JP4312841B2 - 分子パターン複製方法 - Google Patents
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、分子デバイス等における超微細な分子パターンを複製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１９８２年に分子素子という概念がＦ．Ｌ．Ｃａｒｔｅｒによって提案されて以来、この分野の研究開発はますます活発になってきている。有機分子１個１個に機能を与えその集合体を形成させれば、たとえばこれまでの集積度とは比べものにならないくらいの超高密度の半導体素子が形成できる。
【０００３】
この分子素子の作成技術の一つとしてＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法が有望である。このＬＢ法は親水基と疎水基からなる両親媒性化合物を水面上に展開し単分子膜を形成し、支持体上にこの単分子膜をそのまま写し取る方法である。このように作成した膜は２次元平面内で配列制御されているので、各々の分子には見られない機能を発現できる。
【０００４】
一方、従来の代表的な原版パターンの複製技術には、印刷法とリソグラフィーの手法がある。前者は版の上にインクを載せ紙等にインクを写す方法である。後者は一般に半導体デバイス製造等に用いられ、光源から出た光をマスクと呼ばれる原版を通して被加工基板に照射することにより感光性高分子（レジスト）を感光させエッチング等を施して原版パターンを有する基板を大量複製するものである。
【０００５】
特に、微細なパターンを複製する場合に、リソグラフィー法による最小加工線幅は照射した電離放射線の波長に依存する。すなわち、電離放射線の波長を短くすれば加工線幅は小さくなる。
【０００６】
現在、半導体の製造にはステッパーと呼ばれる縮小投影露光装置が用いられ、これによりマスクのパターンが大量複製される。ここで用いられる光源は水銀灯の紫外線であり最小加工線幅は０．３μｍ程度である。さらにそれよりも微細な加工が必要な場合には電子線を用いて数十ｎｍ程度の加工が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、リソグラフィー法は１枚ごとに数工程を踏んで所定パターンの基板を複製する関係上、大量の複製品を短時間に製造するという面では限界があった。
【０００８】
また、リソグラフィー工程は露光、現像、エッチング等の複雑な工程（設備）を要するという課題を有していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、所定極性の単分子がパターン状に配列形成された基板表面に該極性と一致（親和性）または不一致（非親和性）の極性分子からなる転写層を載置して所定パターンを形成し、次いでこの基板表面に被転写体を接触させることにより転写層からなるパターンを被転写体に転写することを特徴とする分子パターン複製方法である。
【００１０】
すなわち、本発明はまずはじめに所望のパターンを有する版を作成し、その上に転写すべき分子膜（転写層）を載せる。この際、版の表面は異なる極性であるので結合分子の極性と一致した部分（すなわち、相互に親和性の部分）にのみ分子膜（インク成分、導電性分子等）が付着する。これを別の被転写体に圧接し、この分子が別の被転写体に付着する（転写される）ことにより分子レベルのパターンを有する基板等の製品を複製する方法である。本発明により、重合官能基がない分子パターンを転写することが可能であり、光の解像限界以下の超微細な線幅のパターンも大量複製可能となる。
【００１１】
以下、本発明を添付図面を用いて説明する。
まずはじめに極性の異なる表面を有する版を作成する。版の作り方としては、親水面を有する金属酸化物層２を最上表面に有する基板１上に、通常のリソグラフィー工程により金属あるいはレジストパターンを形成する。次いでシランカップリング剤溶液中にパターン形成した基板を浸漬し、温度４０〜１００度で加熱乾燥する。次いで溶剤で余分なシランカップリング剤を洗い流し乾燥させる。最後に金属のエッチャントまたはレジスト剥離液により金属またはレジストパターンを除去することにより、親水性の酸化物表面３と親油性のシランカップリングした表面４から成るＰＳ版が得られる。
【００１２】
さらに、親水性表面を極性の異なる（親水性の）シランカップリング剤で化学修飾すれば、ほぼ同一のレベルにおける極性の異なる表面を有する基板が得られる（図１（ａ）に示される）。これとは逆に、初めに親水性のカップリング剤でレジストパターンを除く基板表面を化学修飾した後レジストパターンを除去し親油性のカップリング剤で化学修飾することも勿論可能である。
【００１３】
上述した化学修飾剤はシランカップリング剤に限定せず、表面に化学修飾部位を有する基板上に、化学修飾部位と反応して結合を生じさせ得る化学修飾分子を結合させることによって表面エネルギーの異なる表面を形成できるものであればよい。
【００１４】
また、従来の印刷に用いられているジアゾナフトキノン系の感光剤を有するＰＳ版を用いてもよいが、好ましくは解像力の優れる上述の化学修飾を用いて作成した版がよい。
【００１５】
本発明で用いられるシランカップリング剤としては、分子中に、Ｏ（ＣＨ3 ）n （n ＝１〜３）、ＯＣｌ、ＯＢｒ、Ｏを有するものが好ましい。このシランカップリング剤は図２に示されるように基板表面に化学修飾される。このシランカップリング剤に高分子を用いればさらに基板との結合は強固なものとなる。
【００１６】
次いで、このようにして作成された版に予め調製した転写すべき分子膜（インク成分、導電性分子等）５を基板表面に載せる。この際、版の表面は異なる極性面を有するので極性が一致する部分（転写パターン面）にのみ分子膜が付着する（図１（ｂ））。次いで、これを被転写体６に圧接することにより分子膜５が転写パターン状に被転写体に付着し転写が完了する（図１（ｃ）、（ｄ））。
【００１７】
本発明で用いられる分子膜５（転写層）はいかなる極性分子から成っていてもよいが、ＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）膜のような規則正しく配列した膜が分子素子を作成する上で望ましい。版の上に分子膜５を載せる方法としては、上述のように水面上の単分子膜を写し取るＬＢ法または水平付着法がある。その他にスピンコート法、浸漬法、ＯＭＢＥ（有機分子線エピタキシー）法、蒸着法、ＣＶＤ法がある。
【００１８】
【実施例】
以下、本発明の分子パターン複製方法の一実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
【００１９】
石英基板上にクロムを３０ｎｍスパッタリング法で成膜し、ＥＢレジストを塗布し、電子線を照射し、現像工程およびエッチング工程を経て０．１μｍのライン＆スペースのクロムパターンを形成した。次に親油性のシランカップリング剤（オクタデシルトリメトキシシラン：溶媒トルエン）に基板を５分間室温で浸漬した。次に温度７０度で１５分間加熱乾燥した。次にクロムのエッチャントでクロムパターンを剥離し、次に溌油性のシランカップリング剤（溶媒1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン）に基板を５分間室温で浸漬した。次に温度７０度で１５分間加熱乾燥した。これにより溌油面と親油面を有する版が完成した。この版をＦＦＭ（摩擦力顕微鏡）で摩擦力の差を測定することによりパターンを確認した。
【００２０】
次いで、クロロホルム溶液に溶かしたステアリン酸を水面上に展開、圧縮し単分子膜を作成し、この単分子膜を表面圧３０ｍＮ／ｃｍ2 で上記の版にＬＢ法を用いて２層累積した。次に単分子膜が形成された版に対してカーボンの支持体を圧着し、この支持体に単分子膜を転写してパターンを複製した。このパターンをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で確認した。
【００２１】
本実施例により最小線幅が約９０ｎｍの微細なパターンを有する複製物を大量に製造することができた。これにより、ナノメーターオーダの大量複製が可能となり、高集積度のメモリー、デバイス等の作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の分子パターン複製方法の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の分子パターン複製方法に用いられる版の表面の化学修飾処理を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 酸化物層
３ 親油性分子（表面）
４ 親水性分子（表面）
５ 分子膜
６ 被転写体
【産業上の利用分野】
本発明は、分子デバイス等における超微細な分子パターンを複製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１９８２年に分子素子という概念がＦ．Ｌ．Ｃａｒｔｅｒによって提案されて以来、この分野の研究開発はますます活発になってきている。有機分子１個１個に機能を与えその集合体を形成させれば、たとえばこれまでの集積度とは比べものにならないくらいの超高密度の半導体素子が形成できる。
【０００３】
この分子素子の作成技術の一つとしてＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）法が有望である。このＬＢ法は親水基と疎水基からなる両親媒性化合物を水面上に展開し単分子膜を形成し、支持体上にこの単分子膜をそのまま写し取る方法である。このように作成した膜は２次元平面内で配列制御されているので、各々の分子には見られない機能を発現できる。
【０００４】
一方、従来の代表的な原版パターンの複製技術には、印刷法とリソグラフィーの手法がある。前者は版の上にインクを載せ紙等にインクを写す方法である。後者は一般に半導体デバイス製造等に用いられ、光源から出た光をマスクと呼ばれる原版を通して被加工基板に照射することにより感光性高分子（レジスト）を感光させエッチング等を施して原版パターンを有する基板を大量複製するものである。
【０００５】
特に、微細なパターンを複製する場合に、リソグラフィー法による最小加工線幅は照射した電離放射線の波長に依存する。すなわち、電離放射線の波長を短くすれば加工線幅は小さくなる。
【０００６】
現在、半導体の製造にはステッパーと呼ばれる縮小投影露光装置が用いられ、これによりマスクのパターンが大量複製される。ここで用いられる光源は水銀灯の紫外線であり最小加工線幅は０．３μｍ程度である。さらにそれよりも微細な加工が必要な場合には電子線を用いて数十ｎｍ程度の加工が可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、リソグラフィー法は１枚ごとに数工程を踏んで所定パターンの基板を複製する関係上、大量の複製品を短時間に製造するという面では限界があった。
【０００８】
また、リソグラフィー工程は露光、現像、エッチング等の複雑な工程（設備）を要するという課題を有していた。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、所定極性の単分子がパターン状に配列形成された基板表面に該極性と一致（親和性）または不一致（非親和性）の極性分子からなる転写層を載置して所定パターンを形成し、次いでこの基板表面に被転写体を接触させることにより転写層からなるパターンを被転写体に転写することを特徴とする分子パターン複製方法である。
【００１０】
すなわち、本発明はまずはじめに所望のパターンを有する版を作成し、その上に転写すべき分子膜（転写層）を載せる。この際、版の表面は異なる極性であるので結合分子の極性と一致した部分（すなわち、相互に親和性の部分）にのみ分子膜（インク成分、導電性分子等）が付着する。これを別の被転写体に圧接し、この分子が別の被転写体に付着する（転写される）ことにより分子レベルのパターンを有する基板等の製品を複製する方法である。本発明により、重合官能基がない分子パターンを転写することが可能であり、光の解像限界以下の超微細な線幅のパターンも大量複製可能となる。
【００１１】
以下、本発明を添付図面を用いて説明する。
まずはじめに極性の異なる表面を有する版を作成する。版の作り方としては、親水面を有する金属酸化物層２を最上表面に有する基板１上に、通常のリソグラフィー工程により金属あるいはレジストパターンを形成する。次いでシランカップリング剤溶液中にパターン形成した基板を浸漬し、温度４０〜１００度で加熱乾燥する。次いで溶剤で余分なシランカップリング剤を洗い流し乾燥させる。最後に金属のエッチャントまたはレジスト剥離液により金属またはレジストパターンを除去することにより、親水性の酸化物表面３と親油性のシランカップリングした表面４から成るＰＳ版が得られる。
【００１２】
さらに、親水性表面を極性の異なる（親水性の）シランカップリング剤で化学修飾すれば、ほぼ同一のレベルにおける極性の異なる表面を有する基板が得られる（図１（ａ）に示される）。これとは逆に、初めに親水性のカップリング剤でレジストパターンを除く基板表面を化学修飾した後レジストパターンを除去し親油性のカップリング剤で化学修飾することも勿論可能である。
【００１３】
上述した化学修飾剤はシランカップリング剤に限定せず、表面に化学修飾部位を有する基板上に、化学修飾部位と反応して結合を生じさせ得る化学修飾分子を結合させることによって表面エネルギーの異なる表面を形成できるものであればよい。
【００１４】
また、従来の印刷に用いられているジアゾナフトキノン系の感光剤を有するＰＳ版を用いてもよいが、好ましくは解像力の優れる上述の化学修飾を用いて作成した版がよい。
【００１５】
本発明で用いられるシランカップリング剤としては、分子中に、Ｏ（ＣＨ3 ）n （n ＝１〜３）、ＯＣｌ、ＯＢｒ、Ｏを有するものが好ましい。このシランカップリング剤は図２に示されるように基板表面に化学修飾される。このシランカップリング剤に高分子を用いればさらに基板との結合は強固なものとなる。
【００１６】
次いで、このようにして作成された版に予め調製した転写すべき分子膜（インク成分、導電性分子等）５を基板表面に載せる。この際、版の表面は異なる極性面を有するので極性が一致する部分（転写パターン面）にのみ分子膜が付着する（図１（ｂ））。次いで、これを被転写体６に圧接することにより分子膜５が転写パターン状に被転写体に付着し転写が完了する（図１（ｃ）、（ｄ））。
【００１７】
本発明で用いられる分子膜５（転写層）はいかなる極性分子から成っていてもよいが、ＬＢ（ラングミュア−ブロジェット）膜のような規則正しく配列した膜が分子素子を作成する上で望ましい。版の上に分子膜５を載せる方法としては、上述のように水面上の単分子膜を写し取るＬＢ法または水平付着法がある。その他にスピンコート法、浸漬法、ＯＭＢＥ（有機分子線エピタキシー）法、蒸着法、ＣＶＤ法がある。
【００１８】
【実施例】
以下、本発明の分子パターン複製方法の一実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。
【００１９】
石英基板上にクロムを３０ｎｍスパッタリング法で成膜し、ＥＢレジストを塗布し、電子線を照射し、現像工程およびエッチング工程を経て０．１μｍのライン＆スペースのクロムパターンを形成した。次に親油性のシランカップリング剤（オクタデシルトリメトキシシラン：溶媒トルエン）に基板を５分間室温で浸漬した。次に温度７０度で１５分間加熱乾燥した。次にクロムのエッチャントでクロムパターンを剥離し、次に溌油性のシランカップリング剤（溶媒1,3-ビストリフルオロメチルベンゼン）に基板を５分間室温で浸漬した。次に温度７０度で１５分間加熱乾燥した。これにより溌油面と親油面を有する版が完成した。この版をＦＦＭ（摩擦力顕微鏡）で摩擦力の差を測定することによりパターンを確認した。
【００２０】
次いで、クロロホルム溶液に溶かしたステアリン酸を水面上に展開、圧縮し単分子膜を作成し、この単分子膜を表面圧３０ｍＮ／ｃｍ2 で上記の版にＬＢ法を用いて２層累積した。次に単分子膜が形成された版に対してカーボンの支持体を圧着し、この支持体に単分子膜を転写してパターンを複製した。このパターンをＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で確認した。
【００２１】
本実施例により最小線幅が約９０ｎｍの微細なパターンを有する複製物を大量に製造することができた。これにより、ナノメーターオーダの大量複製が可能となり、高集積度のメモリー、デバイス等の作製が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の分子パターン複製方法の一実施例を示す工程断面図である。
【図２】本発明の分子パターン複製方法に用いられる版の表面の化学修飾処理を示す説明図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 酸化物層
３ 親油性分子（表面）
４ 親水性分子（表面）
５ 分子膜
６ 被転写体
Claims (5)
- 親水性のシリコン酸化膜または金属酸化物層を形成した基板表面にレジストパターンを形成し親油性のシランカップリング剤を前記基板表面に化学修飾して親油面の表面を有する親油性パターンを形成する工程と、次いで前記レジストパターンを除去する工程と、次いで前記基板表面に親水性のシランカップリング剤を化学修飾して親水面を形成し、前記親油面及び前記親水面により、所定極性の単分子がパターン状に配列形成された表面及びこれとほぼ同一のレベルにおける極性の異なる表面を有する前記基板表面を形成する工程と、次いで前記基板表面に前記所定極性と一致する極性分子からなる転写層を載置して極性が一致する部分にのみ所定パターンを形成する工程と、次いで前記基板表面に被転写体を接触させることにより前記転写層からなる前記所定パターンを前記被転写体に転写する工程からなることを特徴とする、分子パターン複製方法。
- 前記転写層をＬＢ法または水平付着法により調製する、請求項１記載の分子パターン複製方法。
- 前記転写層をスピンコート法により調製する、請求項１記載の分子パターン複製方法。
- 前記転写層を浸漬法により調製する、請求項１記載の分子パターン複製方法。
- 前記転写されるパターンの最小線幅が約９０ｎｍであることを特徴とする、請求項１に記載の分子パターン複製方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP00208794A JP4312841B2 (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 分子パターン複製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP00208794A JP4312841B2 (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 分子パターン複製方法 |
Related Child Applications (1)
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Publications (2)
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| JP4312841B2 true JP4312841B2 (ja) | 2009-08-12 |
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ID=11519571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00208794A Expired - Lifetime JP4312841B2 (ja) | 1994-01-13 | 1994-01-13 | 分子パターン複製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4312841B2 (ja) |
-
1994
- 1994-01-13 JP JP00208794A patent/JP4312841B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07211957A (ja) | 1995-08-11 |
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