JP2001220284A - 酸化物単結晶製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 育成中の酸化物単結晶の温度変化をより直接
的に検出して精度を向上させるとともに、正確な温度情
報をコンピュータにフィードバックして、単結晶育成パ
ラメータの修正を適宜、適正かつ迅速に行うことができ
る、酸化物単結晶製造装置を提供する。 【解決手段】 酸化物単結晶製造装置２１は、単結晶原
料を加熱溶融して融液２８とする坩堝２３と、種結晶ホ
ルダー２６で保持した種結晶２７を前記融液２８に接触
させて単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備え、前記
種結晶ホルダー２６と異なる材質の金属線を少なくとも
１本有し、前記金属線の一端側を前記種結晶ホルダー２
６に接続して熱電対を構成し、この熱電対からの熱起電
力に基づいて単結晶育成パラメータを制御する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チョクラルスキー
法（以下、ＣＺ法という。）による酸化物単結晶の製造
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３は、従来の酸化物単結晶製造装置を
示す断面図である。

【０００３】酸化物単結晶製造装置１は、主として、育
成炉体２と、育成炉体２内の下部に設けられた坩堝３
と、坩堝３の周囲に設けられた加熱コイル４と、坩堝３
の鉛直上方に配置された単結晶引き上げ回転軸５とから
構成されている。坩堝３の周囲には保温材１０が設けら
れ、坩堝３と保温材１０の間には耐火材２０が充填され
ている。また、単結晶引き上げ回転軸５の下端には種結
晶ホルダー６が設けられ、種結晶７を保持している。

【０００４】坩堝３の底外部には熱電対１４が坩堝３に
接触するように配置され、また、育成炉２の外部には記
録計１５が配置されて熱電対１４と接続されている。

【０００５】単結晶引き上げ回転軸５の上端にはロード
セル９が設けられ、また、育成炉体２の外部には、コン
ピュータ１１と高周波発振器１３が配設されている。ロ
ードセル９とコンピュータ１１、コンピュータ１１と高
周波発振器１３、高周波発振器１３と加熱コイル４は互
いに接続されている。

【０００６】ＣＺ法による酸化物単結晶の製造は、上記
のような酸化物単結晶製造装置１を用いて次のようにし
て行われる。

【０００７】坩堝３の周囲に配設された加熱コイル４の
高周波誘導加熱により、坩堝３内に充填した原料（図示
せず）を加熱溶融する。

【０００８】次に、単結晶引き上げ回転軸５を回転させ
ながら下降させて、種結晶７を坩堝３内の融液８に接触
させる。

【０００９】種結晶７と融液８とが充分なじんだところ
で、単結晶引き上げ回転軸５を回転させながら種結晶７
を定速度で引き上げる。このとき、表面張力によって引
っ張られた融液８は、放熱を伴って種結晶７の結晶方位
に単結晶化していく。

【００１０】ロードセル９は、融液８が結晶固化した重
量を検出する。そして、ロードセル９の出力がコンピュ
ータ１１に取り込まれ、融液８の結晶固化重量が所定の
値となるように、高周波発振器１３の出力が調整されて
加熱コイル４に送られる。

【００１１】育成中の単結晶の温度変化は、坩堝３の底
外部に熱電対１４を配置して坩堝３に接触させ、これを
記録計１５に接続することにより検出される。すなわ
ち、坩堝３の底部の温度変化を坩堝３内の融液８の温度
変化として捉え、さらには、これを育成中の単結晶（図
示せず）の温度変化として推定する。そして、この温度
変化情報にもとづき、人為的にコンピュータ１１を調整
し、単結晶育成パラメータの修正を行う。

【００１２】このようにして、融液８の結晶固化重量や
育成中の単結晶の温度変化がコンピュータ１１にフィー
ドバックされ、所定の直径を有する単結晶が育成されて
行く。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、坩堝内
の融液には低温部と高温部が存在するので、融液中には
熱対流が発生している。このような状況下で、育成中の
単結晶の温度変化そのものを、上記のような温度測定方
法で間接的に推定しようとするので、育成単結晶の実際
の温度変化に対する検知精度が悪く、単結晶自体の温度
変化を正確に捉えることができなかった。

【００１４】そのため、育成中の単結晶と融液との界面
形状の変化や、融液対流の変化による単結晶の品質の悪
化に対応して、単結晶育成パラメータである、結晶の引
き上げ速度、結晶回転数、坩堝に対する加熱温度を適
宜、適正かつ迅速に修正することができず、単結晶製造
における歩留まりが低下していた。

【００１５】そこで、本発明の目的は、育成中の酸化物
単結晶の温度変化をより直接的に検出して精度を向上さ
せるとともに、正確な温度情報をコンピュータにフィー
ドバックして、単結晶育成パラメータである、引き上げ
速度、結晶回転数、加熱温度の修正を適宜、適正かつ迅
速に行うことができる、酸化物単結晶製造装置を提供す
ることにある。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記のように、従来の酸
化物単結晶製造装置における育成単結晶の温度変化の捉
え方は、間接的で精度の低い測定方法が一般的であっ
た。本発明は、このような測定方法の欠点を取り除き、
より直接的に精度よく育成単結晶の温度変化を捉えるこ
とができるようにしたものである。

【００１７】本発明の酸化物単結晶製造装置は、単結晶
原料を加熱溶融して融液とする坩堝と、種結晶ホルダー
で保持した種結晶を前記融液に接触させて単結晶を引き
上げる引き上げ機構とを備えた酸化物単結晶製造装置で
あって、前記種結晶ホルダーと異なる材質の金属線を少
なくとも１本有し、前記金属線の一端側を前記種結晶ホ
ルダーに接続して熱電対を構成し、この熱電対からの熱
起電力にもとづいて、結晶引き上げ速度、結晶回転数、
加熱温度のうち少なくとも一つを制御することを特徴と
する。

【００１８】これにより、種結晶ホルダーとそこに接続
された異種材料の金属線とが熱電対となり、育成中の単
結晶の温度変化に伴って熱起電力が発生する。そして、
この熱起電力を測定することにより、育成中の単結晶の
温度変化を種結晶を通して、より直接的に精度よく捉え
ることができる。こうして捉えた精度の高い単結晶の温
度情報にもとづいて、単結晶育成パラメータである、結
晶引き上げ速度、結晶回転数、加熱温度のうち少なくと
も一つの制御を行えば、適宜、適正な修正が迅速に行え
るようになるので、品質のよい単結晶を歩留まりよく製
造することが可能になる。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明では、ＣＺ法により酸化物
単結晶を製造する際に、種結晶を保持する金属製の種結
晶ホルダーに、この種結晶ホルダーと異なる材質の金属
線を少なくとも1本接続して熱電対を構成する。

【００２０】そして、上記熱電対の他端側を育成炉体外
部にある記録計やコンピュータに接続し、単結晶育成中
に熱電対に発生する熱起電力を計測する。この熱起電力
の変化は、種結晶自身の温度変化に相当するので、種結
晶を通して育成中の単結晶の熱的な変化を、より直接的
にかつ正確に読み取ることができる。

【００２１】すなわち、種結晶が融液に接触することに
よる温度変化、育成中の結晶界面形状が変動することに
よる温度変化、融液対流が変動することによる温度変
化、単結晶を融液から切り離すことによる温度変化等
を、種結晶ホルダーにおける熱起電力の変化により検知
して測定することができる。

【００２２】以下、本発明の実施の形態を実施例にもと
づき具体的に説明する。

【００２３】（実施例１）図１は本発明の一実施例に係
る酸化物単結晶製造装置を示す断面図である。

【００２４】酸化物単結晶製造装置２１は主として、育
成炉体２２と、育成炉体２２内の下部に設けられたＩｒ
（イリジウム）製の坩堝２３と、坩堝２３の周囲に設け
られた加熱コイル２４と、坩堝２３の鉛直上方に配置さ
れた単結晶引き上げ回転軸２５とから構成されている。
なお、育成炉体２２内において、坩堝２３は周囲を保温
材３０で囲まれており、さらに坩堝２３と保温材３０の
間にはジルコニア製などの耐火材４０が充填されてい
る。

【００２５】単結晶引き上げ回転軸２５の上端は、育成
炉体２２の上部外側に設けられた引き上げ回転駆動モー
タ（図示せず）とつながり、単結晶引き上げ回転軸２５
の下端には種結晶ホルダー２６が設けられている。

【００２６】坩堝２３の底外部には熱電対３４が坩堝２
３に接触するように配置されている。また、育成炉２２
の外部には記録計３５が配置され。熱電対３４と接続さ
れている。

【００２７】種結晶ホルダー２６はＰｔ−Ｒｈ３０％合
金からなり、その表面にはこれと同材質のＰｔ−Ｒｈ３
０％合金線３６とＰｔ−Ｒｈ６％合金線３７の２本の金
属線の各一端側を溶着してある。

【００２８】単結晶引き上げ回転軸２５の上端部にはス
リップリング３８が取り付けてあり、これに金属線３
６，３７の各他端側が接続されている。これにより、単
結晶育成時に金属線３６，３７が単結晶引き上げ回転軸
２５に巻き付くことが防止される。

【００２９】スリップリング３８からは、上記２本の金
属線とつながる２本の導線３９が引き出され、記録計３
５に接続されている。

【００３０】単結晶引き上げ回転軸２５の上端にはロー
ドセル２９が設けられている。育成炉体２２の外部に
は、コンピュータ３１と高周波発振器３３が配設されて
いる。そして、ロードセル２９とコンピュータ３１、コ
ンピュータ３１と高周波発振器３３、高周波発振器３３
と加熱コイル２４は互いに接続されている。また、コン
ピュータ３１は、単結晶引き上げ回転軸２５を駆動する
引き上げ回転駆動モータ（図示せず）ともつながってい
る。

【００３１】ロードセル２９は、単結晶育成中に坩堝２
３内の融液２８が固化する結晶重量を検出し、これをコ
ンピュータ３１に出力する。コンピュータ３１には、検
出された単位時間当たりの結晶固化重量が一定になるよ
うに、高周波発振器３３の高周波出力を調整する結晶重
量（結晶直径）制御プログラムが組み込まれている。こ
れにより、ロードセル２９が検出した結晶固化重量にも
とづいて、高周波発振器３３の出力が調整され、加熱コ
イル２４にフィードバックされる。

【００３２】また、種結晶ホルダー２６に溶着した金属
線３６，３７に発生する熱起電力と、坩堝２３の底外部
の熱電対３４の熱起電力とは、それぞれ記録計３５で測
定される。前者は育成中の単結晶（図示せず）の温度変
化、後者は融液２８の温度変化として捉えられる。これ
らの温度情報をもとに、単結晶育成中に人為的にコンピ
ュータ３１が調整され、単結晶育成に必要なパラメータ
である、結晶引き上げ速度、結晶回転数、加熱温度のう
ち少なくとも一つの修正が行われる。

【００３３】以上のような酸化物単結晶製造装置２１を
用いて、酸化物単結晶の育成を行った。

【００３４】始めに、融液用の原料として、Ｌａ₂Ｏ₃を
３２６６．４ｇ、Ｇａ₂Ｏ₃を３１３２．０ｇ、ＳｉＯ₂
を４０１．６ｇ、それぞれ秤量して回転乾式混合した
後、この混合原料を１３５０℃で８時間、空気中にて仮
焼した。

【００３５】得られた仮焼済み原料（図示せず）を、Ｉ
ｒ（イリジウム）製の坩堝２３（寸法：直径１３０ｍ
ｍ，高さ１３０ｍｍ）に充填した。

【００３６】また、種結晶ホルダー２６には、Ｌａ₃Ｇ
ａ₅ＳｉＯ₁₄で表わされる<００１>方位に軸出された種
結晶２７を装着した。

【００３７】次に、加熱コイル２４の高周波誘導加熱に
より、坩堝２３内の仮焼済み原料を加熱溶融した。そし
て、坩堝２３の底外部に接触させた熱電対３４に接続し
た記録計３５により、坩堝２３の底部の温度が一定にな
り、安定したことを確認した。

【００３８】そして、単結晶引き上げ回転軸２５を１０
回転／分で回転させながら、先端の種結晶ホルダー２６
で保持した種結晶２７を融液２８に対し、１０ｍｍ／分
の速度で降下させ、融液２８に接触させた。

【００３９】この種結晶２７と融液２８との接触で、種
結晶ホルダー２６に溶着された２本の金属線３６，３７
の間に熱起電力が発生し、これが種結晶２７の温度変化
として記録計３５で測定された。その後、種結晶２７と
融液２８がなじんで、種結晶２７の温度変化がなくなっ
たことが記録計３５で確認された。その時点で、単結晶
引き上げ回転軸２５の回転数を１０回転／分に保ちなが
ら、引き上げ速度１．５ｍｍ／時間で種結晶２７の引き
上げを開始した。

【００４０】次に、高周波発振器３３の出力を調整しな
がら、育成結晶径を徐々に広げた。そして、結晶径が目
標の８０ｍｍに達した時点から、結晶回転数を１０回転
／分から１２回転／分まで徐々に増加させた。

【００４１】これにより、融液２８に新たな熱対流か喚
起され、融液２８内に温度変化が生じて育成単結晶に伝
わり、種結晶ホルダー２６に接続された２本の金属線３
６，３７の間の熱起電力が急激に変化し、同時に記録計
３５で単結晶の温度が約１０℃上昇したことが測定され
た。この時点で、結晶回転数を１２回転／分で固定し
た。

【００４２】しばらくすると、先に上昇した温度が変化
前の温度に低下するとともに再び熱起電力の変化が起こ
った。これにより、結晶成長界面の熱的な均一性が高ま
り、結晶界面形状が平坦になったことが確認された。

【００４３】なお、単結晶の育成環境に変化が生じて、
種結晶ホルダー２６を通して測定される単結晶の温度に
変化が現われた場合は、コンピュータ３１により、結晶
回転数または高周波発振器３３の出力を測定温度の変化
が最小となるように調整して、単結晶育成を継続すれば
よい。

【００４４】このように、種結晶ホルダー２６を通して
得られる単結晶の温度変化を注意深く監視しながら、±
１．５℃の温度変化の範囲内になるように、結晶回転数
に対して０．１回転／分の回転数の調整をしながら、４
２時間、単結晶を育成し、定径部の長さが２００ｍｍの
単結晶（図示せず）を育成した。そして、最後に単結晶
を融液２８から切り離した。

【００４５】以上のようにして得られた単結晶につい
て、<００１>面方位厚みが３００μｍのウェハーを作製
し、ベルク−バレット（Ｂｅｒｇ−Ｂａｒｒｅｔ）法に
よるＸ線トポグラフ撮影を行った。

【００４６】その結果、分解能の範囲内において、双晶
や転位等は観察されず、超音波顕微鏡による漏洩弾性表
面波の音速測定においても、従来が平均音速±２〜４ｍ
／秒であったのに対し、±１．５ｍ／秒の面内均一性の
高い単結晶が育成できたことがわかった。

【００４７】（実施例２）図２は本発明の他の実施例に
係る酸化物単結晶製造装置を示す断面図である。

【００４８】酸化物単結晶製造装置４１は、実施例１と
同様に、育成炉体４２、Ｉｒ（イリジウム）製の坩堝４
３、加熱コイル４４、単結晶引き上げ回転軸４５とから
構成されている。また、坩堝４３の周囲には保温材５
０、耐火材６０を備えている。

【００４９】単結晶引き上げ回転軸４５の上端は、実施
例１と同様に、引き上げ回転駆動モータ（図示せず）と
つながり、下端には種結晶ホルダー４６が設けられてい
る。

【００５０】坩堝４３の底外部には、実施例１と同様
に、熱電対５４が配置されている。また、育成炉４２の
外部には記録計５５が配置され。熱電対５４と接続され
ている。

【００５１】種結晶ホルダー４６とその表面に溶着され
る２本の金属線５６，５７には、それぞれ実施例１と同
じ材質のものが用いられている。

【００５２】単結晶引き上げ回転軸４５の上端部にはス
リップリング５８が取り付けてあり、これに金属線５
６，５７の各他端側が接続されている。

【００５３】単結晶引き上げ回転軸４５の上端にはロー
ドセル４９が設けられ、また、育成炉体４２の外部に
は、コンピュータ５１と高周波発振器５３がそれぞれ配
設されている。

【００５４】スリップリング５８からは、単結晶ホルダ
ー４６から配線された２本の金属線５６，５７とつなが
る２本の導線５９が引き出され、コンピュータ５１に接
続されている。ロードセル４９とコンピュータ５１、コ
ンピュータ５１と高周波発振器５３、高周波発振器５３
と加熱コイル４４は互いに接続されている。また、コン
ピュータ５１は、単結晶引き上げ回転軸４５を駆動する
引き上げ回転駆動モータ（図示せず）ともつながってい
る。

【００５５】ロードセル４９は、融液４８が固化する結
晶重量を検出し、これをコンピュータ５１に出力する。
コンピュータ５１には、高周波発振器５３の高周波出力
を調整する結晶重量（結晶直径）制御プログラムが組み
込まれている。そして、種結晶ホルダー４６から検知し
た育成単結晶の温度変化と、ロードセル４９が検出した
結晶固化重量にもとづいて、高周波発振器５３の出力が
調整され、加熱コイル４４にフィードバックされる。

【００５６】また、引き上げ回転駆動モータ（図示せ
ず）は、単結晶引き上げ回転軸４５をコンピュータ５１
からの制御信号により、０〜１０ｍｍ／時間または０〜
１００ｍｍ／分の速度で上下運動、及び０〜６０回転／
分の範囲で回転駆動が独立して行えるようになってい
る。

【００５７】なお、融液４８の温度変化は、坩堝４３の
底外部の熱電対５４に発生する熱起電力を記録計５５で
測定することで捉えられる。

【００５８】以上のような単結晶製造装置を用いて、酸
化物単結晶の育成を行った。

【００５９】始めに、融液用の原料として、実施例１と
同じ種類の原料を同様に秤量し、回転乾式混合した後、
その混合原料を実施例１と同じ方法で仮焼した。

【００６０】得られた仮焼済み原料（図示せず）を、実
施例１と同じ材質、同じ寸法の坩堝４３に充填した。

【００６１】また、種結晶ホルダー４６には、実施例１
と同じ組成で、同じ方位に軸出された種結晶４７を装着
し、坩堝４３上端から５０ｍｍ鉛直上方の位置に保持し
た。

【００６２】次に、加熱コイル４４の高周波誘導加熱に
より、坩堝４３内の仮焼済み原料を加熱溶融した。そし
て、坩堝４３の底外部に接触させた熱電対５４に接続し
た記録計５５により、坩堝４３の底部の温度が一定にな
り、安定したことを確認した。

【００６３】次に、コンピュータ５１内にあらかじめ設
けた、単結晶引き上げ回転軸４５の引き上げ回転駆動モ
ータ（図示せず）を制御できる高周波出力制御プログラ
ムを動作させた。制御信号により、単結晶引き上げ回転
軸４５を１０回転／分で回転させながら、種結晶４７を
融液４８に対し、１０ｍｍ／分の速度で降下させ、融液
４８に接触させた。

【００６４】この種結晶４７と融液４８との接触で、種
結晶ホルダー４６に溶着された２本の金属線５６，５７
の間に熱起電力が発生し、種結晶４７が融液４８に接触
したときから種結晶ホルダー４６の温度が３℃上昇した
ことがコンピュータ５１で検知された。この温度上昇
は、あらかじめ、結晶自動育成プログラムに設定してお
いた閾値以上の値であり、この時点で、コンピュータ５
１からの制御信号により、単結晶引き上げ回転軸４５の
降下が自動的に停止し、回転数を１０回転／分に保った
まま所定の時間、その状態を保持した。

【００６５】種結晶４７と融液４８がなじんで、種結晶
ホルダー４６の測定温度の上昇が１℃以内となった時点
で、コンピュータ５１からの制御信号により、単結晶引
き上げ回転軸４５を引き上げ速度１．５ｍｍ／時間で上
昇させた。それとともに、コンピュータ５１内では、ロ
ードセル４９の出力信号から結晶重量を検知し、あらか
じめ設定した結晶形状となるような、高周波発振器５３
の出力を設定する演算を実行させた。

【００６６】上記の高周波発振器５３の出力制御を継続
しながら、次に、結晶径が目標となる８０ｍｍに達した
時点で、コンピュータ５１からの制御信号により、単結
晶引き上げ回転軸４５の回転数を１０回転／分から１２
回転／分まで徐々に増加させた。

【００６７】その結果、融液４８に新たな熱対流が喚起
され、回転数が１１．８回転／分に達した時点で融液４
８内に急激な温度変化が生じて育成結晶に伝わり、種結
晶ホルダー４６に接続された２本の金属線５６，５７の
間の熱起電力が変化し、約１０℃上昇したことがコンピ
ュータ５１で検知された。この温度上昇は、あらかじ
め、結晶自動育成プログラムに設定しておいた、単位時
間当たりの温度上昇分の閾値以上の値であり、この時点
で、コンピュータ５１からの制御信号により、単結晶引
き上げ回転軸４５の回転が自動的に停止した。

【００６８】その後も、ロードセル４９の出力信号と種
結晶ホルダー４６に接続された２本の金属線５６，５７
間の熱起電力の変化に対応して、高周波発振器５３の出
力制御と単結晶引き上げ回転軸４５の回転数調整を継続
した。

【００６９】これより以降、引き続き、コンピュータ５
１に組み込まれた単結晶育成制御プログラムにより、単
結晶製造装置４１を作動させながら、ほぼ無人状態で４
２時間、単結晶育成を継続し、実施例１と同様の過程を
処理しながら、定径部の長さが２００ｍｍの単結晶（図
示せず）を育成した。そして、最後に単結晶を融液４８
から切り離した。

【００７０】得られた単結晶について、実施例１と同様
に<００１>面方位厚みが３００μｍのウェハーを切り出
し、ベルク−バレット（Ｂｅｒｇ−ｂａｒｒｅｔ）法に
よるＸ線トポグラフ撮影を行った。その結果、分解能の
範囲内において、双晶や転位等は観察されず、超音波顕
微鏡による漏洩弾性表面波の音速測定においても、従来
が平均音速±２〜４ｍ／秒であったのに対し、±１．０
ｍ／秒の面内均一性の高い単結晶が育成されたことがわ
かった。

【００７１】なお、上記実施例１，２では、種結晶ホル
ダーに接続する２本の金属線のうち、１本は種結晶ホル
ダーと同材質のものを用い、他の1本は種結晶ホルダー
と異なる材質のものを用いた。しかしながら、これらの
金属線には、２本とも種結晶ホルダーと異なる材質のも
のを用いてもよい。そして、それら金属線同士は互いに
同じ材質であっても、互いに異なる材質であってもよ
く、そのような金属線を用いても熱電対が構成されて熱
起電力が発生するので、本実施例と同様の効果が得られ
る。

【００７２】また、上記二つの実施例では、熱電対を構
成するために、種結晶ホルダーに２本の金属線を接続し
たが、必ずしも２本必要とするものではない。すなわ
ち、種結晶ホルダーに対し、これと異なる材質の金属線
を１本接続することによっても、金属線と種結晶ホルダ
ーの間に熱電対が構成されるので、本実施例と同様の効
果が得られる。

【００７３】また、上記二つの実施例では、坩堝内で加
熱溶融する融液の温度変化を検知するために、いずれも
従来と同様に、坩堝の底外部に熱電対を配置したが、融
液の温度変化を検知、測定できる他の手段があれば、上
記のような熱電対の使用に代えることができる。

【００７４】また、本実施例では、育成単結晶材料の一
例としてランガサイト（Ｌａ₃Ｇａ₅ＳｉＯ₁₄）を用いた
が、ＣＺ法による単結晶の育成であれば、他の単結晶材
料、例えば、ＬＴ（リチウムタンタル）系やＬＮ（リチ
ウムニオブ）系の材料等を用いた単結晶育成でも、本実
施例と同様の効果を得ることができる。

【００７５】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
育成単結晶の温度変化を、より直接的に精度よく捉える
ことができるようになるので、これをもとに単結晶を育
成するための各種パラメータを適宜、適切かつ迅速に修
正しながら単結晶を育成することが可能になる。

【００７６】したがって、高品質の酸化物単結晶を歩留
まりよく製造することができ、また、単結晶育成を自動
化することにより、効率的で安定した単結晶の製造を可
能にすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例に係る酸化物単結晶製造装置
の全体構成を模式的に示す断面図である。

【図２】本発明の他の実施例に係る酸化物単結晶製造装
置の全体構成を模式的に示す断面図である。

【図３】従来の酸化物単結晶製造装置の全体構成を模式
的に示す断面図である。

【符号の説明】

１，２１，４１ 単結晶製造装置 ３，２３，４３ 坩堝 ５，２５，４５ 単結晶引き上げ回転軸 ６，２６，４６ 種結晶ホルダー ７，２７，４７ 種結晶 ８，２８，４８ 融液 １４，３４，５４ 熱電対

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 単結晶原料を加熱溶融して融液とする坩
   堝と、 種結晶ホルダーで保持した種結晶を前記融液に接触させ
   て単結晶を引き上げる引き上げ機構とを備えた酸化物単
   結晶製造装置であって、 前記種結晶ホルダーと異なる材質の金属線を少なくとも
   １本有し、前記金属線の一端側を前記種結晶ホルダーに
   接続して熱電対を構成し、この熱電対からの熱起電力に
   もとづいて、結晶引き上げ速度、結晶回転数、加熱温度
   のうち少なくとも一つを制御することを特徴とする、酸
   化物単結晶製造装置。