JP2001205554A5 - - Google Patents

Claims (9)

1. 表面に複数の官能基を有する研磨パッドと、
   前記研磨パッドの表面に砥粒を含むスラリを供給するスラリ供給手段と
   を具備してなることを特徴とする研磨装置。
2. 表面に複数の官能基を有する研磨パッドの表面に砥粒を含むスラリを供給し、前記研磨パッドと接触した半導体基板上の被研磨面を研磨する工程を具備してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記スラリ中に浮遊砥粒が実質的に存在しなくなるように、前記研磨パッドの表面における前記複数の官能基の密度が選ばれていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記複数の官能基は、前記砥粒と反対に帯電していることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記複数の官能基は、マイナスに帯電した複数の官能基と、プラスに帯電した複数の官能基とからなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記複数の官能基は、アニオン系、カチオン系、両性系および非イオン系の少なくとも一種の官能基を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記アニオン系の官能基はスルホン酸型、カルボン酸型、硫酸エステル型およびリン酸エステル型の少なくとも一種の官能基を含み、前記カチオン系の官能基はアミン塩型および第４級アンモニウム塩型の少なくとも一種の官能基を含み、前記両性系の官能基はカルボキシベタイン型およびグリシン型の少なくともの一種の官能基を含み、前記非イオン系の官能基はエーテル型、エステル型およびアルカノールアミド型の少なくともの一種の官能基を含むことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
8. 前記砥粒は、酸化アルミニウム、シリカ、ベンガラ、セリア、カーボンもしくは二酸化マンガン、またはこれらの中から選ばれた複数の物質の混合物を含むことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記研磨パッドと接触する被研磨面は、アルミニウム、銅、タングステン、チタン、ニオブ、タンタル、銀、バナジウム、ルテニウムもしくはプラチナ、またはその酸化物、窒化物、ホウ化物もしくは合金からなる面、またはこれらの中から選ばれた複数の面であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。