JP2001195994A - プラズマ発生装置及び皮膜形成方法 - Google Patents
プラズマ発生装置及び皮膜形成方法Info
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- JP2001195994A JP2001195994A JP2000001783A JP2000001783A JP2001195994A JP 2001195994 A JP2001195994 A JP 2001195994A JP 2000001783 A JP2000001783 A JP 2000001783A JP 2000001783 A JP2000001783 A JP 2000001783A JP 2001195994 A JP2001195994 A JP 2001195994A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 カーボンカソードから生じた多価
イオンを含む高密度カーボンプラズマを直接基板に照射
すると基板温度が上昇し、高硬度にして低摩擦係数の膜
が形成できる。 【解決手段】 アノード（５）とカソード（６）
との間に真空アーク放電を発生させ、高密度カーボンプ
ラズマを発生させ、このプラズマにガス導入口（８）よ
り炭化水素ガスを供給する。これによりプラズマ密度を
下げる。
イオンを含む高密度カーボンプラズマを直接基板に照射
すると基板温度が上昇し、高硬度にして低摩擦係数の膜
が形成できる。 【解決手段】 アノード（５）とカソード（６）
との間に真空アーク放電を発生させ、高密度カーボンプ
ラズマを発生させ、このプラズマにガス導入口（８）よ
り炭化水素ガスを供給する。これによりプラズマ密度を
下げる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、摺動部品の摺動面
に硬質カーボン皮膜を形成するのに有効な高密度プラズ
マ発生装置とその成膜方法に関する。
に硬質カーボン皮膜を形成するのに有効な高密度プラズ
マ発生装置とその成膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】多価電離イオンの割合の高いイオンビー
ムの連続的な発生方法が特開平８−１０２２７８号公報
に開示されている。図３は特開平８−１０２２７８号公
報で開示されたイオンビーム発生装置の全体構成図であ
る。このイオンビーム発生装置２０は仕切り板２１でそ
の内部空間を第１チャンバー２２と第２チャンバー２３
に区分された真空容器２４と、仕切り板２１が仕切り板
２１を貫通する開口孔２５を有し、さらに、正の電圧が
印加されるアノード２６と、第１チャンバー２２の内の
開口孔２５の中心軸上にアノード２６に対向して配設さ
れかつ負電圧を印加されるカソード２７と、チャンバー
内に発生したプラズマを閉じ込める磁場発生装置３０と
を備えている。尚、図３において、２８はマイクロ波導
入部、２９はアークプラズマ、３０ａは永久磁石、３０
ｂと３０ｃは空心コイル、３１は真空アーク放電、３２
はイオン抽出電極、３３ａと３３ｂはイオン抽出電源、
３４はアーク電源を示す。図３の装置によれば、第１の
真空チャンバー内でアノードとカソード間に真空アーク
放電を発生させてカソード物質の金属プラズマを形成
し、磁場発生装置による磁場により金属プラズマを一時
的に封じ込め、かつマイクロ波により金属プラズマを加
熱して多価電離イオンの割合を増加させ、イオン抽出電
極による電界により金属プラズマからイオンを抽出する
ことにより、多価電離イオンの割合が高いイオンビーム
を発生させることができる。
ムの連続的な発生方法が特開平８−１０２２７８号公報
に開示されている。図３は特開平８−１０２２７８号公
報で開示されたイオンビーム発生装置の全体構成図であ
る。このイオンビーム発生装置２０は仕切り板２１でそ
の内部空間を第１チャンバー２２と第２チャンバー２３
に区分された真空容器２４と、仕切り板２１が仕切り板
２１を貫通する開口孔２５を有し、さらに、正の電圧が
印加されるアノード２６と、第１チャンバー２２の内の
開口孔２５の中心軸上にアノード２６に対向して配設さ
れかつ負電圧を印加されるカソード２７と、チャンバー
内に発生したプラズマを閉じ込める磁場発生装置３０と
を備えている。尚、図３において、２８はマイクロ波導
入部、２９はアークプラズマ、３０ａは永久磁石、３０
ｂと３０ｃは空心コイル、３１は真空アーク放電、３２
はイオン抽出電極、３３ａと３３ｂはイオン抽出電源、
３４はアーク電源を示す。図３の装置によれば、第１の
真空チャンバー内でアノードとカソード間に真空アーク
放電を発生させてカソード物質の金属プラズマを形成
し、磁場発生装置による磁場により金属プラズマを一時
的に封じ込め、かつマイクロ波により金属プラズマを加
熱して多価電離イオンの割合を増加させ、イオン抽出電
極による電界により金属プラズマからイオンを抽出する
ことにより、多価電離イオンの割合が高いイオンビーム
を発生させることができる。
【０００３】図４は図３のイオンビーム発生装置を利用
した硬質カーボン皮膜を形成するための装置の例であ
る。図４に示された硬質カーボン皮膜形成装置では真空
チャンバー４０内に取り付けられカソード２７にアーク
電源４１（図３のアーク電源３４相当）が接続される。
イオン源４６より発生したプラズマ４２は基板４４が取
り付けられ、バイアス電源４５により負電圧を印加され
たホルダー４３に向かって照射される。尚、ホルダー４
３は図示されていないが、プラズマによる温度上昇を防
止するため水冷されている。ここでカソード２７の材料
としてカーボンを使用すると基板４４の表面に硬質カー
ボン皮膜が形成される。
した硬質カーボン皮膜を形成するための装置の例であ
る。図４に示された硬質カーボン皮膜形成装置では真空
チャンバー４０内に取り付けられカソード２７にアーク
電源４１（図３のアーク電源３４相当）が接続される。
イオン源４６より発生したプラズマ４２は基板４４が取
り付けられ、バイアス電源４５により負電圧を印加され
たホルダー４３に向かって照射される。尚、ホルダー４
３は図示されていないが、プラズマによる温度上昇を防
止するため水冷されている。ここでカソード２７の材料
としてカーボンを使用すると基板４４の表面に硬質カー
ボン皮膜が形成される。
【０００４】これとは別に、硬質カーボン皮膜はＲＦプ
ラズマＣＶＤ法をはじめとしていくつかの方法により成
膜することが可能であるが、プラズマ密度が低いために
成膜速度が遅い。また、高密度プラズマによる硬質カー
ボン皮膜の成膜方法には電子ビーム励起プラズマ（EBEP
: Electron Beam Excited Plasma）がある。これはＷ
フィラメントへの通電により発生した熱電子により反応
性ガスを励起してプラズマ化するものである。
ラズマＣＶＤ法をはじめとしていくつかの方法により成
膜することが可能であるが、プラズマ密度が低いために
成膜速度が遅い。また、高密度プラズマによる硬質カー
ボン皮膜の成膜方法には電子ビーム励起プラズマ（EBEP
: Electron Beam Excited Plasma）がある。これはＷ
フィラメントへの通電により発生した熱電子により反応
性ガスを励起してプラズマ化するものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＤＬＣ（ダイヤモンド
・ライク・カーボン）に代表される硬質カーボン皮膜に
は大別してメタン、アセチレンなどの炭化水素ガスを用
いたプラズマを利用して成膜する方法と固体カーボンの
アーク放電によるプラズマを利用した成膜方法の２つが
ある。炭化水素ガスを材料とした場合にはＣ−Ｈ結合に
より水素を数１０％含むために得られた膜の硬度が低い
という問題がある。一方で固体カーボンを用いたアーク
放電による硬質カーボン膜は水素を含まないために高硬
度であるが、膜の内部応力（圧縮）が非常に大きく膜表
面が波打ったりして密着性の良い膜を形成することが困
難である。
・ライク・カーボン）に代表される硬質カーボン皮膜に
は大別してメタン、アセチレンなどの炭化水素ガスを用
いたプラズマを利用して成膜する方法と固体カーボンの
アーク放電によるプラズマを利用した成膜方法の２つが
ある。炭化水素ガスを材料とした場合にはＣ−Ｈ結合に
より水素を数１０％含むために得られた膜の硬度が低い
という問題がある。一方で固体カーボンを用いたアーク
放電による硬質カーボン膜は水素を含まないために高硬
度であるが、膜の内部応力（圧縮）が非常に大きく膜表
面が波打ったりして密着性の良い膜を形成することが困
難である。
【０００６】図４に示したような装置を用いてカーボン
カソードから生じた多価イオンを含む高密度カーボンプ
ラズマを直接ワークに照射すると基板温度が上昇し、摺
動部品に好適な高硬度で低摩擦係数のＤＬＣ膜（ダイヤ
モンド・ライク・カーボン）を基板上に密着性良く形成
することができないという問題があった。
カソードから生じた多価イオンを含む高密度カーボンプ
ラズマを直接ワークに照射すると基板温度が上昇し、摺
動部品に好適な高硬度で低摩擦係数のＤＬＣ膜（ダイヤ
モンド・ライク・カーボン）を基板上に密着性良く形成
することができないという問題があった。
【０００７】電子ビーム励起プラズマ（EBEP）ではＷフ
ィラメントへの通電により熱電子を発生させるためにＷ
フィラメントの消耗が激しいという問題がある。またこ
の方法により硬質カーボン皮膜を形成しようとする場合
には膜中に含まれる水素量は材料ガス中のＨ／Ｃ比と解
離度により決まってしまうため任意に設定することが困
難である。
ィラメントへの通電により熱電子を発生させるためにＷ
フィラメントの消耗が激しいという問題がある。またこ
の方法により硬質カーボン皮膜を形成しようとする場合
には膜中に含まれる水素量は材料ガス中のＨ／Ｃ比と解
離度により決まってしまうため任意に設定することが困
難である。
【０００８】本発明は係る問題点を解決すべくなされた
もので、本発明の目的は、連続して発生する多価イオン
を含む高密度プラズマにより水素を含むガスを励起する
プラズマ発生装置を提供し、これにより膜中の水素濃度
を任意に設定し、任意の硬度で高密着性の硬質カーボン
皮膜を高速に形成する装置及び方法を提供することにあ
る。
もので、本発明の目的は、連続して発生する多価イオン
を含む高密度プラズマにより水素を含むガスを励起する
プラズマ発生装置を提供し、これにより膜中の水素濃度
を任意に設定し、任意の硬度で高密着性の硬質カーボン
皮膜を高速に形成する装置及び方法を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
すべくなされたもので、第１の実施例に対応する図１で
説明すると、本発明によるプラズマ発生装置は仕切り板
１で第１チャンバー２と第２チャンバー３とに区切られ
た真空容器１００と、前記仕切り板は、該仕切り板を貫
通する開口孔４を有し、正電圧を印加されるアノード５
と、前記開口孔の中心軸上にアノードと対向して配設さ
れかつ負電圧を印加されるカソード６と、第１チャンバ
ー外周に配設された磁場発生装置７とガス導入口８を備
えている。
すべくなされたもので、第１の実施例に対応する図１で
説明すると、本発明によるプラズマ発生装置は仕切り板
１で第１チャンバー２と第２チャンバー３とに区切られ
た真空容器１００と、前記仕切り板は、該仕切り板を貫
通する開口孔４を有し、正電圧を印加されるアノード５
と、前記開口孔の中心軸上にアノードと対向して配設さ
れかつ負電圧を印加されるカソード６と、第１チャンバ
ー外周に配設された磁場発生装置７とガス導入口８を備
えている。
【００１０】また、図２は第２の実施例を示し、この例
は第１の実施例のプラズマ発生装置の第２チャンバー３
の外周に磁場発生装置９を備えているものである。図１
または図２に示したようなプラズマ発生装置を用いて皮
膜を形成することができる。例えばカソードに固体カー
ボンを用い、導入ガスに水素含有ガスを用いると硬質カ
ーボン皮膜を形成することができる。また、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｗ、ＷＣ、Ｔａのうち１以上の元素を含むカソード
を用いるとこうした金属元素を含んだ硬質カーボン皮膜
を形成することができる。
は第１の実施例のプラズマ発生装置の第２チャンバー３
の外周に磁場発生装置９を備えているものである。図１
または図２に示したようなプラズマ発生装置を用いて皮
膜を形成することができる。例えばカソードに固体カー
ボンを用い、導入ガスに水素含有ガスを用いると硬質カ
ーボン皮膜を形成することができる。また、Ｓｉ、Ｔ
ｉ、Ｗ、ＷＣ、Ｔａのうち１以上の元素を含むカソード
を用いるとこうした金属元素を含んだ硬質カーボン皮膜
を形成することができる。
【００１１】本発明の装置および方法によれば、第１チ
ャンバー内でアノード−カソード間にアーク電源を用い
て真空アーク放電を発生させ、カソード物質を蒸発させ
多価電離イオンを含んだ高密度プラズマを発生させる。
発生したプラズマは、外周部に配設した磁場発生装置に
よる磁場により閉じ込められ第２チャンバーへと引き出
される。第２チャンバーへ引き出された高密度プラズマ
はガス導入口より供給される水素を含んだガスと衝突し
てガスをプラズマ化する。このようにしてカソードから
発生した高密度金属プラズマにより励起されたガスプラ
ズマは一体となって基板に向かって照射される。このと
き基板には基板ホルダーを介してバイアス電源から負電
圧を印加しておく。プラズマ中のイオンは基板に印加さ
れた負電圧により引き寄せられるため基板上に皮膜が形
成される。
ャンバー内でアノード−カソード間にアーク電源を用い
て真空アーク放電を発生させ、カソード物質を蒸発させ
多価電離イオンを含んだ高密度プラズマを発生させる。
発生したプラズマは、外周部に配設した磁場発生装置に
よる磁場により閉じ込められ第２チャンバーへと引き出
される。第２チャンバーへ引き出された高密度プラズマ
はガス導入口より供給される水素を含んだガスと衝突し
てガスをプラズマ化する。このようにしてカソードから
発生した高密度金属プラズマにより励起されたガスプラ
ズマは一体となって基板に向かって照射される。このと
き基板には基板ホルダーを介してバイアス電源から負電
圧を印加しておく。プラズマ中のイオンは基板に印加さ
れた負電圧により引き寄せられるため基板上に皮膜が形
成される。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施例について
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明による実施例について示し
たもので仕切り板１で第１チャンバー２と第２チャンバ
ー３とに区切られた真空容器１００と、仕切り板１は仕
切り板１を貫通する開口孔４を有し、さらに、正電圧を
印加されるアノード５と、開口孔４の中心軸上にアノー
ド５と対向して配設されかつ負電圧を印加されるカソー
ド６と、第１チャンバー２の外周に配設された磁場発生
装置７と、及び第２チャンバー３内に開口しかつ形成さ
れた高密度プラズマ中にガスを供給するためのガス導入
口８を備えている。
さらに詳細に説明する。 （実施例１）図１は、本発明による実施例について示し
たもので仕切り板１で第１チャンバー２と第２チャンバ
ー３とに区切られた真空容器１００と、仕切り板１は仕
切り板１を貫通する開口孔４を有し、さらに、正電圧を
印加されるアノード５と、開口孔４の中心軸上にアノー
ド５と対向して配設されかつ負電圧を印加されるカソー
ド６と、第１チャンバー２の外周に配設された磁場発生
装置７と、及び第２チャンバー３内に開口しかつ形成さ
れた高密度プラズマ中にガスを供給するためのガス導入
口８を備えている。
【００１３】カソード材料に固体カーボンを使用し、真
空容器１００内を１０−６torrまで排気する。その後一
旦Ａｒガスを導入して数ｍtorr程度の圧力とし、アーク
電源１３より８０Ｖ、４０Ａ（定電流）程度の電力を供
給し、グロー放電を発生させる。次に１０−４torr程度
の圧力まで真空排気してアーク放電に移行させる。こう
して高密度カーボンプラズマを発生させておいてガス導
入口８よりメタン、アセチレンなどの炭化水素ガスを導
入する。
空容器１００内を１０−６torrまで排気する。その後一
旦Ａｒガスを導入して数ｍtorr程度の圧力とし、アーク
電源１３より８０Ｖ、４０Ａ（定電流）程度の電力を供
給し、グロー放電を発生させる。次に１０−４torr程度
の圧力まで真空排気してアーク放電に移行させる。こう
して高密度カーボンプラズマを発生させておいてガス導
入口８よりメタン、アセチレンなどの炭化水素ガスを導
入する。
【００１４】基板１０には基板ホルダー１１を介してバ
イアス電源１２より直流の負電圧バイアスあるいはＲＦ
バイアス（１３．５６MHz）を印加しておくと基板１０
上に硬質カーボン皮膜が形成される。従来の固体カーボ
ンだけのプラズマの場合には熱による影響が大きく膜が
グラファイト化してしまうが、本発明の炭化水素ガスを
用いる方法によればプラズマ密度が下がり熱的な影響が
軽減され安定に硬質カーボン皮膜を作ることができる。
さらに炭化水素ガスの分圧を変えることにより成膜され
る硬質カーボン皮膜中の水素濃度を任意に変えることが
でき、それにより膜硬度を制御することが可能である。
イアス電源１２より直流の負電圧バイアスあるいはＲＦ
バイアス（１３．５６MHz）を印加しておくと基板１０
上に硬質カーボン皮膜が形成される。従来の固体カーボ
ンだけのプラズマの場合には熱による影響が大きく膜が
グラファイト化してしまうが、本発明の炭化水素ガスを
用いる方法によればプラズマ密度が下がり熱的な影響が
軽減され安定に硬質カーボン皮膜を作ることができる。
さらに炭化水素ガスの分圧を変えることにより成膜され
る硬質カーボン皮膜中の水素濃度を任意に変えることが
でき、それにより膜硬度を制御することが可能である。
【００１５】（実施例２）図２は、本発明による実施例
について示したもので、図１に示す装置に加えて第２チ
ャンバー３の外周に磁場発生装置９を備えている。実施
例１と同様の条件で操作することにより基板１０上に硬
質カーボン皮膜を形成することができる。皮膜形成の際
に磁場発生装置９により第２チャンバー中央部にプラズ
マを閉じ込め、外周部に基板１０を配置して成膜を行う
ことができる。
について示したもので、図１に示す装置に加えて第２チ
ャンバー３の外周に磁場発生装置９を備えている。実施
例１と同様の条件で操作することにより基板１０上に硬
質カーボン皮膜を形成することができる。皮膜形成の際
に磁場発生装置９により第２チャンバー中央部にプラズ
マを閉じ込め、外周部に基板１０を配置して成膜を行う
ことができる。
【００１６】（実施例３）カソード６にＣとＣ以外の元
素、例えばＳｉの粉末を成形したものを使用するとＣイ
オンとＳｉイオンからなる高密度プラズマが生成され、
メタンガスと反応してＣ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｃ結合を含ん
だ硬質カーボン皮膜が形成される。ここではカソードに
Ｓｉ等の添加元素を入れる方法について述べたが、金属
元素を含む有機金属材料、例えばテトラメチルシランな
どを炭化水素ガスと一緒に使用することによっても同様
の金属元素が添加された硬質カーボン皮膜を形成するこ
とができる。
素、例えばＳｉの粉末を成形したものを使用するとＣイ
オンとＳｉイオンからなる高密度プラズマが生成され、
メタンガスと反応してＣ−Ｈ結合、Ｓｉ−Ｃ結合を含ん
だ硬質カーボン皮膜が形成される。ここではカソードに
Ｓｉ等の添加元素を入れる方法について述べたが、金属
元素を含む有機金属材料、例えばテトラメチルシランな
どを炭化水素ガスと一緒に使用することによっても同様
の金属元素が添加された硬質カーボン皮膜を形成するこ
とができる。
【００１７】このように本発明によれば、従来の固体カ
ーボンからの多価イオンを含んだ高密度プラズマでは密
着性の良い硬質カーボン皮膜を形成することは不可能で
あったものが、形成された高密度プラズマ中に水素を含
むガスを導入することによりプラズマ密度を少し下げ、
Ｃ−Ｈ結合を含む硬質カーボン皮膜とすることにより膜
の内部応力を緩和することにより高密着性の硬質カーボ
ン皮膜を形成することができる。また、カーボン以外の
金属元素を含んだカソードを用いることにより金属元素
が添加された硬質カーボン皮膜を形成することができ
る。
ーボンからの多価イオンを含んだ高密度プラズマでは密
着性の良い硬質カーボン皮膜を形成することは不可能で
あったものが、形成された高密度プラズマ中に水素を含
むガスを導入することによりプラズマ密度を少し下げ、
Ｃ−Ｈ結合を含む硬質カーボン皮膜とすることにより膜
の内部応力を緩和することにより高密着性の硬質カーボ
ン皮膜を形成することができる。また、カーボン以外の
金属元素を含んだカソードを用いることにより金属元素
が添加された硬質カーボン皮膜を形成することができ
る。
【００１８】本発明によるプラズマ発生装置及び皮膜形
成方法を用いることにより摺動部品に好適なＤＬＣ皮膜
などの硬質カーボン皮膜を密着性良く金属基板上に形成
することができる。導入する水素を含んだガスの量を制
御することにより硬質カーボン皮膜中の水素含有量を任
意に調整することができるため、硬質カーボン皮膜の硬
度を制御することができる。また、プラズマ密度が従来
のＲＦ−ＰＣＶＤ法などに比べて高いため高速成膜が可
能である。さらにカソードに使用する金属元素を選択す
ることにより金属元素を含有した硬質カーボン皮膜を形
成することができる。
成方法を用いることにより摺動部品に好適なＤＬＣ皮膜
などの硬質カーボン皮膜を密着性良く金属基板上に形成
することができる。導入する水素を含んだガスの量を制
御することにより硬質カーボン皮膜中の水素含有量を任
意に調整することができるため、硬質カーボン皮膜の硬
度を制御することができる。また、プラズマ密度が従来
のＲＦ−ＰＣＶＤ法などに比べて高いため高速成膜が可
能である。さらにカソードに使用する金属元素を選択す
ることにより金属元素を含有した硬質カーボン皮膜を形
成することができる。
【図１】本発明によるプラズマ発生装置を利用した皮膜
形成装置の構成図である（実施例１に対応）。
形成装置の構成図である（実施例１に対応）。
【図２】本発明によるプラズマ発生装置を利用した皮膜
形成装置の構成図である（実施例２に対応）。
形成装置の構成図である（実施例２に対応）。
【図３】従来のプラズマ発生装置の全体構成図である。
【図４】従来のプラズマ発生装置を利用した皮膜形成装
置の構成図である。
置の構成図である。
１ 仕切り板 ２ 第１チャンバー ３ 第２チャンバー ４ 開口孔 ５ アノード ６ カソード ７ 磁場発生装置 ８ ガス導入口 ９ 磁場発生装置 １０ 基板 １１ 基板ホルダー １２ バイアス電源 １３ アーク電源
フロントページの続き (72)発明者 岩木 正哉 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 (72)発明者 丹波 護武 埼玉県和光市広沢２番１号 理化学研究所 内 Ｆターム(参考） 4K030 AA10 AA17 BA28 CA12 FA02 KA14 KA20 KA30 LA23 5C030 DD04 DD05 DD06 DE01 DG02 DG09 5C034 CC01
Claims (5)
- 【請求項１】 内部空間を仕切り板で第１チャンバーと
第２チャンバーとに区切られた真空容器と、前記仕切り
板が該仕切り板を貫通する開口孔を有し、さらに正電圧
を印加するアノードと、前記開口孔の中心軸上に前記ア
ノードと対向して配設されかつ負電圧が印加されるカソ
ードと、第１チャンバー外周に配設された磁場発生装置
と、及び形成された高密度プラズマ中にガスを供給する
ためのガス導入口とを備えたことを特徴とするプラズマ
発生装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のプラズマ発生装置であっ
て、前記第２チャンバーの外周に磁場発生装置を備えた
ことを特徴とするプラズマ発生装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のプラズマ発生装置であっ
て、前記カソードに固体カーボンを用い、導入ガスに水
素含有ガスを用いたことを特徴とするプラズマ発生装
置。 - 【請求項４】 請求項３記載のプラズマ発生装置であっ
て、Ｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｗ、ＷＣ、Ｔａから選択された１
以上の元素を含むカソードを用いたことを特徴とするプ
ラズマ発生装置。 - 【請求項５】 請求項３又は４記載のプラズマ発生装置
により発生させたガスプラズマを負電圧に印加された基
板ホルダー上の基板に照射させて基板に皮膜を生成する
ことを特徴とする皮膜形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001783A JP2001195994A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマ発生装置及び皮膜形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000001783A JP2001195994A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマ発生装置及び皮膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001195994A true JP2001195994A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=18530971
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000001783A Pending JP2001195994A (ja) | 2000-01-07 | 2000-01-07 | プラズマ発生装置及び皮膜形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001195994A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013541167A (ja) * | 2010-10-25 | 2013-11-07 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | 電子ビームを形成するための装置 |
-
2000
- 2000-01-07 JP JP2000001783A patent/JP2001195994A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013541167A (ja) * | 2010-10-25 | 2013-11-07 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | 電子ビームを形成するための装置 |
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