JP2001223099A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
- Publication number
- JP2001223099A JP2001223099A JP2000032023A JP2000032023A JP2001223099A JP 2001223099 A JP2001223099 A JP 2001223099A JP 2000032023 A JP2000032023 A JP 2000032023A JP 2000032023 A JP2000032023 A JP 2000032023A JP 2001223099 A JP2001223099 A JP 2001223099A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- antenna
- high frequency
- electric field
- frequency
- plasma
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アンテナから処理容器内に導入される高周波
の径方向の分布を均一化して、処理容器内で均一なプラ
ズマ処理を行えるようにする。 【解決手段】 プラズマ処理装置における処理容器１の
上面に、高周波を透過可能な透過窓１０が設けられ、こ
の透過窓１０上に高周波アンテナ２が取り付けられてい
る。高周波電源３からアンテナ２に高周波が供給される
ようになっている。処理容器１内において、アンテナ２
から導入された高周波によってプラズマが生成されるよ
うに構成されている。アンテナ２は、中心アンテナ素子
４ａと、この中心アンテナ素子４ａを囲んで同心状に配
置された複数の環状の外周アンテナ素子アンテナ素子５
ａ，４ｂ，５ｂとを有している。対向したアンテナ素子
４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間で、そ
れぞれ高周波による環状の電界生成領域６ａ、６ｂ及び
６ｃが形成されている。
の径方向の分布を均一化して、処理容器内で均一なプラ
ズマ処理を行えるようにする。 【解決手段】 プラズマ処理装置における処理容器１の
上面に、高周波を透過可能な透過窓１０が設けられ、こ
の透過窓１０上に高周波アンテナ２が取り付けられてい
る。高周波電源３からアンテナ２に高周波が供給される
ようになっている。処理容器１内において、アンテナ２
から導入された高周波によってプラズマが生成されるよ
うに構成されている。アンテナ２は、中心アンテナ素子
４ａと、この中心アンテナ素子４ａを囲んで同心状に配
置された複数の環状の外周アンテナ素子アンテナ素子５
ａ，４ｂ，５ｂとを有している。対向したアンテナ素子
４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間で、そ
れぞれ高周波による環状の電界生成領域６ａ、６ｂ及び
６ｃが形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アンテナから導入
された高周波によって処理容器内でプラズマを生成する
ように構成されたプラズマ処理装置に係り、特にアンテ
ナ部分の構造の改良に関する。
された高周波によって処理容器内でプラズマを生成する
ように構成されたプラズマ処理装置に係り、特にアンテ
ナ部分の構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２には、従来のプラズマ処理装置の例
（特開平１０−１２３９６号公報参照）が示されてい
る。図２に示すプラズマ処理装置は、高周波を透過可能
な透過窓１０を有した処理容器１を備えている。この処
理容器１の透過窓１０上には、高周波アンテナ１０２が
取り付けられている。また、このプラズマ処理装置は、
アンテナ１０２に高周波を供給するための高周波電源３
を備えている。
（特開平１０−１２３９６号公報参照）が示されてい
る。図２に示すプラズマ処理装置は、高周波を透過可能
な透過窓１０を有した処理容器１を備えている。この処
理容器１の透過窓１０上には、高周波アンテナ１０２が
取り付けられている。また、このプラズマ処理装置は、
アンテナ１０２に高周波を供給するための高周波電源３
を備えている。
【０００３】このアンテナ１０２としては、例えば５０
０ＭＨｚのＵＨＦ波によって電子温度の低い高密度プラ
ズマを生成する目的で、いわゆるスポークアンテナが用
いられている。具体的には、アンテナ１０２は、中心側
保持部１５１から外方へ放射状に延びる複数のアンテナ
素子１５２と、外周側保持部１５３から内方へ放射状に
延びる複数のアンテナ素子１５４とを有している。
０ＭＨｚのＵＨＦ波によって電子温度の低い高密度プラ
ズマを生成する目的で、いわゆるスポークアンテナが用
いられている。具体的には、アンテナ１０２は、中心側
保持部１５１から外方へ放射状に延びる複数のアンテナ
素子１５２と、外周側保持部１５３から内方へ放射状に
延びる複数のアンテナ素子１５４とを有している。
【０００４】これらの棒状のアンテナ素子１５３，１５
４は、周方向に等間隔で互い違いに配置されている。そ
して、隣接したアンテナ素子１５３，１５４同士の間に
は、それぞれ高周波による電界生成領域１０６が形成さ
れる。
４は、周方向に等間隔で互い違いに配置されている。そ
して、隣接したアンテナ素子１５３，１５４同士の間に
は、それぞれ高周波による電界生成領域１０６が形成さ
れる。
【０００５】また、図２（ｂ）に示すように、このプラ
ズマ処理装置は、処理容器１の底部上に設けられた載置
台１２を備えている。この載置台１２の周囲に対応した
処理容器１底部には、当該処理容器１内を真空引きする
ための排気口１３が形成されている。また、処理容器１
上部の適当な位置に、処理ガス等を導入するための導入
管１４が設けられている。なお、載置台１２には、所定
のＲＦバイアス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が
連結されている。
ズマ処理装置は、処理容器１の底部上に設けられた載置
台１２を備えている。この載置台１２の周囲に対応した
処理容器１底部には、当該処理容器１内を真空引きする
ための排気口１３が形成されている。また、処理容器１
上部の適当な位置に、処理ガス等を導入するための導入
管１４が設けられている。なお、載置台１２には、所定
のＲＦバイアス電力を印加するＲＦバイアス電源１５が
連結されている。
【０００６】そして、このプラズマ処理装置は、所定の
真空度にされた処理容器１内において、アンテナ１０２
から導入された高周波によって、処理ガスのプラズマを
生成するように構成されている。そして、生成されたプ
ラズマによって、載置台１２上の被処理体Ｗ（例えば半
導体ウエハ、フラットディスプレイ基板等）に対して、
成膜処理やエッチング処理等の目的に応じた種々のプラ
ズマ処理を行えるようになっている。
真空度にされた処理容器１内において、アンテナ１０２
から導入された高周波によって、処理ガスのプラズマを
生成するように構成されている。そして、生成されたプ
ラズマによって、載置台１２上の被処理体Ｗ（例えば半
導体ウエハ、フラットディスプレイ基板等）に対して、
成膜処理やエッチング処理等の目的に応じた種々のプラ
ズマ処理を行えるようになっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述したようなプラズ
マ処理装置は、以下のような問題点がある。すなわち、
上記アンテナ１０２の水平断面（図２（ａ））におい
て、各電界生成領域１０６は外周側に向かって広がる扇
形をなしている。このため、各電界生成領域１０６内で
の電界強度は、中心側から外周側に向かって次第に低下
して行く。
マ処理装置は、以下のような問題点がある。すなわち、
上記アンテナ１０２の水平断面（図２（ａ））におい
て、各電界生成領域１０６は外周側に向かって広がる扇
形をなしている。このため、各電界生成領域１０６内で
の電界強度は、中心側から外周側に向かって次第に低下
して行く。
【０００８】従って、アンテナ１０２から処理容器１内
に導入される高周波の強度も、外周側に向かって低下す
るような半径方向の分布を有することとなる。このた
め、処理容器１内での被処理体Ｗに対するプラズマ処理
の均一性が低下するという問題がある。
に導入される高周波の強度も、外周側に向かって低下す
るような半径方向の分布を有することとなる。このた
め、処理容器１内での被処理体Ｗに対するプラズマ処理
の均一性が低下するという問題がある。
【０００９】なお、図２（ａ）に２点鎖線で示すよう
に、外周側のアンテナ素子１５４を水平断面で三角形状
にすることで、各電界生成領域１０６を半径方向で一様
な形状にすることも考えられる。しかし、その場合はプ
ラズマ生成に寄与する電界生成領域１０６自体の面積が
大幅に小さくなるという大きな欠点がある。
に、外周側のアンテナ素子１５４を水平断面で三角形状
にすることで、各電界生成領域１０６を半径方向で一様
な形状にすることも考えられる。しかし、その場合はプ
ラズマ生成に寄与する電界生成領域１０６自体の面積が
大幅に小さくなるという大きな欠点がある。
【００１０】本発明は、このような点を考慮してなされ
たものであり、アンテナから処理容器内に導入される高
周波の径方向の分布を均一化して、処理容器内で均一な
プラズマ処理を行うことのできるようなプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
たものであり、アンテナから処理容器内に導入される高
周波の径方向の分布を均一化して、処理容器内で均一な
プラズマ処理を行うことのできるようなプラズマ処理装
置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１の手段は、処理容器
と、この処理容器内に高周波を導入するためのアンテナ
と、このアンテナに高周波を供給するための高周波供給
手段とを備え、前記処理容器内において、前記アンテナ
から導入された高周波によってプラズマを生成するよう
に構成されると共に、前記アンテナは、中心アンテナ素
子と、この中心アンテナ素子を囲んで同心状に配置され
た複数の環状の外周アンテナ素子とを有し、対向したア
ンテナ素子同士の間でそれぞれ高周波による電界生成領
域を形成している、ことを特徴とするプラズマ処理装置
である。
と、この処理容器内に高周波を導入するためのアンテナ
と、このアンテナに高周波を供給するための高周波供給
手段とを備え、前記処理容器内において、前記アンテナ
から導入された高周波によってプラズマを生成するよう
に構成されると共に、前記アンテナは、中心アンテナ素
子と、この中心アンテナ素子を囲んで同心状に配置され
た複数の環状の外周アンテナ素子とを有し、対向したア
ンテナ素子同士の間でそれぞれ高周波による電界生成領
域を形成している、ことを特徴とするプラズマ処理装置
である。
【００１２】第２の手段は、高周波を透過可能な上面を
有する処理容器と、この処理容器の上面上に取り付けら
れたアンテナと、このアンテナに高周波を供給するため
の高周波供給手段とを備え、前記処理容器内において、
前記アンテナから導入された高周波によってプラズマを
生成するように構成されると共に、前記アンテナは、中
心アンテナ素子と、この中心アンテナ素子を囲んで同心
状に配置された複数の環状の外周アンテナ素子とを有
し、対向したアンテナ素子同士の間でそれぞれ高周波に
よる電界生成領域を形成すると共に、下方に高周波を放
射するように構成されている、ことを特徴とするプラズ
マ処理装置である。
有する処理容器と、この処理容器の上面上に取り付けら
れたアンテナと、このアンテナに高周波を供給するため
の高周波供給手段とを備え、前記処理容器内において、
前記アンテナから導入された高周波によってプラズマを
生成するように構成されると共に、前記アンテナは、中
心アンテナ素子と、この中心アンテナ素子を囲んで同心
状に配置された複数の環状の外周アンテナ素子とを有
し、対向したアンテナ素子同士の間でそれぞれ高周波に
よる電界生成領域を形成すると共に、下方に高周波を放
射するように構成されている、ことを特徴とするプラズ
マ処理装置である。
【００１３】これらの第１及び第２の手段によれば、ア
ンテナにおける対向したアンテナ素子同士の間の電界生
成領域も、それぞれ環状をなすこととなる。そして、各
アンテナ素子同士の間の間隔を適当に設定することで、
各電界生成領域での電界強度を半径方向で均一にするこ
とができる（周方向では当然に均一となる）。
ンテナにおける対向したアンテナ素子同士の間の電界生
成領域も、それぞれ環状をなすこととなる。そして、各
アンテナ素子同士の間の間隔を適当に設定することで、
各電界生成領域での電界強度を半径方向で均一にするこ
とができる（周方向では当然に均一となる）。
【００１４】第３の手段は、第１又は第２の手段におい
て、前記高周波供給手段を複数備え、各高周波供給手段
ごとに供給する高周波の電力または周波数を異ならせる
ことで、前記アンテナの各電界生成領域における電界を
調節可能に構成されているものである。
て、前記高周波供給手段を複数備え、各高周波供給手段
ごとに供給する高周波の電力または周波数を異ならせる
ことで、前記アンテナの各電界生成領域における電界を
調節可能に構成されているものである。
【００１５】この第３の手段によれば、第１又は第２の
手段において、各高周波供給手段によってアンテナの各
電界生成領域における電界を調節することで、アンテナ
素子同士の間の間隔にかかわらず、各電界生成領域での
電界強度を半径方向で均一にすることができる。
手段において、各高周波供給手段によってアンテナの各
電界生成領域における電界を調節することで、アンテナ
素子同士の間の間隔にかかわらず、各電界生成領域での
電界強度を半径方向で均一にすることができる。
【００１６】第４の手段は、第１乃至第３の手段のいず
れかにおいて、前記アンテナにおいて、対向したアンテ
ナ素子同士のうちの一方がそれぞれ接地されているもの
である。この場合、内側から奇数番目のアンテナ素子の
方をそれぞれ接地させてもよいし、内側から偶数番目の
アンテナ素子の方をそれぞれ接地させてもよい。
れかにおいて、前記アンテナにおいて、対向したアンテ
ナ素子同士のうちの一方がそれぞれ接地されているもの
である。この場合、内側から奇数番目のアンテナ素子の
方をそれぞれ接地させてもよいし、内側から偶数番目の
アンテナ素子の方をそれぞれ接地させてもよい。
【００１７】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して本発明の一
実施形態について説明する。図１は本発明によるプラズ
マ処理装置の実施の形態を示す図である。なお、図１に
示す本発明の実施の形態において、図２に示す従来例と
同一の構成部分には同一符号を付して説明する。
実施形態について説明する。図１は本発明によるプラズ
マ処理装置の実施の形態を示す図である。なお、図１に
示す本発明の実施の形態において、図２に示す従来例と
同一の構成部分には同一符号を付して説明する。
【００１８】〈構 成〉図１（ｂ）において、本実施形
態のプラズマ処理装置は、略円筒形の金属製の処理容器
１を備えている。この処理容器１の上面には、高周波を
透過可能な、例えば石英ガラス等の誘電体からなる透過
窓１０が設けられている。また、処理容器１の透過窓１
０上には、高周波アンテナ２が取り付けられている。
態のプラズマ処理装置は、略円筒形の金属製の処理容器
１を備えている。この処理容器１の上面には、高周波を
透過可能な、例えば石英ガラス等の誘電体からなる透過
窓１０が設けられている。また、処理容器１の透過窓１
０上には、高周波アンテナ２が取り付けられている。
【００１９】また、このプラズマ処理装置は、図１
（ａ）及び（ｂ）に示すように、アンテナ２に高周波を
供給するための高周波電源（高周波供給手段）３を備え
ている。この高周波電源３は、例えば５００ＭＨｚのＵ
ＨＦ帯域の高周波を供給するようになっている。
（ａ）及び（ｂ）に示すように、アンテナ２に高周波を
供給するための高周波電源（高周波供給手段）３を備え
ている。この高周波電源３は、例えば５００ＭＨｚのＵ
ＨＦ帯域の高周波を供給するようになっている。
【００２０】上記アンテナ２は、円柱状の中心アンテナ
素子４ａと、この中心アンテナ素子４ａを囲んで同心状
に配置された３つの環状（この場合は円筒状）の外周ア
ンテナ素子５ａ，４ｂ，５ｂとを有している。このアン
テナ２は、対向したアンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４
ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間で、それぞれ高周波による電
界生成領域６ａ、６ｂ及び６ｃを形成している。
素子４ａと、この中心アンテナ素子４ａを囲んで同心状
に配置された３つの環状（この場合は円筒状）の外周ア
ンテナ素子５ａ，４ｂ，５ｂとを有している。このアン
テナ２は、対向したアンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４
ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間で、それぞれ高周波による電
界生成領域６ａ、６ｂ及び６ｃを形成している。
【００２１】具体的には、アンテナ２の内側から奇数番
目のアンテナ素子４ａ，４ｂが、それぞれ高周波電源３
からの活線３ａ，３ｂと接続され、内側から偶数番目の
アンテナ素子５ａ，５ｂが、それぞれ接地されている。
この場合、各活線３ａ，３ｂ同士の長さの差は、アンテ
ナ部分の長さの半分長をも考慮して、高周波の半波長
（λ／２）の整数倍に設定されている。但し、各活線３
ａ，３ｂ毎に高周波の電源および周波数が異なる場合
は、自由長でもかまわない。
目のアンテナ素子４ａ，４ｂが、それぞれ高周波電源３
からの活線３ａ，３ｂと接続され、内側から偶数番目の
アンテナ素子５ａ，５ｂが、それぞれ接地されている。
この場合、各活線３ａ，３ｂ同士の長さの差は、アンテ
ナ部分の長さの半分長をも考慮して、高周波の半波長
（λ／２）の整数倍に設定されている。但し、各活線３
ａ，３ｂ毎に高周波の電源および周波数が異なる場合
は、自由長でもかまわない。
【００２２】なお、アンテナ２の上面は導体のシールド
板７で覆われている（図１（ｂ））。このシールド板７
は、各アンテナ素子４ａ，５ａ，４ｂ，５ｂとは電気的
に接触しないようになっている。
板７で覆われている（図１（ｂ））。このシールド板７
は、各アンテナ素子４ａ，５ａ，４ｂ，５ｂとは電気的
に接触しないようになっている。
【００２３】次に、図１（ｂ）に示すように、このプラ
ズマ処理装置は、処理容器１の底部上に設けられた載置
台１２を備えている。この載置台１２の周囲に対応した
処理容器１底部には、当該処理容器１内を真空引きする
ための排気口１３が形成されている。また、処理容器１
上部の適当な位置に、処理ガス等を導入するための導入
管１４が設けられている。なお、載置台１２には、例え
ば０.８〜２ＭＨｚのＲＦバイアス電力を印加するＲＦ
バイアス電源１５が連結されている。
ズマ処理装置は、処理容器１の底部上に設けられた載置
台１２を備えている。この載置台１２の周囲に対応した
処理容器１底部には、当該処理容器１内を真空引きする
ための排気口１３が形成されている。また、処理容器１
上部の適当な位置に、処理ガス等を導入するための導入
管１４が設けられている。なお、載置台１２には、例え
ば０.８〜２ＭＨｚのＲＦバイアス電力を印加するＲＦ
バイアス電源１５が連結されている。
【００２４】そして、このプラズマ処理装置は、所定の
真空度にされた処理容器１内において、アンテナ２から
導入された高周波によって、処理ガスのプラズマを生成
するように構成されている。そして、生成されたプラズ
マによって、載置台１２上の被処理体（例えば半導体ウ
エハ）Ｗに対して、成膜処理やエッチング処理等の目的
に応じた種々のプラズマ処理を行えるようになってい
る。
真空度にされた処理容器１内において、アンテナ２から
導入された高周波によって、処理ガスのプラズマを生成
するように構成されている。そして、生成されたプラズ
マによって、載置台１２上の被処理体（例えば半導体ウ
エハ）Ｗに対して、成膜処理やエッチング処理等の目的
に応じた種々のプラズマ処理を行えるようになってい
る。
【００２５】〈作用効果〉次に、このような構成よりな
る本実施形態の作用効果について説明する。
る本実施形態の作用効果について説明する。
【００２６】本実施形態によれば、アンテナ２における
対向したアンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂ
と５ｂ同士の間の電界生成領域６ａ，６ｂ及び６ｃも、
それぞれ環状をなすこととなる。そして、各アンテナ素
子４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間の間
隔を適当に設定することで、各電界生成領域６ａ，６
ｂ，６ｃでの電界強度を半径方向で均一にすることがで
きる（周方向では当然に均一となる）。
対向したアンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂ
と５ｂ同士の間の電界生成領域６ａ，６ｂ及び６ｃも、
それぞれ環状をなすこととなる。そして、各アンテナ素
子４ａと５ａ、５ａと４ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間の間
隔を適当に設定することで、各電界生成領域６ａ，６
ｂ，６ｃでの電界強度を半径方向で均一にすることがで
きる（周方向では当然に均一となる）。
【００２７】このため、アンテナ２から処理容器１内に
導入される高周波の径方向の分布を均一化して、処理容
器１内で被処理体Ｗに対してより均一なプラズマ処理を
行うことができる。
導入される高周波の径方向の分布を均一化して、処理容
器１内で被処理体Ｗに対してより均一なプラズマ処理を
行うことができる。
【００２８】〈変形例〉本実施形態のアンテナ２におい
て、内側から偶数番目のアンテナ素子５ａ，５ｂの方を
それぞれ接地させる場合について説明したが、内側から
奇数番目のアンテナ素子４ａ，４ｂの方をそれぞれ接地
させるようにしてもよい。
て、内側から偶数番目のアンテナ素子５ａ，５ｂの方を
それぞれ接地させる場合について説明したが、内側から
奇数番目のアンテナ素子４ａ，４ｂの方をそれぞれ接地
させるようにしてもよい。
【００２９】また、本実施形態において、高周波供給手
段（高周波電源）３を１つだけ備えた例について説明し
たが、高周波供給手段を複数備え、各高周波供給手段ご
とに供給する高周波の電力または周波数を異ならせるこ
とで、アンテナ２の各電界生成領域６ａ，６ｂ，６ｃに
おける電界を調節可能に構成してもよい。
段（高周波電源）３を１つだけ備えた例について説明し
たが、高周波供給手段を複数備え、各高周波供給手段ご
とに供給する高周波の電力または周波数を異ならせるこ
とで、アンテナ２の各電界生成領域６ａ，６ｂ，６ｃに
おける電界を調節可能に構成してもよい。
【００３０】その場合、各高周波供給手段によってアン
テナ２の各電界生成領域６ａ，６ｂ，６ｃにおける電界
を調節することで、アンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４
ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間の間隔にかかわらず、各電界
生成領域６ａ，６ｂ，６ｃでの電界強度を半径方向で均
一にすることができる。
テナ２の各電界生成領域６ａ，６ｂ，６ｃにおける電界
を調節することで、アンテナ素子４ａと５ａ、５ａと４
ｂ及び４ｂと５ｂ同士の間の間隔にかかわらず、各電界
生成領域６ａ，６ｂ，６ｃでの電界強度を半径方向で均
一にすることができる。
【００３１】また、本実施形態のアンテナ２において、
中心アンテナ素子４ａの回りに３つの外周アンテナ素子
５ａ，４ｂ，５ｂを同心状に配置する場合について説明
したが、処理容器１の大きさ等に応じて、中心アンテナ
素子４ａの回りに２つ又は４つ以上の外周アンテナ素子
を同心状に配置するようにしてもよい。
中心アンテナ素子４ａの回りに３つの外周アンテナ素子
５ａ，４ｂ，５ｂを同心状に配置する場合について説明
したが、処理容器１の大きさ等に応じて、中心アンテナ
素子４ａの回りに２つ又は４つ以上の外周アンテナ素子
を同心状に配置するようにしてもよい。
【００３２】さらに、アンテナ２の外周を接地された環
状の導体シールド板（又は処理容器の延長部分）で囲む
ようにしてもよい。その場合は、当該シールド板を最も
外側の（接地側の）外周アンテナ素子として用いること
も可能である。
状の導体シールド板（又は処理容器の延長部分）で囲む
ようにしてもよい。その場合は、当該シールド板を最も
外側の（接地側の）外周アンテナ素子として用いること
も可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、各アンテナ素子同士の
間の間隔を適当に設定することで、各電界生成領域での
電界強度を半径方向で均一にすることができる。このた
め、アンテナから処理容器内に導入される高周波の径方
向の分布を均一化して、処理容器内でより均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
間の間隔を適当に設定することで、各電界生成領域での
電界強度を半径方向で均一にすることができる。このた
め、アンテナから処理容器内に導入される高周波の径方
向の分布を均一化して、処理容器内でより均一なプラズ
マ処理を行うことができる。
【図１】本発明によるプラズマ処理装置の一実施形態を
模式的に示す図であって、（ａ）は同装置におけるアン
テナ部分の水平断面図、（ｂ）は装置全体の縦断面図。
模式的に示す図であって、（ａ）は同装置におけるアン
テナ部分の水平断面図、（ｂ）は装置全体の縦断面図。
【図２】従来のプラズマ処理装置を模式的に示す図であ
って、（ａ）は同装置におけるアンテナ部分の水平断面
図、（ｂ）は装置全体の縦断面図。
って、（ａ）は同装置におけるアンテナ部分の水平断面
図、（ｂ）は装置全体の縦断面図。
１ 処理容器 ２ アンテナ ３ 高周波電源（高周波供給手段） ４ａ 中心アンテナ素子 ４ｂ，５ａ，５ｂ 外周アンテナ素子 ６ａ，６ｂ，６ｃ 電界生成領域 ７ シールド板 １０ 高周波透過窓
Claims (4)
- 【請求項１】処理容器と、 この処理容器内に高周波を導入するためのアンテナと、 このアンテナに高周波を供給するための高周波供給手段
とを備え、前記処理容器内において、前記アンテナから
導入された高周波によってプラズマを生成するように構
成されると共に、 前記アンテナは、中心アンテナ素子と、この中心アンテ
ナ素子を囲んで同心状に配置された複数の環状の外周ア
ンテナ素子とを有し、対向したアンテナ素子同士の間で
それぞれ高周波による電界生成領域を形成している、こ
とを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】高周波を透過可能な上面を有する処理容器
と、 この処理容器の上面上に取り付けられたアンテナと、 このアンテナに高周波を供給するための高周波供給手段
とを備え、前記処理容器内において、前記アンテナから
導入された高周波によってプラズマを生成するように構
成されると共に、 前記アンテナは、中心アンテナ素子と、この中心アンテ
ナ素子を囲んで同心状に配置された複数の環状の外周ア
ンテナ素子とを有し、対向したアンテナ素子同士の間で
それぞれ高周波による電界生成領域を形成すると共に、
下方に高周波を放射するように構成されている、ことを
特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】前記高周波供給手段を複数備え、 各高周波供給手段ごとに供給する高周波の電力または周
波数を異ならせることで、前記アンテナの各電界生成領
域における電界を調節可能に構成されている、ことを特
徴とする請求項１又は２記載のプラズマ処理装置。 - 【請求項４】前記アンテナにおいて、対向したアンテナ
素子同士のうちの一方がそれぞれ接地されている、こと
を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のプラズ
マ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032023A JP2001223099A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000032023A JP2001223099A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | プラズマ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001223099A true JP2001223099A (ja) | 2001-08-17 |
Family
ID=18556688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000032023A Pending JP2001223099A (ja) | 2000-02-09 | 2000-02-09 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001223099A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004335687A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用アンテナおよびプラズマ処理方法 |
| JP2007027086A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
-
2000
- 2000-02-09 JP JP2000032023A patent/JP2001223099A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004335687A (ja) * | 2003-05-07 | 2004-11-25 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置、プラズマ処理装置用アンテナおよびプラズマ処理方法 |
| JP2007027086A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Samsung Sdi Co Ltd | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
| JP4698454B2 (ja) * | 2005-07-20 | 2011-06-08 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 誘導結合型プラズマ処理装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5565738A (en) | Plasma processing apparatus which uses a uniquely shaped antenna to reduce the overall size of the apparatus with respect to the plasma chamber | |
| JP3828539B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及びマイクロ波放射部材 | |
| US6346915B1 (en) | Plasma processing method and apparatus | |
| KR100824813B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
| KR101208884B1 (ko) | 마이크로파 도입 기구, 마이크로파 플라즈마원 및 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
| US5838111A (en) | Plasma generator with antennas attached to top electrodes | |
| KR101746332B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마원 및 플라즈마 처리 장치 | |
| US6755935B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| KR100380513B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| JP4532897B2 (ja) | プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び製品の製造方法 | |
| JP4441038B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JP2018006718A (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
| US8753475B2 (en) | Plasma processing apparatus | |
| JPH09289099A (ja) | プラズマ処理方法および装置 | |
| JP3156622B2 (ja) | プラズマ発生装置 | |
| US6404134B2 (en) | Plasma processing system | |
| JP2001223099A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP3676680B2 (ja) | プラズマ装置及びプラズマ生成方法 | |
| JP3774965B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH07263188A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH1126191A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| US6388624B1 (en) | Parallel-planar plasma processing apparatus | |
| JP2001223171A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JPH11260594A (ja) | プラズマ処理装置 | |
| JP6700128B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070131 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090324 |