JP2001209813A - ２次元パターン生成方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 ラスタースキャン型の表示装置の塗りつぶし
処理を高速化する。 【解決手段】 ＣＰＵに記憶された塗りつぶしの対象図
形を構成するベクトルは、インターフェイスを介して２
次元パターン計算部３に入力され、交点計算部６が入力
されたベクトルとスキャンラインとの交点及び各種フラ
グを計算し、これを基にスパン計算部７が塗りつぶし領
域を、その中心付近に設定された基準点でスキャンライ
ンに沿った方向と垂直方向に分割し、各分割された領域
の塗りつぶしを論理演算により計算する。計算された塗
りつぶしデータは、スパンモノクローム変換部８に入力
され、２次元描画部で利用されるモノクロームデータに
変換される。２次元描画部は、変換されたモノクローム
データをローカルメモリに格納し、格納されたモノクロ
ームデータと新たに入力されたモノクロームデータとを
論理演算しながら塗りつぶしを実行する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、ＣＲＴ（cathod
e ray tube）等のラスタースキャン型表示装置におい
て、平面上に表現された図形の塗りつぶしの２次元パタ
ーン生成方法及び装置に関し、特にベクトルデータ形式
で構成された図形等の塗りつぶしの２次元パターン生成
方法及び装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、ＣＲＴ等のラスタースキャン
型表示装置を使用した２次元パターン生成装置での図形
の塗りつぶし方法は、その表示装置のディスプレイに向
かって、常に水平走査ライン（以下、スキャンラインと
呼ぶ。）の左側から右側に塗りつぶしをかけるものであ
る。即ち、スキャンラインの両端点間にある塗りつぶす
べき画素を読み出した後、その間の画素を反転して同じ
所に書き込む処理を繰り返すことにより、塗りつぶしを
行っている。以下、その方法を説明する。

【０００３】図２０は、従来装置により塗りつぶされた
２次元パターン領域を説明するための図である。

【０００４】図２０に示すように、スキャンラインＹｎ
は、ベクトルＶ０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３とそれぞれ交点Ｘ
ｎ０，Ｘｎ１，Ｘｎ２，Ｘｎ３で交わっている。この場
合、先ず始めに図２１（ａ）に示すように、スキャンラ
インＹｎと各交点Ｘｎ０，Ｘｎ１，Ｘｎ２，Ｘｎ３との
描画情報を初期化する。このとき、例えば塗りつぶし有
りが１、塗りつぶし無しが０とすると、初期化された部
分は０になり、塗りつぶされていない状態になる。次
に、同図（ｂ）に示すように、スキャンラインＹｎの開
始位置Ｘ０から交点Ｘｎ０までの区間（以下、スパンと
呼ぶ。）を読み出し、読み出された０を反転して書き込
むことで塗りつぶしを行っている。このときの反転は、
既に書き込まれた部分の情報と、新たに書き込む部分の
情報とをＥＸ−ＯＲ（Exclusive−OR）論理演算を行う
ことで実現している。このような処理を同図（ｃ），
（ｄ），（ｅ）に示すようにＸｎ１〜Ｘｎ３についても
同様に行うことで、結果として塗りつぶし処理を実行し
ている。

【０００５】上記の塗りつぶしを領域的な面から見た例
を図２２に示すと、先ず同図に四角い枠で表されている
設定された２次元パターン領域が初期化され、次に同図
（ａ）に示すように、ベクトルＶ０が与えられると、そ
のベクトルの始点（Ｘ０，Ｙ０）から終点（Ｘ１，Ｙ
１）に向かって図示しないスキャンラインとベクトルＶ
０との各交点が計算され、その計算結果に基づき、２次
元パターン領域上の、この場合スキャンラインの左端部
分からベクトルＶ０との交点部分までの間の、領域Ｒ０
が塗りつぶされる。この領域Ｒ０の塗りつぶしは、上述
の通り既に書き込まれた部分と新たに書き込まれる部分
とをＥＸ−ＯＲ論理演算することにより行っている。同
図（ｂ）はベクトルＶ１について、同図（ｃ）はベクト
ルＶ２について、同図（ｄ）はベクトルＶ３についてそ
れぞれその始点（Ｘ１，Ｙ１），（Ｘ２，Ｙ２），（Ｘ
３，Ｙ３）から終点（Ｘ２，Ｙ２），（Ｘ３，Ｙ３），
（Ｘ０，Ｙ０）に向かってスキャンラインとの各交点が
計算され、それら交点部分とスキャンラインの左端部分
との間の領域Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３が同図に示すように塗り
つぶされることを示しており、同図（ｅ），（ｆ），
（ｇ）は、これらの塗りつぶし処理によりそれぞれ生成
されるパターンを示している。最終的にはこうして塗り
つぶされた各領域Ｒ０〜Ｒ３のＥＸ−ＯＲ論理演算をす
ることによってベクトルＶ０〜Ｖ３で囲まれた領域を塗
りつぶしている。この場合、同図（ｈ）に示すように塗
りつぶしの処理回数を見てみると、少なくとも４回は塗
りつぶしをしており、奇数回のときに塗りつぶし、偶数
回のときには塗りつぶさないという規則が成り立ってい
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た２次元パターン生成装置での図形の塗りつぶしは、常
に２次元パターン領域の一端部から各ベクトルと走査ラ
インとの交点（例えば左端部から右端部）に向かって行
っているため、塗りつぶす平均の画素数が多くなり塗り
つぶし回数も増え処理速度が遅いという問題がある。ま
た、その多くなった画素数に対応したメモリ等を使用す
るといった２次元パターン生成装置の部品構成が必要と
なり、コストの上昇を招くおそれがあるという問題もあ
る。

【０００７】この発明は、このような問題点に鑑みなさ
れたもので、ベクトルで構成された図形等の領域の塗り
つぶしの効率を向上させることができる２次元パターン
生成方法及び装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明に係る２次元パタ
ーン生成方法は、塗りつぶしの対象となる対象図形を構
成するベクトルを入力すると共に、前記対象図形の塗り
つぶし領域の走査ライン上に塗りつぶしの基準点を設定
し、前記走査ライン上に設定された前記基準点の各々は
一直線上にあり、その直線と前記対象図形とは少なくと
も一点で交わり、前記各ベクトルと各走査ラインとの交
点から走査ライン上の前記基準点までの間の画素を反転
する処理を、全てのベクトルと走査ラインとの交点につ
いて実行することにより前記対象図形を塗りつぶすこと
を特徴とする。

【０００９】この発明に係る２次元パターン生成方法と
しては、塗りつぶしの対象となる対象図形を構成するベ
クトルを入力すると共に、前記対象図形の塗りつぶし領
域の走査ライン方向の中心付近に塗りつぶしの基準点を
設定し、前記各ベクトルと各走査ラインとの交点から走
査ライン上の前記基準点までの間の画素を反転する処理
を、全てのベクトルと走査ラインとの交点について実行
することにより前記対象図形を塗りつぶすものなどが考
えられる。

【００１０】本発明に係る２次元パターン生成装置は、
塗りつぶし処理された対象図形の画像データが記憶され
るメモリと、前記塗りつぶし処理される対象図形を構成
するベクトルを入力し、前記各ベクトルと各走査ライン
との交点を計算すると共に、算出された各交点と、前記
対象図形の塗りつぶし領域の走査ライン上に設定され
た、それぞれが直線上に並びその直線が前記対象図形と
少なくとも一点で交わるような基準点との間の塗りつぶ
し処理すべきスパンを算出し、この算出されたスパンに
相当する前記メモリ上の画像データを反転して再描画す
る描画処理手段とを備えたことを特徴とする。

【００１１】この発明に係る２次元パターン生成装置と
しては、塗りつぶし処理された対象図形の画像データが
記憶されるメモリと、前記塗りつぶし処理される対象図
形を構成するベクトルを入力し、前記各ベクトルと各走
査ラインとの交点を計算すると共に、算出された各交点
と前記対象図形の塗りつぶし領域の走査ライン方向の中
心付近に設定された基準点との間の塗りつぶし処理すべ
きスパンを算出し、この算出されたスパンに相当する前
記メモリ上の画像データを反転して再描画する描画処理
手段とを備えたものなどが考えられる。

【００１２】この発明によれば、塗りつぶしの対象とな
る図形を構成するベクトルで囲まれた領域を塗りつぶす
ために、例えばその塗りつぶす領域の中心付近に各走査
ライン上の基準点を設定し、その設定された基準点から
各ベクトルと走査ラインとの交点までを塗りつぶすよう
にしている。このため、領域の端点から各ベクトルと走
査ラインとの交点までを塗り潰す従来の方法に比べ、塗
りつぶす平均の画素数が少なくなり塗りつぶし回数も減
少するので、塗りつぶしに掛かる処理速度が速くなり、
且つ塗りつぶしの処理能力が向上する。また、塗りつぶ
しを中心の基準点で半分に分けて行うので、一度に塗り
つぶす平均の画素数等の処理データが軽減され、結果と
してメモリやＣＰＵ等の増設・変更などに伴うコストを
抑えることが可能になる。

【００１３】なお、この発明における前記描画処理手段
は、好ましくは前記対象図形の頂点であって、その頂点
によって連結される２つのベクトルがその頂点を通る走
査ラインを境としてそれぞれ異なる側に存在する場合、
先のベクトルの終点について当該走査ライン上で行った
描画処理を、次のベクトルの始点について当該走査ライ
ン上では行わないものである。

【００１４】また、前記描画処理手段は、前記ベクトル
から前記走査ラインと平行なベクトルを取り除いて処理
するものであることが望ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して、この発明
の好ましい実施の形態について説明する。図１は、この
発明の一実施例に係る２次元パターン生成装置の基本構
成を説明するためのブロック図である。

【００１６】ＣＰＵ１は、水平方向をＸ方向、垂直方向
をＹ方向として塗りつぶしの対象図形を構成するベクト
ルの各始点，終点、例えば（Ｘ０，Ｙ０），（Ｘ１，Ｙ
１），（Ｘ２，Ｙ２），．．．，（Ｘｎ，Ｙｎ）等のデ
ータを出力する。ＣＰＵ１から出力される図形データと
してのベクトルは、インターフェイス２を介して２次元
パターン計算部３に供給されている。２次元パターン計
算部３では、ＣＰＵ１から供給されたベクトルに基づき
塗りつぶす領域を論理演算により算出する。算出された
塗りつぶし領域は、２次元描画部４に入力され、そこで
例えばビデオＲＡＭ（ＶＲＡＭ）等のローカルメモリ５
に描画され塗りつぶし処理が施される。２次元描画部４
は、塗りつぶし処理を実行する際に逐次ローカルメモリ
５に２次元パターン計算部３から送られてきたデータを
書き込み保存し、書き込みの際には、既に書き込まれて
いるデータと新しく書き込まれるデータとの論理演算を
行っている。ローカルメモリ５は、２次元描画部４から
のデータを保存・出力し、そのデータは１バイト毎の単
位でアクセスされるようローカルメモリ５内の記憶領域
に構築されている。なお、２次元パターン計算部３と２
次元描画部４とで、この発明における描画処理手段が構
成されている。

【００１７】次に、上記の２次元パターン計算部３を詳
しく説明する。図２は、２次元パターン計算部３内の基
本構成を示す図である。

【００１８】ＣＰＵ１から出力され２次元パターン計算
部３に入力されたベクトルは、先ず交点計算部６に入力
され、ベクトルとスキャンラインとの交点座標等が計算
される。計算された交点座標等のデータは、スパン計算
部７に出力され、スパン計算部７は、入力された交点座
標等のデータに基づき塗りつぶす領域の画素数等を表す
スパンデータを算出する。算出されたスパンデータは、
スパンモノクローム変換部８に出力され、スパンモノク
ローム変換部８は、入力されたスパンデータを後段の２
次元描画部４で使用されるモノクロームデータ（ローカ
ルメモリ５のアクセスに適したデータ）に変換し、２次
元描画部４に出力する。

【００１９】このように構成された２次元パターン計算
部３について更に詳しく説明する。図３は、交点計算部
６の処理を示す図である。なお、本実施例ではベクトル
は反時計回りの方向性を持って定義されているものとす
る。

【００２０】まず、図３（ａ）に示すように、入力され
たベクトルデータに基づき交点計算部６は、ベクトルＶ
０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３とスキャンラインＹｎとの頂点座
標（Ｘ０，Ｙ０），（Ｘ１，Ｙ１），（Ｘ２，Ｙ２），
（Ｘ３，Ｙ３）を取得する。この交点計算部６で取得さ
れるデータは、同図（ｂ）に示すように、上記ベクトル
とスキャンラインとの交点のＸ座標値（Ｘ），Ｙ座標値
（Ｙ）の他、ベクトルが最初にスキャンラインと交わる
点の有無を表すエッジスタートフラグ（ＥＳＦ）、ベク
トルが最後にスキャンラインと交わる点の有無を表すエ
ッジエンドフラグ（ＥＥＦ）、２次元パターンを構成す
る最初のベクトルと最初のスキャンラインとの交点を表
すプレーンスタートフラグ（ＰＳＦ）、２次元パターン
を構成する最後のベクトルと最後のスキャンラインとの
交点を表すプレーンエンドフラグ（ＰＥＦ）、下向きの
ベクトルを表すダウンフラグ（ＤＷＦ）等がある。この
うち、ＤＷＦは、ベクトルの始点のＹ座標値が終点のＹ
座標値よりも小さいときに付与される。すなわち、同図
（ａ）のベクトルＶ０を例にとると、Ｙ０＜Ｙ１である
からＤＷＦ＝１となっていることが分かる。また、同図
（ｃ）は、取得されたデータのうちベクトルＶ０〜Ｖ３
に設けられたスキャンラインとの交点ａ〜ｈのフラグの
状態を示している。

【００２１】更に、この交点計算部６は、入力されたベ
クトルが例えば図４に示すようなスキャンラインＹｎと
水平なベクトルＶｈ１，Ｖｈ２であることを検出した場
合には、そのベクトルデータを除去して、後段のスパン
計算部７には出力しないようにする。スキャンラインと
水平なベクトル成分は、塗りつぶしのために演算処理す
る必要が無く、除去することで演算処理量を軽減し全体
としての演算速度を速めることができるので、その分処
理能力の向上が見込まれるからである。

【００２２】上記の処理により、交点計算部６で取得さ
れたデータは、次にスパン計算部７に入力される。図５
は、スパン計算部７の基本構成を示すブロック図であ
る。

【００２３】スパン計算部７に入力されたデータのう
ち、ベクトルとスキャンラインとの交点の座標値Ｘ，Ｙ
は、それぞれＸＣレジスタ１０及びＹＣレジスタ１２に
格納される。また、ＸＭレジスタ１１は、予め２次元パ
ターン計算部３で設定され、図示しない表示装置の画面
上の中心付近に設けられた基準点から構成される中心線
のＸ座標値ＸＭを格納する。更に、各種フラグデータＥ
ＳＦ，ＰＳＦ，ＥＥＦ，ＰＥＦ，ＤＷＦは、それぞれＥ
ＳＦレジスタ１４，ＰＳＦレジスタ１５，ＥＥＦレジス
タ１６，ＰＥＦレジスタ１７，ＤＷＦＣレジスタ１３に
格納される。ＸＣレジスタ１０，ＸＭレジスタ１１から
出力されたデータ及びＤＷＦＣレジスタ１３から出力さ
れたデータのうちの一部を算術論理ユニット（ＡＬＵ）
２２は入力し、演算処理によって塗りつぶしの始まるＸ
座標値ＸＳ、塗りつぶしの終わるＸ座標値ＸＥを算出し
後段へ出力すると共に、塗りつぶし処理を実行するか否
かを決定するフラグデータＦＬＥＮを算出し制御部（Ｃ
ＮＴＬ）２３に出力する。

【００２４】この算術論理ユニット２２は、先ず入力さ
れたＸＣとＸＭとの値を比較し、次にＤＷＦ値が１か０
か（下向きか上向きか）を認定して塗りつぶしパターン
を決定する。この塗りつぶしパターンは、図６に示すよ
うに全部で６通りのパターンがある。例えば、ＸＣ＜Ｘ
ＭでＤＷＦ値が１（下向き）のときは、塗りつぶしパタ
ーンＮｏ．１が採用されＸ及びＸＭを含むスキャンライ
ンに沿った方向の画素が塗りつぶされるという具合であ
る。また、この塗りつぶしパターンは、ベクトルのもつ
方向性によって変化する。即ち、本実施例のようにベク
トルが反時計回りの方向性に定義されているときは図６
の通りだが、ベクトルが時計回りの方向性に定義されて
いるときは塗りつぶしパターン１，２，３と４，５，６
とが入れ替わった塗りつぶしパターンが採用されるので
ある。

【００２５】ＹＣレジスタ１２から出力されたデータ
は、ＹＰレジスタ１８、比較器（Ｙ＿ＣＯＭＰ）２０に
入力されると共に、そのデータのうちの一部はそのまま
後段へ出力される。ＹＰレジスタ１８は、現在のベクト
ルとスキャンラインとの交点よりも一つ前に処理された
ベクトルとスキャンラインとの交点のＹ座標値を格納す
るものであり、比較器２０は、ＹＣレジスタ１２及びＹ
Ｐレジスタ１８からの出力を取り込み、現在のベクトル
とスキャンラインとの交点のＹ座標値と、その一つ前に
処理されたベクトルとスキャンラインとの交点のＹ座標
値とを比較し、その結果ＹＥＱを制御部（ＣＮＴＬ）２
３に出力する。

【００２６】ＤＷＦＣレジスタ１３から出力されたデー
タは、ＤＷＦＰレジスタ１９、比較器（ＤＷＦ＿ＣＯＭ
Ｐ）２１及び前述のように算術論理ユニット２２に入力
される。ＤＷＦＰレジスタ１９は、現在のベクトルとス
キャンラインとの交点よりも一つ前に処理されたベクト
ルとスキャンラインとの交点のＤＷＦフラグデータを格
納するものであり、比較器２１は、ＤＷＦＣレジスタ１
３及びＤＷＦＰレジスタ１９からの出力を取り込み、現
在のベクトルとスキャンラインとの交点のＤＷＦフラグ
データと、その一つ前に処理されたベクトルとスキャン
ラインとの交点のＤＷＦフラグデータとを比較し、その
結果ＤＷＦＥＱを制御部（ＣＮＴＬ）２３に出力する。

【００２７】比較器（Ｙ＿ＣＯＭＰ）２０及び比較器
（ＤＷＦ＿ＣＯＭＰ）２１から出力される結果ＹＥＱ及
びＤＷＦＥＱは、図７に示すように、比較対象同士が等
しいときは１になり、等しくないときは０になる。制御
部２３は、レジスタ１４〜１７の出力データと算術論理
ユニット２２からの出力データ（ＦＬＥＮ）及び比較器
２０，２１からの出力データ（ＹＥＱ，ＤＷＦＥＱ）を
入力し、ベクトルとスキャンラインとの現在の交点から
算出されたスパンの塗りつぶしを行うかどうかを示すフ
ラグＷＥＮを計算する。

【００２８】図８は、制御部２３に入力された各データ
とこのようにして計算されたフラグＷＥＮとの関係を示
す図であり、どのような条件でフラグＷＥＮをオン／オ
フ状態に切替えているのかを表している。同図による
と、例えば図９（ａ），（ｂ）に示すように、先行する
ベクトルＶａと次のベクトルＶｂとを連結する頂点ｄが
スキャンラインＹｎと交わり、且つベクトルＶａ，Ｖｂ
がスキャンラインＹｎを境として互いに異なる側に存在
する場合、ＦＬＥＮはオンでＰＥＦ，ＰＳＦ，ＥＥＦは
０に、ＥＳＦ，ＹＥＱ，ＤＷＦＥＱは１になり、ＦＬＥ
Ｎはオンであるがスパンの塗りつぶしを実施するフラグ
ＷＥＮはオフ状態に選択されていることが分かる。これ
は、ベクトルＶａ側での描画によって得られたパターン
をベクトルＶｂ側の描画によって反転させてしまうのを
防止するためである。

【００２９】このようにしてスパン計算部７で計算さ
れ、結果として後段に出力されるデータは、図１０に示
すように、スパンの始まりを示すＸ座標値ＸＳ、スパン
の終わりを示すＸ座標値ＸＥ、スパンのＹ座標値Ｙ、２
次元描画部４にスパンを書き込むかどうかを示すフラグ
ＷＥＮである。

【００３０】スパン計算部７で計算されたデータは、次
にスパンモノクローム変換部８に入力される。スパンモ
ノクローム変換部８は、入力されたスパンデータを後段
の２次元描画部４で使用されるモノクロームデータに変
換して出力する役割を担っており、ここで変換され出力
されるデータはモノクロームデータといい、図１１に示
すようにローカルメモリ５のアドレスを示すデータ（Ａ
ＤＲ）とアドレスに対応したモノクロームパターンを示
すデータ（ＤＡＴＡ）とがある。このモノクロームデー
タは、１画素をローカルメモリ５の１ビットに対応させ
たデータであり、２次元描画部４を経てローカルメモリ
５に保存される。例えば、図１２に示すように、２次元
描画部４のメモリ内で１６×１６のパターンで構成され
た領域では、ローカルメモリ５は１バイト単位毎にアク
セスされるものとすると、モノクロームデータは、その
１バイト内の各ビットを１画素に対応させたものであ
る。即ち、塗りつぶされている領域Ｒ０は、アドレスＡ
ＤＲ（ｎ+６）のＤＡＴＡ［７：０］の範囲ではＤＡＴ
Ａ＝ＦＥとあるのでＤＡＴＡ［７：１］の範囲を反転す
る。このように、スパンモノクローム変換部８では、２
次元描画部４及びローカルメモリ５でスパン計算部７か
らのデータを利用できるようにして整合をとっている。

【００３１】次に、このようにして構成された本実施例
の２次元パターン生成装置の動作について説明する。

【００３２】図１３（ａ）は、１６×１６のパターン領
域にあるベクトルＶ０〜Ｖ３からなる２次元パターンを
視覚的に表現した図であり、同図（ｂ）は、ベクトルＶ
０〜Ｖ３とスキャンラインＹ０〜Ｙ４との交点をまとめ
たものである。

【００３３】先ず、スキャンラインＹ０において、スキ
ャンラインＹ０がベクトルＶ０及びＶ３と交わったとき
の交点Ｘ００，Ｘ０１についてみると、交点Ｘ００では
スパン計算部７で算出された図６に示す塗りつぶしパタ
ーンのうちのＮｏ．２が採用されＸＭの領域が塗りつぶ
される。また、交点Ｘ０１では、塗りつぶしパターンＮ
ｏ．５が採用されＸＭの領域は塗りつぶされない。従っ
て、これらの塗りつぶしパターンをＥＸ−ＯＲ論理演算
することにより導出された塗りつぶし動作の結果は、図
１４に示すようにＸＭ領域を塗りつぶすということにな
る。

【００３４】スキャンラインＹ１とベクトルＶ０及びＶ
３との交点Ｘ１０，Ｘ１１では、塗りつぶしパターンＮ
ｏ．１及びＮｏ．６が採用されＸ１０からＸＭまでの領
域が塗りつぶされると共にＸＭを除いたＸＭからＸ１１
までの領域が塗りつぶされる。従って、演算による結果
は、図１５に示すようにＸ１０からＸ１１までの領域が
塗りつぶされることとなる。

【００３５】また、スキャンラインＹ２では、ベクトル
Ｖ０，Ｖ１，Ｖ２，Ｖ３との交点Ｘ２０，Ｘ２１，Ｘ２
２，Ｘ２３においてそれぞれ塗りつぶしパターンＮｏ．
１，Ｎｏ．５，Ｎｏ．２，Ｎｏ．６が採用される。塗り
つぶしパターンＮｏ．１のときは、Ｘ２０からＸＭまで
の範囲が塗りつぶされ、Ｎｏ．５のときは塗りつぶしは
行われない。また、Ｎｏ．２のときは、Ｘ２２（ＸＭ座
標値と同一）が塗りつぶされ、Ｎｏ．６のときは、ＸＭ
を除くＸＭからＸ２３までの範囲が塗りつぶされる。こ
れらの演算による結果は、図１６に示すようにＸＭを除
くＸ２０からＸ２３までの範囲が塗りつぶされることと
なる。

【００３６】スキャンラインＹ３では、図１７に示すよ
うにベクトルＶ０〜Ｖ３との交点Ｘ３０，Ｘ３１，Ｘ３
２，Ｘ３３においてそれぞれ塗りつぶしパターンＮｏ．
１，Ｎｏ．４，Ｎｏ．３，Ｎｏ．６が採用され、Ｘ３０
ではＸ３０からＸＭまでの範囲が塗りつぶされ、Ｘ３１
ではＸ３１を除くＸ３１からＸＭまでの範囲が塗りつぶ
される。Ｘ３２では、ＸＭ及びＸ３２を除くＸＭからＸ
３２までの範囲が塗りつぶされ、Ｘ３３ではＸＭを除く
ＸＭからＸ３３までの範囲が塗りつぶされる。従って、
演算の結果により得られる塗りつぶしはＸ３０からＸ３
１までの範囲とＸ３２からＸ３３までの範囲となる。

【００３７】また、スキャンラインＹ４では、ベクトル
Ｖ０〜Ｖ３との交点Ｘ４０，Ｘ４１，Ｘ４２，Ｘ４３に
おいてそれぞれ塗りつぶしパターンＮｏ．１，Ｎｏ．
４，Ｎｏ．３，Ｎｏ．６が採用される。Ｘ４０ではＸ４
０からＸＭまでの範囲が、また、Ｘ４１ではＸ４１を除
くＸ４１からＸＭまでの範囲が塗りつぶされ、Ｘ４２で
はＸＭ及びＸ４２を除くＸＭからＸ４２までの範囲が、
Ｘ４３ではＸＭを除くＸＭからＸ４３までの範囲が塗り
つぶされる。これらを演算し得られた結果は、図１８に
示すようにＸ４０及びＸ４１（Ｘ４０，Ｘ４１は同一Ｘ
座標値）の範囲とＸ４２及びＸ４３（Ｘ４２，Ｘ４３は
同一Ｘ座標値）の範囲とが塗りつぶされることとなる。
このような塗りつぶし動作が行われることにより、塗り
つぶし処理量が軽減され処理速度が向上する。

【００３８】このような塗りつぶしを全体的に表してみ
ると、例えば図１９Ａに示すようにスキャンラインＹｎ
（＝Ｙ３）について見た場合、確かに演算の結果により
得られる塗りつぶしはＸ３０からＸ３１までの範囲とＸ
３２からＸ３３までの範囲となっていることがわかる。
また、同図は、中心付近に設定した点ＸＭで塗りつぶし
領域を２つに分け、それぞれについて塗りつぶし処理を
行っていることも表している。

【００３９】上述した塗りつぶし動作を視覚的に分かる
ように従来装置によるものと比較してみると、図１９Ｂ
に示すように、塗りつぶす領域（処理するデータ量）を
全体的に考えた場合、本発明の装置による塗りつぶし領
域は従来装置によるものより遥かに少ないことが分か
る。一般的に塗りつぶし対象図形の塗りつぶし領域は、
全体の領域の中心付近部分に位置するので、本発明の塗
りつぶしのように全領域の中心付近に設けた基準点で塗
りつぶし領域を分け、ピクセル毎を論理演算により判断
して、ベクトルで構成された領域を効果的に塗りつぶす
ことにより、処理データ量の軽減を図ることができるの
で、塗りつぶし処理の速度が速くなり、処理能力が向上
する。

【００４０】なお、上記実施例では、ベクトルの方向性
を反時計回りと定義したが、本発明はこれに限定される
ものではなく、例えば時計回りの方向性をもっているも
のとすれば、図６で示した塗りつぶしパターンＮｏ．
１，Ｎｏ．２，Ｎｏ．３とＮｏ．４，Ｎｏ．５，Ｎｏ．
６とを入れ替えて採用すれば良いので、ベクトルの方向
性にとらわれることなく種々の図形を塗りつぶすことが
可能である。

【００４１】また、上記実施例での塗りつぶしの基準点
の位置は、処理速度及び処理能力の面で塗りつぶす領域
の中心付近に位置することが望ましいが、本発明の要旨
によれば必ずしも塗りつぶす領域の中心付近でなくとも
よく、基準点を結んだ直線と前記対象図形とが少なくと
も一点で交わるような位置に基準点が設けられるのであ
れば、従来の塗りつぶし方法に比べ、処理速度及び処理
能力の面で効果が得られることは明らかである。

【００４２】

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
例えば塗りつぶす領域の中心付近に設けられた基準点か
ら各ベクトルと走査ラインとの交点までを塗りつぶすよ
うにしているので、余計な領域を塗りつぶす処理が不要
となり、塗りつぶしデータ処理量及び塗りつぶし動作回
数等を減らすことができ、処理の高速化が図れ処理能力
が向上するという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例に係る２次元パターン生
成装置の基本構成を示すブロック図である。

【図２】 同装置における２次元パターン計算部の基本
構成を示すブロック図である。

【図３】 同部内の交点計算部の処理を説明するための
図である。

【図４】 同処理を説明するための図である。

【図５】 同装置における２次元パターン計算部内のス
パン計算部の基本構成を示すブロック図である。

【図６】 同部内の算術論理ユニットで得られる塗りつ
ぶしパターンを示す図である。

【図７】 同部内の比較器の出力結果を説明するための
図である。

【図８】 同部内の制御部に入力されたデータとフラグ
ＷＥＮとの関係を示す図である。

【図９】 同関係の一例をベクトルとスキャンラインと
で表した図である。

【図１０】 同装置における２次元パターン計算部内の
スパン計算部からの出力結果を説明するための図であ
る。

【図１１】 同装置における２次元パターン計算部内の
スパンモノクローム変換部からの出力結果を説明するた
めの図である。

【図１２】 同装置における２次元描画部内のメモリ上
に構築されたパターン領域を示す図である。

【図１３】 同パターン領域でのベクトル及びスキャン
ラインの交点を説明するための図である。

【図１４】 同パターン領域での塗りつぶしと塗りつぶ
しパターンとの関係を示す図である。

【図１５】 同関係を示す図である。

【図１６】 同関係を示す図である。

【図１７】 同関係を示す図である。

【図１８】 同関係を示す図である。

【図１９Ａ】 同関係を全体的に表した図である。

【図１９Ｂ】 本発明の一実施例に係る２次元パターン
生成装置による塗りつぶしと従来装置による塗りつぶし
を示す図である。

【図２０】 従来装置により塗りつぶされた２次元パタ
ーン領域を示す図である。

【図２１】 同装置による塗りつぶし処理を説明するた
めの図である。

【図２２】 同処理を説明するための図である。

【符号の説明】

１…ＣＰＵ、２…インターフェイス、３…２次元パター
ン計算部、４…２次元描画部、５…ローカルメモリ、６
…交点計算部、７…スパン計算部、８…スパンモノクロ
ーム変換部、１０〜１９…レジスタ、２０，２１…比較
器、２２…算術論理ユニット、２３…制御部。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 塗りつぶしの対象となる対象図形を構成
   するベクトルを入力すると共に、前記対象図形の塗りつ
   ぶし領域の走査ライン上に塗りつぶしの基準点を設定
   し、 前記走査ライン上に設定された前記基準点の各々は一直
   線上にあり、その直線と前記対象図形とは少なくとも一
   点で交わり、 前記各ベクトルと各走査ラインとの交点から走査ライン
   上の前記基準点までの間の画素を反転する処理を、全て
   のベクトルと走査ラインとの交点について実行すること
   により前記対象図形を塗りつぶすことを特徴とする２次
   元パターン生成方法。
2. 【請求項２】 塗りつぶしの対象となる対象図形を構成
   するベクトルを入力すると共に、前記対象図形の塗りつ
   ぶし領域の走査ライン方向の中心付近に塗りつぶしの基
   準点を設定し、 前記各ベクトルと各走査ラインとの交点から走査ライン
   上の前記基準点までの間の画素を反転する処理を、全て
   のベクトルと走査ラインとの交点について実行すること
   により前記対象図形を塗りつぶすことを特徴とする請求
   項１記載の２次元パターン生成方法。
3. 【請求項３】 塗りつぶし処理された対象図形の画像デ
   ータが記憶されるメモリと、 前記塗りつぶし処理される対象図形を構成するベクトル
   を入力し、前記各ベクトルと各走査ラインとの交点を計
   算すると共に、算出された各交点と前記対象図形の塗り
   つぶし領域の走査ライン上に設定されたそれぞれが直線
   上に並びその直線が前記対象図形と少なくとも一点で交
   わるような基準点との間の塗りつぶし処理すべきスパン
   を算出し、この算出されたスパンに相当する前記メモリ
   上の画像データを反転して再描画する描画処理手段とを
   備えたことを特徴とする２次元パターン生成装置。
4. 【請求項４】 塗りつぶし処理された対象図形の画像デ
   ータが記憶されるメモリと、 前記塗りつぶし処理される対象図形を構成するベクトル
   を入力し、前記各ベクトルと各走査ラインとの交点を計
   算すると共に、算出された各交点と前記対象図形の塗り
   つぶし領域の走査ライン方向の中心付近に設定された基
   準点との間の塗りつぶし処理すべきスパンを算出し、こ
   の算出されたスパンに相当する前記メモリ上の画像デー
   タを反転して再描画する描画処理手段とを備えたことを
   特徴とする請求項３記載の２次元パターン生成装置。
5. 【請求項５】 前記描画処理手段は、前記対象図形の頂
   点であって、その頂点によって連結される２つのベクト
   ルがその頂点を通る走査ラインを境としてそれぞれ異な
   る側に存在する場合、先のベクトルの終点について当該
   走査ライン上で行った描画処理を、次のベクトルの始点
   について当該走査ライン上では行わないものであること
   を特徴とする請求項３又は４記載の２次元パターン生成
   装置。
6. 【請求項６】 前記描画処理手段は、前記ベクトルから
   前記走査ラインと平行なベクトルを取り除いて処理する
   ものであることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１
   項記載の２次元パターン生成装置。