JP2001194563A - 半導体レーザモジュールとその製造方法 - Google Patents
半導体レーザモジュールとその製造方法Info
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Abstract
ずれの発生を抑えて光の結合効率を高めると共に、コス
トダウンが可能な半導体レーザモジュールとその製造方
法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ素子5から出射される光を
レンズ17及び光アイソレータ18を用いて光ファイバ8に
光結合させる半導体レーザモジュール1とその製造方
法。レンズ17を保持するレンズホルダ16及び光アイソレ
ータ18が共通の単一の固定部材15上に固定されている。
Description
ュールとその製造方法に関する。
開平10−39174号公報に開示されているように、
半導体レーザ素子、レンズ、レンズホルダ、前記半導体
レーザ素子の出力をモニタするフォトダイオード、温度
制御素子及び光アイソレータ等、多くの構成部品を備え
ている。この半導体レーザモジュールにおいては、前記
半導体レーザ素子からの出力光を、前記レンズで集光し
て平行光とした後、前記光アイソレータを介して光ファ
イバに導き、光ファイバ内を導波して所望の用途に供し
ている。
導体レーザモジュールは、前記のように多くの部品によ
って半導体レーザ素子から光ファイバに至る光経路が形
成されるため、光軸、特に、前記レンズと光アイソレー
タとの光軸がずれることがある。このような事態が発生
すると、半導体レーザモジュールでは、前記レンズから
出射した光が前記光アイソレータの一部によってけら
れ、光の結合効率が低下する。また、半導体レーザモジ
ュールは、前記のように構成部品数が多いことから、部
品コストがかかる結果、高価になるという問題があっ
た。
で、レンズと光アイソレータとの間における光軸ずれの
発生を抑えて光の結合効率を高めると共に、コストダウ
ンが可能な半導体レーザモジュールとその製造方法を提
供することを目的とする。
的を達成するため、半導体レーザ素子から出射される光
をレンズ及び光アイソレータを用いて光ファイバに光結
合させる半導体レーザモジュールにおいて、前記レンズ
を保持するレンズホルダ及び前記光アイソレータが共通
の固定部材上に固定されている構成としたのである。
に側壁が形成されたチャンネル状の部材とする。また好
ましくは、前記各側壁は、前記レンズホルダに保持され
るレンズと前記光アイソレータとの光軸が一致するよう
に前記光軸に直交する高さ方向の長さを設定する。
とする。更に好ましくは、前記固定部材は、前記光アイ
ソレータの直径をDとしたとき、前記側壁の高さH1
と、2つの側壁間の幅W1とを、次式のように設定す
る。 W1<D, H1>D/2−(D2/4−W12/4)1/2 一方、前記固定部材は、前記2つの側壁間の幅が、前記
光アイソレータの直径と略等しいか僅かに大きい場合に
は、前記光アイソレータを2つの側壁の間に配置し、前
記各側壁の外側からYAGレーザで貫通溶接して前記光
アイソレータを固定する。
壁の前記レンズホルダを固定する部分の高さと前記光ア
イソレータを固定する部分の高さとを異ならせる。更に
好ましくは、前記レンズホルダを前記固定部材に固定す
る位置の高さを、該レンズホルダに保持される前記レン
ズの光軸の高さと実質的に一致させる。好ましくは、前
記レンズホルダや前記光アイソレータを前記固定部材に
溶接固定する。
光アイソレータを前記固定部材の側壁上部に固定する。
更に好ましくは、前記光アイソレータを前記側壁を貫通
して前記固定部材に溶接固定する。好ましくは、前記固
定部材をベース上に固定する。
子上に固定する。また、本発明においては上記目的を達
成するため、半導体レーザ素子から出射される光をレン
ズ及び光アイソレータを用いて光ファイバに光結合させ
る半導体レーザモジュールの製造方法において、前記レ
ンズを保持するレンズホルダ及び前記光アイソレータを
共通の単一の固定部材上に固定する工程を含む構成とし
たのである。
ュールとその製造方法に係る一実施形態を図1乃至図5
に基づいて詳細に説明する。半導体レーザモジュール1
は、図1に示すように、パッケージ2、温度制御素子
3、ベース4、半導体レーザ素子5、フォトダイオード
6、固定部材15、第1レンズ17及び光アイソレータ
18を備えている。
度制御素子3、ベース4、半導体レーザ素子5、フォト
ダイオード6、固定部材15、第1レンズ17及び光ア
イソレータ18等を収納する。パッケージ2は、底板2
a、周壁2b及びカバー2cを有し、周壁2bの上部に
カバー2cが被着される。また、パッケージ2は、周壁
2bにフランジ2dが設けられ、フランジ2d端面に第
2レンズホルダ2eがYAGレーザによって溶接固定さ
れている。第2レンズホルダ2eは、内部に第2レンズ
として球レンズ7が挿着され、端部にはファイバスリー
ブ2fが設けられている。ファイバスリーブ2fには、
光ファイバ8の端部に取り付けられたフェルール8aが
YAGレーザによって溶接固定されている。
板2aに設置され、半導体レーザ素子5の作動に伴う発
熱を冷却して所定温度に制御するぺルチェ素子で、この
上にベース4が設けられている。温度制御素子3は、半
導体レーザ素子5の近傍に配置されたサーミスタ(図示
せず)によって測定された温度に基づき、電流値を調整
することで半導体レーザ素子5の温度を制御している。
(図2のZ軸方向)の一方が高い第1搭載台4aと、他
方が低い第2搭載台4bとを有する板状の部材で、第1
搭載台4aに第1キャリア9,ヒートシンク10を介し
て半導体レーザ素子5が設けられている。また、第1搭
載台4aには、第1キャリア9に隣接して第2キャリア
11が配置され、半導体レーザ素子5と対向する位置に
フォトダイオード6が設けられている。一方、第2搭載
台4bには、固定部材15が搭載され、YAGレーザ等
によって適宜個所の溶接点Pwdで溶接されている。
11はベース4に、ヒートシンク10は第1キャリア9
に、半導体レーザ素子5はヒートシンク10に、それぞ
れ半田によって固定されている。半導体レーザ素子5
は、所定波長のレーザ光を前端面から第1レンズ17に
向けて出射すると共に、後端面からフォトダイオード6
にモニタ光を出射する。このとき、半導体レーザ素子5
は、例えば、活性層と第1レンズ17の光軸との高さ方
向の差が数μm以内となるように位置決めされる。
に、第2キャリア11の傾斜させた前面に設けられ、半
導体レーザ素子5の後端面から出射されるモニタ光をモ
ニタする。固定部材15は、図2に示すように、底板1
5aの両側にレンズホルダ16と光アイソレータ18を
図2のX軸方向で位置決めする側壁15bが形成された
チャンネル状の部材で、レンズホルダ16と光アイソレ
ータ18が直接固定されている。このとき、2つの側壁
15bは、レンズホルダ16に保持される第1レンズ1
7(図1参照)と光アイソレータ18との光軸が一致す
るように、それぞれの部材を配置する部分における高さ
方向(図2のY軸方向)の長さが適宜異なるように設定
されている。また、固定部材15は、側壁15bのレン
ズホルダ16固定する部分の高さを、例えば、第1レン
ズ17の中心の高さと略一致させておく。このようにす
ると、固定部材15は、レンズホルダ16を溶接固定す
る際に、溶接点Pwdの高さが第1レンズ17の中心の高
さと略一致する。従って、固定部材15への溶接作業に
伴うレンズホルダ16の回動方向における僅かな位置ず
れが発生しても、第1レンズ17の目標とする位置から
の位置ずれを防止することができる。このように、固定
部材15は、レンズホルダ16を固定する側壁15bの
部分の高さと、光アイソレータ18を固定する側壁15
bの部分の高さを、それぞれ適宜相違させた構成とする
ことにより、第1レンズ17と光アイソレータ18との
光軸のずれに起因した光の結合効率の低減をより一層抑
制することができる。
ら出射される光を平行光とするコリメーションレンズ
で、ステンレス等の金属からなるレンズホルダ16の挿
着孔16aに低融点ガラスで固定されている。光アイソ
レータ18は、図2に示すように、外観が円柱状に形成
されて固定部材15の2つの側壁15bに固定され、レ
ンズホルダ16に隣接して配置されている。
レータ18は、YAGレーザ等によって適宜個所の溶接
点(固定位置)Pwdで側壁15bに溶接固定される。半
導体レーザモジュール1は以上のように構成され、以下
に説明する製造方法に従って製造される。先ず、ベース
4の第1搭載台4aに第1キャリア9を半田で固定す
る。第1キャリア9は、予めヒートシンク10を介して
半導体レーザ素子5が半田で固定され、ワイヤボンディ
ングにより半導体レーザ素子5と電気的に接続されてい
る。
aに半田固定する。第2キャリア11は、予めフォトダ
イオード6が半田固定され、ワイヤボンディングによっ
てフォトダイオード6と電気的に接続されている。次い
で、第1レンズホルダ16を固定部材15の両側壁15
bの間に嵌めた状態で第1レンズ7から出射される光が
平行光となるようにレンズホルダ16の位置を調節す
る。
とベース4及び固定部材15とレンズホルダ16を、Y
AGレーザによりそれそれ適宜個所の溶接点Pwdで溶接
する。次いで、光アイソレータ18をレンズホルダ16
に隣接させて2つの側壁15b間に載置し、この状態で
光軸周りにおける調心を行い、前記と同様にしてYAG
レーザにより適宜個所の溶接点Pwdで側壁15bに溶接
する。このとき、光アイソレータ18は、前記とは逆
に、光軸周りにおける調心を行った後、2つの側壁15
b間に載置してもよい。
制御素子3を取り付け、リード(図示せず)をパッケー
ジ2に半田で接続する。次に、ベース4を温度制御素子
3の上に取り付け、半導体レーザ素子5から出射される
光がフランジ2dの中央に位置するように調心した後、
ベース4を温度制御素子3に半田固定する。この後、金
ワイヤ(図示せず)で第1キャリア9及び第2キャリア
11の電極とパッケージ2のリード(図示せず)とを接
続する(ワイヤボンド)。
着し、フランジ2d端面に第2レンズホルダ2eをYA
Gレーザによって溶接固定する。次に、第2レンズホル
ダ2eの端部に、ファイバスリーブ2f及びフェルール
8aをYAGレーザによって溶接固定して半導体レーザ
モジュール1の組み立てが完了する。
は、第1レンズ17を保持するレンズホルダ16及び光
アイソレータ18が共通の固定部材15上に固定され
る。このため、半導体レーザモジュール1は、第1レン
ズ17と光アイソレータ18との間における光軸ずれの
発生が抑えられ、半導体レーザ素子5から出射される光
の光ファイバ8への結合効率が高まる。しかも、半導体
レーザモジュール1は、第1レンズ17を保持するレン
ズホルダ16及び光アイソレータ18が共通の固定部材
15上に固定されることから、固定部材15が1つで済
む。このため、半導体レーザモジュール1は、構成部品
数が少なくなってコストダウンを図ることができる。
の固定部材に関する変形例を説明するが、半導体レーザ
モジュール1と同一の構成部材には同一の符号を、固定
部材15と対応する構成部分には対応する符号を、それ
ぞれ使用することで重複した説明を省略する。例えば、
図3に示す固定部材20のように、光アイソレータ18
を固定する側壁20bの高さH1と、2つの側壁20b
間の幅W1とは、光アイソレータ18の直径をDとした
とき、光アイソレータ18が底板20aと接触しないよ
うに、次式が成立するように設定することが望ましい。 W1<D, H1>D/2−(D2/4−W12/4)1/2
側壁20b上部が長手方向に一直線状に形成されていれ
ば、2つの側壁20b上に安定して固定される。また、
図4に示す固定部材22のように、2つの側壁22bの
高さを長手方向に沿って同一に設定すると、図2に示す
固定部材15や図3に示す固定部材20に比べて形状が
簡単になる分安価になり、半導体レーザモジュール1の
より一層のコストダウンを図ることができる。
2つの側壁24b間の幅W2が、光アイソレータ18の
直径Dと略等しいか僅かに大きく、W2≒Dの関係が成
立する場合には、光アイソレータ18を2つの側壁24
b間に配置し、側壁24bの外側からYAGレーザによ
りそれぞれ適宜個所の溶接点Pwdで貫通溶接する。この
場合、光アイソレータ18を固定部材24に対して上下
方向に位置合わせすることで上下方向に調心することが
できる。このため、レンズホルダ16に保持された第1
レンズ17(図示せず)と光アイソレータ18とは、光
軸をより一層合わせ易くなる。この結果、半導体レーザ
モジュール1は、固定部材24を使用することで、半導
体レーザ素子5から出射される光の光ファイバ8への結
合効率を一層高めることができる。
と光アイソレータとの間における光軸ずれの発生を抑え
て光の結合効率を高めると共に、コストダウンが可能な
半導体レーザモジュールとその製造方法を提供すること
ができる。
法の一実施形態を示す断面正面図である。
に配置される主要部品を、レンズホルダ及び光アイソレ
ータを固定した固定部材と共に示す斜視図である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 半導体レーザ素子から出射される光をレ
ンズ及び光アイソレータを用いて光ファイバに光結合さ
せる半導体レーザモジュールにおいて、 前記レンズを保持するレンズホルダ及び前記光アイソレ
ータが共通の単一の固定部材上に固定されていることを
特徴とする半導体レーザモジュール。 - 【請求項2】 前記固定部材は、底板の両側に側壁が形
成されたチャンネル状の部材である、請求項1の半導体
レーザモジュール。 - 【請求項3】 半導体レーザ素子から出射される光をレ
ンズ及び光アイソレータを用いて光ファイバに光結合さ
せる半導体レーザモジュールの製造方法において、 前記レンズを保持するレンズホルダ及び前記光アイソレ
ータを共通の単一の固定部材上に固定する工程を含むこ
とを特徴とする半導体レーザモジュールの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000336493A JP2001194563A (ja) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュールとその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31523799 | 1999-11-05 | ||
JP11-315237 | 1999-11-05 | ||
JP2000336493A JP2001194563A (ja) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュールとその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001194563A true JP2001194563A (ja) | 2001-07-19 |
Family
ID=26568235
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000336493A Pending JP2001194563A (ja) | 1999-11-05 | 2000-11-02 | 半導体レーザモジュールとその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001194563A (ja) |
-
2000
- 2000-11-02 JP JP2000336493A patent/JP2001194563A/ja active Pending
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