）して載置で
き、それにより良好な解像度を提供する。第２に、ガラ
ス２８を通過する放射３２，３６は前回の操作によるレ
ジスト粒子によって次のレジストに到達するのを阻止さ
れることがなく、それにより欠陥を防止できる。低表面
エネルギ材料による１つの試験は、１００枚のウェーハ
に照射した後、照射エネルギに変化がなく、無欠陥の導
入および解像度に損失がないことを示した。
【００１４】図５は、他の実施例を示し、マスク１８は
照射３２，３６が与えられる前にレジストの層１６から
分離される。この方法は、典型的には近接焼付法に関連
する。マスク１８は適切に整合するために層１６と接触
して載置される。
照射３２，３６が与えられる前にレジストの層１６から
分離される。この方法は、典型的には近接焼付法に関連
する。マスク１８は適切に整合するために層１６と接触
して載置される。
【００１５】図６，７はマスク１８が取り除かれた後の
典型的な工程を表わす。放射された（照射された）層１
６のフォトレジスト中の部分３４は溶解剤（現像剤）中
で溶かされ、層１６のフォトレジスト中の可溶部分は除
去される。他の実施例では、照射は層１６のフォトレジ
ストを、選択された溶解剤に依存するが、不溶解にし、
照射されない部分は取り除かれる（ここには示されてい
ない）。
典型的な工程を表わす。放射された（照射された）層１
６のフォトレジスト中の部分３４は溶解剤（現像剤）中
で溶かされ、層１６のフォトレジスト中の可溶部分は除
去される。他の実施例では、照射は層１６のフォトレジ
ストを、選択された溶解剤に依存するが、不溶解にし、
照射されない部分は取り除かれる（ここには示されてい
ない）。
【００１６】その後、従来の方法を用いて、集積回路１
０がさらに処理される。例えば、図８および９は層１６
が除去される前に層１４に注入されるイオンのような照
射を示す。代わって、例えば、図１０および１１は層１
６の除去前にエッチングされる層１４を示す。この発明
は、半導体産業、例えばコンパクト・ディスクまたは他
の装置の製造に加え、他の多くの技術中の密着焼付法ま
たはスタンピング(stamping)・リソグラフィに応用する
ことができる。ＣＤはプラスティック板上の連続した凸
凹としてのデータを複製することによりリソグラフ工程
で製造され、レーザ・ビームを使用して読み取ることが
できる。ＣＤ産業の関係者にはよく知られているよう
に、フォトレジストでパターン化したガラス・マスタ
（親盤）上にニッケルを電気めっきすることにより形成
される。スタンパ(stamper)がその後ニッケルをガラス
から分離し、フォトレジストを除去することにより形成
される。スタンプ上のパターン情報はスタンピング工程
を介して柔らかく柔軟性のある注入によりモールドされ
たポリカーボネート(polycarbonate)に転送される。こ
の工程は、は過度のポリカーボネートおよび軽い粉塵あ
るいは土がニッケル・マスタに付着すると典型的にはス
タンプを汚染し、半導体サンプルのために上述したのと
同様の問題を生じさせる。低表面エネルギの解放剤(rel
ease agent)のコーティングは汚染を防止するためにニ
ッケル・マスタに塗布される。
０がさらに処理される。例えば、図８および９は層１６
が除去される前に層１４に注入されるイオンのような照
射を示す。代わって、例えば、図１０および１１は層１
６の除去前にエッチングされる層１４を示す。この発明
は、半導体産業、例えばコンパクト・ディスクまたは他
の装置の製造に加え、他の多くの技術中の密着焼付法ま
たはスタンピング(stamping)・リソグラフィに応用する
ことができる。ＣＤはプラスティック板上の連続した凸
凹としてのデータを複製することによりリソグラフ工程
で製造され、レーザ・ビームを使用して読み取ることが
できる。ＣＤ産業の関係者にはよく知られているよう
に、フォトレジストでパターン化したガラス・マスタ
（親盤）上にニッケルを電気めっきすることにより形成
される。スタンパ(stamper)がその後ニッケルをガラス
から分離し、フォトレジストを除去することにより形成
される。スタンプ上のパターン情報はスタンピング工程
を介して柔らかく柔軟性のある注入によりモールドされ
たポリカーボネート(polycarbonate)に転送される。こ
の工程は、は過度のポリカーボネートおよび軽い粉塵あ
るいは土がニッケル・マスタに付着すると典型的にはス
タンプを汚染し、半導体サンプルのために上述したのと
同様の問題を生じさせる。低表面エネルギの解放剤(rel
ease agent)のコーティングは汚染を防止するためにニ
ッケル・マスタに塗布される。
【００１７】さらに別の実施例はマスク１８を装置（図
５に表わされているように）から予め定める距離だけ離
れて載置し、、その上にパターンがレンズを通して放射
を投じることにより生成される。この方法は、典型的に
は投射焼付法に関連する。低表面エネルギの高分子材料
である層２２は環境中の汚染物質がマスク１８に付着す
るのを防止する。
５に表わされているように）から予め定める距離だけ離
れて載置し、、その上にパターンがレンズを通して放射
を投じることにより生成される。この方法は、典型的に
は投射焼付法に関連する。低表面エネルギの高分子材料
である層２２は環境中の汚染物質がマスク１８に付着す
るのを防止する。
【００１８】まとめると、低表面エネルギの高分子材料
のコーティング材料を有する写真製版マスクは、低表面
エネルギを有し、（１）容易に塗布でき、（２）容易に
除去でき（例えば、フッ化された溶剤(fluorinated sol
vent)）、（３）放射を与えるために透明であり、
（４）分解能の損失を避けるために薄くかつ均一に塗布
でき、そして（５）粘着性に強い耐久性がある点を提供
する。
のコーティング材料を有する写真製版マスクは、低表面
エネルギを有し、（１）容易に塗布でき、（２）容易に
除去でき（例えば、フッ化された溶剤(fluorinated sol
vent)）、（３）放射を与えるために透明であり、
（４）分解能の損失を避けるために薄くかつ均一に塗布
でき、そして（５）粘着性に強い耐久性がある点を提供
する。
【図１】写真製版マスクで処理する前の集積回路層の正
面図を示す。
面図を示す。
【図２】マスクの正面図を示す。
【図３】加熱中のマスクの正面図を示す。
【図４】集積回路と接触するマスクで処理中の、図１の
ライン４‐４に沿って切断した断面図を示す。
ライン４‐４に沿って切断した断面図を示す。
【図５】集積回路から分離したマスクで処理中の、図１
のライン４‐４に沿って切断した断面図を示す。
のライン４‐４に沿って切断した断面図を示す。
【図６】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導体
処理を示す。
処理を示す。
【図７】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導体
処理を示す。
処理を示す。
【図８】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導体
処理を示す。
処理を示す。
【図９】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導体
処理を示す。
処理を示す。
【図１０】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導
体処理を示す。
体処理を示す。
【図１１】マスクで処理した後、図１の集積回路の半導
体処理を示す。
体処理を示す。
１０：集積回路 １２：基板 １４，１６，２２：層 １８：マスク ２０：基体 ２４，３０：表面 ２６：熱 ２８：透明材料 ３２，３６：放射 ３４：部分
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダグラス・ジェイ・レスニック アメリカ合衆国アリゾナ州フェニックス、 サウス・25ス・ウェイ14650 Ｆターム(参考） 2H095 AB30 5F046 AA28 BA01 BA02 NA19
Claims (4)
- 【請求項１】第１および第２表面を有する部分的に透明
であるマスク（１８）を用いて装置上に密着焼付を行う
方法において、（ａ）低表面エネルギの高分子材料（２
２）の層を前記マスクの前記第１表面（２４）に被覆す
る段階と、（ｂ）前記装置に隣接する前記マスクの第１
表面（２４）を載置する段階であって、低表面エネルギ
の高分子材料の前記層は実質的に前記装置に接触してい
る、前記段階と、（ｃ）前記装置のパターンに影響を与
えるために、前記マスクの前記第２表面に放射を与える
段階と、から構成されることを特徴とする方法。 - 【請求項２】表面を有する材料にパターンを形成する方
法において、（ａ）低表面エネルギの高分子材料（２
２）の層をマスク（１８）の前記表面に被覆する段階
と、（ｂ）前記材料の前記表面にレジスト（２６）を被
覆する段階と、（ｃ）前記マスクの前記表面を実質的に
前記レジストに接触して載置する段階と、（ｄ）パター
ンが前記レジストに生成されるように、前記マスクに放
射（３２）を与える段階と、（ｅ）前記レジストの部分
を除去する段階と、（ｆ）前記材料の前記表面を修正
し、前記レジストを除去する段階と、から構成されるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項３】第１および第２表面を有する部分的に透明
であるマスク（１８）を用いて装置上に密着焼付を行う
方法において、（ａ）低表面エネルギの高分子材料（２
２）の層を前記マスクの前記第１表面（２４）に被覆す
る段階と、（ｂ）前記マスクの前記第１表面を前記装置
から予め定める距離をおいて載置する段階と、（ｃ）前
記装置のパターンに影響を与えるために、前記マスクの
前記第２表面に放射を与える段階と、から構成されるこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項４】段階（ａ）に続いて、前記低表面エネルギ
の高分子材料を加熱する段階（ｄ）（２６）をさらに含
むことを特徴とする請求項３記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001230187A true JP2001230187A (ja) | 2001-08-24 |
| JP4512810B2 JP4512810B2 (ja) | 2010-07-28 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4512810B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005062299A (ja) * | 2003-08-08 | 2005-03-10 | Canon Inc | 表面処理方法、及び該方法を用いた近接場露光用のマスクの製造方法、近接場露光用のマスク、ナノインプリントリソグラフィー用マスク |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6240458A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Fujitsu Ltd | 薄膜パタ−ンの露光方法 |
| JPH04349461A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-03 | Fujitsu Ltd | フォトマスク |
| JPH086235A (ja) * | 1994-06-16 | 1996-01-12 | Casio Comput Co Ltd | フォトマスクおよびそれを用いたパターン形成方法 |
| JPH08137114A (ja) * | 1994-11-09 | 1996-05-31 | Ibiden Co Ltd | 自動露光機の吸着式基板搬送装置 |
-
2000
- 2000-02-18 JP JP2000040706A patent/JP4512810B2/ja not_active Expired - Fee Related
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