JP2001202165A - Dramのバッテリ・バックアップ・システム - Google Patents

Dramのバッテリ・バックアップ・システム

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JP2001202165A
JP2001202165A JP2000009507A JP2000009507A JP2001202165A JP 2001202165 A JP2001202165 A JP 2001202165A JP 2000009507 A JP2000009507 A JP 2000009507A JP 2000009507 A JP2000009507 A JP 2000009507A JP 2001202165 A JP2001202165 A JP 2001202165A
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JP
Japan
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battery
power supply
circuit
main power
dram
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JP2000009507A
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English (en)
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Tetsuya Iwasaki
哲也 岩崎
Masaru Suzaki
勝 洲崎
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Yamatake Building Systems Co Ltd
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Yamatake Building Systems Co Ltd
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02DCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
    • Y02D10/00Energy efficient computing, e.g. low power processors, power management or thermal management
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

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  • Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Power Sources (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 従来よりも低消費電力でバックアップを可能
とし、長時間のバックアップを可能とする。 【解決手段】 セルフ・リフレッシュ機能を備えたDR
AM2と、メモリ・コントローラ1aを内蔵した制御手
段1と、通常時に給電を行うためのメイン電源4および
非常時に給電を行うためのバッテリ6からなる電源部
と、前記制御手段と前記電源部との接続/切断を実施す
るバッテリ切断回路7と、前記メイン電源4の出力電圧
を監視するメイン電源電圧監視回路8と、前記バッテリ
6の出力電圧を監視するバッテリ電圧監視回路9と、前
記メイン電源電圧監視回路8および前記バッテリ電圧監
視回路9の監視結果に応じて前記バッテリ切断回路7の
接続を制御し、かつ、前記DRAM2をセルフ・リフレ
ッシュ・モードに切り替える外付け回路3とを備える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、DRAMのバッテ
リ・バックアップ・システムに関し、特にメイン電源が
停電した際に、代わりに補助電源であるバッテリの電力
を供給することにより、記憶保持されている内容が消滅
するのを防止するDRAMのバッテリ・バックアップ・
システムに関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、オフィスビルや病院、工場等にお
いては、電力、照明、空調、防災、防犯等に関する設備
を、ビルディング・オートメーション・システム(以
下、BAシステムという)を使って管理している。この
ようなBAシステムは、建物の規模に応じて、数百点程
度から数万点以上の管理点数を有するのが一般的であ
る。そのため、大容量のメモリ(従来においては非同期
型DRAM)を用いてデータ処理を行っていた。そし
て、停電時におけるメモリのバックアップ手段として、
次のようなシステムを採用していた。
【0003】図4は、従来のバッテリ・バックアップ・
システムを示すブロック図である。同図に示すように、
DRAM102とCPU101との間には、リフレッシ
ュの制御等を行うためのメモリ・コントローラ103お
よび信号発生回路104が接続されている。DRAM1
02に対しては、メモリ・コントローラ103および信
号発生回路104からコマンドを発行することにより、
記憶内容をバッテリ・バックアップする。すなわち、通
常時においてはメイン電源105の電力がCPU101
やDRAM102等に給電されているが、停電によって
メイン電源105の出力電圧が低下すると、スイッチ1
07内の接続が切り替わって代わりにバッテリ106が
接続される。その結果、バッテリ106による給電によ
ってDRAM102内の情報はバックアップされる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来技術では、バックアップ対象(停電時に給電さ
れる部品)として、DRAM102だけでなくCPU1
01やメモリ・コントローラ103、信号発生回路10
4といった回路も含まれていたため、バックアップ時に
おける消費電力量が大きいという問題点があった。ま
た、消費電力量が大きいことから、バックアップ時間が
短くなってしまうという問題点もあった。本発明は、こ
のような課題を解決するためのものであり、従来よりも
低消費電力でバックアップを可能とし、長時間のバック
アップを可能とするDRAMのバッテリ・バックアップ
・システムを提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明に係るDRAMのバッテリ・バックア
ップ・システムは、セルフ・リフレッシュ機能を備えた
DRAMと、メモリ・コントローラを内蔵した制御手段
と、通常時に給電を行うためのメイン電源および非常時
に給電を行うためのバッテリからなる電源部と、前記制
御手段と前記電源部との接続/切断を実施するバッテリ
切断回路と、前記メイン電源の出力電圧を監視するメイ
ン電源電圧監視回路と、前記バッテリの出力電圧を監視
するバッテリ電圧監視回路と、前記メイン電源電圧監視
回路および前記バッテリ電圧監視回路の監視結果に応じ
て前記バッテリ切断回路の接続を制御し、かつ、前記D
RAMをセルフ・リフレッシュ・モードに切り替える外
付け回路とを備える。また、前記制御手段と前記外付け
回路とは、前記メイン電源における停電を検出すると互
いに協調して前記バッテリ切断回路を制御し、かつ、前
記DRAMをセルフ・リフレッシュ・モードに切り替え
るものであってもよい。さらに、前記外付け回路におけ
るクロック周波数は、前記制御手段におけるクロック周
波数よりも低くてもよい。このように構成することによ
り本発明は、従来よりも低消費電力でDRAMのバック
アップを可能とし、その結果長時間のバックアップを可
能とする。
【0006】
【発明の実施の形態】次に、本発明の一つの実施の形態
について図を用いて説明する。図1は、本発明の一つの
実施の形態を示すブロック図である。同図に示すよう
に、本実施の形態は、メモリ・コントローラ1aを内蔵
したCPU1と、バックアップ対象であるSDRAM
(Synchronous Dynamic Random Access Memory)2と、
FPGA(Field Programmable Gate Array )等で構成
された外付けハードウェア(H/W)3と、通常時に電
力供給を行うためのメイン電源4と、ダイオード5と、
補助電源であるバッテリ6と、バッテリ切断回路7と、
メイン電源電圧監視回路8と、バッテリ電圧監視回路9
と、発信回路10とで構成されている。各部品は同図に
示すように、電源ラインや信号線、アドレス/データ・
バス等で接続されている。
【0007】CPU1は、例えばモトローラ社製のパワ
ーPC806等を用いる。パワーPC806は、メモリ
・コントローラ1aを予め内蔵しているため、メモリ・
コントローラを別個に用意する必要がない。_CSは、
複数のチップで構成されたSDRAMモジュールから所
望のチップを選択するためのチップ・セレクト信号であ
る。「_」はアクティブ・ロウを示す。SDRAM2
は、セルフ・リフレッシュ機能を備えた同期型のDRA
Mである。通常動作モードおいては、CBR(CASビ
フォーRAS)リフレッシュを行い、低消費電力モード
においては、給電を行うのみでリフレッシュ動作を実行
することができ、外部からリフレッシュ制御を行う必要
がない。また、SDRAM2には、バックアップ対象と
なる種々のプログラムやデータが記憶されるとともに、
CPU1を制御して後述のバッテリ・バックアップを実
現するためのプログラムも記憶保持されている。
【0008】外付けH/W3は、電源状態監視部3a
と、PWRDWN発生回路3bと、SDCLKE発生回
路3cと、レジスタ3d,3eおよび3f(以下、PD
CR、SRCR、SCSRという)と、NMI発生回路
3gと、HRESET発生回路3hとを備えている。こ
こではこの外付けH/W3をFPGAで構成している
が、PLD(Programmable Logic Device)やその他の
手法を使って回路を構成してもよい。PDCR(Power
Down Command Regster)レジスタは、バッテリの切断コ
マンドを発行するためのレジスタである。SRCR(Se
lf Reset Command Register )レジスタは、自己リセッ
ト・コマンドを発行するためのレジスタである。SCS
R(SDRAM Control and Status Register )レジスタ
は、SDRAM2に対してセルフ・リフレッシュ・コマ
ンドを発行するためのレジスタである。また、SDCL
KEは、SDRAM2のクロック・イネーブル信号であ
る。PWRDWNは、バッテリを接続/切断するための
信号である。HRESETは、CPU1をハードリセッ
トするためのリセット信号である。NMIは、マスク不
可能な割り込み信号である。
【0009】また、外付けH/W3には、メイン電源電
圧監視回路8と、バッテリ電圧監視回路9とが接続され
ている。メイン電源電圧監視回路8は、メイン電源4の
出力電圧を常時監視し、所定の電圧よりも下回ると直ち
にPOWERRESET信号を発行する。このPOWE
RRESET信号は、メイン電源電圧を監視するための
リセット信号である。バッテリ電圧監視回路9は、バッ
テリ6のの出力電圧を常時監視し、所定の電圧よりも下
回ると直ちにKAPWRRESET信号を発行する。こ
のKAPWRRESTは、バッテリ電圧を監視するため
のリセット信号である。発振回路10は、CPU1に4
0MHzの高周波のクロックを供給し、外付けH/W3
に対しては16kHzの低周波のクロックを供給する。
すなわち、CPU1はシステム・パフォーマンスを向上
させるために高クロック(40MHz)で動作させ、外
付けH/W3は消費電力を抑えるために低クロック(1
6kHz)で動作させている。
【0010】ここで、本システムの動作について図を参
照して説明する。図2は、メイン電源に停電が発生した
際のバックアップ手順を示す状態遷移図である。 (1)H/W3は、メイン電源4の停電を検出すると、
CPU1が実行中の処理を停止させるために割り込み信
号(NMI)を発行する。 (2)次いで、CPU1はSDRAM2をセルフ・リフ
レッシュ・モード(バックアップ)にするためのコマン
ドを発行するように、外付けH/W3に通知する(SC
SRレジスタへのライト)。 (3)外付けH/W3は、上記(2)の通知が正しく行
われたか否かを確認する(SCSRレジスタのステータ
ス・リード)。
【0011】(4)CPU1は、メモリ・コントローラ
1aを使ってチップ・セレクト信号(_CS)を発行す
る。同時に外付けH/W3においては、SDRAM2の
クロック・イネーブル信号(SDCLKE)を「L」レ
ベルにネゲートする等してセルフ・リフレッシュ・コマ
ンドを発行する。その結果、SDRAM2はセルフ・リ
フレッシュ・モード(低消費電力モード)に切り替わ
り、デバイス自身がリフレッシュ動作を行い、給電さえ
行われていれば記憶内容を保持し続けることができる。
なお、このSDCLKE信号のコントロールは、SDR
AM2のセルフ・リフレッシュ・コマンドを受け付ける
タイミング仕様を満足するために、_CS信号の発行タ
イミングと同期させる必要がある。
【0012】(5)CPU1は、自己リセット・コマン
ドを外付けH/W3に対して発行する(SRCRレジス
タへのライト)。 (6)外付けH/W3は、HRESET信号をCPU1
に対して発行し、CPU1の再起動処理を行う。 (7)CPU1は、再起動時にS/Wの制御に基づき、
電源が停電したのかまたは復電したのかの確認を行う。 (8)停電を確認した場合、バッテリ6とCPU1との
接続を切断するように通知する(PDCRレジスタへの
ライト)。 (9)PWRDWN信号を発行してバッテリ切断回路7
をオフ状態にし、CPU1とバッテリ6との接続を切断
する。
【0013】以上により、SDRAM2を低消費電力モ
ードであるセルフ・リフレッシュ・モードに切り替える
ことができるとともに、消費電力の大きなCPU1を電
源から切り離すことができるため、低消費電力のバッテ
リ・バックアップを実現することができる。なお、この
バッテリ・バックアップ時においても外付けH/W3に
はバッテリ6によって給電されるため、メイン電源4の
出力電圧を監視し続けることができる。したがって、メ
イン電源4が復電した際には直ちにバッテリ切断回路7
をオン状態にして、CPU1に対する給電を再開し、ま
たSDCLKE信号を「H」レベルにアサートすること
により、SDRAM2を通常のCBRリフレッシュモー
ドに切り替える。その結果、復電とともにCPU1およ
びSDRAM2の動作を通常状態に切り替えることがで
きる。
【0014】図3は、外付けH/W3内の電源状態監視
部3aによる停復電管理を示す状態遷移図である。同図
に示すように、停復電を管理するための状態遷移は、メ
イン電源のオン/オフ状態とバッテリの残量状態とで定
義されている。本状態遷移図では、H/W(FPGA)
3によって実現され、メイン電源のオン/オフ状態、バ
ッテリの残量状態、CPU1を制御するS/Wによるレ
ジスタへのアクセスとに応じて遷移する。停電発生から
SDRAM2をセルフ・リフレッシュ・モードにするま
で、この状態遷移をS/Wにおいてモニタすることによ
り、外付けH/W3とS/W(CPU1)との間で協調
し、SDRAM2をセルフ・リフレッシュ・モードに移
行させることができる。なお、、パワーPC860に
は、組み込み製品を構築する上で必要となるほとんどの
機能、すなわち通信、タイマ、メモリ・コントローラ等
が内蔵されており、このような高機能マイコンを用いる
ことによって製品の高性能化、低コスト化、消費電力の
低減、小型化を容易に実現することができる。しかし、
パワーPC860に内蔵された機能だけでは十分でな
く、その不足機能を補うために外付けH/W3とS/W
との協調が不可欠である。また、本発明に適用できるC
PUは、パワーPC860に限られるものではなく、そ
の他のメモリ・コントローラを内蔵したCPUを用いて
もよいことは明らかである。
【0015】
【発明の効果】以上説明したとおり本発明は、セルフ・
リフレッシュ機能を備えたDRAMと、メモリ・コント
ローラを内蔵した制御手段と、通常時に給電を行うため
のメイン電源および非常時に給電を行うためのバッテリ
からなる電源部と、前記制御手段と前記電源部との接続
/切断を実施するバッテリ切断回路と、前記メイン電源
の出力電圧を監視するメイン電源電圧監視回路と、前記
バッテリの出力電圧を監視するバッテリ電圧監視回路
と、前記メイン電源電圧監視回路および前記バッテリ電
圧監視回路の監視結果に応じて前記バッテリ切断回路の
接続を制御し、かつ、前記DRAMをセルフ・リフレッ
シュ・モードに切り替える外付け回路とを備えている。
このように構成することにより本発明は、従来よりも低
消費電力でDRAMのバックアップを可能とし、その結
果、長時間のバックアップを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一つの実施の形態を示すブロック図
である。
【図2】 (a)パワーステートを示す状態遷移図、
(b)H/W−S/W間でやりとりされる信号を説明す
るための状態遷移図である。
【図3】 停復電管理を示す状態遷移図である。
【図4】 従来例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1…CPU、1a…メモリ・コントローラ、2…SDR
AM、3…外付けH/W、3a…PWRPDN発生回
路、3b…SDCLKE発生回路、3c…発振器、3d
…パワー・マネジメント・ステートダイアグラム、3e
…レジスタ(PDCR)、3f…レジスタ(SRC
R)、3g…レジスタ(SCSR)、3h…NMI発生
回路、3i…HREST発生回路、4…メイン電源、5
…ダイオード、6…バッテリ、7…バッテリ切断回路、
8…メイン電源電圧監視回路、9…バッテリ電圧監視回
路、10…アドレス/データ・バス。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G11C 11/401 G06F 1/00 332Z H01M 10/44 341A H02J 9/00 G11C 11/34 371G Fターム(参考) 5B011 DA02 DB11 DC06 EA08 EB01 GG03 JA06 JB02 JB06 LL14 MA02 5B024 AA01 BA29 DA18 5B079 BA01 BC01 5G015 FA08 GB02 JA05 JA32 JA34 JA53 KA05 5H030 AA06 AS03 AS11 BB21 FF44 FF51

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 セルフ・リフレッシュ機能を備えたDR
    AMと、 メモリ・コントローラを内蔵した制御手段と、 通常時に給電を行うためのメイン電源および非常時に給
    電を行うためのバッテリからなる電源部と、 前記制御手段と前記電源部との接続/切断を実施するバ
    ッテリ切断回路と、 前記メイン電源の出力電圧を監視するメイン電源電圧監
    視回路と、 前記バッテリの出力電圧を監視するバッテリ電圧監視回
    路と、 前記メイン電源電圧監視回路および前記バッテリ電圧監
    視回路の監視結果に応じて前記バッテリ切断回路の接続
    を制御し、かつ、前記DRAMをセルフ・リフレッシュ
    ・モードに切り替える外付け回路とを備えたことを特徴
    とするDRAMのバッテリ・バックアップ・システム。
  2. 【請求項2】 請求項1において、 前記制御手段と前記外付け回路とは、前記メイン電源に
    おける停電を検出すると互いに協調して前記バッテリ切
    断回路を制御し、かつ、前記DRAMをセルフ・リフレ
    ッシュ・モードに切り替えることを特徴とするDRAM
    のバッテリ・バックアップ・システム。
  3. 【請求項3】 請求項1において、 前記外付け回路におけるクロック周波数は、前記制御手
    段におけるクロック周波数よりも低いことを特徴とする
    DRAMのバッテリ・バックアップ・システム。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100412757C (zh) * 2002-04-05 2008-08-20 三菱电机株式会社 谋求减少消耗电流的存储器备用控制装置
US9389665B1 (en) * 2015-06-19 2016-07-12 Rockwell Collins, Inc. Power warning monitor system and method

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