JP2001210472A - １，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体を用いた有機ｅｌ素子 - Google Patents
１，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体を用いた有機ｅｌ素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】強い青色蛍光および高い量子収率を発揮する青
色発光材料およびそれを用いた高効率・高輝度・長寿命
有機ＥＬ素子を目的とする。 【解決手段】下記化学式（１）に記載の化学構造を有す
る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。 【化１】 ただし、Ｘ、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかであり、
Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリ
スアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシ
メチル基である。
色発光材料およびそれを用いた高効率・高輝度・長寿命
有機ＥＬ素子を目的とする。 【解決手段】下記化学式（１）に記載の化学構造を有す
る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。 【化１】 ただし、Ｘ、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかであり、
Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリ
スアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシ
メチル基である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機ＥＬ素子に関わ
り、有機エレクトロルミネセンス素子の発光材料に適用
可能な有機発光材料およびそれらを用いた有機ＥＬ素子
に関するものである。
り、有機エレクトロルミネセンス素子の発光材料に適用
可能な有機発光材料およびそれらを用いた有機ＥＬ素子
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス素子は、有
機物の電界発光現象（以下ＥＬ）を利用した自発光型素
子であり、次世代の平面表示素子や平面光源として期待
されている。有機ＥＬ素子に関する研究は１９６０年代
のアントラセン単結晶のＥＬ現象の研究を起源とし、イ
ーストマン・コダック社のC. W. Tangらによる薄膜積層
型素子が（特開昭59−194393号公報、特開昭63−264692
号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド・フィジ
ックス・レター第51巻、913 頁（1987年）[Appl.Phys.
Lett., 51, 913 (1987)] 、およびジャーナル・オブ・
アプライドフィジックス第65巻、3610頁（1989年）[J.
Appl. Phys., 65, 3610 (1989)] 等）に開示されている
機物の電界発光現象（以下ＥＬ）を利用した自発光型素
子であり、次世代の平面表示素子や平面光源として期待
されている。有機ＥＬ素子に関する研究は１９６０年代
のアントラセン単結晶のＥＬ現象の研究を起源とし、イ
ーストマン・コダック社のC. W. Tangらによる薄膜積層
型素子が（特開昭59−194393号公報、特開昭63−264692
号公報、特開昭63−295695号公報、アプライド・フィジ
ックス・レター第51巻、913 頁（1987年）[Appl.Phys.
Lett., 51, 913 (1987)] 、およびジャーナル・オブ・
アプライドフィジックス第65巻、3610頁（1989年）[J.
Appl. Phys., 65, 3610 (1989)] 等）に開示されている
【０００３】前述したC. W. Tangらが考案した積層型薄
膜ＥＬ素子はその後、広く研究・改良が重ねられ、今日
では以下のような素子構成、作製法が知られている。す
なわち、透明基板上に陽極、有機正孔注入・輸送層、有
機発光層、及び陰極を積層させた素子構成で、素子の作
製方法としては、ガラスや樹脂フィルム等の透明な絶縁
性の基板上に、インジウムとスズの複合酸化物（以下、
ITO という）からなる透明導電膜を陽極として蒸着法ま
たはスパッタリング法等により形成し、この上に銅フタ
ロシアニンや芳香族アミン化合物等に代表される有機正
孔注入・輸送材料の単層膜または多層膜を、有機正孔注
入・輸送層として100nm 程度以下の厚さで蒸着法により
形成する。次に、トリス（8-キノリノール）アルミニウ
ム（以下AlQ という）等の有機蛍光材料を、有機発光層
として100nm 程度以下の厚さで蒸着法により形成する。
この有機発光層上に、アルミニウム- リチウム（AlL
i）、マグネシウム- 銀（MgAg）等の合金を、共蒸着法
により厚さ200nm 程度の陰極として形成することにより
有機薄膜ＥＬ素子が作製される。
膜ＥＬ素子はその後、広く研究・改良が重ねられ、今日
では以下のような素子構成、作製法が知られている。す
なわち、透明基板上に陽極、有機正孔注入・輸送層、有
機発光層、及び陰極を積層させた素子構成で、素子の作
製方法としては、ガラスや樹脂フィルム等の透明な絶縁
性の基板上に、インジウムとスズの複合酸化物（以下、
ITO という）からなる透明導電膜を陽極として蒸着法ま
たはスパッタリング法等により形成し、この上に銅フタ
ロシアニンや芳香族アミン化合物等に代表される有機正
孔注入・輸送材料の単層膜または多層膜を、有機正孔注
入・輸送層として100nm 程度以下の厚さで蒸着法により
形成する。次に、トリス（8-キノリノール）アルミニウ
ム（以下AlQ という）等の有機蛍光材料を、有機発光層
として100nm 程度以下の厚さで蒸着法により形成する。
この有機発光層上に、アルミニウム- リチウム（AlL
i）、マグネシウム- 銀（MgAg）等の合金を、共蒸着法
により厚さ200nm 程度の陰極として形成することにより
有機薄膜ＥＬ素子が作製される。
【０００４】以上のようにして作製される有機薄膜積層
型ＥＬ素子の両電極間に直流電圧を印加することによ
り、陽極からプラスの電荷（正孔）が、陰極からはマイ
ナスの電荷（電子）が有機層に注入される。注入された
正孔と電子は印加された電場により有機薄膜中を移動
し、ある確率で有機発光層中で再結合して励起子を形成
する。形成された励起子は有機発光層を構成する有機蛍
光材料固有の発光量子収率にしたがって外部に光を放出
して基底状態に失活する。このときの外部への発光を利
用した素子が有機薄膜積層型ＥＬ素子である。なお、こ
の素子に印可する直流電圧は、通常、数V 〜30V 程度で
あり、有機蛍光材料としてAlQ 、陰極にMgAg合金を用い
たＥＬ素子では、10000cd/m2以上の輝度が得られてい
る。
型ＥＬ素子の両電極間に直流電圧を印加することによ
り、陽極からプラスの電荷（正孔）が、陰極からはマイ
ナスの電荷（電子）が有機層に注入される。注入された
正孔と電子は印加された電場により有機薄膜中を移動
し、ある確率で有機発光層中で再結合して励起子を形成
する。形成された励起子は有機発光層を構成する有機蛍
光材料固有の発光量子収率にしたがって外部に光を放出
して基底状態に失活する。このときの外部への発光を利
用した素子が有機薄膜積層型ＥＬ素子である。なお、こ
の素子に印可する直流電圧は、通常、数V 〜30V 程度で
あり、有機蛍光材料としてAlQ 、陰極にMgAg合金を用い
たＥＬ素子では、10000cd/m2以上の輝度が得られてい
る。
【０００５】しかしながら、上述の有機薄膜ＥＬ素子は
連続使用時における安定性に問題があり、発光輝度にお
いても向上させる必要があった。さらにはフルカラー表
示をさせるために、青、緑、赤の３原色発光をさせる必
要があった。素子の発光輝度および安定性を向上させ、
発光色を制御する試みとして発光層に強い蛍光を示す色
素をドープする方法が知られている。
連続使用時における安定性に問題があり、発光輝度にお
いても向上させる必要があった。さらにはフルカラー表
示をさせるために、青、緑、赤の３原色発光をさせる必
要があった。素子の発光輝度および安定性を向上させ、
発光色を制御する試みとして発光層に強い蛍光を示す色
素をドープする方法が知られている。
【０００６】これは、例えば、緑色発光素子の場合、顔
料系色素であるキナクリドンをゲスト物質としてAlQ に
ドープした素子を作製する。この素子は緑あるいは黄緑
色に発光し、有機発光層としてAlQ 単独膜を用いた素子
よりも、輝度、発光効率および安定性の向上が見られて
いる（特開平05-70773号公報、特開平08-188772 号公
報）。
料系色素であるキナクリドンをゲスト物質としてAlQ に
ドープした素子を作製する。この素子は緑あるいは黄緑
色に発光し、有機発光層としてAlQ 単独膜を用いた素子
よりも、輝度、発光効率および安定性の向上が見られて
いる（特開平05-70773号公報、特開平08-188772 号公
報）。
【０００７】また、青色や赤色発光素子についてもドー
ピング法によって得られることが知られている。例え
ば、青色発光素子としては、ジスチリルアリーレン誘導
体に別のジスチリルアリーレン誘導体をドープしたもの
を有機発光層とする方法が知られているし（アプライド
・フィジックス・レター第67巻、3853頁（1995年）[App
l. Phys. Lett., 67, 3853(1995)] 、特開平08-333283
号公報、特開平06-100857 号公報）、赤色発光素子とし
ては、レーザー色素の一つであるDCM 誘導体をAlQ にド
ープしたものを有機発光層とする方法が知られている
（ジャーナル・オブ・アプライドフィジックス第65巻、
3610頁（1989年）[J. Appl. Phys., 65, 3610 (1989)]
）。
ピング法によって得られることが知られている。例え
ば、青色発光素子としては、ジスチリルアリーレン誘導
体に別のジスチリルアリーレン誘導体をドープしたもの
を有機発光層とする方法が知られているし（アプライド
・フィジックス・レター第67巻、3853頁（1995年）[App
l. Phys. Lett., 67, 3853(1995)] 、特開平08-333283
号公報、特開平06-100857 号公報）、赤色発光素子とし
ては、レーザー色素の一つであるDCM 誘導体をAlQ にド
ープしたものを有機発光層とする方法が知られている
（ジャーナル・オブ・アプライドフィジックス第65巻、
3610頁（1989年）[J. Appl. Phys., 65, 3610 (1989)]
）。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、青色発
光材料としてジスチリルアリーレン誘導体を用いた有機
ＥＬ素子や赤色発光材料としてDCM 誘導体を用いた有機
ＥＬ素子の輝度および発光効率は緑色発光材料であるAl
Q やキナクリドンをドープしたAlQ に比べ低い。そのた
め、実用上充分な輝度を得るために、青色発光素子では
有機発光層にCsなどの低仕事関数金属をさらに添加して
素子を最適化する必要があり、製造工程が複雑になると
いう欠点があった。その為、有機物単独で実用上十分な
輝度および発光効率を得るため、さらに強い青色あるい
は赤色蛍光を有する材料が求められている。また、素子
の輝度半減寿命においてもジスチリルアリーレン誘導体
を用いた有機ＥＬ素子は500 〜5000時間とされている
が、これは低輝度50cd/m2 （初期輝度100cd/m2）での値
で、本発明人らの実験によると実用輝度100cd/m2（初期
輝度200cd/m2）での輝度半減寿命は30時間程度であっ
た。
光材料としてジスチリルアリーレン誘導体を用いた有機
ＥＬ素子や赤色発光材料としてDCM 誘導体を用いた有機
ＥＬ素子の輝度および発光効率は緑色発光材料であるAl
Q やキナクリドンをドープしたAlQ に比べ低い。そのた
め、実用上充分な輝度を得るために、青色発光素子では
有機発光層にCsなどの低仕事関数金属をさらに添加して
素子を最適化する必要があり、製造工程が複雑になると
いう欠点があった。その為、有機物単独で実用上十分な
輝度および発光効率を得るため、さらに強い青色あるい
は赤色蛍光を有する材料が求められている。また、素子
の輝度半減寿命においてもジスチリルアリーレン誘導体
を用いた有機ＥＬ素子は500 〜5000時間とされている
が、これは低輝度50cd/m2 （初期輝度100cd/m2）での値
で、本発明人らの実験によると実用輝度100cd/m2（初期
輝度200cd/m2）での輝度半減寿命は30時間程度であっ
た。
【０００９】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、強い青色蛍光および高い量子収率を発揮する
青色発光材料およびそれを用いた高効率・高輝度・長寿
命有機ＥＬ素子を目的とするものである。
たもので、強い青色蛍光および高い量子収率を発揮する
青色発光材料およびそれを用いた高効率・高輝度・長寿
命有機ＥＬ素子を目的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、種々の有
機発光材料を鋭意検討した結果、ジスチリルアリーレン
誘導体の基本構造であるスチリルアリーレン部分の２重
結合に結合するベンゼン環をチオフェン環に置換した本
発明に係る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体
（以下DTE 誘導体）が、同一濃度の溶液中において、ジ
スチリルアリーレン誘導体の2 〜4 倍程度の蛍光強度、
傾向量子収率においてもジスチリルアリーレン誘導体の
1.6 〜2.1 倍と高効率で蛍光を発することを見いだすと
ともにDTE誘導体を用いた有機ＥＬ素子が高輝度・高効
率・長寿命となることを明らかにし、本発明に至った。
機発光材料を鋭意検討した結果、ジスチリルアリーレン
誘導体の基本構造であるスチリルアリーレン部分の２重
結合に結合するベンゼン環をチオフェン環に置換した本
発明に係る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体
（以下DTE 誘導体）が、同一濃度の溶液中において、ジ
スチリルアリーレン誘導体の2 〜4 倍程度の蛍光強度、
傾向量子収率においてもジスチリルアリーレン誘導体の
1.6 〜2.1 倍と高効率で蛍光を発することを見いだすと
ともにDTE誘導体を用いた有機ＥＬ素子が高輝度・高効
率・長寿命となることを明らかにし、本発明に至った。
【００１１】本発明は上記の課題を解決するために、請
求項１に係る有機ＥＬ素子は下記化学式（１）に記載の
化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘
導体を発光材料として用いることを特徴とするものであ
る。
求項１に係る有機ＥＬ素子は下記化学式（１）に記載の
化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘
導体を発光材料として用いることを特徴とするものであ
る。
【００１２】
【化４】
【００１３】ただし、Ｘ、Ｙは炭素、窒素原子のいずれ
かであり、Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキ
ルシロキシメチル基である。
かであり、Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキ
シ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキ
ルシロキシメチル基である。
【００１４】請求項２に係る有機ＥＬ素子は下記化学式
（２）に記載の化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イ
ル- エチレン誘導体を発光材料として用いることを特徴
とするものである。
（２）に記載の化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イ
ル- エチレン誘導体を発光材料として用いることを特徴
とするものである。
【００１５】
【化５】
【００１６】ただし、Ｘ、Ｙは酸素、窒素、イオウ原子
のいずれかであり、Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリ
スアルキルシロキシメチル基である。
のいずれかであり、Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、
アルコキシ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリ
スアルキルシロキシメチル基である。
【００１７】請求項３に係る有機ＥＬ素子は下記化学式
（３）に記載の化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イ
ル- エチレン誘導体を発光材料として用いることを特徴
とするものである。
（３）に記載の化学構造を有する1,2-ジチオフェン- イ
ル- エチレン誘導体を発光材料として用いることを特徴
とするものである。
【００１８】
【化６】
【００１９】ただし、Ｘは酸素、窒素、イオウ原子のい
ずれかであり、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかである。
Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリ
スアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシ
メチル基である。
ずれかであり、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかである。
Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリ
スアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシ
メチル基である。
【００２０】請求項４に係る有機ＥＬ素子は、発光層に
おける1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体の占め
る割合が0.1 から20% であることを特徴とする請求項１
から３の何れかに記載のものである。
おける1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体の占め
る割合が0.1 から20% であることを特徴とする請求項１
から３の何れかに記載のものである。
【００２１】本発明者らは、種々の有機発光材料を鋭意
検討した結果、ジスチリルアリーレン誘導体の基本構造
であるスチリルアリーレン部分の２重結合に結合するベ
ンゼン環をチオフェン環に置換した本発明に係る1,2-ジ
チオフェン- イル- エチレン誘導体（以下DTE 誘導体）
が、同一濃度の溶液中において、ジスチリルアリーレン
誘導体の2 〜4 倍程度の蛍光強度、蛍光量子収率につい
てもジスチリルアリーレン誘導体の1.6 〜1.8 倍と高効
率で蛍光を発することを見いだすとともにこれらのDTE
誘導体が単独あるいはドーパントとして有機ＥＬ素子用
発光材料として機能することを見いだした。尚、ドーパ
ントして用いる場合、発光層におけるDTE 誘導体の占め
る割合が、0.1 〜20% 、好ましくは0.1 〜5%である。
検討した結果、ジスチリルアリーレン誘導体の基本構造
であるスチリルアリーレン部分の２重結合に結合するベ
ンゼン環をチオフェン環に置換した本発明に係る1,2-ジ
チオフェン- イル- エチレン誘導体（以下DTE 誘導体）
が、同一濃度の溶液中において、ジスチリルアリーレン
誘導体の2 〜4 倍程度の蛍光強度、蛍光量子収率につい
てもジスチリルアリーレン誘導体の1.6 〜1.8 倍と高効
率で蛍光を発することを見いだすとともにこれらのDTE
誘導体が単独あるいはドーパントとして有機ＥＬ素子用
発光材料として機能することを見いだした。尚、ドーパ
ントして用いる場合、発光層におけるDTE 誘導体の占め
る割合が、0.1 〜20% 、好ましくは0.1 〜5%である。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。
上記化学式（１）において、X は炭素原子または窒素原
子であり、また、Y も炭素原子または窒素原子であり、
X とY は同じであっても異なってもよい。R とR ’は水
素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリスアルキルシ
ロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシメチル基のい
ずれかであり、R とR ’は同じであっても又異なってい
てもよい。中でも、水素原子、トリスアルキルシロキシ
基あるいはトリスアルキルシロキシメチル基が好まし
い。アルキル基としては、炭素数が1 〜4 個のものが良
く、例えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好
適である。アルコキシ基としては炭素数が1 〜4 個のも
のが良く、例えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチ
ルが好適である。
上記化学式（１）において、X は炭素原子または窒素原
子であり、また、Y も炭素原子または窒素原子であり、
X とY は同じであっても異なってもよい。R とR ’は水
素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリスアルキルシ
ロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシメチル基のい
ずれかであり、R とR ’は同じであっても又異なってい
てもよい。中でも、水素原子、トリスアルキルシロキシ
基あるいはトリスアルキルシロキシメチル基が好まし
い。アルキル基としては、炭素数が1 〜4 個のものが良
く、例えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好
適である。アルコキシ基としては炭素数が1 〜4 個のも
のが良く、例えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチ
ルが好適である。
【００２３】上記化学式（２）においては、X は酸素原
子、窒素原子またはイオウ原子であり、また、Y も酸素
原子、窒素原子またはイオウ原子であり、X とY は同じ
であっても異なってもよい。R とR ’は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、トリスアルキルシロキシ基ある
いはトリスアルキルシロキシメチル基のいずれかであ
り、R とR ’は同じであっても又異なっていてもよい。
中でも、水素原子、トリスアルキルシロキシ基あるいは
トリスアルキルシロキシメチル基が好ましい。アルキル
基としては、炭素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、
メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適である。ア
ルコキシ基としては炭素数が1 〜4 個のものが良く、例
えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適であ
る。
子、窒素原子またはイオウ原子であり、また、Y も酸素
原子、窒素原子またはイオウ原子であり、X とY は同じ
であっても異なってもよい。R とR ’は水素原子、アル
キル基、アルコキシ基、トリスアルキルシロキシ基ある
いはトリスアルキルシロキシメチル基のいずれかであ
り、R とR ’は同じであっても又異なっていてもよい。
中でも、水素原子、トリスアルキルシロキシ基あるいは
トリスアルキルシロキシメチル基が好ましい。アルキル
基としては、炭素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、
メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適である。ア
ルコキシ基としては炭素数が1 〜4 個のものが良く、例
えば、メチル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適であ
る。
【００２４】上記化学式（３）においては、X は酸素原
子、窒素原子またはイオウ原子であり、また、Y は炭素
原子または窒素原子であり、X とY は同じであっても異
なってもよい。R とR ’は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスア
ルキルシロキシメチル基のいずれかであり、R とR ’は
同じであっても又異なっていてもよい。中でも、水素原
子、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキル
シロキシメチル基が好ましい。アルキル基としては、炭
素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、t-ブチルが好適である。アルコキシ基と
しては炭素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適である。
子、窒素原子またはイオウ原子であり、また、Y は炭素
原子または窒素原子であり、X とY は同じであっても異
なってもよい。R とR ’は水素原子、アルキル基、アル
コキシ基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスア
ルキルシロキシメチル基のいずれかであり、R とR ’は
同じであっても又異なっていてもよい。中でも、水素原
子、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキル
シロキシメチル基が好ましい。アルキル基としては、炭
素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、メチル、エチ
ル、プロピル、t-ブチルが好適である。アルコキシ基と
しては炭素数が1 〜4 個のものが良く、例えば、メチ
ル、エチル、プロピル、t-ブチルが好適である。
【００２５】上記化学式（１）に示す化合物の合成は、
下記化学式（４）に示すホスホニウム塩と化学式（５）
に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウム存在下で縮合
させて得られる粗製物を濾取した後、溶媒で洗浄して簡
易精製を行う。得られた試料を乾燥させた後、昇華法を
用いて高純度精製物とすることで得られる。
下記化学式（４）に示すホスホニウム塩と化学式（５）
に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウム存在下で縮合
させて得られる粗製物を濾取した後、溶媒で洗浄して簡
易精製を行う。得られた試料を乾燥させた後、昇華法を
用いて高純度精製物とすることで得られる。
【００２６】
【化７】
【００２７】
【化８】
【００２８】上記化学式（２）に示す化合物の合成につ
いても、同様に下記化学式（６）に示すホスホニウム塩
と化学式（７）に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウ
ム存在下で縮合させて得られる粗製物を濾取した後、溶
媒で洗浄して簡易精製を行う。得られた試料を乾燥させ
た後、昇華法を用いて高純度精製物とすることで得られ
る。
いても、同様に下記化学式（６）に示すホスホニウム塩
と化学式（７）に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウ
ム存在下で縮合させて得られる粗製物を濾取した後、溶
媒で洗浄して簡易精製を行う。得られた試料を乾燥させ
た後、昇華法を用いて高純度精製物とすることで得られ
る。
【００２９】
【化９】
【００３０】
【化１０】
【００３１】上記化学式（３）に示す化合物の合成につ
いても、上記化学式（４）に示すホスホニウム塩と上記
化学式（７）に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウム
存在下で縮合させて得られる粗製物を濾取した後、溶媒
で洗浄して簡易精製を行う。得られた試料を乾燥させた
後、昇華法を用いて高純度精製物とすることで得られ
る。
いても、上記化学式（４）に示すホスホニウム塩と上記
化学式（７）に示すアルデヒドとをt-ブトキシカリウム
存在下で縮合させて得られる粗製物を濾取した後、溶媒
で洗浄して簡易精製を行う。得られた試料を乾燥させた
後、昇華法を用いて高純度精製物とすることで得られ
る。
【００３２】上述した化学式（１）〜（３）で示される
1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体は、溶液中に
おいて、従来の青色発光材料であるジスチリルアリーレ
ン誘導体の2 〜4 倍の強い青色蛍光および1.6 〜2.1 倍
と高い量子収率を発揮することができ、有機ＥＬ素子の
青色発光材料あるいは紫外線励起の蛍光表示材料として
有用である。
1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体は、溶液中に
おいて、従来の青色発光材料であるジスチリルアリーレ
ン誘導体の2 〜4 倍の強い青色蛍光および1.6 〜2.1 倍
と高い量子収率を発揮することができ、有機ＥＬ素子の
青色発光材料あるいは紫外線励起の蛍光表示材料として
有用である。
【００３３】次に有機ＥＬ素子の作製について述べる。
図１６に示した構成の素子の作製を例に説明するが、こ
の構成に限定されるものではない。
図１６に示した構成の素子の作製を例に説明するが、こ
の構成に限定されるものではない。
【００３４】金属あるいは金属酸化物、例えば、インジ
ウム- すず酸化物（ITO ）、スズ酸化物等（ネサ）、か
ら成る透明または半透明陽極付き透明基板上（１６０
１）に正孔注入材料（１６０２）、例えば、銅フタロシ
アニンやトリス（3-メチルフェニルフェニルアミノ）ト
リフェニルアミン（m-MTDATA）等のイオン化ポテンシャ
ルが比較的低い有機物質、次に正孔輸送材料（１６０
３）、例えば、4,4 ’- ビス[N- （3-メチルフェニル-N
- フェニル- アミノ）ビフェニル（TPD ）や4,4 ’- ビ
ス[N- （1-ナフチル-N- フェニル- アミノ）ビフェニル
（α-NPD）に代表される芳香族アミン化合物を順次蒸着
する。
ウム- すず酸化物（ITO ）、スズ酸化物等（ネサ）、か
ら成る透明または半透明陽極付き透明基板上（１６０
１）に正孔注入材料（１６０２）、例えば、銅フタロシ
アニンやトリス（3-メチルフェニルフェニルアミノ）ト
リフェニルアミン（m-MTDATA）等のイオン化ポテンシャ
ルが比較的低い有機物質、次に正孔輸送材料（１６０
３）、例えば、4,4 ’- ビス[N- （3-メチルフェニル-N
- フェニル- アミノ）ビフェニル（TPD ）や4,4 ’- ビ
ス[N- （1-ナフチル-N- フェニル- アミノ）ビフェニル
（α-NPD）に代表される芳香族アミン化合物を順次蒸着
する。
【００３５】引き続いて、発光材料（１６０４）として
本発明の合成で得られた化学式（１）〜（３）の化合物
の内少なくとも1 種類の化合物を単独であるいは化学式
（１）〜（３）の化合物よりも最高占有準位（HOMO）と
最低非占有準位（LUMO）のエネルギー差が大きな化合
物、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体やアントラセ
ン誘導体等、と任意の割合で共蒸着する。
本発明の合成で得られた化学式（１）〜（３）の化合物
の内少なくとも1 種類の化合物を単独であるいは化学式
（１）〜（３）の化合物よりも最高占有準位（HOMO）と
最低非占有準位（LUMO）のエネルギー差が大きな化合
物、例えば、ジスチリルアリーレン誘導体やアントラセ
ン誘導体等、と任意の割合で共蒸着する。
【００３６】その後電子注入材料（１６０５）、例え
ば、AlQ を蒸着する。陰極（１６０７）には陽極よりも
小さな仕事関数を有する金属あるいは金属酸化物、例え
ば、Li、Ca、Al、Mg、LiAl、MgAgを用いることができ
る。必要に応じて電子注入材料を蒸着した後に陰極との
間に誘電体（１６０６）、例えば、LiF 、MgO 等、を蒸
着することができる。
ば、AlQ を蒸着する。陰極（１６０７）には陽極よりも
小さな仕事関数を有する金属あるいは金属酸化物、例え
ば、Li、Ca、Al、Mg、LiAl、MgAgを用いることができ
る。必要に応じて電子注入材料を蒸着した後に陰極との
間に誘電体（１６０６）、例えば、LiF 、MgO 等、を蒸
着することができる。
【００３７】
【実施例】以下、実施例を示して本発明をさらに詳細に
説明する。
説明する。
【００３８】＜実施例１＞ ＜2-｛6 ’-(t-ブチルジメチルシロキシ) ナフト[2,1-
b] チオフェン-2’- イルエテニル｝- ナフト[2,1-b]
チオフェン[DTE-BB]の合成＞まず、化学式（１２）に示
す化合物を還元して、化学式（１３）に示す化合物を得
た後、その水酸基をt-ブチルジメチルシロキシ（TBDMS
O）基に置換（化学式（１４））し、さらに、アルデヒ
ド基を付加して化学式（１５）に示すアルデヒドを得
た。このアルデヒド0.34g と、文献（テトラヘドロン：
アシンメトリー,4 巻, 1843頁 1993 年[Tetrahedron: A
symmetry, 4, 1843 (1993)]）に記載されているホスホ
ニウム塩（2-ナフト[2,1-b] チエニルメチルトリフェニ
ルホスホニウムクロリド：化学式（11））0.49g とを20
mlのメタノールに入れて攪拌したところに0.12g のt-ブ
トキシカリウムを添加した。その後、0 ℃で1 晩攪拌し
たところで、塩化アンモニウム- アンモニア水（1:1 混
合物) を加えて反応を停止させた。黄色の反応物を濾取
した後、エーテルとヘキサンで洗浄し、減圧乾燥させて
黄色の粉末状結晶を得た。収量0.49g 、収率90% であっ
た。化合物の融点は303 ℃(DSC) であった。
b] チオフェン-2’- イルエテニル｝- ナフト[2,1-b]
チオフェン[DTE-BB]の合成＞まず、化学式（１２）に示
す化合物を還元して、化学式（１３）に示す化合物を得
た後、その水酸基をt-ブチルジメチルシロキシ（TBDMS
O）基に置換（化学式（１４））し、さらに、アルデヒ
ド基を付加して化学式（１５）に示すアルデヒドを得
た。このアルデヒド0.34g と、文献（テトラヘドロン：
アシンメトリー,4 巻, 1843頁 1993 年[Tetrahedron: A
symmetry, 4, 1843 (1993)]）に記載されているホスホ
ニウム塩（2-ナフト[2,1-b] チエニルメチルトリフェニ
ルホスホニウムクロリド：化学式（11））0.49g とを20
mlのメタノールに入れて攪拌したところに0.12g のt-ブ
トキシカリウムを添加した。その後、0 ℃で1 晩攪拌し
たところで、塩化アンモニウム- アンモニア水（1:1 混
合物) を加えて反応を停止させた。黄色の反応物を濾取
した後、エーテルとヘキサンで洗浄し、減圧乾燥させて
黄色の粉末状結晶を得た。収量0.49g 、収率90% であっ
た。化合物の融点は303 ℃(DSC) であった。
【００３９】
【化１１】
【００４０】
【化１２】
【００４１】
【化１３】
【００４２】得られた化合物の質量分析の結果、分子イ
オンピークが522 に見られた（図１）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図２）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（８）であ
ることが同定できた。
オンピークが522 に見られた（図１）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図２）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（８）であ
ることが同定できた。
【００４３】さらに、昇華法によって高純度精製した試
料について蛍光測定を行ったところ、図３に示したよう
に、DTE-BBは、トルエン溶液中でピーク波長435nm と46
2nmの強い青色蛍光を示した。このときの蛍光強度およ
び量子収率はジスチリルアリーレン誘導体の一つである
DPVBi のそれぞれ2.2 倍、1.8 倍であった（表１）。
料について蛍光測定を行ったところ、図３に示したよう
に、DTE-BBは、トルエン溶液中でピーク波長435nm と46
2nmの強い青色蛍光を示した。このときの蛍光強度およ
び量子収率はジスチリルアリーレン誘導体の一つである
DPVBi のそれぞれ2.2 倍、1.8 倍であった（表１）。
【００４４】
【表１】
【００４５】＜実施例２＞ ＜2-( トリイソプロピルシロキシメチル)-5-｛5 ’-(ト
リイソプロピルシロキシメチル) ベンゾ[1,2-b:4,3-
b’] ジチオフェン-2’- イル- エテニル｝- ベンゾ[1,
2-b:4,3-b’] ジチオフェン[DTE-TT]の合成＞文献（ジ
ャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエティー パーキン
・トランザクション １, 935 頁1998年[J. Chem. So
c., Perkin Trans 1, 935 (1998)] ）に記載の方法に従
って化学式（９）に示す2-( トリイソプロピルシロキシ
メチル)-5-｛5 ’-(トリイソプロピルシロキシメチル)
ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル- エテ
ニル｝- ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェンを合成し
た。即ち、まず、化学式（１６）に示す2-（ヒドロキシ
メチル）ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェンの水酸基
をシリルエーテルに置換して化学式（１７）に示す化合
物を経た後、化学式（１８）に示すアルデヒドを得た。
さらにまた、得られたアルデヒドに対して、常温でNaBH
4 を用いて還元し、2-（ヒドロキシメチル）-7- （トリ
イソプロピルシロキシメチル）ベンゾチオフェンを得、
その水酸基を塩素化し、さらに、トリフェニルホスフィ
ンを用いてホスホニウム塩（化学式（１９））を得た。
リイソプロピルシロキシメチル) ベンゾ[1,2-b:4,3-
b’] ジチオフェン-2’- イル- エテニル｝- ベンゾ[1,
2-b:4,3-b’] ジチオフェン[DTE-TT]の合成＞文献（ジ
ャーナル・オブ・ケミカル・ソサイエティー パーキン
・トランザクション １, 935 頁1998年[J. Chem. So
c., Perkin Trans 1, 935 (1998)] ）に記載の方法に従
って化学式（９）に示す2-( トリイソプロピルシロキシ
メチル)-5-｛5 ’-(トリイソプロピルシロキシメチル)
ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル- エテ
ニル｝- ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェンを合成し
た。即ち、まず、化学式（１６）に示す2-（ヒドロキシ
メチル）ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェンの水酸基
をシリルエーテルに置換して化学式（１７）に示す化合
物を経た後、化学式（１８）に示すアルデヒドを得た。
さらにまた、得られたアルデヒドに対して、常温でNaBH
4 を用いて還元し、2-（ヒドロキシメチル）-7- （トリ
イソプロピルシロキシメチル）ベンゾチオフェンを得、
その水酸基を塩素化し、さらに、トリフェニルホスフィ
ンを用いてホスホニウム塩（化学式（１９））を得た。
【００４６】そして、得られたホスホニウム塩を18.19g
と上記得られた化学式（１８）に示すアルデヒド10.71g
をテトラヒドロフラン（90ml）とエタノール（380ml ）
混合溶媒に入れて攪拌したところに4.45g のt-ブトキシ
カリウムを溶かしたエタノール溶液（80ml）を室温で添
加した。このとき得られた黄色の懸濁液を16時間反応さ
せた。その後、水と10% 塩酸を加えて反応を停止させ
た。沈殿物を濾過して取り除いた後、残留物をエタノー
ルとヘキサンで洗浄し、減圧乾燥させて黄色の粉末を得
た。収量17.69g、収率86% であった。得られた化合物の
融点は194 ℃(DSC) であった。
と上記得られた化学式（１８）に示すアルデヒド10.71g
をテトラヒドロフラン（90ml）とエタノール（380ml ）
混合溶媒に入れて攪拌したところに4.45g のt-ブトキシ
カリウムを溶かしたエタノール溶液（80ml）を室温で添
加した。このとき得られた黄色の懸濁液を16時間反応さ
せた。その後、水と10% 塩酸を加えて反応を停止させ
た。沈殿物を濾過して取り除いた後、残留物をエタノー
ルとヘキサンで洗浄し、減圧乾燥させて黄色の粉末を得
た。収量17.69g、収率86% であった。得られた化合物の
融点は194 ℃(DSC) であった。
【００４７】
【化１４】
【００４８】実施例１と同様に、質量分析の結果分子イ
オンピークが776 に見られた（図４）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図５）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（９）で示
されるものと同定できた。
オンピークが776 に見られた（図４）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図５）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（９）で示
されるものと同定できた。
【００４９】さらに、昇華法によって高純度精製した試
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図６に示したように、DTE-TTはトルエン溶液中でピーク
波長431nm 、456nm の強い青色蛍光を示した。このとき
の蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘導
体の一つであるDPVBi のそれぞれ3.5 倍、1.6 倍であっ
た（表１）。
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図６に示したように、DTE-TTはトルエン溶液中でピーク
波長431nm 、456nm の強い青色蛍光を示した。このとき
の蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘導
体の一つであるDPVBi のそれぞれ3.5 倍、1.6 倍であっ
た（表１）。
【００５０】＜実施例３＞ ＜2-｛( トリイソプロピルシロキシメチル) ベンゾ[1,2
-b:4,3-b’] ジチオフェン-5- イル- エテニル｝- ナフ
ト[2,1-b] チオフェン[DTE-BT]の合成＞実施例１で用い
たホスホニウム塩（化学式（１１））3.77g と実施例２
で用いたアルデヒド（化学式（１８））2.93g とをテト
ラヒドロフラン（50ml）とエタノール（10ml）混合溶媒
に入れたところに1.2gのt-ブトキシカリウムを添加し
た。この混合溶液を60゜C で15時間反応させた後、200m
l の塩水を加えた。粗生成物を濾取した後、水とエタノ
ールで洗浄し、黄色の粉末を得た。収量3.87g 、収率91
% であった。得られた化合物の融点は221 ℃(DSC) であ
った。
-b:4,3-b’] ジチオフェン-5- イル- エテニル｝- ナフ
ト[2,1-b] チオフェン[DTE-BT]の合成＞実施例１で用い
たホスホニウム塩（化学式（１１））3.77g と実施例２
で用いたアルデヒド（化学式（１８））2.93g とをテト
ラヒドロフラン（50ml）とエタノール（10ml）混合溶媒
に入れたところに1.2gのt-ブトキシカリウムを添加し
た。この混合溶液を60゜C で15時間反応させた後、200m
l の塩水を加えた。粗生成物を濾取した後、水とエタノ
ールで洗浄し、黄色の粉末を得た。収量3.87g 、収率91
% であった。得られた化合物の融点は221 ℃(DSC) であ
った。
【００５１】
【化１５】
【００５２】
【化１６】
【００５３】
【化１７】
【００５４】実施例１と同様に、質量分析の結果分子イ
オンピークが584 に見られた（図７）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図８）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（１０）で
あることが同定できた。
オンピークが584 に見られた（図７）ことと赤外吸収ス
ペクトル（図８）において原料のアルデヒド化合物のC=
O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失してい
ることから、得られた化合物の構造は化学式（１０）で
あることが同定できた。
【００５５】さらに、昇華法によって高純度精製した試
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図９に示したように、DTE-BTはトルエン溶液中でピーク
波長431nm 、456nm の強い青色蛍光を示した。このとき
の蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘導
体の一つであるDPVBi のそれぞれ2.9 倍、1.7 倍であっ
た（表１）。
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図９に示したように、DTE-BTはトルエン溶液中でピーク
波長431nm 、456nm の強い青色蛍光を示した。このとき
の蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘導
体の一つであるDPVBi のそれぞれ2.9 倍、1.7 倍であっ
た（表１）。
【００５６】＜実施例４＞ ＜1,2-ビス（キノリン[6,5-b] チオフェン-2- イル）エ
チレン[DTE-PP]の合成＞文献（ブレタン・ケミカル・ソ
サイエティー・オブ・ジャパン, 70巻891 頁1997年[Bul
l. Chem. Soc. Jpn., 70, 891 (1997)] ）に記載の方法
に従って化学式（２６）に示すホスホニウム塩と化学式
（２７）に示すアルデヒドを得た。即ち、化学式（２
０）に示す2-クロロ-5- ニトロベンズアルデヒドとHSCH
2CO2Etを炭酸カリウムの存在下、室温で反応させて化学
式（２１）で示す5-ニトロベンゾ[b] チオフェン-2- カ
ルボン酸エチルを得、さらにニトロ基を還元して化学式
（２２）に示す5-アミノベンゾ[b] チオフェン-2- カル
ボン酸エチルを得た。続いて、m-ベンゼンスルホン酸ナ
トリウム及びホウ酸の存在下でグリセリンと濃硝酸の混
合物で環化処理して化学式（２３）で示すチエノ[3,2-
f] キノリン-2- カルボン酸エチルを合成した。さら
に、LiAlH4で還元して化学式（２４）で示すアルコール
を得た。次に、トリエチルアミンの存在下、SOCl2 で化
学式（２５）に示す塩化物に置換した後、トリフェニル
ホスフィンと反応させて化学式（２６）で示すホスホニ
ウム塩を得た。
チレン[DTE-PP]の合成＞文献（ブレタン・ケミカル・ソ
サイエティー・オブ・ジャパン, 70巻891 頁1997年[Bul
l. Chem. Soc. Jpn., 70, 891 (1997)] ）に記載の方法
に従って化学式（２６）に示すホスホニウム塩と化学式
（２７）に示すアルデヒドを得た。即ち、化学式（２
０）に示す2-クロロ-5- ニトロベンズアルデヒドとHSCH
2CO2Etを炭酸カリウムの存在下、室温で反応させて化学
式（２１）で示す5-ニトロベンゾ[b] チオフェン-2- カ
ルボン酸エチルを得、さらにニトロ基を還元して化学式
（２２）に示す5-アミノベンゾ[b] チオフェン-2- カル
ボン酸エチルを得た。続いて、m-ベンゼンスルホン酸ナ
トリウム及びホウ酸の存在下でグリセリンと濃硝酸の混
合物で環化処理して化学式（２３）で示すチエノ[3,2-
f] キノリン-2- カルボン酸エチルを合成した。さら
に、LiAlH4で還元して化学式（２４）で示すアルコール
を得た。次に、トリエチルアミンの存在下、SOCl2 で化
学式（２５）に示す塩化物に置換した後、トリフェニル
ホスフィンと反応させて化学式（２６）で示すホスホニ
ウム塩を得た。
【００５７】また、化学式（２４）で示すアルコールに
ついて、CH2Cl2中ジクロム酸ピリジニウム（PDC ）で酸
化して化学式（２７）で示すアルデヒドを得た。
ついて、CH2Cl2中ジクロム酸ピリジニウム（PDC ）で酸
化して化学式（２７）で示すアルデヒドを得た。
【００５８】
【化１８】
【００５９】
【化１９】
【００６０】
【化２０】
【００６１】その後、得られたホスホニウム塩（化学式
（２６））0.99g とアルデヒド（化学式（２７））0.16
g をテトラヒドロフラン（5ml ）とメタノール(10ml)混
合溶媒に入れて攪拌したところに0.17g のt-ブトキシカ
リウムを加えて１晩室温で反応させた。生成した沈殿物
を濾取し、メタノールとベンゼンで洗浄した。これを減
圧乾燥させて目的物を得た。得られた化合物の融点は37
1 ℃(DSC) であった。
（２６））0.99g とアルデヒド（化学式（２７））0.16
g をテトラヒドロフラン（5ml ）とメタノール(10ml)混
合溶媒に入れて攪拌したところに0.17g のt-ブトキシカ
リウムを加えて１晩室温で反応させた。生成した沈殿物
を濾取し、メタノールとベンゼンで洗浄した。これを減
圧乾燥させて目的物を得た。得られた化合物の融点は37
1 ℃(DSC) であった。
【００６２】実施例１と同様に、質量分析の結果分子イ
オンピークが394 に見られた（図１０）ことと赤外吸収
スペクトル（図１１）において原料のアルデヒド化合物
のC=O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失し
ていることから、得られた化合物の構造は（化学式（２
８））で示す1,2-ビス（キノリン[6,5-b] チオフェン-2
- イル）エチレンと同定できた。
オンピークが394 に見られた（図１０）ことと赤外吸収
スペクトル（図１１）において原料のアルデヒド化合物
のC=O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失し
ていることから、得られた化合物の構造は（化学式（２
８））で示す1,2-ビス（キノリン[6,5-b] チオフェン-2
- イル）エチレンと同定できた。
【００６３】
【化２１】
【００６４】さらに、昇華法によって高純度精製した試
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図１２に示したように、DTE-PPはトルエン溶液中でピー
ク波長428nm 、455nm の強い青色蛍光を示した。このと
きの蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘
導体の一つであるDPVBi のそれぞれ2.9 倍、2.1 倍であ
った（表１）。
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図１２に示したように、DTE-PPはトルエン溶液中でピー
ク波長428nm 、455nm の強い青色蛍光を示した。このと
きの蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘
導体の一つであるDPVBi のそれぞれ2.9 倍、2.1 倍であ
った（表１）。
【００６５】＜実施例５＞ ＜5-｛2 ’-(n-ブチルジメチルシロキシメチル) ベンゾ
[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル- エテニル｝
- キノリン[6,5-b] チオフェン[DTE-BP]の合成＞実施例
４で用いたスホニウム塩（化学式（２６））0.38g と実
施例２で合成したアルデヒドと同様の方法で合成したア
ルデヒド（化学式（２９））0.52g をテトラヒドロフラ
ン（10ml）とメタノール(10ml)混合溶媒に入れて攪拌し
たところに0.24g のt-ブトキシカリウムを加えて１晩室
温で反応させた。生成した沈殿物を濾取し、メタノール
とベンゼンで洗浄した。これを減圧乾燥させて目的物を
得た。得られた化合物の融点は306 ℃(DSC) であった。
[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル- エテニル｝
- キノリン[6,5-b] チオフェン[DTE-BP]の合成＞実施例
４で用いたスホニウム塩（化学式（２６））0.38g と実
施例２で合成したアルデヒドと同様の方法で合成したア
ルデヒド（化学式（２９））0.52g をテトラヒドロフラ
ン（10ml）とメタノール(10ml)混合溶媒に入れて攪拌し
たところに0.24g のt-ブトキシカリウムを加えて１晩室
温で反応させた。生成した沈殿物を濾取し、メタノール
とベンゼンで洗浄した。これを減圧乾燥させて目的物を
得た。得られた化合物の融点は306 ℃(DSC) であった。
【００６６】
【化２２】
【００６７】実施例１と同様に、質量分析の結果分子イ
オンピークが543 に見られた（図１３）ことと赤外吸収
スペクトル（図１４）において原料のアルデヒド化合物
のC=O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失し
ていることから、得られた化合物の構造は化学式（３
０）で示す5-｛2 ’-(n-ブチルジメチルシロキシメチ
ル) ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル-
エテニル｝- キノリン[6,5-b] チオフェンであることが
同定できた。
オンピークが543 に見られた（図１３）ことと赤外吸収
スペクトル（図１４）において原料のアルデヒド化合物
のC=O 伸縮に基づく1700cm-1付近の特性吸収帯が消失し
ていることから、得られた化合物の構造は化学式（３
０）で示す5-｛2 ’-(n-ブチルジメチルシロキシメチ
ル) ベンゾ[1,2-b:4,3-b’] ジチオフェン-2’- イル-
エテニル｝- キノリン[6,5-b] チオフェンであることが
同定できた。
【００６８】
【化２３】
【００６９】さらに、昇華法によって高純度精製した試
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図１５に示したように、DTE-BPはトルエン溶液中でピー
ク波長431nm 、457nm の強い青色蛍光を示した。このと
きの蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘
導体の一つであるDPVBi のそれぞれ3.6 倍、1.6 倍であ
った（表１）。
料について実施例１と同様に蛍光測定を行ったところ、
図１５に示したように、DTE-BPはトルエン溶液中でピー
ク波長431nm 、457nm の強い青色蛍光を示した。このと
きの蛍光強度および量子収率はジスチリルアリーレン誘
導体の一つであるDPVBi のそれぞれ3.6 倍、1.6 倍であ
った（表１）。
【００７０】＜実施例６＞ ＜DTE-BBを用いたＥＬ素子の作製＞プラズマ洗浄したIT
O 付きガラス基板上に正孔注入材料として銅フタロシア
ニンを10nm、正孔輸送材料としてα-NPDを40nm順次蒸着
した。引き続いて、発光材料として本発明の合成で得ら
れたDTE-BB（化学式（８））をドーパントとし、ホスト
材料として先述の文献（アプライド・フィジックス・レ
ター第67巻、3853頁（1995年）[Appl. Phys. Lett., 6
7, 3853(1995)] 、特開平08-333283 号公報、特開平06-
100857 号公報）に記載のジスチリルアリーレン誘導体
のDPVBi （化学式（３１））、（以下、DPVBi をホスト
材料とする素子を素子１とする）もしくは文献（特願平
10-138829 ）記載のアントラセン誘導体のBPh-An（化学
式（３２））、（以下、BPh-Anをホスト材料とする素子
を素子２とする）を共蒸着した。このとき、DTE-BBとDP
VBi の割合が1:100 となるように共蒸着した。DTE-BBと
BPh-Anの場合も1:100 となるように共蒸着した。膜厚は
どちらの場合も40nmとなるようにした。その後電子注入
材料としてAlQ を30nm蒸着した。その上にLiF を0.5nm
蒸着し、陰極としてAlを蒸着してＥＬ素子を得た。
O 付きガラス基板上に正孔注入材料として銅フタロシア
ニンを10nm、正孔輸送材料としてα-NPDを40nm順次蒸着
した。引き続いて、発光材料として本発明の合成で得ら
れたDTE-BB（化学式（８））をドーパントとし、ホスト
材料として先述の文献（アプライド・フィジックス・レ
ター第67巻、3853頁（1995年）[Appl. Phys. Lett., 6
7, 3853(1995)] 、特開平08-333283 号公報、特開平06-
100857 号公報）に記載のジスチリルアリーレン誘導体
のDPVBi （化学式（３１））、（以下、DPVBi をホスト
材料とする素子を素子１とする）もしくは文献（特願平
10-138829 ）記載のアントラセン誘導体のBPh-An（化学
式（３２））、（以下、BPh-Anをホスト材料とする素子
を素子２とする）を共蒸着した。このとき、DTE-BBとDP
VBi の割合が1:100 となるように共蒸着した。DTE-BBと
BPh-Anの場合も1:100 となるように共蒸着した。膜厚は
どちらの場合も40nmとなるようにした。その後電子注入
材料としてAlQ を30nm蒸着した。その上にLiF を0.5nm
蒸着し、陰極としてAlを蒸着してＥＬ素子を得た。
【００７１】
【化２４】
【００７２】
【化２５】
【００７３】得られたＥＬ素子に直流電圧を印加したと
きの、最高輝度、最高ＥＬパワー効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
きの、最高輝度、最高ＥＬパワー効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
【００７４】
【表２】
【００７５】＜実施例７＞ ＜DTE-TTを用いたＥＬ素子の作製＞DTE-TTをゲスト材料
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
【００７６】＜実施例８＞ ＜DTE-BTを用いたＥＬ素子の作製＞DTE-BTをゲスト材料
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
【００７７】＜実施例９＞ ＜DTE-PPを用いたＥＬ素子の作製＞DTE-PPをゲスト材料
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
【００７８】＜実施例１０＞ ＜DTE-TPを用いたＥＬ素子の作製＞DTE-TPをゲスト材料
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
として用いた以外は実施例５と同様の材料、方法でＥＬ
素子を作製した。得られたＥＬ素子に直流電圧を印加し
たときの最高輝度、最高ＥＬ発光効率、CIE 色度座標、
200cd/m2からの輝度半減寿命を表２に示した。
【００７９】
【発明の効果】以上示したように本発明によって得られ
た1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いた有機ＥＬ素子は、高効率、高輝度で発光し
かつ実用輝度100cd/m2において従来の青色発光材料であ
るジスチリルアリーレン誘導体を発光材料として用いた
ＥＬ素子よりもかつ長寿命となった。
た1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いた有機ＥＬ素子は、高効率、高輝度で発光し
かつ実用輝度100cd/m2において従来の青色発光材料であ
るジスチリルアリーレン誘導体を発光材料として用いた
ＥＬ素子よりもかつ長寿命となった。
【００８０】
【図１】DTE-BB（化学式（８））の質量分析結果を示す
グラフ図。
グラフ図。
【図２】DTE-BB（化学式（８））の赤外吸収スペクトル
を示すグラフ図。
を示すグラフ図。
【図３】DTE-BB（化学式（８））の蛍光スペクトルを示
すグラフ図。
すグラフ図。
【図４】DTE-TT（化学式（９））の質量分析結果を示す
グラフ図。
グラフ図。
【図５】DTE-TT（化学式（９））の赤外吸収スペクトル
を示すグラフ図。
を示すグラフ図。
【図６】DTE-TT（化学式（９））の蛍光スペクトルを示
すグラフ図。
すグラフ図。
【図７】DTE-BT（化学式（１０））の質量分析結果を示
すグラフ図。
すグラフ図。
【図８】DTE-BT（化学式（１０））の赤外吸収スペクト
ルを示すグラフ図。
ルを示すグラフ図。
【図９】DTE-BT（化学式（１０））の蛍光スペクトルを
示すグラフ図。
示すグラフ図。
【図１０】DTE-PP（化学式（１０））の質量分析結果を
示すグラフ図。
示すグラフ図。
【図１１】DTE-PP（化学式（１０））の赤外吸収スペク
トルを示すグラフ図。
トルを示すグラフ図。
【図１２】DTE-PP（化学式（１０））の蛍光スペクトル
を示すグラフ図。
を示すグラフ図。
【図１３】DTE-TP（化学式（１０））の質量分析結果を
示すグラフ図。
示すグラフ図。
【図１４】DTE-TP（化学式（１０））の赤外吸収スペク
トルを示すグラフ図。
トルを示すグラフ図。
【図１５】DTE-TP（化学式（１０））の蛍光スペクトル
を示すグラフ図。
を示すグラフ図。
【図１６】有機ＥＬ素子構成例を示す説明図。
１６０１…透明陽極付き透明基板 １６０２…正孔注入材料 １６０３…正孔輸送材料 １６０４…発光材料 １６０５…電子注入材料 １６０６…誘電体 １６０７…陰極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 長崎 能徳 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 (72)発明者 田中 和彦 和歌山県和歌山市神波30−３ 紀伊合同宿 舎134号 Ｆターム(参考） 3K007 AB00 AB02 AB03 AB04 DA00 DA01 DB03 EB00 FA01
Claims (4)
- 【請求項１】下記化学式（１）に記載の化学構造を有す
る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。 【化１】 ただし、Ｘ、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかであり、
Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリ
スアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシ
メチル基である。 - 【請求項２】下記化学式（２）に記載の化学構造を有す
る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。 【化２】 ただし、Ｘ、Ｙは酸素、窒素、イオウ原子のいずれかで
あり、Ｒ、Ｒ’は水素原子、アルキル基、アルコキシ
基、トリスアルキルシロキシ基あるいはトリスアルキル
シロキシメチル基である。 - 【請求項３】下記化学式（３）に記載の化学構造を有す
る1,2-ジチオフェン- イル- エチレン誘導体を発光材料
として用いることを特徴とする有機ＥＬ素子。 【化３】 ただし、Ｘは酸素、窒素、イオウ原子のいずれかであ
り、Ｙは炭素、窒素原子のいずれかである。Ｒ、Ｒ’は
水素原子、アルキル基、アルコキシ基、トリスアルキル
シロキシ基あるいはトリスアルキルシロキシメチル基で
ある。 - 【請求項４】発光層における1,2-ジチオフェン- イル-
エチレン誘導体の占める割合が0.1から20% であること
を特徴とする請求項１から３の何れかに記載の有機ＥＬ
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017332A JP3736252B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | １，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体を用いた有機ｅｌ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000017332A JP3736252B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | １，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体を用いた有機ｅｌ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001210472A true JP2001210472A (ja) | 2001-08-03 |
| JP3736252B2 JP3736252B2 (ja) | 2006-01-18 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000017332A Expired - Fee Related JP3736252B2 (ja) | 2000-01-26 | 2000-01-26 | １，２−ジチオフェン−イル−エチレン誘導体を用いた有機ｅｌ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3736252B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007112878A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Ricoh Co Ltd | ベンゾジチオフェン重合体 |
| JP2009057326A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ベンゾジチオフェン誘導体並びにそれを用いた有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| JP2012503027A (ja) * | 2008-09-23 | 2012-02-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規な化合物、その製造方法、およびそれを用いた有機電子素子 |
-
2000
- 2000-01-26 JP JP2000017332A patent/JP3736252B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007112878A (ja) * | 2005-10-19 | 2007-05-10 | Ricoh Co Ltd | ベンゾジチオフェン重合体 |
| JP4712514B2 (ja) * | 2005-10-19 | 2011-06-29 | 株式会社リコー | ベンゾジチオフェン重合体 |
| JP2009057326A (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | ベンゾジチオフェン誘導体並びにそれを用いた有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜発光トランジスタ |
| JP2012503027A (ja) * | 2008-09-23 | 2012-02-02 | エルジー・ケム・リミテッド | 新規な化合物、その製造方法、およびそれを用いた有機電子素子 |
| EP2332931A4 (en) * | 2008-09-23 | 2012-02-29 | Lg Chemical Ltd | NOVEL COMPOUND, PROCESS FOR PREPARING THE SAME COMPOUND, AND ORGANIC ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME |
| JP2014111598A (ja) * | 2008-09-23 | 2014-06-19 | Lg Chem Ltd | 新規な化合物、その製造方法、およびそれを用いた有機電子素子 |
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