JP2001201751A - 液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
液晶表示パネルの製造方法Info
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- JP2001201751A JP2001201751A JP2000009686A JP2000009686A JP2001201751A JP 2001201751 A JP2001201751 A JP 2001201751A JP 2000009686 A JP2000009686 A JP 2000009686A JP 2000009686 A JP2000009686 A JP 2000009686A JP 2001201751 A JP2001201751 A JP 2001201751A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高精度なパネル間隔を維持できる液晶表示パ
ネルを、パターニング精度の低下や断線等による導通不
良を発生させることなく、歩留りよく製造する。 【解決手段】 画素電極、前記画素電極を駆動するスイ
ッチング素子を有する第１透明基板と、対向電極を有
し、前記第１透明電極に所定の間隔を介して対向する第
２透明基板との間に液晶を充填した液晶表示パネルの製
造方法であって、第１透明基板に、少なくともデータ信
号線、走査信号線を形成し、その上に透明絶縁性樹脂の
ギャップスペーサを兼ねる斜面を有する凹凸パターンを
形成する工程と、前記凹凸パターンの斜面上にスイッチ
ング素子を形成する工程とを備える。
ネルを、パターニング精度の低下や断線等による導通不
良を発生させることなく、歩留りよく製造する。 【解決手段】 画素電極、前記画素電極を駆動するスイ
ッチング素子を有する第１透明基板と、対向電極を有
し、前記第１透明電極に所定の間隔を介して対向する第
２透明基板との間に液晶を充填した液晶表示パネルの製
造方法であって、第１透明基板に、少なくともデータ信
号線、走査信号線を形成し、その上に透明絶縁性樹脂の
ギャップスペーサを兼ねる斜面を有する凹凸パターンを
形成する工程と、前記凹凸パターンの斜面上にスイッチ
ング素子を形成する工程とを備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下、ＴＦＴ)等のスイッチング素子を有して、ディス
プレイに使用される液晶表示パネルの製造方法に関する
ものである。
(以下、ＴＦＴ)等のスイッチング素子を有して、ディス
プレイに使用される液晶表示パネルの製造方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】現在の液晶表示パネルには、高速応答
性、高コントラスト、広視野角および高信頼性などが要
求される。かかる性能のうち応答速度、コントラストお
よび視野角などは液晶層の厚さと密接な関係があり、そ
のためパネル間隔の高精度化が要求されている。
性、高コントラスト、広視野角および高信頼性などが要
求される。かかる性能のうち応答速度、コントラストお
よび視野角などは液晶層の厚さと密接な関係があり、そ
のためパネル間隔の高精度化が要求されている。
【０００３】現在の液晶表示パネルでは、通常ガラスや
プラスチックからなる球状スペーサを２枚のパネル間に
介在させることでパネル間隔を一定値に制御している
が、パネル貼り合せ時に球状スペーサを散布する方式を
取っているため、液晶注入工程時にスペーサが内部を移
動し、透明基板上に形成された配向膜や透明電極等を損
傷したり、入射光を散乱させて光の利用効率を低下させ
る危険性がある。
プラスチックからなる球状スペーサを２枚のパネル間に
介在させることでパネル間隔を一定値に制御している
が、パネル貼り合せ時に球状スペーサを散布する方式を
取っているため、液晶注入工程時にスペーサが内部を移
動し、透明基板上に形成された配向膜や透明電極等を損
傷したり、入射光を散乱させて光の利用効率を低下させ
る危険性がある。
【０００４】そこで高精度なパネル間隔を維持できると
共に光の利用効率を低下させることのないスペーサの実
現が要望されている。
共に光の利用効率を低下させることのないスペーサの実
現が要望されている。
【０００５】例えば、特開平５―２６４９８３号公報で
は、ＴＦＴ素子側ガラス基板に平行かつ深さの等しい台
形状断面を有する複数の溝を形成し、その台形溝の側壁
をギャップスペーサとして利用することで高精度なパネ
ル間隔を維持し、さらに溝側面（斜面）上にＴＦＴ素子
を形成することにより、ＴＦＴ素子の見かけのサイズを
小さくし、開口率を向上させた液晶表示パネルの製造方
法が提案されている。
は、ＴＦＴ素子側ガラス基板に平行かつ深さの等しい台
形状断面を有する複数の溝を形成し、その台形溝の側壁
をギャップスペーサとして利用することで高精度なパネ
ル間隔を維持し、さらに溝側面（斜面）上にＴＦＴ素子
を形成することにより、ＴＦＴ素子の見かけのサイズを
小さくし、開口率を向上させた液晶表示パネルの製造方
法が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平５―２６４９８３号公報では、あらかじめ台形状断
面を有する複数の溝を形成した基板上に、データ信号
線、走査信号線および画素電極を成膜しパターニングし
ている。
開平５―２６４９８３号公報では、あらかじめ台形状断
面を有する複数の溝を形成した基板上に、データ信号
線、走査信号線および画素電極を成膜しパターニングし
ている。
【０００７】したがって、凹凸形状の基板表面上に成膜
およびパターニングを行うことになり、パターニング精
度、特に平行溝に直交する走査信号線のパターニング精
度が低下し、断線等による導通不良等が発生し、歩留り
が低下してしまう。
およびパターニングを行うことになり、パターニング精
度、特に平行溝に直交する走査信号線のパターニング精
度が低下し、断線等による導通不良等が発生し、歩留り
が低下してしまう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は前記従
来の問題点を解決するためになされたものであり、画素
電極、前記画素電極を駆動するスイッチング素子を有す
る第１透明基板と、対向電極を有し、前記第１透明電極
に所定の間隔を介して対向する第２透明基板との間に液
晶を充填した液晶表示パネルの製造方法であって、第１
透明基板に、少なくともデータ信号線、走査信号線を形
成する工程と、前記少なくともデータ信号線、走査信号
線を形成された第１透明基板に、透明絶縁性樹脂のギャ
ップスペーサを兼ねる斜面を有する凹凸パターンを形成
する工程と、前記凹凸パターンの斜面上にスイッチング
素子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
来の問題点を解決するためになされたものであり、画素
電極、前記画素電極を駆動するスイッチング素子を有す
る第１透明基板と、対向電極を有し、前記第１透明電極
に所定の間隔を介して対向する第２透明基板との間に液
晶を充填した液晶表示パネルの製造方法であって、第１
透明基板に、少なくともデータ信号線、走査信号線を形
成する工程と、前記少なくともデータ信号線、走査信号
線を形成された第１透明基板に、透明絶縁性樹脂のギャ
ップスペーサを兼ねる斜面を有する凹凸パターンを形成
する工程と、前記凹凸パターンの斜面上にスイッチング
素子を形成する工程とを備えることを特徴とする。
【０００９】さらに、前記画素電極は凹凸パターン上に
形成されることを特徴とする。
形成されることを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明について、図をもと
に詳細に説明する。
に詳細に説明する。
【００１１】図１は本発明の液晶表示パネルの製造方法
を説明する図である。
を説明する図である。
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、ＴＦＴ素
子側ガラス基板1に、データ信号線２、走査信号線３お
よび液晶駆動用の画素電極４を形成するため、成膜後所
定の形状にパターニングする。なお、ここで図１は図２
に示すＴＦＴ素子側ガラス基板のA−A'断面である。
子側ガラス基板1に、データ信号線２、走査信号線３お
よび液晶駆動用の画素電極４を形成するため、成膜後所
定の形状にパターニングする。なお、ここで図１は図２
に示すＴＦＴ素子側ガラス基板のA−A'断面である。
【００１３】次に、図１（ｂ）に示すように、データ信
号線２、走査信号線３および液晶駆動用の画素電極４を
形成したＴＦＴガラス基板１上に、透明絶縁性樹脂５を
塗布する。
号線２、走査信号線３および液晶駆動用の画素電極４を
形成したＴＦＴガラス基板１上に、透明絶縁性樹脂５を
塗布する。
【００１４】その後、図１（ｃ）に示すように、ロール
成形法により、斜面を有する凹凸パターン６を形成す
る。
成形法により、斜面を有する凹凸パターン６を形成す
る。
【００１５】次に、図１（ｄ）に示すように、斜面を有
する凹凸パターン６の斜面上にＴＦＴ素子７を形成す
る。その後、ＴＦＴ素子側ガラス基板１上にあらかじめ
形成されたデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆
動用の画素電極４とＴＦＴ素子７の各電極とを接続す
る。
する凹凸パターン６の斜面上にＴＦＴ素子７を形成す
る。その後、ＴＦＴ素子側ガラス基板１上にあらかじめ
形成されたデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆
動用の画素電極４とＴＦＴ素子７の各電極とを接続す
る。
【００１６】具体的には、配線間絶縁膜として例えばポ
リイミド膜等を用い、素子の保護のためにＴＦＴ素子７
を覆って形成されているＳｉ酸化膜等（図示せず）およ
び透明絶縁性樹脂により形成されている斜面を有する凹
凸パターン６に、電極接続用のコンタクトホールを穴あ
けエッチングにより形成し、ＴＦＴ素子側ガラス基板１
上のデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆動用の
画素電極４とＴＦＴ素子７の各電極との接続を行う。
リイミド膜等を用い、素子の保護のためにＴＦＴ素子７
を覆って形成されているＳｉ酸化膜等（図示せず）およ
び透明絶縁性樹脂により形成されている斜面を有する凹
凸パターン６に、電極接続用のコンタクトホールを穴あ
けエッチングにより形成し、ＴＦＴ素子側ガラス基板１
上のデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆動用の
画素電極４とＴＦＴ素子７の各電極との接続を行う。
【００１７】最後に、図１（ｅ）に示すように、基板表
面一面に共通透明電極８が形成されたカラーフィルタ
（以下、ＣＦ）側透明基板９とＴＦＴ素子側ガラス基板
１とを密着させた後、その間に液晶１０を充填すること
によって液晶表示用パネルを形成する。
面一面に共通透明電極８が形成されたカラーフィルタ
（以下、ＣＦ）側透明基板９とＴＦＴ素子側ガラス基板
１とを密着させた後、その間に液晶１０を充填すること
によって液晶表示用パネルを形成する。
【００１８】これにより、パネルを密着させた時にＴＦ
Ｔ素子側ガラス基板１上に形成された斜面を有する凹凸
パターン６の側面がギャップスペーサとなり、従来パネ
ルに比べて高精度なパネル間隔が維持される。しかも、
その斜面上にＴＦＴ素子７を形成することで、見かけ上
のＴＦＴ素子サイズが小さくなり、液晶表示用パネルの
開口率を高めることができる。
Ｔ素子側ガラス基板１上に形成された斜面を有する凹凸
パターン６の側面がギャップスペーサとなり、従来パネ
ルに比べて高精度なパネル間隔が維持される。しかも、
その斜面上にＴＦＴ素子７を形成することで、見かけ上
のＴＦＴ素子サイズが小さくなり、液晶表示用パネルの
開口率を高めることができる。
【００１９】なお、ここでは、ＴＦＴ素子側ガラス基板
１上にデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆動用
の画素電極４を形成した上に透明絶縁樹脂５を塗布して
いるが、本発明はこの手法に限定されるものではなく、
透明絶縁樹脂５の代わりに透明絶縁シート等を用いても
構わない。
１上にデータ信号線２、走査信号線３および液晶駆動用
の画素電極４を形成した上に透明絶縁樹脂５を塗布して
いるが、本発明はこの手法に限定されるものではなく、
透明絶縁樹脂５の代わりに透明絶縁シート等を用いても
構わない。
【００２０】また、斜面を有する凹凸パターン６の形成
方法についても、型押による成形法（図３参照）、ある
いはマイクロ印刷・転写による方法（図４参照）を用い
て、斜面を有する凹凸パターン６を形成しても構わな
い。
方法についても、型押による成形法（図３参照）、ある
いはマイクロ印刷・転写による方法（図４参照）を用い
て、斜面を有する凹凸パターン６を形成しても構わな
い。
【００２１】さらにまた、本実施例では、ＴＦＴ素子側
ガラス基板１上に斜面を有する凹凸パターン６を形成す
る前に、あらかじめソース配線２、ゲート配線３、およ
び画素電極４を成膜しパターニングする製造方法につい
て示したが、図５に示すように、斜面を有する凹凸パタ
ーン６を形成後、画素電極４だけをその平坦部に成膜し
パターニングしても構わない。
ガラス基板１上に斜面を有する凹凸パターン６を形成す
る前に、あらかじめソース配線２、ゲート配線３、およ
び画素電極４を成膜しパターニングする製造方法につい
て示したが、図５に示すように、斜面を有する凹凸パタ
ーン６を形成後、画素電極４だけをその平坦部に成膜し
パターニングしても構わない。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、データ信号線、走査信
号線を凹凸パターン上に形成する必要がなく、高精度な
パネル間隔を維持できる液晶表示パネルを、パターニン
グ精度の低下や信号線の断線等による導通不良を発生さ
せることなく、歩留りよく製造することができるだけで
なく、凹凸パターンの斜面上にＴＦＴ素子を形成するこ
とにより、ＴＦＴ素子の見かけのサイズを小さくし、開
口率を向上させた液晶表示パネルを製造することができ
る。
号線を凹凸パターン上に形成する必要がなく、高精度な
パネル間隔を維持できる液晶表示パネルを、パターニン
グ精度の低下や信号線の断線等による導通不良を発生さ
せることなく、歩留りよく製造することができるだけで
なく、凹凸パターンの斜面上にＴＦＴ素子を形成するこ
とにより、ＴＦＴ素子の見かけのサイズを小さくし、開
口率を向上させた液晶表示パネルを製造することができ
る。
【００２３】さらに、凹凸パターン上に画素電極を形成
するので、同一平面上に画素電極と信号線と設ける場合
のように、信号線との重なりを考慮する必要がなくな
り、画素電極サイズを小さくする必要もなくなるので、
画素電極サイズが十分に大きく取ることができ、開口率
を大きく取れる液晶表示パネルを製造することができ
る。
するので、同一平面上に画素電極と信号線と設ける場合
のように、信号線との重なりを考慮する必要がなくな
り、画素電極サイズを小さくする必要もなくなるので、
画素電極サイズが十分に大きく取ることができ、開口率
を大きく取れる液晶表示パネルを製造することができ
る。
【図１】本発明に係る液晶表示用パネルの製造方法の手
順の一例を示す図である。
順の一例を示す図である。
【図２】本発明に係るＴＦＴ素子側透明ガラス基板の一
例を示す図である。
例を示す図である。
【図３】本発明に係る液晶表示用パネルの製造方法の手
順（ｃ）の他の例を示す図である。
順（ｃ）の他の例を示す図である。
【図４】本発明に係る液晶表示用パネルの製造方法の手
順（ｃ）の他の例を示す図である。
順（ｃ）の他の例を示す図である。
【図５】本発明に係る液晶表示用パネルの製造方法の手
順の他の例を示す図である。
順の他の例を示す図である。
１：ＴＦＴ側透明ガラス基板 ２：データ信号線 ３：走査信号線 ４：画素電極 ５：透明絶縁性樹脂 ６：凹凸パターン ７：ＴＦＴ素子 ８：共通透明電極 ９：ＣＦ側透明基板 １０：液晶
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０９Ｆ 9/30 ３３８ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ Ｆターム(参考） 2H089 LA02 LA11 MA04X PA03 QA12 QA16 TA02 TA05 TA09 2H090 HA03 HB07X HC19 HD01 LA01 LA02 LA04 2H092 GA17 GA29 GA43 HA04 HA28 JB16 JB24 JB33 KB25 NA07 NA15 PA03 5C094 AA12 AA32 AA42 BA03 BA43 CA19 CA24 DA15 EA04 EA05 EA07 EB02 EC03 ED02 GB10
Claims (2)
- 【請求項１】 画素電極、前記画素電極を駆動するスイ
ッチング素子を有する第１透明基板と、対向電極を有
し、前記第１透明電極に所定の間隔を介して対向する第
２透明基板との間に液晶を充填した液晶表示パネルの製
造方法であって、 第１透明基板に、少なくともデータ信号線、走査信号線
を形成する工程と、 前記少なくともデータ信号線、走査信号線を形成された
第１透明基板に、透明絶縁性樹脂のギャップスペーサを
兼ねる斜面を有する凹凸パターンを形成する工程と、 前記凹凸パターンの斜面上にスイッチング素子を形成す
る工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製
造方法。 - 【請求項２】 前記画素電極は凹凸パターン上に形成さ
れることを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネルの
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009686A JP2001201751A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000009686A JP2001201751A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001201751A true JP2001201751A (ja) | 2001-07-27 |
Family
ID=18537800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000009686A Pending JP2001201751A (ja) | 2000-01-19 | 2000-01-19 | 液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001201751A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412126B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2003-12-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 지주 스페이서 형성방법 |
-
2000
- 2000-01-19 JP JP2000009686A patent/JP2001201751A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100412126B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2003-12-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시소자의 지주 스페이서 형성방법 |
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