JP2001223081A - 発光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】電気エネルギーの利用効率が高く、高輝度かつ
高色純度の発光素子を提供する。 【解決手段】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
エネルギーにより発光する素子であって、該素子は少な
くとも下記一般式（１）に示す化合物を含むことを特徴
とする発光素子。 【化１】 （ここで、Ａはナフタルイミド誘導体、ＢはＡに対する
等方回転がＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間の立体反発により制
限されている置換基、ｎは１〜４いずれかの自然数であ
る。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、標
識、看板、電子写真機、光信号発生器などの分野に利用
可能な発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われている。この素子は、薄型、低駆動電圧下
での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによる多色発光が
特徴であり注目を集めている。

【０００３】この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎ
ｇらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層であるトリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、そして陰極
としてＭｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度
の駆動電圧で１０００ｃｄ／ｍ²の緑色発光が可能であ
った。現在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成
要素の他に電子輸送層を設けているものなど構成を変え
ているものもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏
襲している。

【０００４】多色発光の中では緑色発光材料の研究が最
も進んでおり、現在は赤色発光材料と青色発光材料にお
いて、耐久性に優れ十分な輝度と色純度特性を示すもの
が望まれ、特性向上を目指して鋭意研究がなされてい
る。

【０００５】赤色発光材料としては、ビス（ジイソプロ
ピルフェニル）ペリレンなどのペリレン系、ペリノン
系、ポルフィリン系、Ｅｕ錯体（Chem. Lett., 1267(19
91))などが挙げられる。

【０００６】また、赤色発光を得る手法として、ホスト
材料の中に微量の赤色蛍光材料をドーパントとして混入
させる方法も検討されている。ホスト材料としては、ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体を始めとす
るキノリノール誘導体の金属錯体、ビス（１０−ベンゾ
キノリノラト）ベリリウム錯体、ジアリールブタジエン
誘導体、スチルベン誘導体、ベンズオキサゾール誘導
体、ベンゾチアゾール誘導体などがあげられ、その中に
ドーパントとして４−（ジシアノメチレン）−２−メチ
ル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−４Ｈ−ピラ
ン、金属フタロシアニン（ＭｇＰｃ、ＡｌＰｃＣｌな
ど）化合物、スクアリリウム化合物、ビオラントロン化
合物を存在させることによって赤色発光を取り出してい
た。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術に用
いられる発光材料（ホスト材料、ドーパント材料）に
は、発光効率が低く消費電力が高いものや、耐久性が低
く素子寿命の短いものが多く、また、溶液状態では強い
蛍光強度を有していても薄膜状態では濃度消光やエキサ
イプレックスあるいはエキサイマー形成により蛍光強度
が著しく減少し、発光素子に適用した際に高輝度発光が
得られないものが多かった。

【０００８】特に赤色発光材料（ホスト材料およびドー
パント材料）に関しては、色純度と輝度が両立したもの
が極めて少ないことが大きな問題であった。

【０００９】本発明は、かかる問題を解決し、電気エネ
ルギーの利用効率が高く、高輝度かつ高色純度の発光素
子を提供することを目的とするものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は陽極と陰極の間
に発光物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素
子であって、該素子は少なくとも下記一般式（１）に示
す化合物を含むことを特徴とする発光素子である。

【００１１】

【化７】

【００１２】（ここで、Ａはナフタルイミド誘導体、Ｂ
はＡに対する等方回転がＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間の立体
反発により制限されている置換基、ｎは１〜４いずれか
の自然数である。）

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロムなどの金属、ヨウ化銅、硫化銅など
の無機導電性物質、ポリチオフェン、ポリピロール、ポ
リアニリンなどの導電性ポリマなど特に限定されるもの
でないが、ＩＴＯガラスやネサガラスを用いることが特
に望ましい。透明電極の抵抗は素子の発光に十分な電流
が供給できればよいので限定されないが、素子の消費電
力の観点からは低抵抗であることが望ましい。例えば３
００Ω／□以下のＩＴＯ基板であれば素子電極として機
能するが、現在では１０Ω／□程度の基板の供給も可能
になっていることから、低抵抗品を使用することが特に
望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値に合わせて任意に選ぶ
事ができるが、通常１００〜３００ｎｍの間で用いられ
ることが多い。また、ガラス基板はソーダライムガラ
ス、無アルカリガラスなどが用いられ、また厚みも機械
的強度を保つのに十分な厚みがあればよいので、０．５
ｍｍ以上あれば十分である。ガラスの材質については、
ガラスからの溶出イオンが少ない方がよいので無アルカ
リガラスの方が好ましいが、ＳｉＯ₂ などのバリアコー
トを施したソーダライムガラスも市販されているのでこ
れを使用できる。ＩＴＯ膜形成方法は、電子線ビーム
法、スパッタリング法、化学反応法など特に制限を受け
るものではない。

【００１４】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、亜鉛、アルミニウム、インジウ
ム、クロム、リチウム、ナトリウム、カリウム、カルシ
ウム、マグネシウムなどがあげられるが、電子注入効率
をあげて素子特性を向上させるためにはリチウム、ナト
リウム、カリウム、カルシウム、マグネシウムまたはこ
れら低仕事関数金属を含む合金が有効である。しかし、
これらの低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であ
ることが多く、例えば、有機層に微量のリチウムやマグ
ネシウム（真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ以下）をドー
ピングして安定性の高い電極を使用する方法が好ましい
例として挙げることができるが、フッ化リチウムのよう
な無機塩の使用も可能であることから特にこれらに限定
されるものではない。更に電極保護のために白金、金、
銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金
属、またはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チ
タニア、窒化ケイ素などの無機物、ポリビニルアルコー
ル、塩化ビニル、炭化水素系高分子などを積層すること
が好ましい例として挙げられる。これらの電極の作製法
も抵抗加熱、電子線ビーム、スパッタリング、イオンプ
レーティング、コーティングなど導通を取ることができ
れば特に制限されない。

【００１５】本発明における発光物質とは、１）正孔輸
送層／発光層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、
３）発光層／電子輸送層、４）正孔輸送層／発光層／正
孔阻止層、５）正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子
輸送層、６）発光層／正孔阻止層／電子輸送層そして、
７）以上の組合わせ物質を一層に混合した形態のいずれ
であってもよい。即ち、素子構成としては、上記１）〜
６）の多層積層構造の他に７）のように発光材料単独ま
たは発光材料と正孔輸送材料や電子輸送材料を含む層を
一層設けるだけでもよい。さらに、本発明における発光
物質は自ら発光するもの、その発光を助けるもののいず
れにも該当し、発光に関与している化合物、層などを指
すものである。

【００１６】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ（３−メチ
ルフェニル）−４，４’−ジフェニル−１，１’−ジア
ミン、Ｎ，Ｎ’−ジナフチル−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−
４，４’−ジフェニル−１，１’−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビス（Ｎ−アリルカルバゾール）ま
たはビス（Ｎ−アルキルカルバゾール）類、ピラゾリン
誘導体、スチルベン系化合物、ヒドラゾン系化合物、オ
キサジアゾール誘導体やフタロシアニン誘導体、ポルフ
ィリン誘導体に代表される複素環化合物、ポリマー系で
は前記単量体を側鎖に有するポリカーボネートやスチレ
ン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリシランなどが
好ましいが、素子作製に必要な薄膜を形成し、陽極から
正孔が注入できて、さらに正孔を輸送できる化合物であ
れば特に限定されるものではない。

【００１７】発光層は発光材料（ホスト材料、ドーパン
ト材料）により形成され、これはホスト材料とドーパン
ト材料との混合物であっても、ホスト材料単独であって
も、いずれでもよい。ホスト材料とドーパント材料は、
それぞれ一種類であっても、複数の組み合わせであって
も、いずれでもよい。ドーパント材料はホスト材料の全
体に含まれていても、部分的に含まれていても、いずれ
であってもよい。ドーパント材料は積層されていても、
分散されていても、いずれであってもよい。

【００１８】発光材料としては下記一般式（１）に示す
化合物が高輝度発光を得るために好適に用いられる。

【００１９】

【化８】

【００２０】ここで、Ａはナフタルイミド誘導体、Ｂは
Ａに対する等方回転がＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間の立体反
発により制限されている置換基、ｎは１〜４いずれかの
自然数である。

【００２１】一般式（１）のＢは、一般式（１）のＡの
蛍光特性を薄膜状態において保持し、発光素子において
高輝度発光させる役割を担う置換基である。すなわちＢ
は、Ａに対する等方回転がＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間の立
体反発により制限されてしまう置換基を形成しているた
め、薄膜状態において励起エネルギーを置換基の回転に
より熱失活させてしまう確率を減少させ、蛍光量子収率
が低下するのを防ぐ。また、ＢはＡに対してねじれるた
めに発光材料分子どうしのスタッキングを防ぎ、濃度消
光やエキサイプレックスあるいはエキサイマー形成を抑
制することができる。これらの結果、発光素子において
高輝度かつ高色純度の発光を得ることができる。この等
方回転が制限されていることは、分子模型や分子計算で
容易に確認することができる。

【００２２】上記ナフタルイミド誘導体としては下記一
般式（２）に示す化合物が好適に用いられる。

【００２３】

【化９】

【００２４】ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁷は同じでも異なっていて
もよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラル
キル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニ
ル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキル
チオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル
基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、
ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド
基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カル
バモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサ
ニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂
肪族環の中から選ばれる。但し、Ｒ⁴およびＲ⁵の少なく
とも一つは前記Ｂである。

【００２５】これらの置換基の内、アルキル基とは例え
ばメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などの飽
和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換でも置換され
ていてもかまわない。また、シクロアルキル基とは例え
ばシクロプロピル、シクロヘキシル、ノルボルニル、ア
ダマンチルなどの飽和脂環式炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、アラル
キル基とは例えばベンジル基、フェニルエチル基などの
脂肪族炭化水素を介した芳香族炭化水素基を示し、脂肪
族炭化水素と芳香族炭化水素はいずれも無置換でも置換
されていてもかまわない。また、アルケニル基とは例え
ばビニル基、アリル基、ブタジエニル基などの二重結合
を含む不飽和脂肪族炭化水素基を示し、これは無置換で
も置換されていてもかまわない。また、シクロアルケニ
ル基とは例えばシクロペンテニル基、シクロペンタジエ
ニル基、シクロヘキセン基などの二重結合を含む不飽和
脂環式炭化水素基を示し、これは無置換でも置換されて
いてもかまわない。また、アルキニル基とは例えばアセ
チレニル基などの三重結合を含む不飽和脂肪族炭化水素
基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわな
い。また、アルコキシ基とは例えばメトキシ基などのエ
ーテル結合を介した脂肪族炭化水素基を示し、脂肪族炭
化水素基は無置換でも置換されていてもかまわない。ま
た、アルキルチオ基とはアルコキシ基のエーテル結合の
酸素原子が硫黄原子に置換されたものである。また、ア
リールエーテル基とは例えばフェノキシ基などのエーテ
ル結合を介した芳香族炭化水素基を示し、芳香族炭化水
素基は無置換でも置換されていてもかまわない。また、
アリールチオエーテル基とはアリールエーテル基のエー
テル結合の酸素原子が硫黄原子に置換されたものであ
る。また、アリール基とは例えばフェニル基、ナフチル
基、ビフェニル基、フェナントリル基、ターフェニル
基、ピレニル基などの芳香族炭化水素基を示し、これは
無置換でも置換されていてもかまわない。また、複素環
基とは例えばフリル基、チエニル基、オキサゾリル基、
ピリジル基、キノリル基、カルバゾリル基などの炭素以
外の原子を有する環状構造基を示し、これは無置換でも
置換されていてもかまわない。ハロゲンとはフッ素、塩
素、臭素、ヨウ素を示す。ハロアルカン、ハロアルケ
ン、ハロアルキンとは例えばトリフルオロメチル基など
の、前述のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基の
一部あるいは全部が、前述のハロゲンで置換されたもの
を示し、残りの部分は無置換でも置換されていてもかま
わない。アルデヒド基、カルボニル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基には脂肪族炭化水素、脂環式炭
化水素、芳香族炭化水素、複素環などで置換されたもの
も含み、さらに脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香
族炭化水素、複素環は無置換でも置換されていてもかま
わない。シリル基とは例えばトリメチルシリル基などの
ケイ素化合物基を示し、これは無置換でも置換されてい
てもかまわない。シロキサニル基とは例えばトリメチル
シロキサニル基などのエーテル結合を介したケイ素化合
物基を示し、これは無置換でも置換されていてもかまわ
ない。隣接置換基との間に形成される縮合環または脂肪
族環は無置換でも置換されていてもかまわない。

【００２６】上記等方回転はＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間い
ずれの立体反発によって制限されていても良いが、より
高輝度な発光を得るためにはＡ−Ｂ間の立体反発により
制限されている方が好ましい。このような効果を有する
Ｂとして、下記一般式（３）に示す骨格を有している置
換基が好適に用いられる。

【００２７】

【化１０】

【００２８】ここで、Ｒ⁸〜Ｒ¹²は同じでも異なってい
てもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラ
ルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキ
ニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル
基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、
ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド
基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カル
バモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサ
ニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂
肪族環の中から選ばれる。但し、Ｒ⁸およびＲ¹²の少な
くとも一つは水素以外の上記の置換基であるか、隣接置
換基との間に縮合環または脂肪族環を形成する。αは前
記Ａとの連結部位を示す。

【００２９】一般式（３）のＲ⁸およびＲ¹²の少なくと
も一つは水素以外の置換基であるか、隣接置換基との間
に縮合環または脂肪族環を形成するため、上記Ａとの間
に立体反発が生じ、ＢのＡに対する等方回転が制限され
る。

【００３０】さらに、安定して高輝度発光を得るために
は、上記Ｒ⁸およびＲ¹²の少なくとも一つが隣接置換基
との間に縮合環を形成した方が耐久性に優れるためより
好ましい。したがって前記Ｂとして、下記一般式（４）
に示す骨格を有している置換基がより好適に用いられ
る。

【００３１】

【化１１】

【００３２】ここで、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁹は同じでも異なってい
てもよく、水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラ
ルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキ
ニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキ
ルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル
基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、
ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド
基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カル
バモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサ
ニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂
肪族環の中から選ばれる。αは前記Ａとの連結部位を示
す。これらの置換基の説明は上述したものと同じであ
る。

【００３３】上記Ｂの好適な例として、特に限定される
ものではないが、具体的には下記のような構造が挙げら
れる。

【００３４】

【化１２】

【００３５】また、上記一般式（４）に示した置換基を
有する前記ナフタルイミド誘導体の好適な例として、特
に限定されるものではないが、具体的には下記のような
構造が挙げられる。

【００３６】

【化１３】

【００３７】

【化１４】

【００３８】本発明の発光材料は赤色発光材料として好
適に用いることができ、この赤色発光を得るためには、
発光物質が、蛍光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎ
ｍ以下の有機蛍光物質を含むことが好ましい。具体的に
は従来から知られている、ビス（ジイソプロピルフェニ
ル）ペリレンテトラカルボン酸イミドなどのナフタルイ
ミド誘導体、ペリノン誘導体、アセチルアセトンやベン
ゾイルアセトンとフェナントロリンなどを配位子とする
Ｅｕ錯体などの希土類錯体、４−（ジシアノメチレン）
−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチリル）−
４Ｈ−ピランやその類縁体、マグネシウムフタロシアニ
ン、アルミニウムクロロフタロシアニンなどの金属フタ
ロシアニン誘導体、ローダミン化合物、デアザフラビン
誘導体、クマリン誘導体、オキサジン化合物などを用い
ることが出来るが特にこれらに限定されるものではな
い。

【００３９】高色純度の赤色発光を得るために、前記有
機蛍光物質として下記一般式（５）に示すピロメテン骨
格を有する化合物もしくはその金属錯体を好適に用いる
ことができる。

【００４０】

【化１５】

【００４１】ここで、Ｒ²⁰〜Ｒ²⁶のうち少なくとも一つ
は芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合環を
形成し、残りは水素、アルキル基、シクロアルキル基、
アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、ア
ルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、ア
ルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエー
テル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカ
ン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒ
ド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カ
ルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキ
サニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および
脂肪族環の中から選ばれる。Ｘは炭素または窒素である
が、窒素の場合には上記Ｒ²⁶は存在しない。金属錯体の
金属は、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、
鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金から選ばれる
少なくとも一種である。これらの置換基の説明は上述し
たものと同じである。

【００４２】さらに、高輝度特性を得るためには、蛍光
量子収率が高いものがより好ましい。そこで、前記ピロ
メテン骨格を有する化合物の金属錯体として、下記一般
式（６）で表される化合物をより好適に用いることがで
きる。

【００４３】

【化１６】

【００４４】ここで、Ｒ²⁷〜Ｒ³³のうち少なくとも一つ
は芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合芳香
環を形成し、残りは水素、アルキル基、シクロアルキル
基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル
基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ
基、アルキルチオ基、アリールエーテル基、アリールチ
オエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロ
アルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、ア
ルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル
基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、
シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環
および脂肪族環の中から選ばれる。Ｒ³⁴およびＲ³⁵は同
じでも異なっていてもよく、ハロゲン、水素、アルキ
ル、アリール、複素環基から選ばれる。Ｘは炭素または
窒素であるが、窒素の場合には上記Ｒ ³³は存在しない。
これらの置換基の説明は上述したものと同じである。

【００４５】上記ピロメテン骨格を有する化合物の金属
錯体の好適な例として、特に限定されるものではない
が、具体的には下記のような構造が挙げられる。

【００４６】

【化１７】

【００４７】

【化１８】

【００４８】

【化１９】

【００４９】

【化２０】

【００５０】上記ナフタルイミド誘導体とピロメテン骨
格を有する化合物もしくはその金属錯体は、いずれもド
ーパント材料としてもホスト材料としても使用すること
ができるが、ピロメテン骨格を有する化合物もしくはそ
の金属錯体は濃度消光しやすい化合物のため、ドーパン
ト材料として用いることがより好ましい。

【００５１】ドーピング量は、通常多すぎると濃度消光
現象が起きるため、通常ホスト材料に対して１０重量％
以下で用いることが好ましく、更に好ましくは２％以下
である。ドーピング方法としては、ホスト材料との共蒸
着法によって形成することができるが、ホスト材料と予
め混合してから同時に蒸着しても良い。また、前記ピロ
メテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体は、極
めて微量でも発光することから微量の前記ピロメテン骨
格を有する化合物もしくはその金属錯体をホスト材料に
サンドイッチ状に挟んで使用することも可能である。こ
の場合、一層でも二層以上ホスト材料と積層しても良
い。

【００５２】また、発光材料に添加するドーパント材料
は、前記ピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金
属錯体一種のみに限る必要はなく、本発明の化合物を複
数混合して用いたり、既知のドーパント材料の一種類以
上を本発明の化合物と混合して用いてもよい。

【００５３】本発明における電子輸送性材料としては、
電界を与えられた電極間において負極からの電子を効率
良く輸送することが必要で、電子注入効率が高く、注入
された電子を効率良く輸送することが望ましい。そのた
めには電子親和力が大きく、しかも電子移動度が大き
く、さらに安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造
時および使用時に発生しにくい物質であることが要求さ
れる。このような条件を満たす物質として、トリス（８
−キノリノラト）アルミニウム錯体に代表されるキノリ
ノール誘導体金属錯体、トロポロン金属錯体、フラボノ
ール金属錯体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、ナフ
タレン、クマリン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ア
ルダジン誘導体、ビススチリル誘導体、ピラジン誘導
体、フェナントロリン誘導体、シロール誘導体、キノキ
サリン誘導体などが挙げられるが特に限定されるもので
はない。これらの電子輸送材料は単独でも用いられる
が、異なる電子輸送材料と積層または混合して使用して
も構わない。

【００５４】正孔阻止層は正孔阻止性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合することにより形成され、
正孔阻止性物質としてはフェナントロリン誘導体、シロ
ール誘導体、キノリノール誘導体金属錯体、オキサジア
ゾール誘導体、オキサゾール誘導体などが好ましいが、
正孔が陰極側から素子外部に流れ出てしまい発光効率が
低下するのを阻止することができる化合物であれば特に
限定されるものではない。

【００５５】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層、
正孔阻止層に用いられる材料は単独で各層を形成するこ
とができるが、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポ
リカーボネート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカル
バゾール）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメ
タクリレート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフ
ェニレンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、
ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリア
ミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポ
リウレタン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹
脂、キシレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹
脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ
樹脂、シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させ
て用いることも可能である。

【００５６】発光物質の形成方法は、抵抗加熱蒸着、電
子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コーティ
ング法など特に限定されるものではないが、通常は、抵
抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好ましい。層の
厚みは、発光物質の抵抗値にもよるので限定することは
できないが、１〜１０００ｎｍの間から選ばれる。

【００５７】綺麗な赤色表示を行わせるためには、発光
スペクトルのピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎｍ以
下、より好ましくは６００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範
囲内であり、半値幅が１００ｎｍ以下であることが重要
である。発光スペクトルは、できるだけ単一ピークであ
ることが好ましいが、場合によっては他のピークとの重
なりによって複数の極大点を有したり、ピークの裾に肩
が現れることもある。本発明において、ピーク波長とは
発光中心波長に値する主ピークの波長であり、半値幅と
はこれらピーク全体において発光中心波長の高さの半分
のところのピーク幅であると定義している。

【００５８】電気エネルギーとは主に直流電流を指す
が、パルス電流や交流電流を用いることも可能である。
電流値および電圧値は特に制限はないが、素子の消費電
力、寿命を考慮するとできるだけ低いエネルギーで最大
の輝度が得られるようにするべきである。

【００５９】本発明におけるマトリクスとは、表示のた
めの画素が格子状に配置されたものをいい、画素の集合
で文字や画像を表示する。画素の形状、サイズは用途に
よって決まる。例えばパソコン、モニター、テレビの画
像および文字表示には、通常一辺が３００μｍ以下の四
角形の画素が用いられるし、表示パネルのような大型デ
ィスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画素を用い
ることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色の画素を
配列すればよいが、カラー表示の場合には、赤、赤、
緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型的に
はデルタタイプとストライプタイプがある。そして、こ
のマトリクスの駆動方法としては、線順次駆動方法やア
クティブマトリックスのどちらでもよい。線順次駆動の
方が構造が簡単であるという利点があるが、動作特性を
考慮した場合、アクティブマトリックスの方が優れる場
合があるので、これも用途によって使い分けることが必
要である。

【００６０】本発明におけるセグメントタイプとは、予
め決められた情報を表示するようにパターンを形成し、
決められた領域を発光させることになる。例えば、デジ
タル時計や温度計における時刻や温度表示、オーディオ
機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車のパネル
表示などがあげられる。そして、前記マトリクス表示と
セグメント表示は同じパネルの中に共存していてもよ
い。

【００６１】また本発明の発光素子はバックライトとし
ても好適に用いることができる。バックライトとは、主
に自発光しない表示装置の視認性を向上させる目的に使
用され、液晶表示装置、時計、オーディオ機器、自動車
パネル、表示板、標識などに使用される。特に液晶表示
装置、中でも薄型化が課題となっているパソコン用途の
バックライトとしては、従来方式のものが蛍光灯や導光
板からなっているため薄型化が困難であることを考える
と本発明におけるバックライトは、薄型、軽量が特徴に
なる。

【００６２】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。

【００６３】実施例１ ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板
（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を
３０×４０ｍｍに切断、エッチングを行った。得られた
基板をアセトン、”セミコクリン”５６で各々１５分間
超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。続いてイソプ
ロピルアルコールで１５分間超音波洗浄してから熱メタ
ノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。この基板を素
子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処理し、真空蒸
着装置内に設置して、装置内の真空度が１×１０^-5Ｐａ
以下になるまで排気した。抵抗加熱法によって、まず正
孔輸送材料としてＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−
（３−メチルフェニル）−１，１’−ジフェニル−４，
４’−ジアミン（ＴＰＤ）を５０ｎｍの厚さに蒸着し、
正孔輸送層を形成した。次に発光材料として下記に示す
Ｈ１を５０ｎｍの厚さに蒸着し、発光層を形成した。次
にリチウムを０．５ｎｍ、銀を１５０ｎｍ蒸着して陰極
を形成し、５×５ｍｍ角の素子を作製した。

【００６４】

【化２１】

【００６５】この発光素子の発光ピーク波長は５５０ｎ
ｍであり、最高輝度が１５６０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００６６】実施例２ 発光材料として下記に示すＨ２を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【００６７】

【化２２】

【００６８】この発光素子の発光ピーク波長は５６２ｎ
ｍであり、最高輝度が２４４０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００６９】実施例３ 発光材料として下記に示すＨ３を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【００７０】

【化２３】

【００７１】この発光素子の発光ピーク波長は５６４ｎ
ｍであり、最高輝度が２９５０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００７２】実施例４ 発光材料として下記に示すＨ４を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【００７３】

【化２４】

【００７４】この発光素子の発光ピーク波長は５８６ｎ
ｍであり、最高輝度が１９２０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００７５】実施例５ 発光材料として下記に示すＨ５を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【００７６】

【化２５】

【００７７】この発光素子の発光ピーク波長は５９５ｎ
ｍであり、最高輝度が２４２０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００７８】実施例６ 発光材料として下記に示すＨ６を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【００７９】

【化２６】

【００８０】この発光素子の発光ピーク波長は５８７ｎ
ｍであり、最高輝度が２６７０ｃｄ／ｍ²の高輝度発光
が得られた。

【００８１】実施例７ 正孔輸送層を形成した後に、ホスト材料として前記Ｈ１
を、ドーパント材料として下記に示すＤ１（ジクロロメ
タン溶液中の蛍光ピーク波長は６４５ｎｍ）を用いて、
ドーパント材料の濃度が０．３５ｗｔ％になるように２
５ｎｍの厚さに共蒸着して発光層を形成し、２，９−ジ
メチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロ
リンを２５ｎｍの厚さに蒸着して電子輸送層を形成し、
最後に陰極を形成した以外は実施例１と同様にして発光
素子を作製した。

【００８２】

【化２７】

【００８３】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
３８ｎｍの高色純度の赤色発光が得られた。

【００８４】実施例８ ホスト材料として前記Ｈ５を用い、ドーパント材料の濃
度を０．４ｗｔ％とした以外は実施例７と同様にして発
光素子を作製した。この発光素子からは、発光ピーク波
長が６３６ｎｍ、最高輝度が２８１０ｃｄ／ｍ²の高輝
度かつ高色純度の赤色発光が得られた。

【００８５】実施例９ ホスト材料として前記Ｈ３を、ドーパント材料として前
記Ｄ１を用いて、ドーパント材料の濃度が０．３ｗｔ％
になるように１５ｎｍの厚さに共蒸着し、次にホスト材
料を３５ｎｍの厚さに蒸着して発光層を形成した以外は
実施例１と同様にして発光素子を作製した。この発光素
子からは、発光ピーク波長が６３８ｎｍの高色純度の赤
色発光が得られた。

【００８６】実施例１０ 正孔輸送材料として下記に示すＨＴＭ１を、ホスト材料
として前記Ｈ４を用い、ドーパント材料Ｄ１の濃度を
０．３９ｗｔ％、発光層と電子輸送層の厚さをそれぞれ
２０ｎｍと３０ｎｍとした以外は実施例７と同様にして
発光素子を作製した。

【００８７】

【化２８】

【００８８】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
３５ｎｍ、最高輝度が２１７０ｃｄ／ｍ²の高輝度かつ
高色純度の赤色発光が得られた。

【００８９】実施例１１ ホスト材料として前記Ｈ５を、ドーパント材料として下
記に示すＤ２（ジクロロメタン溶液中の蛍光ピーク波長
は６０９ｎｍ）を用い、ドーパント材料の濃度を０．５
５ｗｔ％、発光層と電子輸送層の厚さをそれぞれ１５ｎ
ｍと４０ｎｍとした以外は実施例１０と同様にして発光
素子を作製した。

【００９０】

【化２９】

【００９１】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
１２ｎｍ、最高輝度が４１９０ｃｄ／ｍ²の高輝度かつ
高色純度の赤色発光が得られた。

【００９２】実施例１２ ドーパント材料として下記に示すＤ３（ジクロロメタン
溶液中の蛍光ピーク波長は６２３ｎｍ）を用いた以外は
実施例１１と同様にして発光素子を作製した。

【００９３】

【化３０】

【００９４】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
２８ｎｍ、最高輝度が４２１０ｃｄ／ｍ²の高輝度かつ
高色純度の赤色発光が得られた。

【００９５】実施例１３ ドーパント材料として下記に示すＤ４（ジクロロメタン
溶液中の蛍光ピーク波長は６１１ｎｍ）を用い、ドーパ
ント材料の濃度を０．３ｗｔ％とした以外は実施例７と
同様にして発光素子を作製した。

【００９６】

【化３１】

【００９７】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
１３ｎｍ、最高輝度が３５４０ｃｄ／ｍ²の高輝度かつ
高色純度の赤色発光が得られた。

【００９８】実施例１４ ホスト材料として前記Ｈ５を用い、ドーパント材料の濃
度を０．５ｗｔ％とした以外は実施例１３と同様にして
発光素子を作製した。この発光素子からは、発光ピーク
波長が６１３ｎｍ、最高輝度が４２５０ｃｄ／ｍ²の高
輝度かつ高色純度の赤色発光が得られた。

【００９９】実施例１５ 正孔輸送材料として前記ＨＴＭ１を、ホスト材料として
前記Ｈ５を、ドーパント材料として前記Ｄ４を用い、ド
ーパント材料の濃度を０．３４ｗｔ％とした以外は実施
例９と同様にして発光素子を作製した。この発光素子か
らは、発光ピーク波長が６１２ｎｍ、最高輝度が４７０
０ｃｄ／ｍ²の高輝度かつ高色純度の赤色発光が得られ
た。

【０１００】実施例１６ ホスト材料として前記Ｈ５を、ドーパント材料として下
記に示すＤ５（ジクロロメタン溶液中の蛍光ピーク波長
は６２１ｎｍ）を用いて、ドーパント材料の濃度が０．
３ｗｔ％になるように１５ｎｍの厚さに共蒸着し、ホス
ト材料を３０ｎｍ蒸着して発光層を形成し、電子輸送層
の厚さを５ｎｍとし、銀の代わりにアルミニウムを用い
た以外は実施例７と同様にして発光素子を作製した。

【０１０１】

【化３２】

【０１０２】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
２４ｎｍの高色純度の赤色発光が得られた。

【０１０３】実施例１７ ドーパント材料として下記に示すＤ６（ジクロロメタン
溶液中の蛍光ピーク波長は６１５ｎｍ）を用い、ドーパ
ント材料の濃度を０．２６ｗｔ％とした以外は実施例１
６と同様にして発光素子を作製した。

【０１０４】

【化３３】

【０１０５】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
２１ｎｍの高色純度の赤色発光が得られた。

【０１０６】実施例１８ ドーパント材料として下記に示すＤ７（ジクロロメタン
溶液中の蛍光ピーク波長は６２０ｎｍ）を用い、ドーパ
ント材料の濃度を０．３４ｗｔ％とした以外は実施例１
６と同様にして発光素子を作製した。

【０１０７】

【化３４】

【０１０８】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
２７ｎｍの高色純度の赤色発光が得られた。

【０１０９】実施例１９ ドーパント材料として下記に示すＤ８（ジクロロメタン
溶液中の蛍光ピーク波長は６４０ｎｍ）を用い、ドーパ
ント材料の濃度を０．４３ｗｔ％とした以外は実施例１
６と同様にして発光素子を作製した。

【０１１０】

【化３５】

【０１１１】この発光素子からは、発光ピーク波長が６
４７ｎｍの高色純度の赤色発光が得られた。

【０１１２】比較例１ 発光材料として下記に示すＨ７を用いた以外は実施例１
と同様にして発光素子を作製した。

【０１１３】

【化３６】

【０１１４】この発光素子からは、発光ピーク波長が５
８０ｎｍ、最高輝度が１６０ｃｄ／ｍ ²の低輝度な発光
しか得られなかった。

【０１１５】比較例２ ホスト材料として前記Ｈ７を用いた以外は実施例７と同
様にして発光素子を作製した。この発光素子からは、発
光ピーク波長が６３８ｎｍ、最高輝度が６５ｃｄ／ｍ²
の低輝度な赤色発光しか得られなかった。

【０１１６】実施例２０ ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板
（旭硝子（株）製、１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を
３０×４０ｍｍに切断、フォトリソグラフィ法によって
３００μｍピッチ（残り幅２７０μｍ）×３２本のスト
ライプ状にパターン加工した。ＩＴＯストライプの長辺
方向片側は外部との電気的接続を容易にするために１．
２７ｍｍピッチ（開口部幅８００μm）まで広げてあ
る。得られた基板をアセトン、”セミコクリン”５６で
各々１５分間超音波洗浄してから、超純水で洗浄した。
続いてイソプロピルアルコールで１５分間超音波洗浄し
てから熱メタノールに１５分間浸漬させて乾燥させた。
この基板を素子を作製する直前に１時間ＵＶ−オゾン処
理し、真空蒸着装置内に設置して、装置内の真空度が５
×１０^-4Ｐａ以下になるまで排気した。抵抗加熱法によ
って、まず前記ＴＰＤを１００ｎｍ蒸着した。次にホス
ト材料として前記Ｈ５を、ドーパント材料として前記Ｄ
４を用いて、ドーパントが１ｗｔ％になるように５０ｎ
ｍの厚さに共蒸着し、ホスト材料を５０ｎｍの厚さに積
層した。次に厚さ５０μｍのコバール板にウエットエッ
チングによって１６本の２５０μｍの開口部（残り幅５
０μｍ、３００μｍピッチに相当）を設けたマスクを、
真空中でＩＴＯストライプに直交するようにマスク交換
し、マスクとＩＴＯ基板が密着するように裏面から磁石
で固定した。そしてマグネシウムを５０ｎｍ、アルミニ
ウムを１５０ｎｍ蒸着して３２×１６ドットマトリクス
素子を作製した。本素子をマトリクス駆動させたとこ
ろ、クロストークなく文字表示できた。

【０１１７】

【発明の効果】本発明は、電気エネルギーの利用効率が
高く、高輝度かつ高色純度の発光素子を提供できるもの
である。

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】陽極と陰極の間に発光物質が存在し、電気
   エネルギーにより発光する素子であって、該素子は少な
   くとも一般式（１）に示す化合物を含むことを特徴とす
   る発光素子。 【化１】 （ここで、Ａはナフタルイミド誘導体、ＢはＡに対する
   等方回転がＡ−Ｂ間またはＢ−Ｂ間の立体反発により制
   限されている置換基、ｎは１〜４いずれかの自然数であ
   る。）
2. 【請求項２】前記ナフタルイミド誘導体が一般式（２）
   で表されることを特徴とする請求項１記載の発光素子。 【化２】 （ここで、Ｒ¹〜Ｒ⁷は同じでも異なっていてもよく、水
   素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、ア
   ルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸
   基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、ア
   リールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリール
   基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケ
   ン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニ
   ル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、
   アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接
   置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中か
   ら選ばれる。但し、Ｒ⁴およびＲ⁵の少なくとも一つは前
   記Ｂである。）
3. 【請求項３】前記Ｂが一般式（３）に示す骨格を有して
   いることを特徴とする請求項２記載の発光素子。 【化３】 （ここで、Ｒ⁸〜Ｒ¹²は同じでも異なっていてもよく、
   水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、
   アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水
   酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
   アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリー
   ル基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケ
   ン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニ
   ル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、
   アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接
   置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中か
   ら選ばれる。但し、Ｒ⁸およびＲ¹²の少なくとも一つは
   水素以外の上記の置換基であるか、隣接置換基との間に
   縮合環または脂肪族環を形成する。αは前記Ａとの連結
   部位を示す。）
4. 【請求項４】前記Ｂが一般式（４）に示す骨格を有して
   いることを特徴とする請求項３記載の発光素子。 【化４】 （ここで、Ｒ¹³〜Ｒ¹⁹は同じでも異なっていてもよく、
   水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、
   アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水
   酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、
   アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリー
   ル基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケ
   ン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニ
   ル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、
   アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接
   置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中か
   ら選ばれる。αは前記Ａとの連結部位を示す。）
5. 【請求項５】発光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎ
   ｍ以下に発光し、少なくとも蛍光ピーク波長が５８０ｎ
   ｍ以上７２０ｎｍ以下の有機蛍光物質を含むことを特徴
   とする請求項１〜４のいずれか記載の発光素子。
6. 【請求項６】前記有機蛍光物質が一般式（５）に示すピ
   ロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体であ
   ることを特徴とする請求項５記載の発光素子。 【化５】 （ここで、Ｒ²⁰〜Ｒ²⁶のうち少なくとも一つは芳香環を
   含むかあるいは隣接置換基との間に縮合環を形成し、残
   りは水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル
   基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル
   基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチ
   オ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、
   アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロ
   アルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カ
   ルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイ
   ル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル
   基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族
   環の中から選ばれる。Ｘは炭素または窒素であるが、窒
   素の場合には上記Ｒ²⁶は存在しない。金属錯体の金属
   は、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、
   コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金から選ばれる少な
   くとも一種である。）
7. 【請求項７】前記金属錯体が一般式（６）で表されるこ
   とを特徴とする請求項６記載の発光素子。 【化６】 （ここで、Ｒ²⁷〜Ｒ³³のうち少なくとも一つは芳香環を
   含むかあるいは隣接置換基との間に縮合芳香環を形成
   し、残りは水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラ
   ルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキ
   ニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキ
   ルチオ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル
   基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、
   ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド
   基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カル
   バモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサ
   ニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂
   肪族環の中から選ばれる。Ｒ³⁴およびＲ³⁵は同じでも異
   なっていてもよく、ハロゲン、水素、アルキル、アリー
   ル、複素環基から選ばれる。Ｘは炭素または窒素である
   が、窒素の場合には上記Ｒ ³³は存在しない。）
8. 【請求項８】前記ピロメテン骨格を有する化合物もしく
   はその金属錯体がドーパント材料であることを特徴とす
   る請求項６記載の発光素子。
9. 【請求項９】発光物質が少なくとも発光材料と正孔輸送
   材料および／または電子輸送材料とからなることを特徴
   とする請求項１記載の発光素子。
10. 【請求項１０】発光物質が少なくとも正孔輸送層と発光
    層との積層構造を有することを特徴とする請求項１記載
    の発光素子。
11. 【請求項１１】陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送
    層、陰極を順次積層することを特徴とする請求項１０記
    載の発光素子。
12. 【請求項１２】マトリクスおよび／またはセグメント方
    式によって表示するディスプレイであることを特徴とす
    る請求項１記載の発光素子。