JP2001200368A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JP2001200368A JP2001200368A JP2000011662A JP2000011662A JP2001200368A JP 2001200368 A JP2001200368 A JP 2001200368A JP 2000011662 A JP2000011662 A JP 2000011662A JP 2000011662 A JP2000011662 A JP 2000011662A JP 2001200368 A JP2001200368 A JP 2001200368A
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- pressure
- pump
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 圧力制御バルブの動作不良を引き起こす原因
となっている生成物の堆積を排除して、圧力制御バルブ
の動作をスムーズに行えるようにしたＣＶＤ装置を提供
する。 【解決手段】 ウエハ１がロードされるプロセスチャン
バー２と、ロードされたウエハ１を加熱するヒーター３
と、成膜ガス及び成膜処理後のプロセスチャンバー２内
のエッチング用クリーニングガスを導入するシャワーヘ
ッド４とを有している。さらにプロセスチャンバー２内
の排気はポンプ５により行われ、プロセスチャンバー２
とポンプ５の間の排気ラインにはプロセスチャンバー２
の圧力調整を行う圧力調整バルブ６を備え、装置コント
ローラー７の設定にしたがってポンプ５の出力を変更さ
せるためのインバーター８を備えている。
となっている生成物の堆積を排除して、圧力制御バルブ
の動作をスムーズに行えるようにしたＣＶＤ装置を提供
する。 【解決手段】 ウエハ１がロードされるプロセスチャン
バー２と、ロードされたウエハ１を加熱するヒーター３
と、成膜ガス及び成膜処理後のプロセスチャンバー２内
のエッチング用クリーニングガスを導入するシャワーヘ
ッド４とを有している。さらにプロセスチャンバー２内
の排気はポンプ５により行われ、プロセスチャンバー２
とポンプ５の間の排気ラインにはプロセスチャンバー２
の圧力調整を行う圧力調整バルブ６を備え、装置コント
ローラー７の設定にしたがってポンプ５の出力を変更さ
せるためのインバーター８を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハを処理する
プロセスチャンバーの成膜時及びクリーニング時の設定
圧力が異なる場合においても、圧力制御バルブを任意の
開度でほぼ同一とすることが可能なＣＶＤ装置に関する
ものである。
プロセスチャンバーの成膜時及びクリーニング時の設定
圧力が異なる場合においても、圧力制御バルブを任意の
開度でほぼ同一とすることが可能なＣＶＤ装置に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】ＣＶＤ装置において、プロセスチャンバ
ー内でウエハに対して成膜処理が行われるが、適宜プロ
セスチャンバー内をクリーニングする必要があるため、
プロセスチャンバー内の圧力が各作業に応じて変更され
る。
ー内でウエハに対して成膜処理が行われるが、適宜プロ
セスチャンバー内をクリーニングする必要があるため、
プロセスチャンバー内の圧力が各作業に応じて変更され
る。
【０００３】従来例に係るＣＶＤ装置を図２に基いて説
明する。図２に示すように、ウエハ１はプロセスチャン
バー２内のヒーター３上にロードされ、そのウエハ１に
対して上部のシャワーヘッド４から導入される成膜ガス
（ＴＥＯＳ等）により成膜処理がされる。
明する。図２に示すように、ウエハ１はプロセスチャン
バー２内のヒーター３上にロードされ、そのウエハ１に
対して上部のシャワーヘッド４から導入される成膜ガス
（ＴＥＯＳ等）により成膜処理がされる。
【０００４】プロセスチャンバー２内は、一定の出力に
より運転されているポンプ５により排気されており、成
膜時のプロセスチャンバー２の圧力は、予め設定された
成膜圧力になるように圧力制御バルブ６の開度調整によ
り制御される。
より運転されているポンプ５により排気されており、成
膜時のプロセスチャンバー２の圧力は、予め設定された
成膜圧力になるように圧力制御バルブ６の開度調整によ
り制御される。
【０００５】成膜処理後、ウエハ１はプロセスチャンバ
ー２からアンロードされ、シャワーヘッド４から導入さ
れるクリーニングガス（Ｆ*等）により、成膜処理中に
プロセスチャンバー２の内壁及び排気ラインの圧力制御
バルブ６に堆積した生成物（ＳｉＯ2）が除去される。
ー２からアンロードされ、シャワーヘッド４から導入さ
れるクリーニングガス（Ｆ*等）により、成膜処理中に
プロセスチャンバー２の内壁及び排気ラインの圧力制御
バルブ６に堆積した生成物（ＳｉＯ2）が除去される。
【０００６】生成物（ＳｉＯ2）を除去する際のプロセ
スチャンバー２の圧力は、成膜時の圧力と異なる予め設
定されたクリーニング圧力になるように圧力制御バルブ
６の開度調整により制御される。
スチャンバー２の圧力は、成膜時の圧力と異なる予め設
定されたクリーニング圧力になるように圧力制御バルブ
６の開度調整により制御される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、クリー
ニング時におけるプロセスチャンバーの制御圧力が成膜
時の制御圧力よりも低い場合、圧力制御バルブ６の開度
は成膜時よりも大きくなり、バルブ可動部１０に堆積し
た生成物１１がバルブ可動部１０とバルブ本体９の隙間
に浸入して、クリーニングガスに接触することがなく、
その生成物１１が除去されないことがある。
ニング時におけるプロセスチャンバーの制御圧力が成膜
時の制御圧力よりも低い場合、圧力制御バルブ６の開度
は成膜時よりも大きくなり、バルブ可動部１０に堆積し
た生成物１１がバルブ可動部１０とバルブ本体９の隙間
に浸入して、クリーニングガスに接触することがなく、
その生成物１１が除去されないことがある。
【０００８】ウエハ１の成膜とクリーニングを繰返して
行うことにより、この取り残された生成物１１の堆積量
が増え、バルブ可動部１０の回転時（圧力制御バルブ６
の動作時）の摩擦を大きくし、圧力制御バルブ６の動作
不良を引き起こす原因となっている。
行うことにより、この取り残された生成物１１の堆積量
が増え、バルブ可動部１０の回転時（圧力制御バルブ６
の動作時）の摩擦を大きくし、圧力制御バルブ６の動作
不良を引き起こす原因となっている。
【０００９】本発明の目的は、圧力制御バルブの動作不
良を引き起こす原因となっている生成物の堆積を排除し
て、圧力制御バルブの動作をスムーズに行えるようにし
たＣＶＤ装置を提供することにある。
良を引き起こす原因となっている生成物の堆積を排除し
て、圧力制御バルブの動作をスムーズに行えるようにし
たＣＶＤ装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るＣＶＤ装置は、プロセスチャンバー内
でウエハに対して処理を行うＣＶＤ装置であって、ウエ
ハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のクリー
ニング時の設定圧力の相違に拘わらず、プロセスチャン
バー内の排気能力を変更することにより、プロセスチャ
ンバー内の圧力を制御する手段の絞り度合をほぼ同一と
したものである。
め、本発明に係るＣＶＤ装置は、プロセスチャンバー内
でウエハに対して処理を行うＣＶＤ装置であって、ウエ
ハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のクリー
ニング時の設定圧力の相違に拘わらず、プロセスチャン
バー内の排気能力を変更することにより、プロセスチャ
ンバー内の圧力を制御する手段の絞り度合をほぼ同一と
したものである。
【００１１】また前記プロセスチャンバー内をポンプに
より排気し、前記ポンプの排気能力を変更することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を調整するものであ
る。
より排気し、前記ポンプの排気能力を変更することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を調整するものであ
る。
【００１２】またウエハに対する成膜処理時とプロセス
チャンバー内のクリーニング時の設定圧力にそれぞれ対
応する排気能力の異なるポンプを設置し、前記ポンプを
選択的に切替えて駆動することにより、前記プロセスチ
ャンバー内を排気するものである。
チャンバー内のクリーニング時の設定圧力にそれぞれ対
応する排気能力の異なるポンプを設置し、前記ポンプを
選択的に切替えて駆動することにより、前記プロセスチ
ャンバー内を排気するものである。
【００１３】また前記プロセスチャンバーと前記ポンプ
の間に圧力制御バルブを設置し、前記圧力制御バルブに
より前記プロセスチャンバーの内圧を制御するようにし
たものである。
の間に圧力制御バルブを設置し、前記圧力制御バルブに
より前記プロセスチャンバーの内圧を制御するようにし
たものである。
【００１４】また前記圧力制御バルブの開度をほぼ同一
とし、前記前記ポンプの排気能力を変更することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異なる
ウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のク
リーニング時の設定圧力に調整するものである。
とし、前記前記ポンプの排気能力を変更することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異なる
ウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のク
リーニング時の設定圧力に調整するものである。
【００１５】また前記圧力制御バルブの開度をほぼ同一
とし、前記ポンプを選択的に切替えて駆動することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異なる
ウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のク
リーニング時の設定圧力に調整するようにしたものであ
る。
とし、前記ポンプを選択的に切替えて駆動することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異なる
ウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のク
リーニング時の設定圧力に調整するようにしたものであ
る。
【００１６】また前記ポンプが交流モータで駆動される
ものである場合にインバーターを装備し、外部制御信号
に基いて前記インバーターを介して前記ポンプの排気能
力を変更するようにしたものである。
ものである場合にインバーターを装備し、外部制御信号
に基いて前記インバーターを介して前記ポンプの排気能
力を変更するようにしたものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１８】図１に示すように本発明に係るＣＶＤ装置
は、プロセスチャンバー内でウエハに対して処理を行う
ＣＶＤ装置であって、ウエハ１に対する成膜処理時とプ
ロセスチャンバー２内のクリーニング時の設定圧力の相
違に拘わらず、プロセスチャンバー２内の排気能力を変
更することにより、プロセスチャンバー２内の圧力を制
御する手段の絞り度合をほぼ同一としたことを特徴とす
るものである。
は、プロセスチャンバー内でウエハに対して処理を行う
ＣＶＤ装置であって、ウエハ１に対する成膜処理時とプ
ロセスチャンバー２内のクリーニング時の設定圧力の相
違に拘わらず、プロセスチャンバー２内の排気能力を変
更することにより、プロセスチャンバー２内の圧力を制
御する手段の絞り度合をほぼ同一としたことを特徴とす
るものである。
【００１９】前記プロセスチャンバー２内を排気するに
あたっては、前記プロセスチャンバー２内をポンプ５に
より排気し、前記ポンプ５の排気能力を変更することに
より、前記プロセスチャンバー２の内圧を調整するよう
にしている。
あたっては、前記プロセスチャンバー２内をポンプ５に
より排気し、前記ポンプ５の排気能力を変更することに
より、前記プロセスチャンバー２の内圧を調整するよう
にしている。
【００２０】また前記プロセスチャンバー２内を排気す
るにあたっては、ウエハに対する成膜処理時とプロセス
チャンバー内のクリーニング時の設定圧力にそれぞれ対
応する排気能力の異なる少なくとも２台のポンプを設置
し、前記排気能力の異なるポンプを選択的に切替えて駆
動することにより、前記プロセスチャンバー２内を排気
するものである。すなわち、図１に示すポンプ５をウエ
ハに対する成膜処理時におけるプロセスチャンバー２内
の設定圧力に対応する排気能力をもつ第１のポンプとし
て設置し、このポンプ５に加えて、クリーニング時にお
けるプロセスチャンバー２内の設定圧力に対応する排気
能力をもつ第２のポンプを設置し、ウエハに対する成膜
処理時とプロセスチャンバー内のクリーニング時の設定
圧力にそれぞれ対応する排気能力の異なる第１及び第２
のポンプを選択的に切替えて駆動することにより、前記
プロセスチャンバー２内を排気するようにしてもよいも
のである。
るにあたっては、ウエハに対する成膜処理時とプロセス
チャンバー内のクリーニング時の設定圧力にそれぞれ対
応する排気能力の異なる少なくとも２台のポンプを設置
し、前記排気能力の異なるポンプを選択的に切替えて駆
動することにより、前記プロセスチャンバー２内を排気
するものである。すなわち、図１に示すポンプ５をウエ
ハに対する成膜処理時におけるプロセスチャンバー２内
の設定圧力に対応する排気能力をもつ第１のポンプとし
て設置し、このポンプ５に加えて、クリーニング時にお
けるプロセスチャンバー２内の設定圧力に対応する排気
能力をもつ第２のポンプを設置し、ウエハに対する成膜
処理時とプロセスチャンバー内のクリーニング時の設定
圧力にそれぞれ対応する排気能力の異なる第１及び第２
のポンプを選択的に切替えて駆動することにより、前記
プロセスチャンバー２内を排気するようにしてもよいも
のである。
【００２１】またプロセスチャンバー２内の圧力を制御
する手段として、前記プロセスチャンバー２と前記ポン
プ５の間に圧力制御バルブ６を設置し、プロセスチャン
バー２内の排気能力を変更することにより、前記圧力制
御バルブ６の開度をほぼ同一としたまま、ウエハ１に対
する成膜処理時とプロセスチャンバー２内のクリーニン
グ時の設定圧力にそれぞれ設定するようにしてもよいも
のである。
する手段として、前記プロセスチャンバー２と前記ポン
プ５の間に圧力制御バルブ６を設置し、プロセスチャン
バー２内の排気能力を変更することにより、前記圧力制
御バルブ６の開度をほぼ同一としたまま、ウエハ１に対
する成膜処理時とプロセスチャンバー２内のクリーニン
グ時の設定圧力にそれぞれ設定するようにしてもよいも
のである。
【００２２】また前記プロセスチャンバー２内の圧力制
御をポンプ５の排気能力を変更することにより行う場合
には、前記圧力制御バルブ６の開度をほぼ同一とし、前
記前記ポンプ５の排気能力を変更することにより、前記
プロセスチャンバー２の内圧を、圧力値の異なるウエハ
に対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のクリーニ
ング時の設定圧力に調整するようにする。
御をポンプ５の排気能力を変更することにより行う場合
には、前記圧力制御バルブ６の開度をほぼ同一とし、前
記前記ポンプ５の排気能力を変更することにより、前記
プロセスチャンバー２の内圧を、圧力値の異なるウエハ
に対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のクリーニ
ング時の設定圧力に調整するようにする。
【００２３】また前記第１と第２のポンプを切替えて駆
動する場合には、前記圧力制御バルブ６の開度をほぼ同
一とし、前記第１と第２のポンプを選択的に切替えて駆
動することにより、前記プロセスチャンバー２の内圧
を、圧力値の異なるウエハに対する成膜処理時とプロセ
スチャンバー内のクリーニング時の設定圧力に調整する
ようにする。
動する場合には、前記圧力制御バルブ６の開度をほぼ同
一とし、前記第１と第２のポンプを選択的に切替えて駆
動することにより、前記プロセスチャンバー２の内圧
を、圧力値の異なるウエハに対する成膜処理時とプロセ
スチャンバー内のクリーニング時の設定圧力に調整する
ようにする。
【００２４】また前記プロセスチャンバー２内の圧力制
御をポンプ５の排気能力を変更することにより行う場合
には、前記ポンプ５にインバーター８を装備し、外部制
御信号に基いて前記インバーター９を介して前記ポンプ
５の排気能力を変更するようする。
御をポンプ５の排気能力を変更することにより行う場合
には、前記ポンプ５にインバーター８を装備し、外部制
御信号に基いて前記インバーター９を介して前記ポンプ
５の排気能力を変更するようする。
【００２５】以上のように本発明によれば、ウエハ１に
対する成膜処理時とプロセスチャンバー２内のクリーニ
ング時の設定圧力の相違に拘わらず、プロセスチャンバ
ー２内の排気能力を変更することにより、プロセスチャ
ンバー２内の圧力を制御する手段の絞り度合をほぼ同一
としたため、前記手段として圧力制御バルブ６を用いた
としても、圧力制御バルブ６の開度を一旦設定した後
は、圧力制御バルブ６の開度を変更する必要がない、言
い換えれば、圧力制御バルブ６の開度が一旦設定された
後は、その開度が固定されることとなり、従来例のよう
に圧力制御バルブ６に回転するバルブ可動部１０が存在
することはなく、圧力制御バルブ６の動作不良を引き起
こす原因をなくして、圧力制御バルブ６の動作不良を解
消することができる。
対する成膜処理時とプロセスチャンバー２内のクリーニ
ング時の設定圧力の相違に拘わらず、プロセスチャンバ
ー２内の排気能力を変更することにより、プロセスチャ
ンバー２内の圧力を制御する手段の絞り度合をほぼ同一
としたため、前記手段として圧力制御バルブ６を用いた
としても、圧力制御バルブ６の開度を一旦設定した後
は、圧力制御バルブ６の開度を変更する必要がない、言
い換えれば、圧力制御バルブ６の開度が一旦設定された
後は、その開度が固定されることとなり、従来例のよう
に圧力制御バルブ６に回転するバルブ可動部１０が存在
することはなく、圧力制御バルブ６の動作不良を引き起
こす原因をなくして、圧力制御バルブ６の動作不良を解
消することができる。
【００２６】次に本発明に係るＣＶＤ装置を、プロセス
チャンバー２内の圧力を制御する手段として、プロセス
チャンバー２とポンプ５の間に圧力制御バルブ６を設置
し、プロセスチャンバー２内のポンプ５による排気能力
を変更することにより、圧力制御バルブ６の開度をほぼ
同一としたまま、ウエハ１に対する成膜処理時とプロセ
スチャンバー２内のクリーニング時の設定圧力にそれぞ
れ設定するようにした例に適用した場合を図１に基いて
説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装
置を示す構成図である。
チャンバー２内の圧力を制御する手段として、プロセス
チャンバー２とポンプ５の間に圧力制御バルブ６を設置
し、プロセスチャンバー２内のポンプ５による排気能力
を変更することにより、圧力制御バルブ６の開度をほぼ
同一としたまま、ウエハ１に対する成膜処理時とプロセ
スチャンバー２内のクリーニング時の設定圧力にそれぞ
れ設定するようにした例に適用した場合を図１に基いて
説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装
置を示す構成図である。
【００２７】図１に示す本発明の一実施形態に係るＣＶ
Ｄ装置は、ウエハ１がロードされるプロセスチャンバー
２と、ロードされたウエハ１を加熱するヒーター３と、
成膜ガス及び成膜処理後のプロセスチャンバー２内のエ
ッチング用クリーニングガスを導入するシャワーヘッド
４とを有している。
Ｄ装置は、ウエハ１がロードされるプロセスチャンバー
２と、ロードされたウエハ１を加熱するヒーター３と、
成膜ガス及び成膜処理後のプロセスチャンバー２内のエ
ッチング用クリーニングガスを導入するシャワーヘッド
４とを有している。
【００２８】さらにプロセスチャンバー２内の排気はポ
ンプ５により行われ、プロセスチャンバー２とポンプ５
の間の排気ラインにはプロセスチャンバー２の圧力調整
を行う圧力調整バルブ６を備えている。また装置コント
ローラー７の設定にしたがってポンプ５の出力を変更さ
せるためのインバーター８を備える。
ンプ５により行われ、プロセスチャンバー２とポンプ５
の間の排気ラインにはプロセスチャンバー２の圧力調整
を行う圧力調整バルブ６を備えている。また装置コント
ローラー７の設定にしたがってポンプ５の出力を変更さ
せるためのインバーター８を備える。
【００２９】次に図１に示す本発明の一実施形態に係る
ＣＶＤ装置の動作を説明する。図１において、ウエハ１
はプロセスチャンバー２内のヒーター３上にロードさ
れ、上部シャワーヘッド４から導入される成膜ガス（Ｔ
ＥＯＳ等）により成膜処理される。
ＣＶＤ装置の動作を説明する。図１において、ウエハ１
はプロセスチャンバー２内のヒーター３上にロードさ
れ、上部シャワーヘッド４から導入される成膜ガス（Ｔ
ＥＯＳ等）により成膜処理される。
【００３０】成膜時のプロセスチャンバー２の圧力は、
予め設定された成膜圧力になるようにポンプ５の出力を
設定した後、圧力制御バルブ６の開度微調整により制御
される。
予め設定された成膜圧力になるようにポンプ５の出力を
設定した後、圧力制御バルブ６の開度微調整により制御
される。
【００３１】成膜時に設定されるポンプ５の出力値は、
圧力制御バルブ６を特定の開度に固定した状態で、プロ
セスチャンバー２の圧力が所定の成膜圧力の近傍になる
よう予め求めて装置コントローラー７に設定された値で
ある。そこで、成膜時におけるプロセスチャンバー２の
圧力となるように装置コントローラー７からの外部制御
信号に基いてインバーター８を用いてポンプ５の排気能
力を調整する。すなわちポンプ５の排気能力を、成膜時
に設定されるポンプ５の出力値に調整する。
圧力制御バルブ６を特定の開度に固定した状態で、プロ
セスチャンバー２の圧力が所定の成膜圧力の近傍になる
よう予め求めて装置コントローラー７に設定された値で
ある。そこで、成膜時におけるプロセスチャンバー２の
圧力となるように装置コントローラー７からの外部制御
信号に基いてインバーター８を用いてポンプ５の排気能
力を調整する。すなわちポンプ５の排気能力を、成膜時
に設定されるポンプ５の出力値に調整する。
【００３２】この状態にてウエハ１に対してプロセスチ
ャンバー２内にて成膜処理を遂行して、ウエハ１の処理
を完了させる。
ャンバー２内にて成膜処理を遂行して、ウエハ１の処理
を完了させる。
【００３３】成膜処理後、ウエハ１はプロセスチャンバ
ー２からアンロードされ、シャワーヘッド４から導入さ
れるクリーニングガス（Ｆ*等）により、成膜処理中に
プロセスチャンバー２の内壁及び排気ラインの圧力制御
バルブ６に堆積した生成物１１（ＳｉＯ2）を除去する
こととなる。
ー２からアンロードされ、シャワーヘッド４から導入さ
れるクリーニングガス（Ｆ*等）により、成膜処理中に
プロセスチャンバー２の内壁及び排気ラインの圧力制御
バルブ６に堆積した生成物１１（ＳｉＯ2）を除去する
こととなる。
【００３４】この場合、プロセスチャンバー２の圧力
は、ウエハ１の成膜時とは異なる圧力に変更する必要が
ある。図２に示す従来例では、圧力制御バルブ６の開度
を変更することにより対処することになるが、本発明の
実施形態では、圧力制御バルブ６の開度を変更すること
なく、プロセスチャンバー２内の圧力変更に対処するも
のである。
は、ウエハ１の成膜時とは異なる圧力に変更する必要が
ある。図２に示す従来例では、圧力制御バルブ６の開度
を変更することにより対処することになるが、本発明の
実施形態では、圧力制御バルブ６の開度を変更すること
なく、プロセスチャンバー２内の圧力変更に対処するも
のである。
【００３５】すなわち、プロセスチャンバー２内をクリ
ーニングする状態に切替える場合には、圧力制御バルブ
６の開度を成膜時とほぼ同一にして、その開度を固定し
たまま、クリーニング時のプロセスチャンバー２の内圧
が予め設定されたクリーニング圧力になるように、装置
コントローラー７からインバーター８にポンプ５の出力
を変更する制御信号を出力してインバーター８によりポ
ンプ５の排気能力を変更する。
ーニングする状態に切替える場合には、圧力制御バルブ
６の開度を成膜時とほぼ同一にして、その開度を固定し
たまま、クリーニング時のプロセスチャンバー２の内圧
が予め設定されたクリーニング圧力になるように、装置
コントローラー７からインバーター８にポンプ５の出力
を変更する制御信号を出力してインバーター８によりポ
ンプ５の排気能力を変更する。
【００３６】ここで、プロセスチャンバー２内のクリー
ニング時に変更されるポンプ５の出力値は、圧力制御バ
ルブ６を成膜処理時と同一の開度に固定した状態で、プ
ロセスチャンバー２の圧力が所定のクリーニング圧力の
近傍になるように予め求められ、装置コントローラー７
に設定された値であり、インバーター８を用いてポンプ
５の出力を変更する。
ニング時に変更されるポンプ５の出力値は、圧力制御バ
ルブ６を成膜処理時と同一の開度に固定した状態で、プ
ロセスチャンバー２の圧力が所定のクリーニング圧力の
近傍になるように予め求められ、装置コントローラー７
に設定された値であり、インバーター８を用いてポンプ
５の出力を変更する。
【００３７】図１に示す本発明では、ポンプ５として交
流モーターにより駆動されるポンプを用いるため、イン
バーター８を用いたが、これに代えて直流モーターによ
り駆動されるポンプを用いる場合にはインバーター８は
不要であり、装置コントローラー７からの制御信号によ
り直接ポンプ５の出力を変更設定するようにしてもよい
ものである。
流モーターにより駆動されるポンプを用いるため、イン
バーター８を用いたが、これに代えて直流モーターによ
り駆動されるポンプを用いる場合にはインバーター８は
不要であり、装置コントローラー７からの制御信号によ
り直接ポンプ５の出力を変更設定するようにしてもよい
ものである。
【００３８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、成
膜時とクリーニング時における圧力制御バルブの開度等
をほぼ同一にすることにより、成膜時に圧力制御バルブ
等の可動部分に堆積した生成物が、バルブ等の回転動作
に追従してクリーニング時にバルブ本体部に浸入するこ
とがなく、可動部分に堆積した生成物をも含めて完全に
除去することができる。
膜時とクリーニング時における圧力制御バルブの開度等
をほぼ同一にすることにより、成膜時に圧力制御バルブ
等の可動部分に堆積した生成物が、バルブ等の回転動作
に追従してクリーニング時にバルブ本体部に浸入するこ
とがなく、可動部分に堆積した生成物をも含めて完全に
除去することができる。
【００３９】そのため、プロセスチャンバーの圧力制御
に可動部をもつ圧力制御バルブを用いたとしても、生成
物の堆積による圧力制御バルブの動作不良を防止するこ
とができる。
に可動部をもつ圧力制御バルブを用いたとしても、生成
物の堆積による圧力制御バルブの動作不良を防止するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施形態に係るＣＶＤ装置を示す構
成図である。
成図である。
【図２】従来例に係るＣＶＤ装置を示す構成図である。
１ ウエハ ２ プロセスチャンバー ３ ヒーター ４ シャワーヘッド ５ ポンプ ６ 圧力調整バルブ ７ 装置コントローラー ８ インバーター
Claims (7)
- 【請求項１】 プロセスチャンバー内でウエハに対して
処理を行うＣＶＤ装置であって、 ウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のク
リーニング時の設定圧力の相違に拘わらず、プロセスチ
ャンバー内の排気能力を変更することにより、プロセス
チャンバー内の圧力を制御する手段の絞り度合をほぼ同
一としたことを特徴とするＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 前記プロセスチャンバー内をポンプによ
り排気し、前記ポンプの排気能力を変更することによ
り、前記プロセスチャンバーの内圧を調整するものであ
ることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 ウエハに対する成膜処理時とプロセスチ
ャンバー内のクリーニング時の設定圧力にそれぞれ対応
する排気能力の異なるポンプを設置し、前記ポンプを選
択的に切替えて駆動することにより、前記プロセスチャ
ンバー内を排気するものであることを特徴とする請求項
１に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項４】 前記プロセスチャンバーと前記ポンプの
間に圧力制御バルブを設置し、前記圧力制御バルブによ
り前記プロセスチャンバーの内圧を制御するようにした
ことを特徴とする請求項１，２又は３に記載のＣＶＤ装
置。 - 【請求項５】 前記圧力制御バルブの開度をほぼ同一と
し、前記前記ポンプの排気能力を変更することにより、
前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異なるウエ
ハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内のクリー
ニング時の設定圧力に調整するようにしたことを特徴と
する請求項２又は４に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項６】 前記圧力制御バルブの開度をほぼ同一と
し、前記前記ポンプを選択的に切替えて駆動することに
より、前記プロセスチャンバーの内圧を、圧力値の異な
るウエハに対する成膜処理時とプロセスチャンバー内の
クリーニング時の設定圧力に調整するようにしたことを
特徴とする請求項３又は４に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項７】 前記ポンプが交流モータで駆動されるも
のである場合にインバーターを装備し、外部制御信号に
基いて前記インバーターを介して前記ポンプの排気能力
を変更するようにしたことを請求項２，４又は５に記載
のＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011662A JP2001200368A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011662A JP2001200368A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001200368A true JP2001200368A (ja) | 2001-07-24 |
Family
ID=18539498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000011662A Pending JP2001200368A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001200368A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270841A (ja) * | 2002-03-28 | 2008-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法および基板処理装置 |
-
2000
- 2000-01-20 JP JP2000011662A patent/JP2001200368A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008270841A (ja) * | 2002-03-28 | 2008-11-06 | Hitachi Kokusai Electric Inc | クリーニング方法および基板処理装置 |
| JP2011035434A (ja) * | 2002-03-28 | 2011-02-17 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体デバイスの製造方法およびクリーニング方法 |
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