JP2001223439A - 量子素子の構造および製造方法 - Google Patents
量子素子の構造および製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 量子ドットのサイズ、形状および配列の形態
をコントロールするとともに、量子ドット間を透明絶縁
体で隔てることにより、しきい電流値が低く、かつ効率
のよいレ−ザ−、面発光レ−ザ−あるいは発光ダイオ−
ド素子を作製すること。 【解決手段】 Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラ
ッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋
った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラ
フィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄqd、高さＴ
qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制
御して形成する。この上面に、Ｂ成分からなる１０ｐ型
クラッド層を、厚さＴ１堆積させ、単位発光層を形成す
る。２層以上の構造の場合、各単位層の間には、６キャ
リア生成体と７導光体からなる、１２境界層を設ける。
この単位層を、量子ドットの位置を一致させるように１
〜５０層重ねた多重構造を作成することにより発光層
（図１、図２、図３、図４および図５）を形成し、この
発光層を図６、図７および図８に示した構造の発光素子
に組み込む。
をコントロールするとともに、量子ドット間を透明絶縁
体で隔てることにより、しきい電流値が低く、かつ効率
のよいレ−ザ−、面発光レ−ザ−あるいは発光ダイオ−
ド素子を作製すること。 【解決手段】 Ｃ成分からなる厚さＴ２の１１ｎ型クラ
ッド層の上に、Ｄ成分からなる、２マトリックス中に埋
った形態で、Ａ成分からなる１量子ドットを、リソグラ
フィ法およびエッチング法を用いて、直径Ｄqd、高さＴ
qdの円柱体の形状で、サイズ、位置および分布密度を制
御して形成する。この上面に、Ｂ成分からなる１０ｐ型
クラッド層を、厚さＴ１堆積させ、単位発光層を形成す
る。２層以上の構造の場合、各単位層の間には、６キャ
リア生成体と７導光体からなる、１２境界層を設ける。
この単位層を、量子ドットの位置を一致させるように１
〜５０層重ねた多重構造を作成することにより発光層
（図１、図２、図３、図４および図５）を形成し、この
発光層を図６、図７および図８に示した構造の発光素子
に組み込む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、量子ドットのサイ
ズ、配列および単位面積当たりの個数（密度）を最適な
形態に制御するとともに、量子ドットを透光性のある絶
縁材料で隔てた構造とすることにより、高特性の発光素
子あるいは発光レーザー素子を作製する方法に関する。
ズ、配列および単位面積当たりの個数（密度）を最適な
形態に制御するとともに、量子ドットを透光性のある絶
縁材料で隔てた構造とすることにより、高特性の発光素
子あるいは発光レーザー素子を作製する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来は、A、Ｃ成分からなる基板上に、
スパッター等を用いて、Ａ成分からなる量子ドットのク
ラスターを自然に形成するままの無秩序に配列させ、こ
の上にＣ成分からなるクラッド層を堆積させることによ
り、量子ドットがマトリックス中に埋め込んだ形態を作
製していた。
スパッター等を用いて、Ａ成分からなる量子ドットのク
ラスターを自然に形成するままの無秩序に配列させ、こ
の上にＣ成分からなるクラッド層を堆積させることによ
り、量子ドットがマトリックス中に埋め込んだ形態を作
製していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来の量子ドットの作
製方法では、量子ドットのサイズ、配列および個数密度
を制御出来ないために、レーザー光の波長が広い分布を
もち、発振に必要なしきい電流値が高くなるとともに、
発振自体も不安定になるという欠点があった。
製方法では、量子ドットのサイズ、配列および個数密度
を制御出来ないために、レーザー光の波長が広い分布を
もち、発振に必要なしきい電流値が高くなるとともに、
発振自体も不安定になるという欠点があった。
【０００４】本発明は、量子ドットのサイズ、位置およ
び個数密度を制御して作成すること、ならびに、量子ド
ットを絶縁体に埋め込み、量子ドットの上下を、ｐ型半
導体およびｎ型半導体により挟む、請求項１に記載した
構造を持ち、かつ、請求項２に記載したＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、および、Ｅ成分の材料で作製した発光層を、図６に
示した発光レーザー素子、図７に示した発光ダイオード
素子、および、図８に示した面発光レ−ザ−素子に組み
込むことにより、特定波長の光を低いしきい電流値で安
定に発生させることを目的としている。
び個数密度を制御して作成すること、ならびに、量子ド
ットを絶縁体に埋め込み、量子ドットの上下を、ｐ型半
導体およびｎ型半導体により挟む、請求項１に記載した
構造を持ち、かつ、請求項２に記載したＡ、Ｂ、Ｃ、
Ｄ、および、Ｅ成分の材料で作製した発光層を、図６に
示した発光レーザー素子、図７に示した発光ダイオード
素子、および、図８に示した面発光レ−ザ−素子に組み
込むことにより、特定波長の光を低いしきい電流値で安
定に発生させることを目的としている。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では、図６および図７に示した、６１負電
極、３０基板、４０第１クラッド層を作成し、その上
に、図１（または、図２、図３、図４、あるいは、図
５）に示した、Ｃ成分からなる１１ｎ型クラッド層を、
モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）法により
堆積（第１工程）させ、その上に、Ｄ成分からなる、透
明絶縁体の２マトリックスを堆積（第２工程）させ、こ
の透明絶縁体に量子ドット用の穴を、サイズをそろえて
等しい間隔で、リソグラフィ法およびエッチング法を用
いて作成（第３工程）し、この穴に、ＭＢＥ法とスパッ
ター法により、Ａ成分を埋め込み（第４工程）、１量子
ドットとし、その上に、Ｂ成分からなる１０ｐ型クラッ
ド層を堆積（第５工程）することより、量子ドット単位
層を形成し、単位層間には、６キャリア生成体と７導光
体からなる１２境界層（第６工程）を設け、この量子ド
ット単位層を、１層、あるいは、量子ドット単位層＋境
界層を２〜５０層積層（第７工程）して、発光層を構成
する。
めに、本発明では、図６および図７に示した、６１負電
極、３０基板、４０第１クラッド層を作成し、その上
に、図１（または、図２、図３、図４、あるいは、図
５）に示した、Ｃ成分からなる１１ｎ型クラッド層を、
モレキュラー・ビーム・エピタキシ（ＭＢＥ）法により
堆積（第１工程）させ、その上に、Ｄ成分からなる、透
明絶縁体の２マトリックスを堆積（第２工程）させ、こ
の透明絶縁体に量子ドット用の穴を、サイズをそろえて
等しい間隔で、リソグラフィ法およびエッチング法を用
いて作成（第３工程）し、この穴に、ＭＢＥ法とスパッ
ター法により、Ａ成分を埋め込み（第４工程）、１量子
ドットとし、その上に、Ｂ成分からなる１０ｐ型クラッ
ド層を堆積（第５工程）することより、量子ドット単位
層を形成し、単位層間には、６キャリア生成体と７導光
体からなる１２境界層（第６工程）を設け、この量子ド
ット単位層を、１層、あるいは、量子ドット単位層＋境
界層を２〜５０層積層（第７工程）して、発光層を構成
する。
【０００６】
【発明の実施の形態】上記のように、形状、サイズ、位
置および個数を制御した量子ドットを含む層状構造の発
光素子を作製するためには、第１に、形状、サイズ、位
置および個数を制御して、量子ドット充填用穴をマトリ
ックス上に作成すること、第２に、この穴にA成分を充
填して量子ドットを形成すること、第３に、量子ドット
の位置と、導光体およびキャリア生成体の、サイズおよ
び位置を制御して、多層構造を作成することが重要であ
る。
置および個数を制御した量子ドットを含む層状構造の発
光素子を作製するためには、第１に、形状、サイズ、位
置および個数を制御して、量子ドット充填用穴をマトリ
ックス上に作成すること、第２に、この穴にA成分を充
填して量子ドットを形成すること、第３に、量子ドット
の位置と、導光体およびキャリア生成体の、サイズおよ
び位置を制御して、多層構造を作成することが重要であ
る。
【０００７】図６に示した、レーザー素子の構造につい
て、図面を参照して説明する。（a）は正面図、および
（b）は側面図である。４０第１クラッド層、４１第２
クラッド層、４２第３クラッド層、および、４第４クラ
ッド層は、導光路を兼ねており、発光層を取り囲むよう
に位置している。発光するのは、請求項１で、２マトリ
ックスと記述した、１量子ドットを含むn（１≦n≦５
０）層からなる発光層である。１量子ドットを含む２マ
トリックス、１１ｎ型および１０ｐ型クラッド層、およ
び、１２境界層の構造およびその製造方法が、本発明の
主体である。その上には４１第２クラッド層、６０正電
極および７０ヒートシンクが順次位置している。クラッ
ド層と正電極との間には、スリットの部分を幅Ｗだけ分
断した形の５０絶縁層がある。発光領域の片側は９１全
反射鏡膜に、その反対側は、９０半透過鏡膜になってい
て、発振したレーザー光は矢印の方向に放射される。６
１負電極は最下面に設けてある。
て、図面を参照して説明する。（a）は正面図、および
（b）は側面図である。４０第１クラッド層、４１第２
クラッド層、４２第３クラッド層、および、４第４クラ
ッド層は、導光路を兼ねており、発光層を取り囲むよう
に位置している。発光するのは、請求項１で、２マトリ
ックスと記述した、１量子ドットを含むn（１≦n≦５
０）層からなる発光層である。１量子ドットを含む２マ
トリックス、１１ｎ型および１０ｐ型クラッド層、およ
び、１２境界層の構造およびその製造方法が、本発明の
主体である。その上には４１第２クラッド層、６０正電
極および７０ヒートシンクが順次位置している。クラッ
ド層と正電極との間には、スリットの部分を幅Ｗだけ分
断した形の５０絶縁層がある。発光領域の片側は９１全
反射鏡膜に、その反対側は、９０半透過鏡膜になってい
て、発振したレーザー光は矢印の方向に放射される。６
１負電極は最下面に設けてある。
【０００８】図７に示した、発光ダイオード素子の構造
について、図面を参照して説明する。図は（ａ）正面図
である。３０基板には、後加工により直径Ｗの光の取り
だし口が設けてある。基板の上には４０第１クラッド層
があり、その上に４２第３クラッド層、および、４３第
４クラッド層に囲まれた形で、１１ｎ型クラッド層、１
量子ドット、２マトリックス、１０ｐ型クラッド層、お
よび、１２境界層からなる円筒形をした発光層がある。
発光層は、本発明の主体であり、厚さＴの単位層がｎ
（１≦ｎ≦５０）個積層された構造を持つ、レーザー素
子の構造におけるそれと等しい形態になっている。その
上に４１第２クラッド層、５０絶縁層、６０正電極およ
び７０ヒートシンクが位置している。５０絶縁層の中央
には、直径Ｗの円形の穴が明いていて、６０正電極が、
４１第２クラッド層２に連結している。６１負電極は一
番下部に位置している。
について、図面を参照して説明する。図は（ａ）正面図
である。３０基板には、後加工により直径Ｗの光の取り
だし口が設けてある。基板の上には４０第１クラッド層
があり、その上に４２第３クラッド層、および、４３第
４クラッド層に囲まれた形で、１１ｎ型クラッド層、１
量子ドット、２マトリックス、１０ｐ型クラッド層、お
よび、１２境界層からなる円筒形をした発光層がある。
発光層は、本発明の主体であり、厚さＴの単位層がｎ
（１≦ｎ≦５０）個積層された構造を持つ、レーザー素
子の構造におけるそれと等しい形態になっている。その
上に４１第２クラッド層、５０絶縁層、６０正電極およ
び７０ヒートシンクが位置している。５０絶縁層の中央
には、直径Ｗの円形の穴が明いていて、６０正電極が、
４１第２クラッド層２に連結している。６１負電極は一
番下部に位置している。
【０００９】図８に示した、面発光レ−ザ−素子の構造
について、図面を参照して説明する。周囲を、５０絶縁
層で囲んだ発光層を、１０ｐ型クラッド層および１１ｎ
型クラッド層で挟み、上部には、８０ｐ型多層膜反射
鏡、８６ｐ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反射鏡、および、６０
正電極、ならびに、下部には、８１ｎ型多層膜反射鏡、
８７ｎ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反射鏡、および、６１負電
極を組み込んだ形態を持ち、ｎ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反
射鏡は、ｎ型基板に埋め込まれており、光は、径Ｗの窓
から下方に放射される。
について、図面を参照して説明する。周囲を、５０絶縁
層で囲んだ発光層を、１０ｐ型クラッド層および１１ｎ
型クラッド層で挟み、上部には、８０ｐ型多層膜反射
鏡、８６ｐ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反射鏡、および、６０
正電極、ならびに、下部には、８１ｎ型多層膜反射鏡、
８７ｎ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反射鏡、および、６１負電
極を組み込んだ形態を持ち、ｎ側Ｓｉ／ＳｉＯ2積層反
射鏡は、ｎ型基板に埋め込まれており、光は、径Ｗの窓
から下方に放射される。
【００１０】
【実施例】表１に実施例を示す。素子構造の欄に記載し
た、図６および図８は、それぞれ、レ−ザ−素子および
面発光レ−ザ−素子を意味し、図７は、発光ダイオード
素子を意味する。発光層の構造の欄に記載された、図
１、図２、図３、図４、および、図５は、それぞれの図
に示された発光層の構造を示す。Ｂ成分およびＣ成分の
欄に記載された、ｐ−およびｎ−の表記は、ｐ型および
ｎ型キャリアを高濃度生成する元素を添加した、各半導
体を意味する。結果の欄に、最良、優良および良好とあ
るのは、発光に必要なしきい値電流密度が、それぞれ、
０．００１〜０．１ｍＡ／μｍ2、０．１〜１ｍＡ／μ
ｍ2、および、１〜１０ｍＡ／μｍ2であったことを示
す。
た、図６および図８は、それぞれ、レ−ザ−素子および
面発光レ−ザ−素子を意味し、図７は、発光ダイオード
素子を意味する。発光層の構造の欄に記載された、図
１、図２、図３、図４、および、図５は、それぞれの図
に示された発光層の構造を示す。Ｂ成分およびＣ成分の
欄に記載された、ｐ−およびｎ−の表記は、ｐ型および
ｎ型キャリアを高濃度生成する元素を添加した、各半導
体を意味する。結果の欄に、最良、優良および良好とあ
るのは、発光に必要なしきい値電流密度が、それぞれ、
０．００１〜０．１ｍＡ／μｍ2、０．１〜１ｍＡ／μ
ｍ2、および、１〜１０ｍＡ／μｍ2であったことを示
す。
【００１１】
【表１】
【００１２】
【発明の効果】本発明は、以上に説明したように、量子
ドットとマトリックス、これらを挟む上下の各クラッド
層を単位層として、単位層の間に、境界層を挟んだ、ｎ
多重層からなる発光層が作成してあるので、レーザー光
を、しきい電流値を低く、また、効率よく発振させるこ
とができた。また、発光素子として使用した場合におい
ても、しきい電流値が低くなった。
ドットとマトリックス、これらを挟む上下の各クラッド
層を単位層として、単位層の間に、境界層を挟んだ、ｎ
多重層からなる発光層が作成してあるので、レーザー光
を、しきい電流値を低く、また、効率よく発振させるこ
とができた。また、発光素子として使用した場合におい
ても、しきい電流値が低くなった。
【図１】本発明で使用した発光層１の構造を示す。透明
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成しており、
発光層は、この単位層がｎ層積層されていて、単位層間
には、６キャリア生成体と７導光体からなる、１２境界
層を設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成しており、
発光層は、この単位層がｎ層積層されていて、単位層間
には、６キャリア生成体と７導光体からなる、１２境界
層を設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
【図２】本発明で使用した発光層２の構造を示す。透明
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層されていて、単位層間
には、透明絶縁体からなる３導光体層に、円形の６キャ
リア生成体を配列した形態を持つ、１２境界層を設けて
ある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層されていて、単位層間
には、透明絶縁体からなる３導光体層に、円形の６キャ
リア生成体を配列した形態を持つ、１２境界層を設けて
ある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図３】本発明で使用した発光層３の構造を示す。透明
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層された構成であり、単
位層間には、８キャリア生成層に、透明絶縁体からなる
円形の７導光体が埋め込まれた形態を持つ、１２境界層
を設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層された構成であり、単
位層間には、８キャリア生成層に、透明絶縁体からなる
円形の７導光体が埋め込まれた形態を持つ、１２境界層
を設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図であ
る。
【図４】本発明で使用した発光層４の構造を示す。透明
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層された構造を持つ。単
位層間には、透明絶縁体の３導光体層中に、１辺Ｗｔの
四辺形形状を持つ、６キャリア生成体を配列した、１２
境界層が設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１０ｐ型クラッド層と、下の１１ｎ型ク
ラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成している。
発光層は、この単位層がｎ層積層された構造を持つ。単
位層間には、透明絶縁体の３導光体層中に、１辺Ｗｔの
四辺形形状を持つ、６キャリア生成体を配列した、１２
境界層が設けてある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図
である。
【図５】本発明で使用した発光層５の構造を示す。透明
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１６ｎ型クラッド層と、下の同じく１１
ｎ型クラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成して
いる。発光層は、この単位層がｎ層積層された構造を持
つ。単位層間には、帯状形状の透明絶縁体の７導光体
と、６キャリア生成体を配列した、１２境界層が設けて
ある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
絶縁体からなる２マトリックスに埋った１量子ドットを
含む層が、上の１６ｎ型クラッド層と、下の同じく１１
ｎ型クラッド層に挟まれた形態で発光単位層を構成して
いる。発光層は、この単位層がｎ層積層された構造を持
つ。単位層間には、帯状形状の透明絶縁体の７導光体
と、６キャリア生成体を配列した、１２境界層が設けて
ある。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図６】本発明の実施例で作製したレーザー素子の構造
である。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
である。（ａ）は正面図、（ｂ）は側面図である。
【図７】本発明の実施例で作製した発光ダイオード素子
の構造である。（ａ）は正面図を示す。
の構造である。（ａ）は正面図を示す。
【図８】本発明の実施例で作製した面発光レーザー素子
の構造である。
の構造である。
１ 量子ドット、 ２ マトリックス、 ３ 導光体層 ６ キャリア生成体 ７ 導光体 １０ ｐ型クラッド層 １１ ｎ型クラッド層 １２ 境界層 １６ 上部ｎ型クラッド層 ３０ 基板 ４０ 第１クラッド層 ４１ 第２クラッド層 ４２ 第３クラッド層 ４３ 第４クラッド層 ５０ 絶縁層 ６０ 正電極 ６１ 負電極 ７０ ヒートシンク ８０ ｐ型多層膜反射鏡 ８１ ｎ型多層膜反射鏡 ８６ ｐ側Ｓｉ／ＳｉＯ２積層反射鏡 ８７ ｎ側Ｓｉ／ＳｉＯ２積層反射鏡 ９０ 半透膜 ９１ 全反射鏡膜
Claims (2)
- 【請求項１】 図１に示すように、発光層の構造は、下
側から、Ｔ２の厚さの、電子の移動速度の大きい、ｎ型
半導体（Ｃ成分）からなる、１１ｎ型クラッド層を、モ
レキュラー・ビーム・エピタキシ（Molecular Beam Epi
taxy；ＭＢＥ）法により、堆積させる第１の工程、この
上に、光学的に透明な絶縁体からなる、２マトリックス
（Ｄ成分）を厚さＴqd（０．７〜１０ｎｍ）堆積する第
２の工程、これに、リソグラフィ法とエッチング法を用
いて、直径Ｄqd（≒Ｔqd：０．７〜１０ｎｍ）の量子ド
ット用の穴を、幅方向のピッチＰ１で、ｍ１個、幅Ｗの
間に配置し、長手方向のピッチＰ２で、ｍ２個、長さＬ
の距離に配列して設ける第３の工程、この穴に、半導体
（Ａ成分）からなる材料を埋めて、１量子ドットを作成
する第４の工程、その上に、正孔の移動速度の大きい、
ｐ型半導体（Ｂ成分）からなる、１０ｐ型クラッド層
を、厚さＴ１堆積させる第５の工程（単層の場合、以上
の工程が、発光層を形成する）、多層の場合、その上
に、次の単位層との境界に、各キャリア（電子および正
孔）を生成する良導体の、１２境界層を作成する第６の
工程、以上のようにして形成した単位層と境界層の積層
を、量子ドットの位置を一致させるようにｎ層（２≦ｎ
≦５０）重ねた構造を持つ発光層を作成する第７の工程
を含むことを特徴とし、この発光層を、図６および図７
に示した構造に組み込み、それぞれ発光レーザー素子お
よび発光ダイオード素子を作製する方法。境界層は、図
２に示すように、光学的に透明な絶縁体からなる、厚さ
Ｔcfの、３導光体層（Ｄ成分）に、直径Ｄcfの、６キャ
リア生成体（Ｅ成分）を埋め込む形態、あるいは、図３
に示すように、厚さＴcfの、８キャリア生成層（Ｅ成
分）に、直径Ｄｔの光学的に透明な絶縁体からなる、７
導光体（Ｄ成分）を埋め込む形態を持つ、１２境界層、
あるいは、図４に示すように、６キャリア生成体（Ｅ成
分）と７導光体（Ｄ成分）を、直線的な境界で、モザイ
ク状に配置した形態を持つ、１２境界層、あるいは、図
５に示すように、直線的な帯状形態をもつ、厚さＴ
cfの、６キャリア生成体（Ｅ成分）と７導光体（Ｄ成
分）からなる、１２境界層であってもよい。発光層が多
層からなる発光ダイオード素子の場合には、図２、図
３、図４、および、図５に示す構造のものを使用する。 - 【請求項２】 Ａ成分として、Ｓｉ、ＺｎＳｅ、ＧａＡ
ｓ、ＩｎＧａＡｓ、ＩｎＰ、ＧａＮ、ＩｎＰ、ＩｎＳ
ｂ、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＩｎＡｓ、および、ＣｄＳｅ、Ｂ
成分として、正孔の移動速度の大きい、ｐ型半導体であ
る、ｐ−ＺｎＣｄＳｅ、ｐ−ＺｎＣｄＳ、ｐ−ＧａＩｎ
Ｎ、ｐ−ＳｉＧｅ、ｐ−ＧａＩｎＰ、および、ｐ−Ｇａ
ＡｓＰ、Ｃ成分として、電子の移動速度の大きい、ｎ型
半導体である、ｎ−ＺｎＣｄＳｅ、ｎ−ＺｎＣｄＳ、ｎ
−ＡｌＧａＩｎ、ｎ−ＧａＡｓ、ｎ−ＧａＡｓＰ、ｎ−
ＧａＩｎＮ、および、ｎ−ＡｌＧａＡｓ、Ｄ成分とし
て、透光性が優れているとともに、比較的に光学的屈折
率の大きい材料である、Ａｌ 2Ｏ3、ＳｉＯ2、および、
ＣａＦ2、ならびに、Ｅ成分として、ＣｕおよびＡｕを
使用して、請求項１に記載した構造を持つ発光層を組み
込んだ、発光レーザー素子（図６および図８）および発
光ダイオード素子（図７）を作製する方法。
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|---|---|---|---|
| JP2000031387A JP2001223439A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | 量子素子の構造および製造方法 |
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| JP (1) | JP2001223439A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007001098A1 (en) * | 2005-06-25 | 2007-01-04 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Nanostructure having a nitride-based quantum well and light emitting diode employing the same |
| FR2894396A1 (fr) * | 2005-12-06 | 2007-06-08 | Commissariat Energie Atomique | Emetteur de lumiere a courants de fuite reduits, utilisant des boites quantiques, et procedes de fabrication de cet emetteur |
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| CN109742207A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-05-10 | 佛山市柔浩电子有限公司 | 微发光二极管量子点基板结构 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000031387A patent/JP2001223439A/ja active Pending
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