JP2001203171A

JP2001203171A - 半導体デバイスのシリサイド形成方法

Info

Publication number: JP2001203171A
Application number: JP2000191709A
Authority: JP
Inventors: Ramanujapram A Srinivas; エー．スリニヴァスラマヌジャプラム; Brian Metzger; メッツガーブライアン; Wang Suurin; ワンスゥリン; Frederick C Wu; シー．ウーフレデリック
Original assignee: Applied Materials Inc
Current assignee: Applied Materials Inc
Priority date: 1999-06-25
Filing date: 2000-06-26
Publication date: 2001-07-27
Also published as: TW478096B; KR20010007527A

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、シリコン基板に接触するシリサイ
ド層を形成するための方法を与える。【解決手段】本方法は、Ｓｉ基板上にメタル含有層を
形成するステップと、メタル含有層を、Ｓｉ基板とは別
の珪素含有ソースに曝露するステップとを有している。
メタル含有層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソ
ースを主な出所とするシリコンを有するメタルシリサイ
ド層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスに
シリサイドを形成する方法に関し、特に、シリコン基板
と接触するシリサイド層を形成する方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路の製造ではしばしば、中間層又
は転移層をメタルバリア層として用いて、バリア層の下
の領域へのメタルの拡散を防止し、あるいは次に形成す
る層との接着性を高めたりする。この下の領域には、ト
ランジスタゲート、キャパシタ誘電体、半導体基板、メ
タルラインやその他の集積回路に存在する構造体が含ま
れる。

【０００３】例えば、トランジスタゲートから電極を形
成する場合、ゲート材料に接触するメタル層とゲート材
料の間に拡散バリアがよく用いられる。拡散バリアは、
ゲート材料へのメタルの拡散を防止し、このゲート材料
にはポリシリコンが用いられる場合がある。このメタル
の拡散は、トランジスタの特性を変えたり動作不能にし
たりするため、望ましくない。例えば、チタン／窒化チ
タンの組み合わせ（Ｔｉ／ＴｉＮ）が、拡散バリア／接
着としてよく用いられる。

【０００４】また、このようなバリアスタックをタング
ステン（Ｗ）メタライゼーションプロセスに用いて、ト
ランジスタのソース及びドレインへのコンタクトを与え
る。このバリアスタックは、タングステンプラグと下の
シリコン（Ｓｉ）基板の間に不要なメタル拡散が生じる
のを防止する。例えば、典型的にはＴｉ層をＳｉ基板の
コンタクト領域の上に堆積し、次いでＴｉ層をコンバー
ジョンすることにより、中間の珪化チタン（ＴｉＳ
ｉ_X）層にし、これはＳｉと低抵抗コンタクトを与え
る。Ｔｉの堆積をプラズマ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶ
Ｄ）により例えば５５０〜７００℃で行う場合、Ｔｉ膜
とその下のシリコン基板の間のコンタクトの底部で反応
が生じる。これは、シリコン基板の上に珪化チタン（Ｔ
ｉＳｉ_X）の層を形成することにつながる。あるいは、
Ｔｉ膜が物理気相堆積（ＰＶＤ）を用いて堆積される場
合、その後の膜処理の前又はその最中に行われるこれと
は別個の高速熱プロセス（ＲＴＰ）のステップにおいて
コンタクトの底部にＴｉＳｉ_X層が形成されることがあ
る。次いで、ＴｉＳｉ_X層の上にＴｉＮ層が形成され、
これに続いてタングステン（Ｗ）プラグが形成される。
このＴｉＮ層は、バリア層であることに加えて、２つの
機能を有し、すなわち１）タングステン（Ｗ）の堆積の
最中に六弗化タングステン（ＷＦ₆）によるＴｉＳｉ_Xへ
の化学的攻撃を防止し、２）Ｗプラグの接着性を向上す
る接着層として機能する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】今日、集積回路の表面
形状サイズは、約０．２５μｍの範囲である。半導体デ
バイスの表面形状の世代が０．２５μｍ以下の体制及び
０．１８μｍ以下の体制に近づきつつあり、デバイスが
同じ基板上に比較的狭いジャンクションやトレンチを有
することになるだろう。典型的には、ＴｉＳｉ_X中間層
の形成には、Ｓｉソースとして、Ｓｉ基板の一部を犠牲
にすることが必要になる。入手可能なＳｉの厚みが小さ
くなっているので、このようなＳｉの消費は、基板の電
気的特性を低下させ、基板上に形成されたデバイスが故
障したり、最終製品が基準以下となるだろう。

【０００６】従って、基板の品質やデバイスの特性につ
いて妥協せずにシリサイド層を形成するための代替的な
方法が、従来技術において必要とされている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
に接触するシリサイド層を形成するための方法を与え
る。本方法は、Ｓｉ基板上にメタル含有層を形成するス
テップと、メタル含有層を、Ｓｉ基板とは別の珪素含有
ソースに曝露するステップとを有している。メタル含有
層は、珪素含有ソースと反応し、珪素含有ソースを主な
出所とするシリコンを有するメタルシリサイド層を形成
する。

【０００８】

【発明の実施の形態】理解を容易にするため、各図に共
通の要素には、できる限り同じ符号を用いることとす
る。

【０００９】本発明は概して、デバイスの信頼性を向上
するシリサイド化コンタクトを形成する方法を与える。
本発明に従い、シリコン（Ｓｉ）を有する層、これは多
層メタライゼーション構造の中間層であってもよいが、
この層を珪素含有層又は基板上に形成する際、下層から
のシリコン（Ｓｉ）の消費がない。特に、本方法は、シ
リサイド化層、例えばＳｉと高融点金属を備えた層を、
下層の珪素含有層又は基板以外の代替的なＳｉベースの
ソースを用いて、基板の境界に形成する工程を有してい
る。一具体例では、珪化チタン（ＴｉＳｉ_X、titanium
silicide）をシリコン基板上に形成する。シリサイド
（珪化物）を形成するための従来技術とは対照的に、本
発明では、基板からＳｉをさほど消耗せずにＴｉＳｉ_X
を形成することが可能となる。本発明は、集積回路製造
の様々な段階を行う間、例えばトランジスタのソースや
ドレインや、ポリシリコンゲートへのコンタクト形成等
を行う間のシリサイド形成に適用可能である。

【００１０】ウエハ処理システム図１は、本発明の具体例を実施するために用いることが
可能なウエハ処理システム１０を模式的に示す。システ
ム１０は、プロセスチャンバ１００と、ガスパネル１３
０と、制御ユニット１１０とを、他のハードウェア部
品、例えば電源１０６や真空ポンプ１０２等と共に備え
ている。プロセスチャンバ１００の一例として、化学気
相堆積（ＣＶＤ）チャンバを挙げることができ、これは
１９９８年１２月１４日出願の米国特許出願第０９／２
１１９９８号、標題"High Temperature Chemical Vapor
Deposition"に記載されている。システム１０の重要な
特徴の幾つかを以下に説明する。

【００１１】チャンバ１００プロセスチャンバ１００は概して、支持ペデスタル１５
０を備えており、これはプロセスチャンバ１００内で半
導体ウエハ１９０等の基板を支持するために用いられ
る。このペデスタル１５０は典型的には、位置変更機構
（図示せず）を用いてチャンバ１００内で縦方向に移動
することが可能である。特定のプロセスにより、ウエハ
基板１９０は、処理の前に所望の温度に加熱される必要
がある。ここに例示するチャンバ１００では、ウエハ支
持ペデスタル１５０は埋め込み型のヒータ１７０で加熱
される。例えば、ペデスタル１５０は、ＡＣ電源１０６
からヒータ要素１７０に電流を与えることにより抵抗加
熱されてもよい。そして、ウエハ１９０が、ペデスタル
１５０により加熱され、プロセス温度の範囲、例えば４
５０〜７５０℃に維持される。また、温度センサ１７
２、例えば熱電対等が、ウエハ支持ペデスタル１５０に
埋め込まれ、従来技術の方法よりペデスタル１５０の温
度をモニタする。例えば、温度測定値をフィードバック
ループに用いて、加熱要素１７０への電源を制御するこ
とにより、特定のプロセス用途に適した所望の温度にウ
エハ温度を維持しあるいは制御することができる。

【００１２】ガスパネルを流れるガス流量の正確な制御
及び調節は、マスフローコントローラ（図示せず）とコ
ンピュータ等の制御ユニット１１０により行うことがで
きる。シャワーヘッド１２０により、ガスパネル１３０
からのプロセスガスが均一に分散されてチャンバ１００
内に導入される。例示すれば、制御ユニット１１０は、
中央処理ユニット（ＣＰＵ）１１２と、制御ソフトウェ
ア１１６に関しての保存のためのメモリを有する支持回
路１１４とを備えている。この制御ユニット１１０は、
ウエハ処理に必要な数多くのステップ、例えばウエハの
移送、ガス流量制御、温度制御、チャンバの脱気等の自
動制御の責務を負う。制御ユニット１１０と、システム
１０のいろいろな部品の間との間の双方向通信は、いろ
いろな信号ケーブルを介して取り扱われるが、これを総
称して信号バス１１８といい、この一部が図１に例示さ
れる。

【００１３】プロセスチャンバ１００の脱気及びチャン
バ１００内のガス流量と圧力を適正に維持するために、
真空ポンプ１０２が用いられる。シャワーヘッド１２０
は、この中を通ってプロセスガスがチャンバ１００へと
導入されるが、これはウエハ支持ペデスタル１５０の上
方に配置される。用途により、シャワーヘッド１２０に
は２つの独立の通路又はガスラインが具備され、予備混
合を行わずに２つのガスを別々にチャンバ１００に導入
できるようになる。この「デュアルガス」シャワーヘッ
ド１２０の詳細は、１９９８年６月１６日出願の米国特
許出願第０９／０９８９６９号、標題"Dual Gas Facepl
ate for a Showerhead in a Semiconductor Wafer Proc
essing System"に記載されている。このシャワーヘッド
１２０はガスパネル１３０に接続され、このガスパネル
はマスフローコントローラを通じて、プロセスシーケン
スの中の様々なステップで用いられる様々なガスを制御
し供給する。また、ウエハ処理中は、パージガス供給器
１０４がパージガス、例えば不活性ガスをペデスタル１
５０の底部の周りに供給し、不要な堆積物がペデスタル
１５０上に形成されることを防止する。

【００１４】シリサイドの形成図２ａ〜ｃは、本発明の一具体例を例示する。ここでは
概して、基板２００は、膜の処理を行うためのワークピ
ースのことを指し、また、基板２００上に形成された堆
積の物質の膜と共に基板２００を指すために基板構造体
２５０を用いる。以下の説明に用いるため、図２ａ〜ｃ
の基板２００は概して、例えばポリシリコン（例えばポ
リシリコンゲート電極等）等を有する珪素含有層や基
板、又はシリコンウエハのことを指す。

【００１５】図２ａは、例えば、シリコン基板２００の
上に予め形成された物質層２０２の上にメタル膜２０４
（ここでは「膜」と「層」は相互交換的に用いる）を有
する基板構造体２５０の断面を表す。この特定の例示で
は、物質層２０２は、酸化物（例えばＳｉＯ₂）等の絶
縁層であってもよく、この物質層は、従来技術の方法で
形成及びパターニングを行い、基板２００の境界面２０
２Ｉまで延びるコンタクトホールないし開口２０２Ｈで
ある。メタル膜２０４は概して、チタン（Ｔｉ）、タン
タル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）等の高融点金属であ
ってもよい。一具体例では、メタル膜２０４はＴｉ膜で
あり、これは従来技術のＴｉの堆積技術、例えばプラズ
マ励起化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）や物理位相堆積（Ｐ
ＶＤ）等により基板構造体２５０の上に堆積できる。典
型的には、Ｔｉ膜２０４は約２５〜約２００オングスト
ローム、好ましくは約５０〜約１００オングストローム
の厚さに堆積される。一具体例では、例えば、Ｔｉ膜２
０４は厚さ約１００オングストロームである。しかし、
この厚さを特定の用途によって変えてもよく、デバイス
の幾何的関係が小さくなるにつれ、約１００オングスト
ローム以下としてもよい。

【００１６】また、堆積したＴｉ膜２０４は、境界面２
００Ｉで基板２００の一部と接触する部分２０４Ｉを有
してもてもよい。図２ａに示されるように、堆積したＴ
ｉ膜２０４が共形でないため、コンタクトホール２０２
Ｈの側壁２０２Ｓは、Ｔｉで覆われていない。また、本
発明は、共形に堆積したＴｉ膜２０４により実施されて
もよい。Ｔｉ膜の堆積の方法は本発明に重要ではない
が、Ｔｉ膜の性質、例えば表面粗さ等は、次のプロセス
ステップで用いるプロセス条件のチョイスに影響するこ
とがある。

【００１７】Ｔｉ膜２０４の形成後、シリサイド化のス
テップを行い、Ｔｉ膜２０４の一部２０４Ｉを変化させ
てＴｉＳｉ_Xにする。特に本発明の好ましい具体例で
は、界面２０２Ｉで一部２０４Ｉを有するＴｉ膜２０４
は、Ｓｉ含有ソースや前駆体ガス（例えばシラン（Ｓｉ
Ｈ₄）やジシラン（Ｓｉ₂Ｈ₆）等を含むガス環境に曝露
される。シリサイド化のステップは、典型的には、Ｔｉ
やＴｉＮの堆積に用いられるような堆積チャンバで行う
ことができ、この場合のシリコン（珪素）含有前駆体の
流量は、約２０〜約３０００ｓｃｃｍ、全圧が約０．５
〜約２０トール、温度が約５００〜約７００℃である。
アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ）、ヘリウム（Ｈｅ）等と
いった不活性ガスを単独又は珪素含有前駆体ガスとの組
み合わせで用いてもよい。前駆体ガスがＳｉＨ₄の場合
は、例えば好ましいパラメータとしては、流量は約３０
００ｓｃｃｍ以下、好ましくは約１００〜約２０００ｓ
ｃｃｍ、更に好ましくは約５００ｓｃｃｍであり、分圧
は約０．５〜約２０トール、好ましくは約５トールであ
る。不活性ガスの流量は、珪素含有前駆体ガスの望まし
い分圧に従って変えてもよい。温度は、約５００〜約７
５０を用いてもよく、好ましくは約６５０℃である。一
般に、高温では反応速度が高くなるが、サーマルバジェ
ットを考慮すれば、プロセス温度は低い方が好ましい。

【００１８】プロセス温度により、ＴｉＳｉ_Xの形成は
１ステップ又は２ステップのいずれかで行われることに
なる。約６００℃よりも高い温度の場合、ＴｉＳｉ_X 層
２０５がシングルステップにより、図２ｂに示すＴｉ層
の一部２０４Ｉと珪素含有前駆体ガスの間の反応により
形成される。この具体例では、珪素含有前駆体ガスが反
応チャンバ内に導入されれば、Ｔｉ膜２０４と珪素含有
ガスの間で熱反応が始まり、ＴｉＳｉ_X が形成される。
Ｔｉ膜２０４と珪素含有ガスの間の反応を促進しつつ
も、Ｔｉ膜２０４Ｉとその下の珪素含有層や基板２００
の間の反応を最小限にするよう、プロセスパラメータが
選択される。例えば、高いパーセンテージないし分圧の
ガス環境や、低い基板温度は、Ｔｉ膜２０４と珪素含有
ガスの間の反応には好ましい。このように、ＴｉＳｉ_X
層２０５は、珪素含有前駆体ガスより主として生成した
珪素を有している。

【００１９】生成したＴｉＳｉ_X 層２０５の厚みは通
常、Ｔｉ層２０４Ｉの約２．５倍である。無論、ＴｉＳ
ｉ_X 層は、Ｔｉ膜２０４の別の一部として形成してもよ
く、これは、絶縁層２０２の上にあるＴｉＳｉ_X 層２０
７として例示されている。しｋし、本発明は、シリコン
ベースの材料（例えば、Ｓｉ基板２００等）に接触する
シリサイド層の形成に関するものであり、これでは、従
来技術のアプローチを用いたシリサイド化のステップで
は損ねてしまう。本発明の方法に従えば、界面２００Ｉ
におけるＴｉ部分２０４ＩへのＳｉ含有前駆体ガスによ
るＳｉ供給量は、このＴｉ部分２０４Ｉを全部ＴｉＳｉ
_X 層へと変換するに十分な量が必要である。絶縁層２０
２０の上に配置されたＴｉ膜２０４は、図２ｂでは全部
ＴｉＳｉ_X層２０７に変換されているように示されてい
るが、これは本発明の実施に必要がない。このようにし
て形成されたＴｉＳｉ_X 層２０５は、多層メタライゼー
ションスタックの中間層に用いるための望ましい物理的
特性及び電気的特性を有している。このように、ＴｉＳ
ｉ_X 層２０５は、下のシリコン基板２００を消費するこ
となく形成できる。

【００２０】別の具体例では、プラズマプロセスを用い
てＴｉＳｉ_X 中間層２０５を形成することができる。例
えば、珪素含有前駆体ガスを用いてプラズマを生成して
もよく、このとき随意一以上の不活性ガスを用いてもよ
い。プラズマの生成は、種々のパワーソース、例えば高
周波（ＲＦ）、マイクロ波、電子サイクロトロン共鳴
（ＥＣＲ）、リモートプラズマソース等により、市場よ
り入手可能な様々なプラズマ処理チャンバを用いて行う
ことができる。この具体例では、プロセス温度が約３０
０〜５００℃、全圧が約０．５〜約２０トールであって
もよい。シリコン（珪素）含有前駆体ガスの流量として
は、約３０００ｓｃｃｍ以下であり、好ましくは約１０
０〜約２０００ｓｃｃｍ、更に好ましくは約１００ｓｃ
ｃｍを用いてもよい。プラズマプロセスは、熱プロセス
に比べて低い温度で行うことが可能であるので、Ｔｉ膜
２０４とその下のシリコン基板２００の間の反応が直ち
に抑制されることが期待される。

【００２１】ＴｉＳｉ_X 中間層２０５の形成後、処理を
継続してバリア層を堆積してもよいが、このバリア層
は、例えば図２ｃに例示するような高融点金属窒化物層
２０６等の導電層であってもよい。窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）膜２０６は、例えば、図１に示すようなチャンバ１
００内で、四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）とアンモニア
（ＮＨ₃）の間の反応を用いたＣＶＤにより形成されて
もよい。ここで例示すれば、ヘリウム（Ｈｅ）や窒素
（Ｎ₂）等の不活性ガスをＴｉＣｌ₄と共に、シャワーヘ
ッド１２０の第２の通路を通してチャンバ１００内に導
入してもよい。ＮＨ₃は、Ｎ₂と共にシャワーヘッド１２
０の第２の通路を通してチャンバ１００内に導入され
る。また、底部への不活性ガス（例えばＡｒ等）のパー
ジ流れを、チャンバ１００の底部に具備されたガス供給
器１０４及び別個のガスラインを通じて、流量２０００
ｓｃｃｍで形成してもよい。典型的には、ＴｉＣｌ₄気
化物の流量が約５〜約４０ｓｃｃｍ、不活性ガス流量が
約５００〜約５０００ｓｃｃｍ、ＮＨ₃流量が約５０〜
約５０００ｓｃｃｍ、Ｎ₂の流量が約５０〜約５０００
ｓｃｃｍで、反応を行うことができる。全圧が約３〜約
３０トール、ペデスタル温度が約４５０℃以上（例え
ば、約６００〜約７００℃）を採用してもよい。これら
の条件下では、ＴｉＮ膜２０６は、アスペクト比が３．
５：１の開口に対して、少なくとも９５％のステップカ
バレージを示す（アスペクト比とは、ＴｉＮの堆積が行
われる開口２０２Ｈの深さｄと幅ｗの比で定義され
る）。

【００２２】概して、他の高融点金属珪化物を窒化物中
間層２０５に用いた場合は、バリア層２０６は、これに
対応した高融点金属窒化物、例えば窒化チタンや窒化タ
ングステンであることが好ましい。従来技術で知られた
技術を用いて、追加的なメタル層、例えばアルミニウム
やタングステンを、ＩＣ製造シーケンスにおけるその後
のメタル堆積のステップで形成して、コンタクト開口２
０２Ｈでシリコン基板２００とのメタルコネクションを
与えてもよい。

【００２３】前述のように、プロセス温度によって、シ
リサイドの形成は、２ステップの手順で行ってもよく、
例えば、基板温度約６００℃未満で珪素含有前駆体ガス
が導入される場合等である。この具体例は、図３ａ〜ｃ
に例示される。

【００２４】図３ａは、図２ａで例示したと同じ基板構
造体を示しており、ここでは、絶縁層２０２にコンタク
トホール２０２Ｈを形成した後に、Ｔｉ膜２０４を形成
している。Ｔｉ膜２０４の一部２０４Ｉが、界面２００
Ｉでシリコン基板２００に接触する。この具体例に従え
ば、この後、Ｓｉ含有前駆体を用い堆積化学気相堆積に
より、Ｓｉ層３０２が図３ａの構造体の上に形成され
る。例えば、Ｓｉ含有ガスの熱分解（例えばＳｉＨ₄を
約５００℃）を用いて、図３ｂで示されるようにコンタ
クトホール２０２Ｈの側壁２０２Ｓと共に一部２０４Ｉ
を有するＴｉ膜２０４の上に、共形のＳｉ層３０２を堆
積することができる。

【００２５】Ｓｉ層３０２の堆積は、ＳｉＨ₄流量約３
０００ｓｃｃｍ以下、好ましくは約１００〜約２０００
ｓｃｃｍ、更に好ましくは約５００ｓｃｃｍで行っても
よい。ＳｉＨ₄の分圧は、約０．５〜２０トール、好ま
しくは約５トールを用いてもよい。また、ＳｉＨ₄ガス
と共に、１つ以上の不活性ガス（例えばＡｒ、Ｎ₂、Ｈ
ｅ等）を用いてもよい。Ｓｉ層は通常、Ｔｉ膜の一部２
０４Ｉの厚さの約２倍の厚さに堆積してもよい。例え
ば、Ｔｉ膜の厚さが約２５〜２００オングストロームの
場合は、Ｓｉ層は典型的には、厚さ約５０〜４００オン
グストロームに堆積される。このＳｉ：Ｔｉの厚さの比
が約２：１の場合、次の反応でＴｉ膜の一部２０４Ｉを
ＴｉＳｉ_Xに全部変換することが確保される。

【００２６】本発明を実施する場合、次のＴｉ膜の一部
２０４Ｉとの反応を促進しつつもＴｉ膜の一部２０４Ｉ
とその下のＳｉ基板２００との反応を最小限にするた
め、Ｓｉ層３０２はアモルファスであることが好まし
い。このように、シリコンが前駆体ガスからシリコンを
堆積するためのプロセスパラメータは、アモルファスＳ
ｉの形成に有利であるように選択することが好ましい。
例えば、ＳｉＨ₄前駆体ガスを用い、従来技術で既知の
プロセスパラメータを用いて、約３００〜６００℃の温
度を用いて、アモルファスＳｉ層３０２を堆積してもよ
い。Ｓｉ₂Ｈ₆を珪素含有前駆体ガスとして用いた場合
は、約２００〜約４００℃の温度を用いてもよい。ある
いは、適切な珪素含有前駆体ガスと、従来技術で既知の
プロセスパラメータを用いて、プラズマ反応によりＳｉ
層３０２を堆積してもよい。また、これとは別のプラズ
マソース、例えばＲＦ、リモートプラズマ、ＥＣＲ等
を、この具体例の実施に用いてもよい。

【００２７】図３ｃに例示されている次のステップを行
って、Ｓｉ層３０２とＴｉ膜２０４の間の反応を開始さ
せ、ＴｉＳｉ_X 層２０５を形成する。例えば、この反応
ステップは、図３ｂの基板構造体を、少なくとも約６０
０℃に加熱することにより行うことができる。本発明に
従えば、Ｔｉ膜２０４の一部２０４Ｉの全体が、ＴｉＳ
ｉ_X 層２０５に変換され、その下にある基板２００の界
面２００Ｉに接触することが好ましい。特定のＴｉ堆積
プロセスやＴｉ膜２０４の厚みによっては、Ｔｉ膜２０
４の他の部分によっては、ＴｉからＴｉＳｉ_X への変換
が全部行く場合と全部行かない場合があり、例えば、コ
ンタクトホール２０２Ｈの外側の２０２層に接触する部
分等である。前述の通り、本発明は、Ｓｉ含有層に接触
するシリサイド層を形成する方法に関するものである。
このため、Ｓｉ含有層に接触するＴｉ膜２０４の部分
（一部分２０４Ｉ等）の全部が確実に変換されるよう、
この２ステップの手順でプロセスパラメータを調整す
る。前述のように、Ｓｉ層３０２とＴｉ膜の一部２０４
Ｉの反応速度が、Ｔｉ膜の一部２０４ＩとＳｉ基板２０
０の間の反応よりも高くなるよう、Ｓｉ層３０２はアモ
ルファスであることが好ましい。Ｓｉ基板２００がポリ
シリコンを有している（単結晶シリコンではない）場合
は、Ｔｉ膜の一部２０４Ｉは、Ｓｉ層３０２と優先的に
反応することが予想される。この場合、その下のＳｉ基
板２００からＳｉを消費せずにシリサイド層を形成する
ことができ、これによりＳｉ基板２００の劣化をほぼ防
止できる。

【００２８】次の処理を続け、導電層（図示せず）、例
えば図２ｃに関して説明したプロセスを用いてＴｉＳｉ
_X 層の上に形成されたＴｉＮ層等を形成してもよい。次
いで追加のメタライゼーションのステップを行い、コン
タクト開口２０２Ｈに、基板２００へのメタル接続部を
提供してもよい。図３ｃに示されるように、Ｓｉ層３０
２の一部がコンタクト開口２０２Ｈの側壁２０２Ｓ上に
未反応のままで残るが、これはメタル接続部の性能にさ
ほど影響しないだろう。

【００２９】図４ａ〜ｈは、本発明の別の具体例を示
し、ここでは化学吸着のＴｉ含有種とＳｉ含有前駆体の
反応によりＴｉＳｉ_X （あるいは一般に、高融点金属珪
化物等のメタルシリサイド）が形成される。この具体例
では、絶縁層にパターニングを施してシリコン基板２０
０まで延びるコンタクトホール２０２Ｈを形成した後、
絶縁層２０２の表面、コンタクトホール２０２Ｈの側壁
２０２Ｓに沿った部分及びコンタクトホール２０２Ｈの
底部を含む基板構造体と、シリコン基板２００に、Ｔｉ
含有種を化学吸着ないし吸着させる。これを行うには、
例えば、基板構造体をＴｉ含有前駆体、例えばＴｉＣｌ
₄ 等に曝露すればよい。例えば、ＴｉＣｌ ₄ の流量が約
５０〜約１０００mg/min.、好ましくは約５０mg/min.、
圧力が約０．５〜約２０トール、好ましくは約５トール
を用いてもよい。窒素、アルゴンやヘリウム等の不活性
ガスを通常は、ＴｉＣｌ₄ をチャンバ内に導入するキャ
リアガスとして用いる。シリコン基板２００の温度は、
好ましくは約４５０℃に維持されるが、約４００〜約７
００℃の範囲にあれば許容される。

【００３０】シリコン基板２００の表面をＴｉ含有種、
例えばＴｉＣｌ₄ 、更に一般化すればＴｉＣｌ_Y 種の分
布（Ｙは０〜４）、の単一層で飽和させるに十分な時間
だけ最低、基板構造体をＴｉＣｌ₄ に曝露する。ＴｉＣ
ｌ、ＴｉＣｌ₂ やＴｉＣｌ₃等の種も、準塩化物と称さ
れる。所望の場合、塩素（Ｃｌ₂ ）を抽出し又は塩素と
反応するような、水素（Ｈ₂ ）等の反応性化合物を、Ｔ
ｉＣｌ₄ と共に導入し、チタン準塩化物の吸着を促進し
てもよい。Ｈ₂流量を約５００〜５０００ｓｃｃｍ、好
ましくは約１０００ｓｃｃｍに維持する。また、準塩化
物の形成には、基板温度が高い方が好ましい。このよう
に、ＴｉＣｌ_Y を有する薄い化学吸着層４０２を形成し
て、図４ａに示されるようにシリコン基板２００の露出
部分（界面２０２Ｉ）をほぼ覆うようにする。

【００３１】次いで、Ａｒ流量約３０００ｓｃｃｍ、圧
力約５トールで、パージのステップ（図示せず）を行
う。パージは、チャンバから残留気相Ｔｉ含有前駆体
（即ち、どの面にも吸着されなかったＴｉＣｌ₄ ）を取
り除くに十分な時間、例えば約１０秒間、行われる。Ｈ
ｅやＮ₂等の他の不活性ガスも適切である。一般に、約
１０００〜約１００００ｓｃｃｍの流量と約２〜約２０
トールの圧力を用いてもよい。具体的なチャンバ容量と
条件に従い、パージ時間を変えてもよい。比較的短時間
で適切なパージを実現できるように十分高く、パージガ
スの流量を選択することが望ましい。一具体例では、パ
ージ時間は約１０秒を採用する。

【００３２】パージのステップの後、図４ｂに示される
ように、ＴｉＣｌ_Y の化学吸着層４０２を有する基板構
造体４５０が、Ｓｉ含有環境（シリコン含有環境、珪素
含有環境）に曝露される。Ｓｉ含有環境４２０は、Ｓｉ
Ｈ₄、Ｓｉ₂Ｈ₆、ジクロロシラン（ＳｉＣｌ₂Ｈ₂）等の
Ｓｉ含有前駆体を有している。例えば、ＳｉＨ₄の流量
約１００〜約５０００ｓｃｃｍを採用してもよく、好ま
しくは約１００ｓｃｃｍであり、また、圧力は約約０．
５〜約２０トール、好ましくは約５トールである。加え
て、Ｓｉ含有環境４１０に、Ｓｉ含有前駆体と共に１つ
以上の不活性ガスが存在していてもよい。温度が約４５
０℃では、あるいは約４００〜約７００℃の温度で、Ｔ
ｉＣｌ_Yの化学吸着層４１０とＳｉＨ₄ の反応が生じ、
図４ｃに示されるように、絶縁層２０２、コンタクトホ
ール２０２Ｈ、そしてＳｉ基板２００の上に、共形のＴ
ｉＳｉ_Xの層４０４が形成される。この共形のＴｉＳｉ_X
層４０４は、典型的には薄い層であり、その厚さは吸着
ＴｉＣｌ_X層４０２の厚さにより制限を受ける。Ｓｉ含
有環境４２０では、Ｓｉ含有前駆体の流量は、基板の表
面に飽和するに十分である必要があり、あるいは、Ｔｉ
Ｃｌ_Xの層４０２のうちシリコン基板２００の界面２０
０Ｉの上に形成された部分との反応を少なくとも完了さ
せるような流量となる必要がある。温度が約４５０℃で
は、反応は速度約１オングストローム／サイクルよりも
低い速度、例えば約０．４オングストローム／サイクル
で進行する。ＳｉＨ₄の圧力、流量や温度等のプロセス
パラメータを適正に調整することにより、Ｓｉ基板２０
０からＳｉを消費せずに、ＴｉＳｉ_X 層４０４がＳｉ基
板２００の界面２００Ｉに接触して形成される。典型的
には、Ｓｉ含有前駆体の分圧又は流量が高く、温度が低
い場合は、Ｓｉ基板２００の反応の場合とは逆に、吸着
ＴｉＣｌ_yとＳｉ含有前駆体の反応にとって好ましい。
あるいは、励起したＳｉ含有前駆体、例えば比較的低圧
のプラズマにより生成されるそれを、用いてもよい。

【００３３】ＴｉＳｉ_X層４０４の形成後、パージのス
テップ（図４には示されない）をまた行い、あらゆる残
留Ｓｉ含有前駆体をチャンバから取り除く。パージガス
の流量と圧力の条件は、Ｔｉ含有前駆体のパージに用い
たものと同様である。

【００３４】所望の厚さの複合体ＴｉＳｉ_X層を得るた
めには、ＴｉＣｌ_Y化学吸着のステップ、チャンバパー
ジのステップ、ＳｉＨ₄ガスへの曝露のステップ、そし
てチャンバパージのステップを、必要な回数繰り返せば
よい。例えば、このサイクルを約２００〜約５００回繰
り返すことにより、コンタクトの用途に適した複合体Ｔ
ｉＳｉ_X層を形成することができる。

【００３５】本発明の別の特徴では、プロセスシーケン
ス中に触媒を導入し、所望の特定の膜特性を実現するこ
とができる。例えば、第１の前駆体ＴｉＣｌ₄を導入し
てＴｉＣｌ_Y吸着層を形成した後、触媒、例えばＺｎ含
有前駆体等をチャンバ内に導入してもよい。Ｚｎ含有前
駆体を用いて、ＴｉＣｌ_Y吸着層から塩素（Ｃｌ）をス
カベンジ（清掃）し、準塩化物の形成を促進することが
できる。前述のように、チャンバをパージして触媒を除
いた後、第２の前駆体、例えばＳｉＨ₄ を導入してこの
準塩化物と反応させ、シリサイド層を形成してもよい。
ＳｉＨ₄ はＴｉＣｌ_Yよりも容易に準塩化物と反応する
傾向があるため、Ｚｎ含有触媒により、ＴｉＳｉ_Xの形
成に低い基板温度を用いることが可能となり、そのた
め、Ｓｉ基板とは逆に、ＳｉＨ₄との反応が好まれる。

【００３６】本発明のまた別の具体例では、ＴｉＳｉ_X
の他に、ＴｉとＳｉを有する他の化合物を用いてシリサ
イドコンタクトを形成してもよい。例えば、上記のシー
ケンスにＮ−含有前駆体を加えることにより、Ｓｉ、Ｔ
ｉと窒素（Ｎ）を有する三元素の化合物を形成してもよ
い。一具体例では、図４ａについて前述したように、Ｔ
ｉ含有種が基板表面上に吸着される。次いで、図４ｂに
示されたと同様に、チャンバがパージされ、第２の前駆
体、例えばＳｉ含有種等がチャンバに導入される。図４
ｃに示されたと同様に、吸着されたＴｉ含有層とＳｉ含
有種の反応により、ＴｉＳｉ_X層４０４、更に一般的に
は、反応生成物種の層が形成される。

【００３７】チャンバをパージした後、第３の前駆体、
例えば窒素（Ｎ）含有種等をチャンバに導入する。図４
ｄは、Ｎ含有環境４２２に曝露されることになるＴｉＳ
ｉ_X層を示すが、このＮ含有環境は、Ｎ含有種以外にも
不活性ガス等の他のガスを有していてもよい。図４ｅに
例示されるように、ＴｉＳｉ_X層４０４とＮ含有種の反
応により、ＴｉＳｉ_XＮ_Z等の三元素化合物を有する層４
０６が形成される。ここで三元素化合物の各元素は別々
の前駆体に由来してもよいが、特定のケースでは、所望
の化合物の形成に対して、１つの前駆体が一つ以上の元
素を供給することも可能である。

【００３８】一般には、様々な前駆体種をプロセスシー
ケンス中に別々の順序で導入してもよい。典型的には、
プロセスないし反応のシーケンス中で前駆体を導入する
順序は、前駆体の吸着特性や反応速度、反応シーケンス
中に形成される中間種等の因子を考慮することにより、
所望の反応生成物を最適化するように選択される。

【００３９】ＴｉＳｉ_X層４０４の形成後、更に一般的
にはメタルシリサイド層４０６（これは図４ｅに示され
た非二元素化合物を有する層であってもよい）の形成
後、次のプロセスステップ群を行って、多層メタライゼ
ーションスタックの形成を完了することができる。図４
ｆは、例えば、メタルシリサイド層４０６の上の導電層
４０８の形成を示す。特定の用途によっては、導電層４
０８は、窒化物層、例えばＴｉＮ、あるいは適切なバリ
ア性能を有する高融点金属窒化物層であってもよい。例
えば、ＴｉＮ層４０８は、既知のプロセスパラメータを
用い四塩化チタン（ＴｉＣｌ₄）とアンモニア（ＮＨ₃）
の反応を利用して形成してもよい。

【００４０】あるいは、導電層４０８は、図４ａ〜４ｅ
に関連して上で説明したと同様のプロセスステップを用
いて、適当な前駆体より形成してもよい。例えば、導電
層４０８がＴｉＮの場合、上述と同様のプロセスパラメ
ータでＴｉＣｌ₄を提供することにより、ＴｉＣｌ_Xをメ
タルシリサイド層４０６に吸着又は化学吸着させること
ができる。チャンバから余分なＴｉＣｌ₄をパージした
後、吸着又は化学吸着したＴｉＣｌ_XをＮＨ₃と反応させ
ることが可能であるが、このＮＨ₃は、流量約１００〜
約３０００ｓｃｃｍ、好ましくは約５００ｓｃｃｍで導
入される。これにより、開口２０２Ｈの内側のステップ
カバレージに優れた薄いＴｉＮ層を形成することができ
る。所望の場合は、これより厚い複合体のＴｉＮ層を与
えるために、追加的なサイクル（吸着や反応のサイクル
で、適切なパージを伴う）を行ってもよい。あるいは、
ＴｉＮ層４０８は、ＣＶＤＴｉＮに、吸着反応のアプ
ローチを組み合わせて、形成してもよい。

【００４１】他の具体例では、導電層４０８は、複合
層、例えばライナ／バリア層で、例えば高融点金属とメ
タル窒化物（例えばＴｉ、ＴｉＮ、タンタル、窒化タン
タル（ＴａＮ）等）を有しているものであってもよい。

【００４２】次いで、図４ｇに示されるように、メタル
層４１０を導電層４０８の上に形成する。メタル層４１
０は、例えば、タングステン（Ｗ）やアルミニウム（Ａ
ｌ）を有していてもよい。例示すれば、六弗化タングス
テン（ＷＦ₆）と水素（Ｈ₂）のＣＶＤ反応を用い、従来
技術で既知のプロセスパラメータにより、タングステン
窒化物の層４１０を形成してもよい。次のステップで
は、メタル層４１０、導電窒化物層４０８、コンタクト
ホール２０２Ｈの外側にあるメタルシリサイド層４０６
の、それぞれ一部が、ケミカルメカニカルポリシング
（ＣＭＰ）等の平坦化技術により取り去られ、図４ｈに
示されるようなメタルプラグ構造体４１５を形成する。
ここに開示される特定のメタライゼーションプロセスス
テップないしシーケンスは、例示目的であることを注意
すべきである。他の物質の層や処理技術を採用した別の
プロセスシーケンスを、本発明の具体例に従ったシリサ
イド形成と組み合わせて用いてもよい。

【００４３】図５は、非基板の劣化シリサイド中間層を
形成するための、本発明の様々なステップを含めたプロ
セスシーケンス５００を例示する。これらプロセスステ
ップは、ＴｉやＴｉＮの形成に用いたと同様の典型的な
ＣＶＤやＰＶＤのチャンバの中で行ってもよい。ステッ
プ５０２に示されるように、Ｓｉ含有基板（又はＳｉベ
ース基板）を、プロセスチャンバの中に与える。ＩＣ処
理の特定のステージによっては、Ｓｉ含有基板上には、
既にメタル層を有している場合もあり又有していない場
合もある。このメタル層には、例えば、Ｓｉ基板の界面
まで伸びるコンタクトホールを有する酸化物層を有して
いてもよい（そして、Ｓｉベースのこの部分を曝露す
る）。本発明は、Ｓｉ含有基板に接触するシリサイド層
の形成を指向するものである。

【００４４】ステップ５０４では、シリサイド中間層、
例えばメタルシリサイド層等が、Ｓｉ含有基板に接触す
るように形成される。本発明の具体例に従えばこのシリ
サイドの形成は、様々な前駆体を用いた別個のアプロー
チにより行うことができる。

【００４５】ステップ５０６の後に行う１つのアプロー
チでは、Ｓｉ含有基板の上に先ず導電層を形成する。例
えば、この導電層は、適当なメタル含有前駆体により生
成されるＴｉやその他の高融点金属等のメタル層であっ
てもよい。ステップ５０８では、Ｓｉ含有ソース又は前
駆体は、ステップ５０６で堆積したメタルと反応させて
シリサイド層を形成するために与えられる。この中間層
は、例えば、ＴｉＳｉ _X層であり、これは、Ｔｉ層をＳ
ｉ雰囲気（例えば、ＳｉＨ₄やＳｉ₂Ｈ₆等）中に曝露す
る技術、あるいは、堆積したＴｉ層と、ＳｉＨ₄やＳｉ₂
Ｈ₆等のＳｉ含有前駆体より堆積したＳｉ層との間の固
相反応の技術、より１つ選択された技術により形成でき
る。あるいは、他の適当な前駆体を用いて、珪化タンタ
ル、珪化タングステン等のメタルシリサイド（金属珪化
物）層を形成してもよい。

【００４６】あるいは、ステップ５１０に示されるよう
に、ステップ５０４のメタルシリサイド中間層を、適当
な前駆体、例えばハロゲン化メタルや珪素含有ガス等の
反応（例えば熱反応やプラズマ励起反応等）により形成
してもよい。ＴｉＳｉ_X層の場合は、ＴｉＣｌ₄やＳｉＨ
₄等の前駆体を用いてもよい。本発明の具体例に従え
ば、第１の前駆体が薄い層又は単一層として、Ｓｉ含有
基板に吸着される。次いで、吸着された第１の前駆体
は、第２の前駆体に曝露され、シリサイド層を形成す
る。随意、て所望の反応を促進するために触媒を導入す
ることで、あるいは次の反応（図５には示されない）を
行うために第３の前駆体を加えることで、シリサイド層
の形成法を変形してもよい。

【００４７】本発明の具体例に従えば、Ｓｉ含有基板と
は別のＳｉ含有ソースないし前駆体を用いた反応から主
にメタルシリサイド層が形成されるように、様々なシリ
サイド形成プロセスを選択する。この場合、メタルシリ
サイド層は、このＳｉ含有ソースに本質的に由来する珪
素から形成され、その際、その下の基板からのＳｉの消
費が最小又は無視できるレベルである。

【００４８】ステップ５１２では、チャンバ内の基板に
適切な前駆体を与えることにより、ステップ５０４で形
成したメタルシリサイド中間層の上に導電層が形成され
る。この導電層は、例示すれば、バリア層として用いる
メタル窒化物（例えばＴｉＮ等）、あるいはメタライゼ
ーションスタックのライナ／バリア層の組み合わせであ
ってもよい。その後、追加的な処理ステップ群を行っ
て、導電バリア層の上に別の適当な導電メタル層（例え
ばＷやＡｌ等）を堆積することで、半導体デバイスの導
電層路や相互接続部をその次に形成することができるよ
うにしてもよい。

【００４９】このように、外からＳｉ含有ソースを与え
ることにより、本発明の具体例では、下のＳｉ含有基板
の物質を消費することなく、Ｓｉ含有基板に接触するシ
リサイド層の形成を可能にする。このように、本発明
は、信頼性及び性能特性を高めた半導体デバイスの珪素
化の方法を提供するものである。

【００５０】本発明の教示内容を含む様々な具体例をこ
こに詳細に示してきたが、当業者には、これら教示内容
を含んだこれとは別の変形具体例を容易に作ることがで
きるだろう。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は本発明の具体例の実施に使用可能な装置
を例示する図である。

【図２】図２ａ〜２ｃは、本発明の一実施例に従った処
理の各ステージにおける基板構造の断面図である。

【図３】図３ａ〜ｃは、本発明の別の実施例に従った処
理の各ステージにおける基板構造の断面図である。

【図４】図４ａ〜ｈは、本発明の別の実施例に従った処
理の各ステージにおける基板構造の断面図である。

【図５】図５は、本発明の具体例に従ったシリサイド形
成のステップを有するプロセスシーケンスを示す図であ
る。

【符号の説明】

１０…ウエハ処理システム、１００…プロセスチャン
バ、１０２…真空ポンプ、１０６…電源、１１０…制御
ユニット、１３０…ガスパネル。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 29/78 Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１Ｐ 21/336 (72)発明者ラマヌジャプラムエー．スリニヴァスアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サンノゼ，マウントホーリードライヴ 6609 (72)発明者ブライアンメッツガーアメリカ合衆国，カリフォルニア州，サンノゼ，ブレイスアヴェニュー 1195 エイチ (72)発明者スゥリンワンアメリカ合衆国，カリフォルニア州，キャンベル，ステインウェイアヴェニュー 959 (72)発明者フレデリックシー．ウーアメリカ合衆国，カリフォルニア州，クパティノ，オリオンプレイス 7771

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】シリコン基板に接触するシリサイド層を
形成する方法であって、（ａ）シリコン基板に接触してメタル含有層を形成する
ステップと、（ｂ）シリコン基板とは別の珪素含有ソースに該メタル
含有層を曝露するステップと、（ｃ）該メタル含有層を該珪素含有ソースと反応させ
て、メタルシリサイド層を形成するステップとを有し、
該メタルシリサイド層が、該珪素含有ソースから本質的
に由来する珪素により形成される方法。
【請求項２】該ステップ（ａ）の該メタル含有層が、
シリコン基板をメタル含有前駆体に曝露することにより
形成された吸着層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】該方法が更に、（ａ１）チャンバ内で該ステップ（ａ）及び該ステップ
（ｂ）を行うステップと（ａ２）該ステップ（ａ）と該ステップ（ｂ）の間で、
該チャンバをパージするステップとを有する請求項２に
記載の方法。
【請求項４】該メタル含有前駆体が、ＴｉＣｌ₄であ
る請求項３に記載の方法。
【請求項５】該ステップ（ｂ）の該珪素含有ソース
が、シランと、ジシランと、ジクロロシランとから成る
群より選択される請求項３に記載の方法。
【請求項６】該方法が更に、（ｄ）該ステップ（ｃ）の後、該チャンバをパージする
ステップと、（ｅ）既に形成されたメタルシリサイド層を、該チャン
バ内でメタル含有前駆体に曝露して、別のメタル含有吸
着層を形成するステップと（ｆ）該ステップ（ｅ）の
後、該チャンバをパージするステップと（ｇ）別のメタ
ル含有吸着層を珪素含有環境に曝露することにより、該
既に形成されたメタルシリサイド層の上に、別のメタル
シリサイド層を形成するステップと、（ｈ）該ステップ（ｄ）〜該ステップ（ｈ）を更に繰り
返し、所望の厚さの複合体メタルシリサイド層を形成す
るステップとを有する請求項３に記載の方法。
【請求項７】該方法が更に、（ａ２）該パージのステップ（ａ１）の後、該メタルシ
リサイド形成のステップ（ｃ）のための触媒を有する前
駆体に、該メタル含有層を曝露するステップと、（ａ３）該ステップ（ａ２）と該ステップ（ｂ）の間
で、該チャンバをパージするステップとを有する請求項
３に記載の方法。
【請求項８】該方法が更に、（ｄ）該ステップ（ｃ）の後、該チャンバをパージする
ステップと、（ｅ）該ステップ（ｃ）の該メタルシリサイド層を、窒
素含有環境に曝露することにより、三元素メタルシリサ
イドを有する層を形成するステップとを有する請求項３
に記載の方法。
【請求項９】該吸着層が、ＴｉＣｌ₄の流量約５０〜
約５０００mg/min.で形成される請求項４に記載の方
法。
【請求項１０】該ステップ（ｃ）が、約５０００ｓｃ
ｃｍより低い流量の珪素含有ソースで行われる請求項４
に記載の方法。
【請求項１１】該ステップ（ｃ）が、約０．５〜約２
０トールの分圧の珪素含有ソースで行われる請求項４に
記載の方法。
【請求項１２】該ステップ（ｃ）が、約４００〜約７
００℃の温度で行われる請求項４に記載の方法。
【請求項１３】該方法が更に、（ｄ）該メタルシリサイド層の上に導電層を形成するス
テップを更に有し、該導電層がメタル窒化物である請求
項２に記載の方法。
【請求項１４】該メタル含有層がメタル層である請求
項１に記載の方法。
【請求項１５】該メタル層が、チタンと、タンタル
と、タングステンとから成る群より選択される高融点金
属である請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】該珪素含有ソースが、シランと、ジシ
ランと、ジクロロシランとから成る群より選択される請
求項１４に記載の方法。
【請求項１７】該珪素含有ソースが、該メタル含有層
の上に形成されたアモルファスシリコン層である請求項
１４に記載の方法。
【請求項１８】該アモルファスシリコン層が、シラン
（ＳｉＨ₄）の熱分解によって形成される請求項１７に
記載の方法。
【請求項１９】プロセッサ読み取り可能なコードを有
するプロセッサ読み取り可能な保存媒体であって、該コ
ードは、実行により、シリコン基板に接触するシリサイ
ド層を形成する方法を実施するよう処理チャンバを制御
し、該保存媒体は、（ａ）シリコン基板に接触するメタル含有層を形成する
ステップと、（ｂ）該メタル含有層を、シリコン基板とは別の珪素含
有ソースに曝露するステップと、（ｃ）該メタル含有層を該珪素含有ソースと反応させ
て、メタルシリサイド層を形成するステップとを有し、
該メタルシリサイド層が、該珪素含有ソースに本質的に
由来する珪素により形成される保存媒体。
【請求項２０】該ステップ（ａ）の該メタル含有層
が、シリコン基板をメタル含有前駆体に曝露することに
より形成された吸着層である請求項１９に記載の保存媒
体。
【請求項２１】該メタル含有層が、チタンと、タンタ
ルと、タングステンとから成る群より選択され、該珪素
含有ソースが、シランと、ジシランと、ジクロロシラン
とから成る群より選択される請求項１９に記載の保存媒
体。