JP3156622B2

JP3156622B2 - プラズマ発生装置

Info

Publication number: JP3156622B2
Application number: JP02860597A
Authority: JP
Inventors: 重徳林; 秀夫中川
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-02-27
Filing date: 1997-02-13
Publication date: 2001-04-16
Anticipated expiration: 2017-02-13
Also published as: JPH09293682A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プラズマ発生装
置に関するものであり、より詳しくは、プラズマを発生
し基板の表面処理を行うプラズマ発生装置に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体や液晶デバイスの製造プロ
セスにおいて、高周波プラズマを用いた薄膜作成、ドー
ピング、ドライエッチング等による表面処理が行われる
ようになっている。この高周波プラズマを発生させるプ
ラズマ発生装置としては、平板型電極によるＲＦ周波数
帯（例えば13．56MHz）のグロー放電や、導波管で導い
たマイクロ波（例えば2．45GHz）と磁界を作用させた電
子サイクロトロン共鳴放電が用いられている。さらに近
年、より高精度かつ高機能な表面処理のための新しいプ
ラズマ発生装置が求められており、例えば誘導結合型や
ヘリコン波型の放電、パルス変調させた高周波プラズ
マ、あるいはＶＨＦ帯の高周波プラズマを用いようとす
る試みがある。

【０００３】一般的にプラズマを用いて高精度かつ高機
能な表面処理を行うためには、第一に低圧力でかつ高密
度のプラズマが求められている。高密度のプラズマは、
ドライエッチングの場合においてエッチングに関与する
粒子・イオンの数を増やし、もってエッチング処理速度
を高めるのに必要である。また、粒子・イオンは基板の
表面に対してできるだけ垂直に衝突させる必要がある。
これは基板に形成されるマスクパターンを基板の表面に
対して垂直に処理・形成するためである。ところが高圧
力のプラズマ中では粒子同士が互いに衝突する確率が高
まり、基板に衝突する粒子・イオンの方向性を維持する
ことが困難となる。低圧力のプラズマは、残留ガスのも
たらす影響、及び粒子・イオンの衝突を減らして粒子・
イオンの反応性と指向性を維持するために必要となる。
そして低圧力プラズマを用いることによって、マスクパ
ターンは表面に対して垂直に処理・形成される。

【０００４】しかしながら、この様な低圧力かつ高密度
なプラズマにおいては、プラズマ発生のために高いエネ
ルギーを用いる必要があるため、しばしば１個あたりの
エネルギーの高い粒子や、イオンが発生する。このよう
なエネルギーの高い粒子やイオンは、処理されるべき基
板にダメージを与えたり、エッチングに有効なプラズマ
中のラジカルを破壊する問題点が指摘されている。

【０００５】このようなプラズマの密度やイオンのエネ
ルギーは、電子密度及び電子温度によって定まり、これ
らは基本的に供給される高周波信号の周波数に依存す
る。例えば低い周波数の高周波信号（例えば13.56MHzの
高周波信号）を用いるグロー放電の場合、電子密度、電
子温度共に低いが、一部に高いエネルギーの粒子が存在
すると共に、放電する圧力も高いと言った問題がある。
一方、高い周波数の高周波信号（例えば2.45GHzの高周
波信号）を用いる電子サイクロトロン共鳴の場合、低圧
力放電が可能で電子密度は高いが、電子温度も一様に比
較的高い。また磁石を用いることから、大口径化が困難
である。

【０００６】理論的な考えでは、電子密度が高く、かつ
電子温度が低いプラズマを発生させることのできる高周
波信号の周波数帯は、少なくとも13.56MHzから2.45GHz
の間の周波数帯に存在するとされている。

【０００７】一方、特開平7−307200号には、100MHzか
ら1GHzの周波数の高周波信号を供給してプラズマを発生
するプラズマ発生装置が開示されている。この従来技術
においては、プラズマ生成用のプラズマガスが導入され
たプラズマ生成室内に設置され、高周波電界を提供する
アンテナの構造の一例が開示されている。図７は、この
資料に記載されたアンテナの構造の一例を示すための断
面図である。図に示すように、中心から外周方向に放射
状に延びる複数のアンテナ３０ａと、外周から中心方向
に延びる複数のアンテナ３０ｂとが、互いに食い違うよ
うに形成された、プラズマ発生装置におけるアンテナ構
造が開示されている。それぞれのアンテナには180度位
相の異なる高周波信号が供給される。この高周波信号の
周波数は、この資料によれば、100MHzから1GHzであるこ
とが好ましいと記載されており、電子密度が高く、電子
温度の低いプラズマが生成されると考えられる。そし
て、この資料の記載によれば、ＶＨＦ帯高周波電界を均
一に効率よく導入でき、小型で簡易なプラズマ処理装置
を実現できると記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この資
料に記載されたプラズマ発生装置は、中心から外周に向
けて放射状に延びるアンテナ３０ａと、外周から中心に
向けて延びるアンテナ３０ｂとの間隔は均一ではなく、
口径が大きくなるほど外周方向に向かうにつれて、間隔
が広がってしまうので、均一なプラズマ処理を期待する
ことができない。特に、液晶表示装置のような矩形の基
板を処理しようとする場合には、矩形基板を十分カバー
するような大きさのプラズマ生成室を用意しなければな
らないが、かかる資料に記載されたアンテナを使用した
プラズマ発生装置では均一な表面処理を行うことが困難
である。

【０００９】

【課題を解決するための手段】このような課題を克服す
るため、本発明に係る第１のプラズマ処理装置は、互い
に対向する複数の電極と、前記複数の電極にそれぞれ植
立された複数のアンテナと、前記複数の電極の少なくと
も一つに高周波信号を供給する高周波電源を備え、対向
する電極の一方に植立されたアンテナが他方の電極に植
立されたアンテナと実質的に平行でかつ食い違うように
配置されるとともに前記電極の少なくとも１つのなす外
郭は、矩形であることを特徴とする。また、本発明に係
る第２のプラズマ処理装置は、第１の電極と、前記第１
の電極を中心としてこれを囲む同心円状に配置された第
２及び第３の電極と、前記第１、第２及び第３の電極の
それぞれに前記第１の電極の中心から放射状に植立され
た複数のアンテナと、前記第１、第２及び第３の電極の
少なくとも一つに高周波信号を供給する高周波電源を備
え、前記第１、第２及び第３の各電極間の距離が、互い
に対向する電極の一方に植立された前記複数のアンテナ
の各々と他方の電極に植立された前記複数のアンテナの
各々の対向する各アンテナ同士が実質的に平行でかつ食
い違うように配置されたことを特徴とする。

【００１０】本発明によれば、 UHFあるいはVHF帯の高
周波電界を用いながらも、処理される基板の形状や大き
さについて自由度のあるプラズマ発生装置を得ることが
できる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載のプラズ
マ処理装置は、互いに対向する複数の電極と、前記複数
の電極にそれぞれ植立された複数のアンテナと、前記複
数の電極の少なくとも一つに高周波信号を供給する高周
波電源を備え、対向する電極の一方に植立されたアンテ
ナが他方の電極に植立されたアンテナと実質的に平行で
かつ食い違うように配置されるとともに前記電極の少な
くとも１つのなす外郭は、矩形であることを特徴とする
ものであり、互いに平行に配置されたアンテナにより均
一なプラズマ処理を施すことができ、アンテナ同士を平
行に保ったままプラズマ生成室内における電極及びアン
テナのなす大きさを自由に設計できる。

【００１２】本発明の請求項２に記載のプラズマ発生装
置は、第１の電極と、前記第１の電極を中心としてこれ
を囲む同心円状に配置された第２及び第３の電極と、前
記第１、第２及び第３の電極のそれぞれに前記第１の電
極の中心から放射状に植立された複数のアンテナと、前
記第１、第２及び第３の電極の少なくとも一つに高周波
信号を供給する高周波電源を備え、前記第１、第２及び
第３の各電極間の距離が、互いに対向する電極の一方に
植立された前記複数のアンテナの各々と他方の電極に植
立された前記複数のアンテナの各々の対向する各アンテ
ナ同士が実質的に平行でかつ食い違うように配置された
ことを特徴とするものであり、同心円状に配置された円
形の電極から植立したアンテナが、対向するアンテナと
実質的に平行に保たれたまま、大きさを自由に設計でき
る。

【００１３】上記プラズマ発生装置は、前記第３の電極
を囲み、前記第１の電極を中心としてこれを囲む同心円
状に配置された第４の電極と、前記第４の電極に前記第
１の電極の中心から放射状に植立された複数のアンテナ
をさらに備えていてもよい。

【００１４】本発明の請求項４に記載のプラズマ発生装
置は、各々の電極間の距離は、対向するアンテナ同士で
形成される幅の最大値と最小値との差が、高周波信号の
波長の１／４の２０％よりも小さい距離に選ばれた事を
特徴とするものであり、対向するアンテナ同士が実質的
に平行に維持されるので、均一なプラズマ処理を期待す
ることができる。

【００１５】本発明の請求項５に記載のプラズマ発生装
置は、高周波信号の周波数が40MHzから1GHzの周波数帯
から選ばれている事を特徴とするものであり、ＶＨＦ帯
あるいはＵＨＦ帯の高周波信号を用いて、プラズマ処理
の行われる系に最適な条件、例えば電子温度やイオン密
度を制御できる。

【００１６】本発明の請求項６に記載のプラズマ発生装
置は、複数の電極の少なくとも１つの電極を接地するこ
とを特徴とするものであり、他の電極に印加された高周
波信号を効率よく、かつ容易に活用できる。

【００１７】本発明の請求項７に記載のプラズマ発生装
置は、互いに対向する電極同士に、互いに位相が180度
異なる高周波信号を供給する事を特徴とするものであ
り、相互の共振により、対向する電極間に印加された高
周波信号を一層効率よく活用できる。

【００１８】本発明の請求項８に記載のプラズマ発生装
置は、少なくとも一方の電極における複数の供給点に、
位相の異なる高周波信号を供給することを特徴とするも
のであり、印加される高周波信号の効率を実質的に向上
させることができる。

【００１９】本発明の請求項９に記載のプラズマ発生装
置は、高周波信号の位相を、高周波信号の波長及び複数
の供給点間の距離に応じて調整するフェイズシフト回路
とを備えたことを特徴とするものであり、高周波信号が
供給される電極上の供給点の位置によらず、効率よく高
周波信号を電極に供給することができる。

【００２０】本発明の請求項１０に記載のプラズマ発生
装置は、高周波信号が供給される電極上の位置からアン
テナの開放端までの距離が、等価的に高周波信号の波長
の１／４の整数倍であることを特徴とするものであり、
与えられた高周波信号によるプラズマ処理を効率よく行
うことができる。

【００２１】本発明の請求項１１に記載のプラズマ発生
装置は、互いに対向するアンテナ同士の空隙に設けられ
た、電界と直交する磁界を発生させる永久磁石を備えた
ことを特徴とするものであり、サイクロトロン共鳴を利
用したプラズマ発生装置を提供することができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の一実施例の形態を図１乃至図
６を参照しながら説明する。図１は本発明のプラズマ発
生装置の一実施例の構成を示す断面図であり、本発明の
プラズマ発生装置は、プラズマ生成室１、一対の電極４
ａ、４ｂ、これらの電極４ａ，４ｂにそれぞれ並列に設
けられた複数のアンテナ５ａ，５ｂを備える。プラズマ
生成室１には図示しないが排気系、ガス導入口、及び基
板搬送室が設けられている。電極４ａ，４ｂ及びアンテ
ナ５ａ，５ｂの詳細は後述するが、高周波電源２からの
高周波信号がマッチング回路３を経て電極４ａ，４ｂの
うちの少なくとも一方に印加される。なお、マッチング
回路３は後段に接続される電気素子群のインピーダンス
整合をとるために設けられている。この電極４ａ，４ｂ
及びアンテナ５ａ，５ｂはプラズマ中に置くことも可能
であるが、誘導結合型プラズマ発生装置のコイル部分に
ついてしばしば行われているように、プラズマ処理中の
金属汚染を避ける意味から、図示するようにアンテナを
絶縁板６を介して設置することが好ましい。また、電子
サイクロトロン共鳴を利用する場合と同様に、アンテナ
や電極の間に永久磁石７を配置することが好ましい。プ
ラズマ生成室１の内部には、表面処理を施されるべき基
板８が基板電極９上に配置されている。基板電極９には
マッチング回路１１を介してＲＦ信号がＲＦ電源１０か
ら供給される。またＲＦ電源１０の一端は接地されてい
る。

【００２３】図２は本発明のプラズマ発生装置に用いら
れる、電極及びアンテナの構成の一例を示す断面図であ
る。電極４ａには櫛歯状に複数のアンテナ５ａが植立し
ている。これら電極４ａ、及びアンテナ５ａを囲むよう
に電極４ｂが形成され、電極４ｂには複数のアンテナ５
ｂが櫛歯状に、かつ内側に向かって植立している。そし
てアンテナ５ａとアンテナ５ｂは互いに平行に、かつ交
互に食い違うように配置されている。またアンテナ５ａ
とアンテナ５ｂとで挟まれる空間には、永久磁石７が極
性が交互になるように配置されている。また、この実施
例では電極４ｂは接地されている。電極４ａの一点、例
えば中心から高周波電源２からの高周波信号が供給され
る。安定で均一な高周波電界を生成するために、高周波
信号の供給点から電極５ａのそれぞれの解放端までの距
離は、等価的に高周波信号の周波数λの１／４の整数倍
となるようにすることが好ましい。また、この実施例に
おいては一方の電極４ａにのみ高周波信号を供給し、電
極４ｂを接地する構成としているが、電極４ｂに、電極
４ａに供給される高周波信号とは位相が180度異なる高
周波信号を供給するようにしても良い。

【００２４】図３は電極４ａ，４ｂにそれぞれ位相が18
0度異なる高周波信号を供給することのできる電極及び
アンテナの構成の一実施例を示すものであり、高周波電
源２の一つの出力はマッチング回路３ａを介して電極４
ａの一点、例えば中心点に供給されており、また他の出
力は、高周波電源からの高周波信号の位相を180度シフ
トするフェイズシフト回路１２、高周波アンプ３ｂ、第
二のマッチング回路３ｂからなる直列回路を介して、電
極４ｂの一点に供給される。すなわち、電極４ｂには、
電極４ａに供給される高周波信号とは位相が180度異な
る高周波信号が供給される。

【００２５】高周波電源２から供給される高周波信号の
周波数はＶＨＦ帯（30MHzから300MHz）からＵＨＦ帯（3
00MHz以上）にかけての、40MHzから1GHz程度が好まし
い。これは、プラズマの電子温度、イオン密度を望まし
い条件で制御できること、及び、この時の波長の１／４
は7.5cmから187.5cmの範囲であるため、通常の処理すべ
き基板の大きさに都合良いからである。また、かかる周
波数範囲であれば、電子サイクロトロン共鳴条件を満足
する磁界強度が１３Ｇａｕｓｓから３３０Ｇａｕｓｓ程
度であり、かかる範囲の磁界強度を有する永久磁石は容
易に実現できることからも好都合である。

【００２６】かかる実施例によれば、アンテナ５ａ，５
ｂにより挟まれる空隙を常に一定に保ったままで、大型
化することが可能であり、特に矩形の基板を表面処理す
るのに好都合なプラズマ発生装置を提供することができ
る。

【００２７】次に、本発明のさらなる一実施例の構成が
図４に示される。図４において、電極４ａは互いに平行
な２辺を有するコの字形状となっており、アンテナ５ａ
は、電極４ａの平行な各辺に、それぞれ離間して植立し
ている。また電極４ｂは電極４ａ及びアンテナ５ａを囲
む矩形状であり、電極４ａの開放辺に対向する一辺に
は、さらに電極４ｂ’が植立されている。アンテナ５ｂ
は、電極４ｂ及び電極４ｂ’に植立されており、アンテ
ナ５ａに対して平行で、かつ交互に食い違うように設置
されている。なお、この実施例の説明においては永久磁
石は省略されているが、図３を参照して説明した実施例
のように、対向するアンテナ同士の間隙に永久磁石を配
置することが望ましい。また、高周波信号は少なくとも
一方の電極に供給されるが、高周波信号の供給点から各
アンテナの開放端までの距離は、等価的に供給される高
周波信号の波長の１／４の整数倍であることが望まし
い。

【００２８】このように形成することで、一層大型化さ
れたプラズマ発生装置が提供される。さらに電極４ａの
平行な部分を３本以上に増設し、これに対向する電極４
ｂを増設することも可能である。

【００２９】次に本発明のさらなる実施例の構成が図５
を参照して説明される。図５においては、複数の円形の
電極が同心円状に配置され、各電極にはアンテナがそれ
ぞれ交互に対向するように配置されたプラズマ発生装置
のアンテナ構造が示されている。すなわち、例えば電極
４０ａを中心にして、これを囲む円形の電極４０ｂが同
心円状に配置される。さらに電極４０ｂを囲むように同
心円状の円形の電極４１ａが配置され、さらに電極４１
ａを囲むように同心円状の電極４１ｂが配置される。各
電極４０ａ，４０ｂ、４１ａ、４１ｂにはそれぞれが互
い違いに対向するようにアンテナ５０ａ，５０ｂ，５１
ａ，５１ｂが植立されている。これら同心円状に形成さ
れた電極を増やしていくことが可能なことはもちろんで
ある。ここで各アンテナは放射状に延びることになるの
で、厳密には対向する電極同士を平行に維持することは
できない。しかしながら、各電極間の距離が小さく、か
つアンテナの長さが十分に短かければ、対向するアンテ
ナ同士は実質的に平行であると見なすことができる。具
体的には、対向するアンテナ同士により形成されるギャ
ップの最大幅と最小幅との差が、供給される高周波信号
の波長の１／４の２０％以下になるように選ばれる。従
ってアンテナの長さを長くすることなく、同心円状の電
極の数を増やしていくことによって、アンテナ同士は実
質的に平行な状態を保ったまま、大型化されたプラズマ
発生装置を提供することが可能となる。また、外周に向
かうに従って、電極に植立されるアンテナの数を増やす
ことが可能である。アンテナの数を増やすことによっ
て、隣り合うアンテナ同士のなす角度は、より小さくな
り、対向するアンテナ同士も、より平行に近づいた関係
で対向させることができる。

【００３０】また図５に示される実施例においては、電
極４０ａ，４１ａの少なくとも一点に高周波信号が供給
される。電極４０ｂ，４１ｂは接地されるか、あるいは
電極４０ａ，４１ａに供給される高周波信号と180度位
相の異なる高周波信号が電極４０ｂ，４１ｂにそれぞれ
供給される。各電極における高周波信号の供給点から、
各アンテナの先端までの距離は、等価的に供給される高
周波信号の波長の１／４の整数倍とすることが望まし
い。

【００３１】さらに電極の2点以上の位置において、そ
の離間距離に応じた位相差を有する高周波信号を供給す
ることも可能である。

【００３２】例えば、図６に示されるように、電極４ａ
の両端部に高周波信号が供給されるが、そのうちの一方
に供給される高周波信号は、フェイズシフト回路１４に
よって位相が調整された信号となっている。フェイズシ
フト回路１４は、高周波信号の波長、及び高周波信号が
供給される電極上の供給点間の距離に応じて高周波信号
の位相を調整する。すなわち、電極上の一方の供給点か
ら高周波信号を供給したとき、他方の供給点に現れる高
周波信号の位相がφずれているような場合、フェイズシ
フト回路１４は高周波信号の位相をφだけしシフトした
高周波信号を電極の他方の供給点に供給する。かかる高
周波信号の供給点は２点のみに限られず、さらに多くの
供給点から高周波信号を供給することも可能であり、こ
の場合にはそれぞれの供給点に現れる位相に応じて高周
波信号の位相をシフトするフェイズシフト回路を設けれ
ばよい。

【００３３】なお、上記説明から明らかなことではある
が、本発明のプラズマ発生装置は、電極の数、アンテナ
の数に自由度があり、処理されるべき基板の形状、大き
さ等に応じて、適宜電極、及びアンテナの数を設定すれ
ばよい。

【００３４】

【発明の効果】以上のように本発明のプラズマ発生装置
によれば、少なくとも一対の対向する電極に、複数のア
ンテナを互いに実質的に平行になるように配置したの
で、電極の数に応じてプラズマ発生装置の大型化を図る
ことが可能となるばかりでなく、処理されるべき基板の
大きさ、形状に合わせた自由度をもつプラズマ発生装置
を提供する事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のプラズマ発生装置の一実施例の構成を
示す側面図

【図２】本発明のプラズマ発生装置に用いられる電極及
びアンテナの一実施例の構成を示す構成図

【図３】本発明のプラズマ発生装置に用いられる電極及
びアンテナの他の一実施例の構成を示す構成図

【図４】本発明のプラズマ発生装置に用いられる電極及
びアンテナのさらに他の一実施例の構成を示す構成図

【図５】本発明のプラズマ発生装置に用いられる電極及
びアンテナのさらに他の一実施例の構成を示す構成図

【図６】本発明のプラズマ発生装置に用いられる電極及
びアンテナのさらに他の一実施例の構成を示す構成図

【図７】従来のプラズマ発生装置に用いられる電極及び
アンテナの構成を示す構成図

【符号の説明】

１プラズマ生成室２高周波電源３マッチング回路４ａ，４ｂ電極５ａ，５ｂアンテナ６絶縁板７永久磁石８基板９基板電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＨ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ｍ 21/31 Ｈ０１Ｌ 21/265 ＰＨ０５Ｈ 1/46 21/302 Ｂ (56)参考文献特開平２−294491（ＪＰ，Ａ) 特開平６−61153（ＪＰ，Ａ) 特開平７−307200（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−234532（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/205 C23C 16/50 C23F 4/00 H01L 21/265 H01L 21/3065 H01L 21/31 H05H 1/46

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】互いに対向する複数の電極と、前記複数
の電極にそれぞれ植立された複数のアンテナと、前記複
数の電極の少なくとも一つに高周波信号を供給する高周
波電源を備え、対向する電極の一方に植立されたアンテ
ナが他方の電極に植立されたアンテナと実質的に平行で
かつ食い違うように配置されるとともに前記電極の少な
くとも１つのなす外郭は、矩形であることを特徴とする
プラズマ発生装置。
【請求項２】第１の電極と、前記第１の電極を中心と
してこれを囲む同心円状に配置された第２及び第３の電
極と、前記第１、第２及び第３の電極のそれぞれに前記
第１の電極の中心から放射状に植立された複数のアンテ
ナと、前記第１、第２及び第３の電極の少なくとも一つ
に高周波信号を供給する高周波電源を備え、前記第１、
第２及び第３の各電極間の距離が、互いに対向する電極
の一方に植立された前記複数のアンテナの各々と他方の
電極に植立された前記複数のアンテナの各々の対向する
各アンテナ同士が実質的に平行でかつ食い違うように配
置されたことを特徴とするプラズマ発生装置。
【請求項３】前記第３の電極を囲み、前記第１の電極を
中心としてこれを囲む同心円状に配置された第４の電極
と、前記第４の電極に前記第１の電極の中心から放射状
に植立された複数のアンテナをさらに備えた請求項２に
記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】前記第１、第２及び第３の各電極間の距離
は、対向するアンテナ同士で形成される幅の最大値と最
小値との差が、前記高周波信号の波長の１／４の２０％
よりも小さい距離に選ばれた事を特徴とする請求項２又
は３記載のプラズマ発生装置。
【請求項５】前記高周波信号の周波数は40MHzから1GHz
の範囲から選ばれた周波数であることを特徴とする請求
項１又は２記載のプラズマ発生装置。
【請求項６】前記電極の少なくとも１つの電極を接地
することを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ装
置。
【請求項７】互いに対向する電極同士に、互いに位相が
180度異なる高周波信号を供給する事を特徴とする請求
項１又は２記載のプラズマ発生装置。
【請求項８】少なくとも一方の電極における複数の供給
点に、位相の異なる高周波信号を供給することを特徴と
する請求項１又は２記載のプラズマ発生装置。
【請求項９】前記高周波信号の位相を、前記高周波信号
の波長及び前記複数の供給点間の距離に応じて調整する
フェイズシフト回路とを備えたことを特徴とする請求項
７記載のプラズマ発生装置。
【請求項１０】前記高周波信号が供給される前記電極上
の位置から前記アンテナの開放端までの距離が、等価的
に前記高周波信号の波長の１／４の整数倍であることを
特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ発生装置。
【請求項１１】互いに対向するアンテナ同士の空隙に設
けられた、電界と直交する磁界を発生させる永久磁石を
備えたことを特徴とする請求項１又は２記載のプラズマ
発生装置。