JP2001189494A - Light-emitting diode - Google Patents

Light-emitting diode

Info

Publication number
JP2001189494A
JP2001189494A JP37244099A JP37244099A JP2001189494A JP 2001189494 A JP2001189494 A JP 2001189494A JP 37244099 A JP37244099 A JP 37244099A JP 37244099 A JP37244099 A JP 37244099A JP 2001189494 A JP2001189494 A JP 2001189494A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
reflecting mirror
light emitting
emitting element
emitting diode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP37244099A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2001189494A5 (en
Inventor
Yoshinobu Suehiro
好伸 末広
祐次 ▲高▼橋
Yuji Takahashi
Koji Uchida
浩二 内田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Iwasaki Denki KK
Toyoda Gosei Co Ltd
Original Assignee
Iwasaki Denki KK
Toyoda Gosei Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Iwasaki Denki KK, Toyoda Gosei Co Ltd filed Critical Iwasaki Denki KK
Priority to JP37244099A priority Critical patent/JP2001189494A/en
Priority to EP00128513A priority patent/EP1113506A3/en
Priority to US09/749,636 priority patent/US6906459B2/en
Publication of JP2001189494A publication Critical patent/JP2001189494A/en
Publication of JP2001189494A5 publication Critical patent/JP2001189494A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting diode that can be mass-produced and at the same time, can be mounted by a reflow furnace. SOLUTION: A reflection mirror 15 is formed into a smooth, recessed part by press-machining a metal plate, and the recessed surface is subjected to surface machining such as plating and vapor deposition, for example, with silver as the material. Also, the reflection mirror 15 is provided opposite to the luminous surface of a light-emitting device 11 and is nearly of rotating paraboloidal shape. The center of the luminous surface of the light-emitting device 11 is arranged at the focal point. The light-emitting device 11, one portion of lead parts 12a and 12b, and a wire 13 and the reflection mirror 15 are sealed in one piece by a light transmission material 14 using the transfer mold method. A paraboloid 21 is the surface of the light transmission material 14, that is located at the rear side of the light-emitting device 11.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子が発する
光を凹状の反射面で反射した後に外部に放射する発光ダ
イオードに関するものである。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a light emitting diode which emits light emitted from a light emitting element to the outside after being reflected by a concave reflecting surface.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、種々の構造の発光ダイオード
が案出されている。そのなかでも反射型の発光ダイオー
ドは、発光素子が発する光を有効に外部放射でき、また
薄型にできる等の特徴がある。以下に、かかる従来の反
射型の発光ダイオードについて説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, light emitting diodes having various structures have been proposed. Among them, the reflection type light emitting diode is characterized in that light emitted from the light emitting element can be effectively radiated to the outside and that the light emitting diode can be made thin. Hereinafter, such a conventional reflective light emitting diode will be described.

【0003】図20は第一の従来例である反射型の発光
ダイオードの概略断面図である。図20に示す発光ダイ
オード80は、発光素子81と、リード部82a,82
bと、ワイヤ83と、光透過性の樹脂84と、反射基板
85と、放射板86とを有する。
FIG. 20 is a schematic sectional view of a reflection type light emitting diode as a first conventional example. A light emitting diode 80 shown in FIG. 20 includes a light emitting element 81 and lead portions 82a and 82.
b, a wire 83, a light-transmitting resin 84, a reflective substrate 85, and a radiation plate 86.

【0004】発光素子81は、リード部82a上にマウ
ントされ、また、ワイヤ83によりリード部82bと電
気的に接続されている。反射基板85は樹脂成形により
作製されたものであり、その中央部には、凹状の反射鏡
面85aが形成されている。この反射鏡面85aは、反
射基板85の凹部の表面上に金属蒸着等の処理を施すこ
とにより形成される。リード部82a,82bは、発光
素子81が反射鏡面85aと対向するようにして反射基
板85上に載置され、さらにその上に放射板86が載置
されている。この放射板86は、反射鏡面85aで反射
した光を透過して外部に放射するものである。かかる放
射板86を設けたのは、光を外部に取り出す面の面精度
をよくするためである。また、反射鏡面85aと放射板
86とで囲まれた空間は樹脂84で充填され、これによ
り、発光素子81が樹脂封止される。
The light emitting element 81 is mounted on a lead portion 82a and is electrically connected to a lead portion 82b by a wire 83. The reflecting substrate 85 is made by resin molding, and has a concave reflecting mirror surface 85a formed at the center thereof. The reflecting mirror surface 85a is formed by performing a process such as metal deposition on the surface of the concave portion of the reflecting substrate 85. The leads 82a and 82b are mounted on a reflective substrate 85 such that the light emitting element 81 faces the reflective mirror surface 85a, and a radiation plate 86 is further mounted thereon. The radiation plate 86 transmits the light reflected by the reflection mirror surface 85a and radiates the light to the outside. The radiation plate 86 is provided to improve the surface accuracy of the surface from which light is extracted to the outside. Further, the space surrounded by the reflecting mirror surface 85a and the radiation plate 86 is filled with a resin 84, whereby the light emitting element 81 is sealed with a resin.

【0005】図21は第二の従来例である反射型の発光
ダイオードの概略断面図である。図21に示す発光ダイ
オード90は、発光素子91と、リード部92a,92
bと、ワイヤ93と、光透過性の樹脂94と、凹面状反
射面95と、放射面96とを有する。
FIG. 21 is a schematic sectional view of a reflection type light emitting diode as a second conventional example. A light emitting diode 90 shown in FIG. 21 includes a light emitting element 91 and lead portions 92a and 92.
b, a wire 93, a light-transmitting resin 94, a concave reflecting surface 95, and a radiation surface 96.

【0006】発光素子91は、リード部92a上にマウ
ントされ、また、ワイヤ93によりリード部92bと電
気的に接続されている。発光素子91、リード部92
a,92bの一部及びワイヤ93は、光透過性の樹脂9
4により一体的に封止されている。凹面状反射面95
は、光透過性の樹脂94の一方の面を鍍金や金属蒸着等
により鏡面加工したものであり、発光素子91の発光面
に対向する側に形成される。一方、凹面状反射面95と
反対側の光透過性の樹脂94の面には平面状の放射面9
6が形成されている。
The light emitting element 91 is mounted on a lead portion 92a and is electrically connected to a lead portion 92b by a wire 93. Light emitting element 91, lead portion 92
a, 92b and the wire 93 are made of a light-transmitting resin 9;
4 are integrally sealed. Concave reflective surface 95
Is obtained by mirror-finishing one surface of a light-transmitting resin 94 by plating, metal evaporation, or the like, and is formed on the side facing the light-emitting surface of the light-emitting element 91. On the other hand, a flat radiation surface 9 is provided on the surface of the light-transmitting resin 94 opposite to the concave reflection surface 95.
6 are formed.

【0007】かかる発光ダイオード90の製法として
は、リードフレームを上金型と下金型とで挟み込んだと
ころへ熱硬化性樹脂を注入して、硬化させるトランスフ
ァーモールド法が用いられる。この製法を用いるのは、
反射型の発光ダイオード90では、リードフレームの両
側に精度の高い反射面95と放射面96とを形成する必
要があるからである。既存のトランスファーモールド装
置を用いることにより、発光ダイオード90を容易に生
産でき、且つ量産化を図ることができる。
As a method for manufacturing the light emitting diode 90, a transfer molding method is used in which a thermosetting resin is injected into a place where a lead frame is sandwiched between an upper mold and a lower mold, and the resin is cured. This method is used
This is because in the reflective light emitting diode 90, it is necessary to form the reflective surface 95 and the radiation surface 96 with high accuracy on both sides of the lead frame. By using the existing transfer molding device, the light emitting diode 90 can be easily produced and mass production can be achieved.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、第一の
従来例の発光ダイオード80では、その作製時に、反射
基板85の凹部に樹脂84を均一に充填するのが極めて
難しい作業となる。これは、樹脂充填のための既存の装
置がないことが一つの原因である。また、通常は、反射
基板85の凹部に樹脂84を適量入れ、その後に、その
反射基板85上にリード部82a,82bと放射板86
を載置することにより、発光ダイオード80を作製して
いるが、かかる方法では、反射鏡面85aと放射板86
との間に気泡が入り込みやすく、しかも、樹脂84が反
射基板85の側部に溢れ出てしまう。この気泡は発光ダ
イオード80の放射特性に悪影響を与え、また、溢れ出
た樹脂84の処置には技術的な困難が伴う。このよう
に、第一の従来例の発光ダイオード80は、製造が難し
く、量産性の点で劣るという問題があった。
However, in the light emitting diode 80 of the first conventional example, it is extremely difficult to uniformly fill the concave portion of the reflective substrate 85 with the resin 84 at the time of manufacturing the same. This is due in part to the lack of existing equipment for resin filling. Normally, an appropriate amount of resin 84 is put into the concave portion of the reflection substrate 85, and then the lead portions 82a and 82b and the radiation plate 86 are placed on the reflection substrate 85.
The light emitting diode 80 is manufactured by mounting the reflecting mirror surface 85a and the radiation plate 86.
Air bubbles are likely to enter between them, and the resin 84 overflows to the side of the reflective substrate 85. These bubbles adversely affect the radiation characteristics of the light emitting diode 80, and the treatment of the overflowing resin 84 involves technical difficulties. As described above, the first conventional light emitting diode 80 has a problem that it is difficult to manufacture and is inferior in mass productivity.

【0009】一方、第二の従来例の発光ダイオード90
では、量産性の点では優れているが、リフロー炉に対応
できないという問題がある。すなわち、かかる発光ダイ
オード90を、クリーム半田を用いてリフロー炉により
実装しようとすると、封止樹脂94と反射面95の金属
膜との熱膨張率が大きく異なるので、リフロー炉の熱に
より、金属膜が封止樹脂94から剥離してしまう。この
ため、反射面95に皺等が発生し、発光素子91が発す
る光を反射するという反射面の機能が損なわれるという
問題がある。
On the other hand, the second conventional light emitting diode 90
Thus, although it is excellent in mass productivity, there is a problem that it cannot be applied to a reflow furnace. That is, when the light emitting diode 90 is mounted in a reflow furnace using cream solder, the thermal expansion coefficient of the sealing resin 94 and the metal film on the reflection surface 95 are significantly different. Is separated from the sealing resin 94. For this reason, there is a problem that wrinkles and the like are generated on the reflection surface 95, and the function of the reflection surface, which reflects light emitted from the light emitting element 91, is impaired.

【0010】本発明は上記事情に基づいてなされたもの
であり、量産化を図ることができる共に、リフロー炉を
用いて実装することができる発光ダイオードを提供する
ことを目的とするものである。
The present invention has been made based on the above circumstances, and has as its object to provide a light emitting diode which can be mass-produced and can be mounted using a reflow furnace.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記
発光素子に電力を供給するリード部と、前記発光素子の
発光面に対向して設けられた反射鏡と、前記発光素子、
前記リード部の一部及び前記反射鏡を封止する光透過性
材料と、前記反射鏡で反射した光を外部に放射する放射
面とを備え、前記反射鏡は、金属板を凹状に加工した金
属鏡又は当該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであ
り、前記放射面は、前記発光素子の背面側に位置する前
記光透過性材料の表面であることを特徴とするものであ
る。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode comprising: a light emitting element; a lead for supplying power to the light emitting element; A reflecting mirror provided, and the light emitting element,
A light transmitting material that seals a part of the lead portion and the reflecting mirror, and a radiation surface that radiates light reflected by the reflecting mirror to the outside, the reflecting mirror is formed by processing a metal plate into a concave shape. The metal mirror or a concave surface of the metal mirror is mirror-finished, and the radiation surface is a surface of the light transmitting material located on a back side of the light emitting element.

【0012】また、上記の目的を達成するための本発明
に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に
電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対
向して設けられた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を
外部に放射する放射面とを備え、前記反射鏡は、複数の
金属片を組み合わせて凹状に加工した金属鏡又は当該金
属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであることを特徴と
するものである。
According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode including a light emitting element, a lead for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element. A reflecting mirror, and a radiation surface that radiates light reflected by the reflecting mirror to the outside, wherein the reflecting mirror is a metal mirror processed by combining a plurality of metal pieces into a concave shape or a concave surface of the metal mirror. It is characterized in that it has been performed.

【0013】更に、上記の目的を達成するための本発明
に係る発光ダイオードは、発光素子と、前記発光素子に
電力を供給するリード部と、前記発光素子の発光面に対
向して設けられた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を
透過して外部に放射する放射板と、前記発光素子、前記
リードの一部及び前記反射鏡を収納する筐体部とを備
え、前記反射鏡は金属板を凹状に加工した金属鏡又は当
該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであり、且つ、
前記放射板を前記筐体部に取り付けると共に前記放射板
と前記筐体部とで囲まれる空間を密閉したことを特徴と
するものである。
Furthermore, a light emitting diode according to the present invention for achieving the above object is provided with a light emitting element, a lead portion for supplying power to the light emitting element, and a light emitting surface of the light emitting element. A reflecting mirror, a radiation plate that transmits the light reflected by the reflecting mirror and radiates the light to the outside, and includes a light-emitting element, a part of the lead, and a housing that houses the reflecting mirror; A metal mirror in which a metal plate is processed into a concave shape, or a mirror surface is applied to a concave surface of the metal mirror, and
The radiation plate is attached to the housing, and a space surrounded by the radiation plate and the housing is sealed.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】〔第一実施形態〕以下に、本発明
の第一実施形態について図面を参照して説明する。図1
は本発明の第一実施形態である発光ダイオードの概略平
面図、図2はその発光ダイオードのA−A矢視方向概略
断面図、図3はその発光ダイオードの概略背面図であ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS [First Embodiment] A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG.
FIG. 2 is a schematic plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view of the light emitting diode in the direction of arrows AA, and FIG. 3 is a schematic rear view of the light emitting diode.

【0015】第一実施形態の発光ダイオード10aは、
図1、図2及び図3に示すように、発光素子11と、リ
ード部12a,12bと、ワイヤ13と、光透過性材料
14と、凹状の反射鏡15と、放射面21とを備える。
The light emitting diode 10a of the first embodiment is
As shown in FIGS. 1, 2 and 3, the light emitting device includes a light emitting element 11, leads 12 a and 12 b, a wire 13, a light transmitting material 14, a concave reflecting mirror 15, and a radiation surface 21.

【0016】発光素子11はリード部12a上にマウン
トされ、発光素子11とリード部12bとはワイヤ13
により電気的に接続されている。また、発光素子11、
リード部12a,12bの一部、ワイヤ13及び反射鏡
15は、光透過性材料14により一体的に封止されてい
る。ここで、光透過性材料14としては、例えば、透明
エポキシ樹脂が用いられる。
The light emitting element 11 is mounted on a lead 12a, and the light emitting element 11 and the lead 12b are
Are electrically connected to each other. Further, the light emitting element 11,
A part of the leads 12a and 12b, the wire 13 and the reflecting mirror 15 are integrally sealed by a light transmitting material 14. Here, as the light transmissive material 14, for example, a transparent epoxy resin is used.

【0017】リード部12a,12bは、発光素子11
に電力を供給するために用いられるものである。リード
部12aは、図1に示すように、光透過性材料14の上
下両側及び左側から外部に引き出されている。リード部
12aのうち右方向に伸びた部分が上下方向に伸びた部
分と突き当たる交差部分に、発光素子11がマウントさ
れる。また、リード部12bは、図1に示すように、光
透過性材料14の右側から外部に引き出されており、リ
ード部12bの一方の先端は、リード部12aの交差部
分と一定の間隔だけ離れて配置される。
The leads 12a and 12b are connected to the light emitting element 11
Used to supply power to the As shown in FIG. 1, the lead portions 12a are drawn out from the upper and lower sides and the left side of the light transmitting material 14. The light emitting element 11 is mounted at the intersection of the lead portion 12a where the rightwardly extending portion abuts the vertically extending portion. Further, as shown in FIG. 1, the lead portion 12b is drawn out from the right side of the light transmitting material 14, and one end of the lead portion 12b is separated from the intersection of the lead portion 12a by a certain distance. Placed.

【0018】反射鏡15は、金属板(例えば銅合金板)
をプレス加工して滑らかな凹状に形成したものであり、
その凹面上には、例えば銀を材料として鍍金や蒸着等の
表面加工が施されている。ここでは、反射鏡15を略回
転放物面形状に形成し、その焦点に発光素子11の発光
面を配置している。そして、反射鏡15とリード部12
a,12bとは接触しないように、一定間隔だけ離して
配置されている。また、反射鏡15の端縁のうち少なく
とも互いに対向する二箇所には、図2に示すように、突
起部15aが形成されている。この突起部15aは、反
射鏡15の中心軸に垂直な方向であって反射鏡15の外
側に向かって突出している。
The reflecting mirror 15 is a metal plate (for example, a copper alloy plate)
Pressed into a smooth concave shape.
The concave surface is subjected to surface processing such as plating or vapor deposition using silver as a material, for example. Here, the reflecting mirror 15 is formed in a substantially paraboloid of revolution shape, and the light emitting surface of the light emitting element 11 is arranged at the focal point. Then, the reflecting mirror 15 and the lead 12
a, 12b are spaced apart by a certain distance so as not to contact with the a and 12b. In addition, as shown in FIG. 2, protrusions 15 a are formed at least at two positions facing each other among the edges of the reflecting mirror 15. The projection 15a projects in a direction perpendicular to the central axis of the reflecting mirror 15 toward the outside of the reflecting mirror 15.

【0019】放射面21は、発光素子11の背面側に形
成されている。より正確に言うと、反射鏡15で反射さ
れた光の光路径に相当する、発光素子11の背面側の光
透過性材料14の表面が、放射面21となる。ここで
は、放射面21を反射鏡15の中心軸に垂直な平面形状
に形成する。すなわち、第一実施形態では、発光ダイオ
ード10aが平行光を発することができるように、発光
素子11の位置、反射鏡15及び放射面21の形状を設
計している。
The radiation surface 21 is formed on the back side of the light emitting element 11. To be more precise, the surface of the light transmitting material 14 on the back side of the light emitting element 11 corresponding to the optical path diameter of the light reflected by the reflecting mirror 15 becomes the radiation surface 21. Here, the radiation surface 21 is formed in a planar shape perpendicular to the central axis of the reflecting mirror 15. That is, in the first embodiment, the position of the light emitting element 11 and the shapes of the reflecting mirror 15 and the radiation surface 21 are designed so that the light emitting diode 10a can emit parallel light.

【0020】次に、第一実施形態の発光ダイオード10
aの製造方法について説明する。かかる発光ダイオード
10aを作製するには、リードフレームを用い、そのリ
ードフレームに発光ダイオード10aをトランスファー
モールド法で成形する。図4はその発光ダイオード10
aをトランスファーモールド法で製造するときの様子を
説明するための概略部分拡大断面図である。
Next, the light emitting diode 10 of the first embodiment
The method for producing a will be described. To manufacture the light emitting diode 10a, a lead frame is used, and the light emitting diode 10a is formed on the lead frame by a transfer molding method. FIG. 4 shows the light emitting diode 10.
FIG. 6 is a schematic partial enlarged cross-sectional view for explaining a state when a is manufactured by a transfer molding method.

【0021】この場合、リードフレームとしては、リー
ド部12a,12bが形成されたものを用いる。まず、
そのリードフレームを用いて、リード部12a上の所定
位置に発光素子11をマウントし、発光素子11とリー
ド部12bとをワイヤ13でボンディングする。次に、
図4に示すように、反射鏡15の凹面が上を向くように
して、反射鏡15を下金型32にセットする。下金型3
2の上部の内側には、図4に示すように溝部32aが彫
り込まれている。この溝部32aに反射鏡15の突起部
15aが嵌め込まれることにより、反射鏡15が下金型
32の内部に浮いた状態で保持される。ここで、溝部3
2aの深さは、突起部15aの厚さよりも大きくしてい
る。尚、反射鏡15を凹面が上に向いた状態で下金型3
2にセットするのは、成形品の内部に気泡が入らないよ
うにするためである。
In this case, a lead frame having lead portions 12a and 12b is used. First,
Using the lead frame, the light emitting element 11 is mounted at a predetermined position on the lead part 12a, and the light emitting element 11 and the lead part 12b are bonded with the wire 13. next,
As shown in FIG. 4, the reflecting mirror 15 is set on the lower mold 32 such that the concave surface of the reflecting mirror 15 faces upward. Lower mold 3
As shown in FIG. 4, a groove 32a is engraved on the inside of the upper part of 2. By fitting the projection 15a of the reflecting mirror 15 into the groove 32a, the reflecting mirror 15 is held in a state of floating inside the lower mold 32. Here, the groove 3
The depth of 2a is larger than the thickness of the projection 15a. In addition, the lower mold 3 is placed on the reflecting mirror 15 with the concave surface facing upward.
The reason for setting to 2 is to prevent air bubbles from entering the inside of the molded product.

【0022】その後、リードフレームと下金型32との
位置合わせを行い、そのリードフレームを下金型32に
載せる。そして、上金型31をリードフレームの上から
被せることにより、図4に示すように、リードフレーム
を上金型31と下金型32で挟み込む。このとき、リー
ドフレームのリード部12a,12bは、反射鏡15と
一定間隔だけ離れている。
Thereafter, the lead frame and the lower mold 32 are aligned, and the lead frame is mounted on the lower mold 32. Then, by placing the upper mold 31 over the lead frame, the lead frame is sandwiched between the upper mold 31 and the lower mold 32 as shown in FIG. At this time, the lead portions 12a and 12b of the lead frame are separated from the reflecting mirror 15 by a certain distance.

【0023】次に、液状の透明エポキシ樹脂を上金型3
1と下金型32で囲まれた空間に注入する。そして、そ
の空間に注入された樹脂を硬化させた後、上金型31と
下金型32から、成形品を取り出す。その後、リードフ
レームの不要部分を切断することにより、図1、図2及
び図3に示すような発光ダイオード10aが得られる。
Next, a liquid transparent epoxy resin is applied to the upper mold 3.
It is injected into a space surrounded by 1 and the lower mold 32. After the resin injected into the space is cured, the molded product is taken out from the upper mold 31 and the lower mold 32. Thereafter, unnecessary portions of the lead frame are cut to obtain a light emitting diode 10a as shown in FIGS. 1, 2 and 3.

【0024】かかるトランスファーモールド法を用いる
と、放射面15を精度よく成形でき、しかも、金型でリ
ードフレームを保持して放射面21を形成するので、発
光素子11と放射面21との位置関係も精度が高いもの
とできる。
When the transfer molding method is used, the radiation surface 15 can be molded with high precision, and the radiation surface 21 is formed by holding the lead frame with a mold. Can also be highly accurate.

【0025】上記構成の発光ダイオード11では、発光
素子11に電力が供給されると、発光素子11が発光
し、発光素子11が発する光は反射鏡15により反射さ
れ、放射面21より外部に放射される。特に、反射鏡1
5が略回転放物面形状に形成され、その焦点に発光素子
11の発光面の中心を配置しているので、放射面21を
通過した光は、平行光として外部放射される。このよう
に、発光素子11が発する光を一度、反射鏡15で反射
した後に外部に放射することにより、かかる発光ダイオ
ード11は、外部放射効率が高く、高輝度・高光度であ
るという特徴がある。しかも、発光素子11が発する光
は反射鏡15のみで制御されるため、発光ダイオード1
0a自体の照射分布には偏った照射パターンがなく、照
射ムラの度合いが小さいので、均斉度の向上を図ること
ができる。
In the light emitting diode 11 configured as described above, when power is supplied to the light emitting element 11, the light emitting element 11 emits light, and the light emitted from the light emitting element 11 is reflected by the reflecting mirror 15 and radiated to the outside from the radiation surface 21 Is done. In particular, the reflector 1
Since the light-emitting element 5 has a substantially paraboloid of revolution and the center of the light-emitting surface of the light-emitting element 11 is arranged at the focal point, the light passing through the light-emitting surface 21 is externally emitted as parallel light. As described above, the light emitted from the light emitting element 11 is once reflected by the reflecting mirror 15 and then emitted to the outside, so that the light emitting diode 11 has a feature that the external radiation efficiency is high, and the brightness and the luminous intensity are high. . Moreover, since the light emitted from the light emitting element 11 is controlled only by the reflecting mirror 15, the light emitting diode 1
Since the irradiation distribution of Oa itself does not have a biased irradiation pattern and the degree of irradiation unevenness is small, the uniformity can be improved.

【0026】尚、第一実施形態では、反射鏡15を略回
転放物面形状に形成した場合について説明したが、反射
鏡15を所望の形状に形成することにより、配光特性等
の光放射特性を自由に設計することができる。
In the first embodiment, the case where the reflecting mirror 15 is formed in a substantially paraboloid of revolution has been described. However, by forming the reflecting mirror 15 into a desired shape, light emission such as light distribution characteristics can be achieved. Characteristics can be freely designed.

【0027】第一実施形態の発光ダイオードでは、金属
板をプレス加工して形成された凹状の反射鏡を用いたこ
とにより、反射鏡は温度変化に対して耐性があるので、
高温の状況下でも反射鏡の凹面に皺等が発生したり、反
射鏡がダメージを受けることはない。このため、かかる
発光ダイオードを、クリーム半田を用いてリフロー炉に
より実装することができる。このように、第一実施形態
の発光ダイオードは、表面実装部品として何ら制限なく
用いることができるので、特に多量に実装される用途に
使用するのに好適である。
In the light emitting diode of the first embodiment, since the concave reflecting mirror formed by pressing a metal plate is used, the reflecting mirror is resistant to temperature change.
No wrinkles or the like are generated on the concave surface of the reflector even under a high temperature condition, and the reflector is not damaged. Therefore, such a light emitting diode can be mounted in a reflow furnace using cream solder. As described above, since the light emitting diode of the first embodiment can be used as a surface mount component without any limitation, it is particularly suitable for use in applications in which a large number of devices are mounted.

【0028】また、かかる反射鏡を用いた場合であって
も、光透過性材料によって発光素子とリード部の一部と
反射鏡とを封止すると共にその光透過性材料の一方の表
面を放射面としてモールド成形することにより、既存の
生産装置を用いて容易に生産でき、したがって、発光ダ
イオードの量産化を図ることができる。 〔第二実施形態〕次に、本発明の第二実施形態について
図面を用いて説明する。図5は本発明の第二実施形態で
ある発光ダイオードの概略平面図、図6はその発光ダイ
オードのB−B矢視方向概略断面図、図7はその発光ダ
イオードの概略背面図である。尚、第二実施形態におい
て、第一実施形態のものと同一の機能を有するものには
同一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省略す
る。
Even when such a reflecting mirror is used, the light emitting element, a part of the lead portion and the reflecting mirror are sealed with the light transmitting material, and one surface of the light transmitting material is radiated. By molding as a surface, production can be easily performed using existing production equipment, and thus mass production of light emitting diodes can be achieved. Second Embodiment Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 5 is a schematic plan view of a light-emitting diode according to a second embodiment of the present invention, FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting diode in the direction of arrows BB, and FIG. 7 is a schematic rear view of the light-emitting diode. In the second embodiment, components having the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0029】第二実施形態の発光ダイオード10bは、
図5、図6及び図7に示すように、発光素子11と、リ
ード部120a,120bと、ワイヤ13と、光透過性
材料14と、凹状の反射鏡16と、放射面21と、絶縁
物22とを備える。
The light emitting diode 10b according to the second embodiment comprises:
As shown in FIGS. 5, 6, and 7, the light emitting element 11, the lead portions 120a and 120b, the wire 13, the light transmitting material 14, the concave reflecting mirror 16, the radiation surface 21, the insulator 22.

【0030】発光素子11はリード部120a上にマウ
ントされ、発光素子11とリード部120bとはワイヤ
13により電気的に接続されている。発光素子11、リ
ード部120a,120bの一部、ワイヤ13、反射鏡
16及び絶縁物22は、光透過性材料14により一体的
に封止されている。また、絶縁物22は、リード部12
0a,120bと反射鏡16との間に挿入されている。
The light emitting element 11 is mounted on a lead 120a, and the light emitting element 11 and the lead 120b are electrically connected by a wire 13. The light emitting element 11, a part of the lead portions 120a and 120b, the wire 13, the reflecting mirror 16, and the insulator 22 are integrally sealed with the light transmitting material 14. The insulator 22 is connected to the lead 12
0a, 120b and the reflecting mirror 16.

【0031】リード部120a,120bは、発光素子
11に電力を供給するために用いられるものである。リ
ード部120a,120bはそれぞれ、図6に示すよう
に、反射鏡16の側に折り曲げられて、光透過性材料1
4の下側から外部に引き出されている。
The leads 120a and 120b are used to supply power to the light emitting element 11. As shown in FIG. 6, each of the lead portions 120a and 120b is bent toward the reflecting mirror 16 so that the light transmitting material 1
4 is drawn out from the lower side.

【0032】反射鏡16は、第一実施形態のものと同様
に、金属板(例えば銅合金板)をプレス加工して滑らか
な凹状に形成したものであり、その凹面上には、例えば
銀を材料として鍍金や蒸着等の表面加工が施されてい
る。ここでは、反射鏡16を略回転放物面形状に形成
し、その焦点に発光素子11の発光面を配置している。
しかし、第二実施形態では、第一実施形態のものとは異
なり、反射鏡16の中央部に貫通孔16aを形成してい
る。この貫通孔16aについては、その直径をリード部
120a,120bの幅よりも小さくすることが望まし
い。また、反射鏡16の端縁には突起部を形成していな
い。
As in the first embodiment, the reflecting mirror 16 is formed by pressing a metal plate (eg, a copper alloy plate) into a smooth concave shape, and for example, silver is formed on the concave surface. Surface processing such as plating and vapor deposition is performed as a material. Here, the reflecting mirror 16 is formed in a substantially paraboloid of revolution shape, and the light emitting surface of the light emitting element 11 is arranged at the focal point.
However, in the second embodiment, unlike the first embodiment, a through hole 16a is formed in the center of the reflecting mirror 16. It is desirable that the diameter of the through hole 16a be smaller than the width of the lead portions 120a and 120b. Further, no projection is formed on the edge of the reflecting mirror 16.

【0033】尚、反射鏡16に貫通孔16aを形成した
ことにより、反射鏡16の一部が欠けることになる。し
かしながら、その欠けは反射鏡16のごく一部であり、
また、反射鏡16の貫通孔16aが形成された部分に、
貫通孔16aが形成されていなくとも、その部分で反射
された光は発光素子11で遮られて外部へ放射されな
い。したがって、貫通孔16aを形成したことによる外
部放射効率、光放射特性への影響は無視できる程度であ
る。
By forming the through hole 16a in the reflecting mirror 16, a part of the reflecting mirror 16 is missing. However, the lack is only a small part of the reflector 16,
Also, in the portion where the through hole 16a of the reflecting mirror 16 is formed,
Even if the through hole 16a is not formed, the light reflected at that portion is blocked by the light emitting element 11 and is not radiated to the outside. Therefore, the influence on the external radiation efficiency and the light radiation characteristics due to the formation of the through hole 16a is negligible.

【0034】次に、第二実施形態の発光ダイオード10
bの製造方法について説明する。ここでは、かかる発光
ダイオード10bを作製するのに、ポッティングモール
ド法を用いることにする。図8はその発光ダイオード1
0bをポッティングモールド法で製造するときの様子を
説明するための概略断面図である。
Next, the light emitting diode 10 of the second embodiment
The method for manufacturing b will be described. Here, a potting mold method is used to manufacture the light emitting diode 10b. FIG. 8 shows the light emitting diode 1
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view for explaining a state when Ob is manufactured by the potting mold method.

【0035】この場合、まず、リード部120a上の所
定位置に発光素子11をマウントし、発光素子11とリ
ード部120bとをワイヤ13でボンディングする。そ
して、リード部120a,120bを所定の位置で、発
光素子11がマウントされた側に折り曲げる。次に、図
8に示すように、発光素子11の発光面が上側を向いた
状態でリード部120a,120bの端部を治具等によ
り保持し、所定のケース内に配置する。その後、反射鏡
16を、凹面が下に向いた状態で絶縁物22を介してリ
ード部120a,120b上の所定の位置に配置する。
In this case, first, the light emitting element 11 is mounted at a predetermined position on the lead part 120a, and the light emitting element 11 and the lead part 120b are bonded by the wire 13. Then, the leads 120a and 120b are bent at predetermined positions to the side where the light emitting element 11 is mounted. Next, as shown in FIG. 8, the ends of the lead portions 120a and 120b are held by a jig or the like with the light emitting surface of the light emitting element 11 facing upward, and placed in a predetermined case. Thereafter, the reflecting mirror 16 is disposed at a predetermined position on the lead portions 120a and 120b via the insulator 22 with the concave surface facing down.

【0036】次に、液状の透明エポキシ樹脂を、図8に
おける矢印で示すように、ケースの上側の隅部からケー
ス内に滴下する。このとき、反射鏡16の中央部に設け
た貫通孔16aから空気が抜けるので、反射鏡16内に
気泡が溜まることはない。そして、そのケース内に注入
された樹脂を硬化させた後、成形品をケースから取り出
すことにより、図5、図6及び図7に示すような発光ダ
イオード10bが得られる。
Next, as shown by an arrow in FIG. 8, a liquid transparent epoxy resin is dropped into the case from the upper corner of the case. At this time, since air escapes from the through-hole 16a provided in the central portion of the reflecting mirror 16, no air bubbles accumulate in the reflecting mirror 16. Then, after the resin injected into the case is cured, the molded product is taken out of the case to obtain a light emitting diode 10b as shown in FIGS. 5, 6, and 7.

【0037】かかるポッティングモールド法を用いる
と、発光素子11とリード部120a,120bと反射
鏡16とを樹脂封止することができると共に、放射面2
1を成形することができる。特に、ポッティングモール
ド法では、トランスファーモールド法に比べて使用可能
な樹脂の種類が多く、用途に応じて適切な種類の樹脂を
選択できるという利点がある。
When the potting molding method is used, the light emitting element 11, the lead portions 120a and 120b, and the reflecting mirror 16 can be sealed with resin, and the radiation surface 2 can be formed.
1 can be molded. In particular, the potting mold method has many advantages over the transfer mold method, and has the advantage that an appropriate type of resin can be selected according to the application.

【0038】また、第二実施形態の発光ダイオード10
bを作製するには、上記第一実施形態と同様にトランス
ファーモールド法を用いることもできる。この場合、放
射面を上金型で成形するだけでなく、下金型で成形する
こともできる。第二実施形態では、反射鏡16の中央部
に貫通孔16aを設けたことにより、反射鏡16内に気
泡が溜まることはないからである。一般に、放射面を上
金型で成形する場合には、上金型が平面を形成する仕様
の型でも、残留空気層によって放射面の一部又は大部分
に樹脂硬化時のひけが生じたような凹みが生じるが、放
射面を下金型で形成することにより、かかるひけの問題
がなくなるので、放射面の成形精度の向上を図り、放射
面における放射特性を設計通りのものとすることができ
る。
The light emitting diode 10 of the second embodiment
In order to produce b, a transfer molding method can be used as in the first embodiment. In this case, the radiating surface can be formed not only by the upper mold but also by the lower mold. This is because, in the second embodiment, since the through-hole 16a is provided in the central portion of the reflecting mirror 16, bubbles do not accumulate in the reflecting mirror 16. In general, when the radiation surface is molded by the upper mold, even if the upper mold forms a flat surface, the residual air layer may cause sinkage during part or most of the radiation surface during resin curing. However, by forming the radiating surface with the lower mold, such sinking problem disappears, so it is possible to improve the forming accuracy of the radiating surface and make the radiation characteristics on the radiating surface as designed. it can.

【0039】第二実施形態の発光ダイオードでも、第一
実施形態と同様に、金属板をプレス加工して形成された
凹状の反射鏡を用いたことにより、反射鏡は温度変化に
対して耐性があるので、高温の状況下でも反射鏡の凹面
に皺等が発生したり、反射鏡がダメージを受けることは
ない。このため、第二実施形態の発光ダイオードを、ク
リーム半田を用いてリフロー炉により実装することがで
きる。また、かかる反射鏡を用いた場合であっても、光
透過性材料によって発光素子とリード部の一部と反射鏡
とを封止すると共にその光透過性材料の一方の表面を放
射面としてモールド成形することにより、既存の生産装
置を用いて容易に生産でき、したがって、発光ダイオー
ドの量産化を図ることができる。
In the light-emitting diode of the second embodiment, similarly to the first embodiment, the use of a concave reflecting mirror formed by pressing a metal plate makes the reflecting mirror resistant to temperature changes. As a result, wrinkles and the like are not generated on the concave surface of the reflecting mirror even under a high temperature condition, and the reflecting mirror is not damaged. Therefore, the light emitting diode of the second embodiment can be mounted in a reflow furnace using cream solder. Even when such a reflecting mirror is used, the light emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with the light transmitting material, and one surface of the light transmitting material is used as a radiation surface and molded. By molding, it can be easily produced using existing production equipment, and therefore, mass production of light emitting diodes can be achieved.

【0040】更に、第二実施形態の発光ダイオードで
は、反射鏡の中央部に貫通孔を設けたことにより、製造
方法の自由度を高めることができるという利点がある。
すなわち、反射鏡をリード部の上側に設置した状態で発
光素子、リード部及び反射鏡を樹脂封止しても、気泡が
反射鏡内に溜まることはないので、ポッティングモール
ド法や、放射面を下金型で形成するトランスファーモー
ルド法によって、発光ダイオードを作製することができ
る。特に、かかるトランスファーモールド法を用いる
と、放射面を下金型で形成するので、放射面の成形精度
の向上を図り、上金型の成形部分に生じる残留空気層に
よる放射特性への影響を避けることができる。 〔第三実施形態〕次に、本発明の第三実施形態について
図面を用いて説明する。図9は本発明の第三実施形態で
ある発光ダイオードの概略平面図、図10はその発光ダ
イオードのC−C矢視方向概略断面図、図11はその発
光ダイオードの概略背面図である。尚、第三実施形態に
おいて、第一実施形態のものと同一の機能を有するもの
には同一の符号を付すことにより、その詳細な説明を省
略する。
Further, the light emitting diode of the second embodiment has an advantage that the flexibility of the manufacturing method can be increased by providing the through hole in the center of the reflecting mirror.
That is, even if the light emitting element, the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with a resin while the reflecting mirror is installed above the lead portion, bubbles do not accumulate in the reflecting mirror. A light-emitting diode can be manufactured by a transfer molding method using a lower mold. In particular, when the transfer mold method is used, the radiation surface is formed by the lower mold, so that the molding accuracy of the radiation surface is improved, and the radiation characteristics due to the residual air layer generated in the molding portion of the upper mold are avoided. be able to. [Third Embodiment] Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 9 is a schematic plan view of a light-emitting diode according to a third embodiment of the present invention, FIG. 10 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting diode in the direction of arrows CC, and FIG. 11 is a schematic rear view of the light-emitting diode. In the third embodiment, components having the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0041】第三実施形態の発光ダイオード10cは、
図9、図10及び図11に示すように、発光素子11
と、リード部12a,12bと、ワイヤ13と、光透過
性材料14と、凹状の反射鏡17と、放射面21とを備
える。発光素子11、リード部12a,12bの一部、
ワイヤ13及び反射鏡17は、光透過性材料14により
一体的に封止されている。
The light emitting diode 10c according to the third embodiment comprises:
As shown in FIG. 9, FIG. 10 and FIG.
, Leads 12 a and 12 b, wire 13, light transmitting material 14, concave reflecting mirror 17, and radiation surface 21. Light emitting element 11, a part of lead portions 12a and 12b,
The wire 13 and the reflecting mirror 17 are integrally sealed by the light transmitting material 14.

【0042】反射鏡17は、凹状にプレス加工された四
つの反射鏡片17a,17b,17c,17dを組み合
わせたものであり、各反射鏡片17a,17b,17
c,17dの凹面上には、例えば銀を材料として鍍金や
蒸着等の表面加工が施されている。すなわち、この反射
鏡17は、第一又は第二の実施形態における反射鏡を四
つに分割したものと考えることができる。反射鏡片17
a,17b,17c,17dはそれぞれ、中心角が略9
0度である略扇形の形状をしており、リード部12a,
12bと同じ金属板材料で形成されている。四つの反射
鏡片17a,17b,17c,17dは、図11に示す
ように、背面から見たときに略円形状となるように配置
されている。ここで、隣り合う反射鏡片17a,17
b,17c,17dの間には、リード部12a,12b
の幅よりも狭い隙間を設けている。
The reflecting mirror 17 is a combination of four reflecting mirror pieces 17a, 17b, 17c, and 17d pressed in a concave shape.
On the concave surfaces of c and 17d, surface processing such as plating and vapor deposition is performed using, for example, silver as a material. That is, it can be considered that the reflecting mirror 17 is obtained by dividing the reflecting mirror in the first or second embodiment into four parts. Reflector piece 17
a, 17b, 17c and 17d each have a central angle of approximately 9
It has a substantially fan shape of 0 degrees, and the lead portions 12a,
12b is made of the same metal plate material. As shown in FIG. 11, the four reflecting mirror pieces 17a, 17b, 17c, and 17d are arranged so as to be substantially circular when viewed from the back. Here, adjacent reflecting mirror pieces 17a, 17
b, 17c, 17d, between the lead portions 12a, 12b
Is provided with a gap smaller than the width.

【0043】また、反射鏡17は略回転放物面形状に形
成され、その焦点に発光素子11の発光面が配置されて
いる。このとき、反射鏡17は、図9及び図10に示す
ように、隣り合う反射鏡片17a,17b,17c,1
7dによって作られる各隙間と、上下左右の各方向に引
き出されたリード12a,12bとが対向するように、
配置される。たとえリード部12a,12bに対向する
反射鏡17の部分に隙間がなくとも、当該部分で反射さ
れた光はリード部12a,12bで遮られ外部に放射さ
れない。したがって、当該部分に反射鏡17の隙間を配
することにより、隙間による外部放射効率等への影響を
最小限に抑えることができる。
The reflecting mirror 17 is formed in a substantially paraboloid of revolution, and the light emitting surface of the light emitting element 11 is disposed at the focal point. At this time, as shown in FIGS. 9 and 10, the reflecting mirror 17 has adjacent reflecting mirror pieces 17a, 17b, 17c, 1
7d, and the leads 12a, 12b drawn out in the respective directions of up, down, left, and right face each other.
Be placed. Even if there is no gap in the portion of the reflecting mirror 17 facing the leads 12a, 12b, the light reflected at the portion is blocked by the leads 12a, 12b and is not emitted to the outside. Therefore, by arranging the gap between the reflecting mirrors 17 in this portion, it is possible to minimize the influence of the gap on the external radiation efficiency and the like.

【0044】次に、第三実施形態の発光ダイオード10
cの製造方法について説明する。かかる発光ダイオード
10cの製造方法としては、例えば、リード部12a,
12bと各反射鏡片17a,17b,17c,17dに
対応する扇形状部とが形成された一つのリードフレーム
を用いる第一の方法と、リード部12a,12bが形成
されたリードフレームと上記扇形状部が形成されたフレ
ームとを用いる第二の方法とがある。
Next, the light emitting diode 10 of the third embodiment
The manufacturing method of c will be described. As a method of manufacturing the light emitting diode 10c, for example, the lead portions 12a,
A first method using one lead frame in which a reflector 12b and a fan-shaped portion corresponding to each of the reflecting mirror pieces 17a, 17b, 17c, and 17d are formed; a lead frame in which the leads 12a and 12b are formed; There is a second method using a frame in which a portion is formed.

【0045】最初に第一の方法について説明する。図1
2は発光ダイオード10cを第一の方法で製造するとき
に用いるリードフレームの一部についての概略平面図、
図13は扇形状部を折り畳んだ状態のリードフレームの
一部についての概略平面図である。まず、金属板材料を
打ち抜き、図12に示すようなリードフレーム40を作
製する。このリードフレーム40には、リード部12
a,12bと、各反射鏡片17a,17b,17c,1
7dに対応する扇形状部(金属片)41a,41b,4
1c,41dと、リード部12a,12b及び扇形状部
41a,41b,41c,41dを連結する連結部42
とが形成されている。かかる連結部42は、リード部1
2a,12b同士を連結する弧状連結部42aと、弧状
連結部42aと扇形状部41a,41b,41c,41
dとの間を連結する線状連結部42bとを有する。
First, the first method will be described. FIG.
2 is a schematic plan view of a part of a lead frame used when manufacturing the light emitting diode 10c by the first method,
FIG. 13 is a schematic plan view of a part of the lead frame in a state where the fan-shaped portion is folded. First, a metal plate material is punched out to produce a lead frame 40 as shown in FIG. The lead frame 40 includes a lead 12
a, 12b and each of the reflector pieces 17a, 17b, 17c, 1
Fan-shaped portions (metal pieces) 41a, 41b, 4 corresponding to 7d
1c, 41d and a connecting portion 42 for connecting the lead portions 12a, 12b and the fan-shaped portions 41a, 41b, 41c, 41d.
Are formed. The connecting portion 42 is connected to the lead 1
The arc-shaped connecting portion 42a connecting the 2a and 12b to each other, the arc-shaped connecting portion 42a and the fan-shaped portions 41a, 41b, 41c, 41
d and a linear connecting portion 42b connecting between the two.

【0046】尚、本実施形態では、リード部12aを上
下及び左の各方向に引き伸ばした形状に形成しているの
は、かかるリードフレーム40において、扇形状部41
a,41b,41c,41dをしっかりと保持すること
ができるようにするためである。
In this embodiment, the lead portion 12a is formed so as to be elongated in the up, down, left and right directions.
This is so that a, 41b, 41c, and 41d can be firmly held.

【0047】次に、リードフレーム40のうち少なくと
も一方の表面上に鍍金を施す。ここでは、図12におけ
るリードフレーム40の表側の面に鍍金を施したとす
る。その後、リード部12aの鍍金した側の表面上の所
定位置に発光素子11をマウントし、発光素子11とリ
ード部12bとをワイヤ13でボンディングする。
Next, plating is performed on at least one surface of the lead frame 40. Here, it is assumed that plating is applied to the front surface of the lead frame 40 in FIG. After that, the light emitting element 11 is mounted at a predetermined position on the surface of the plated side of the lead part 12a, and the light emitting element 11 and the lead part 12b are bonded by the wire 13.

【0048】次に、リードフレーム40について、各扇
形状部41a,41b,41c,41dをプレス加工し
て、凹状に形成する。この場合、図12におけるリード
フレーム40の表側の面を凹状に加工する。このように
ボンディング加工後にプレス加工を施すのは、発光素子
のマウント及びワイヤボンディングは、平板状のリード
フレームの状態で行うのが望ましいからである。そし
て、図12において一点鎖線で示した部分を谷折りし
て、四つの扇形状部41a,41b,41c,41dを
折り畳むことにより、リードフレーム40は、図13に
示すような状態になる。ここで、図13では発光素子1
1とワイヤ13を省略して示している。これにより、発
光素子11に対向する側に反射鏡17が形成される。こ
のように、第一の方法では、発光素子11がマウントさ
れたリード部12aと反射鏡17との位置合わせをプレ
ス加工時に行うことができるので、作業性の向上を図る
ことができる。また、プレス加工時に剪断が生じる等の
理由で、一度に凹面を形成することが困難な板材を用い
る場合でも、当該板材を分割し、その分割した各部分毎
に凹状に形成することにより、プレス加工を問題なく行
うことができる。
Next, with respect to the lead frame 40, each fan-shaped portion 41a, 41b, 41c, 41d is pressed to form a concave shape. In this case, the front surface of the lead frame 40 in FIG. 12 is processed into a concave shape. The reason why the press working is performed after the bonding processing is that the mounting of the light emitting element and the wire bonding are desirably performed in a state of a flat lead frame. Then, the portion indicated by the one-dot chain line in FIG. 12 is valley-folded, and the four fan-shaped portions 41a, 41b, 41c, 41d are folded, so that the lead frame 40 is in the state shown in FIG. Here, in FIG.
1 and the wire 13 are omitted. Thereby, the reflecting mirror 17 is formed on the side facing the light emitting element 11. As described above, in the first method, the alignment between the lead portion 12a on which the light emitting element 11 is mounted and the reflecting mirror 17 can be performed at the time of press working, so that workability can be improved. In addition, even when using a plate material that is difficult to form a concave surface at a time due to, for example, shearing during press working, the plate material is divided and formed into a concave shape for each of the divided portions. Processing can be performed without any problem.

【0049】その後、第一実施形態と同様に、トランス
ファーモールド法により、発光素子11、リード部12
a,12bの一部、ワイヤ13及び反射鏡17を樹脂封
止すると共に、放射面21を成形する。そして、図13
において一点鎖線で示した部分を切断することにより、
図9、図10及び図11に示すような発光ダイオード1
0cが得られる。
After that, similarly to the first embodiment, the light emitting element 11 and the lead 12
A part of a, 12b, the wire 13 and the reflecting mirror 17 are resin-sealed, and the radiation surface 21 is formed. And FIG.
By cutting the part shown by the dashed line in
Light emitting diode 1 as shown in FIGS. 9, 10 and 11
0c is obtained.

【0050】次に、第二の方法について説明する。図1
4は発光ダイオード10cを第二の方法で製造するとき
に用いる二つのフレームの一部についての概略平面図で
ある。まず、二つの金属板材料を打ち抜き、図14
(a)に示すリードフレーム40aと、図14(b)に
示すフレーム40bとを作製する。リードフレーム40
aには、リード部12a,12bが形成されている。一
方、フレーム40bには、各反射鏡片17a,17b,
17c,17dに対応する扇形状部(金属片)41a,
41b,41c,41dが形成されている。このフレー
ム40bでは、上記第一の方法で用いるリードフレーム
とは異なり、各扇形状部41a,41b,41c,41
dが予め略円形状となるように配置されている。また、
各フレーム40a,40bの外枠部には、リード部12
a,12bと各扇形状部41a,41b,41c,41
dとの位置合わせ用の孔43が形成されている。
Next, the second method will be described. FIG.
FIG. 4 is a schematic plan view of a part of two frames used when manufacturing the light emitting diode 10c by the second method. First, two metal plate materials were punched out, and FIG.
A lead frame 40a shown in FIG. 14A and a frame 40b shown in FIG. Lead frame 40
a is formed with lead portions 12a and 12b. On the other hand, on the frame 40b, each of the reflecting mirror pieces 17a, 17b,
Fan-shaped portions (metal pieces) 41a corresponding to 17c and 17d,
41b, 41c and 41d are formed. In this frame 40b, unlike the lead frame used in the first method, each of the fan-shaped portions 41a, 41b, 41c, 41
d is arranged in advance so as to be substantially circular. Also,
The outer frame of each frame 40a, 40b has a lead 12
a, 12b and each fan-shaped portion 41a, 41b, 41c, 41
A hole 43 for positioning with d is formed.

【0051】次に、フレーム40bについて、各扇形状
部41a,41b,41c,41dをプレス加工して、
凹状に形成する。その後、リードフレーム40aのうち
少なくとも一方の表面上に鍍金を施すと共に、フレーム
40bのうち少なくとも各扇形状部の凹面上に鍍金を施
す。これにより、リードフレーム40bには反射鏡17
が形成される。ここで、第二の方法では、各扇形状部4
1a,41b,41c,41dについては、プレス加工
した後に鍍金を施す。プレス加工後に鍍金を施すことに
より、プレス加工前に鍍金を施す場合のようにプレス加
工の際に鍍金状態が低下する恐れがないという利点があ
る。また、リードフレーム40aについては、リード部
12aの鍍金した側の表面上の所定位置に発光素子11
をマウントし、発光素子11とリード部12bとをワイ
ヤ13でボンディングする。
Next, with respect to the frame 40b, each fan-shaped portion 41a, 41b, 41c, 41d is press-worked.
It is formed in a concave shape. Thereafter, plating is performed on at least one surface of the lead frame 40a, and plating is performed on at least the concave surface of each fan-shaped portion of the frame 40b. Thereby, the reflection mirror 17 is provided on the lead frame 40b.
Is formed. Here, in the second method, each fan-shaped portion 4
For 1a, 41b, 41c and 41d, plating is performed after press working. By performing plating after press working, there is an advantage that there is no risk of the plating state being degraded during press work as in the case of performing plating before press work. In addition, regarding the lead frame 40a, the light emitting element 11 is provided at a predetermined position on the surface of the lead portion 12a on the plated side.
Is mounted, and the light emitting element 11 and the lead portion 12b are bonded by the wire 13.

【0052】次に、発光素子11の発光面と反射鏡17
の凹面とが対向するように、リードフレーム40aとフ
レーム40bを重ね合わせ、治具等で固定する。第二の
方法では、位置合わせ用の孔43を利用することによ
り、発光素子11と反射鏡17との位置合わせを容易に
行うことができる。このとき、リード部12a,12b
と反射鏡17との絶縁を図るために、両者が接触しない
ように注意する必要がある。このため、例えば、フレー
ム40bをプレス加工する際には、各扇形状部41a,
41b,41c,41dの円周端410をフレーム40
bの外枠部で作られる平面よりも突出させるようにす
る。また、絶縁物を介してリードフレーム40aとフレ
ーム40bとを重ね合わせることにより、リード部12
a,12bと反射鏡17とが接触しないようにしてもよ
い。
Next, the light emitting surface of the light emitting element 11 and the reflecting mirror 17
The lead frame 40a and the frame 40b are overlapped with each other so that the concave surfaces of the lead frames face each other, and fixed with a jig or the like. In the second method, the positioning of the light emitting element 11 and the reflecting mirror 17 can be easily performed by using the positioning hole 43. At this time, the lead portions 12a, 12b
In order to insulate the mirror and the reflector 17, care must be taken so that they do not come into contact with each other. For this reason, for example, when the frame 40b is pressed, each fan-shaped portion 41a,
The circumferential ends 410 of 41b, 41c and 41d are
The projection is made to protrude beyond the plane formed by the outer frame portion of b. Also, by superposing the lead frame 40a and the frame 40b via an insulator, the lead portion 12
a, 12b and the reflecting mirror 17 may not be in contact with each other.

【0053】その後、二つのフレーム40a,40bを
重ね合わせたものについて、第一実施形態と同様に、ト
ランスファーモールド法により、発光素子11、リード
部12a,12bの一部、ワイヤ13及び反射鏡17を
樹脂封止すると共に、放射面21を成形する。そして、
フレーム40a,40bの不要部分を切断することによ
り、図9、図10及び図11に示すような発光ダイオー
ド10cが得られる。
Thereafter, as in the first embodiment, the light emitting element 11, the parts of the leads 12a, 12b, the wire 13, and the reflecting mirror 17 are formed by superimposing the two frames 40a, 40b on each other. And the radiation surface 21 is formed. And
By cutting unnecessary portions of the frames 40a and 40b, a light emitting diode 10c as shown in FIGS. 9, 10 and 11 is obtained.

【0054】かかる第二の方法では、リード部12a,
12bが形成されたリードフレーム40aと、扇形状部
41a,41b,41c,41dが形成されたフレーム
40bとを用いることにより、リード部12a,12
b、反射鏡17についてそれぞれ別個に、適切な材質や
厚さ等を選択して使用することができるという利点があ
る。例えば、発光素子をマウントする板材は、放熱性確
保のため、ある程度の厚さが必要である。これに対し、
反射鏡を形成する板材については、その厚さを薄くする
ことによって、金属と樹脂との熱膨張・熱収縮時の応力
を低く抑えることができる。
In the second method, the lead portions 12a,
By using the lead frame 40a on which the lead portions 12b are formed and the frame 40b on which the fan-shaped portions 41a, 41b, 41c and 41d are formed, the lead portions 12a and 12d are formed.
b, there is an advantage that an appropriate material, thickness and the like can be selected and used separately for each of the reflecting mirrors 17. For example, a plate on which the light emitting element is mounted needs to have a certain thickness in order to secure heat radiation. In contrast,
By reducing the thickness of the plate material forming the reflecting mirror, the stress at the time of thermal expansion and thermal contraction between the metal and the resin can be suppressed low.

【0055】第三実施形態の発光ダイオードでも、第一
実施形態と同様に、金属板をプレス加工して形成された
凹状の反射鏡を用いたことにより、反射鏡は温度変化に
対して耐性があるので、高温の状況下でも反射鏡の凹面
に皺等が発生したり、反射鏡がダメージを受けることは
ない。このため、第三実施形態の発光ダイオードを、ク
リーム半田を用いてリフロー炉により実装することがで
きる。また、かかる反射鏡を用いた場合であっても、光
透過性材料によって発光素子とリード部の一部と反射鏡
とを封止すると共にその光透過性材料の一方の表面を放
射面としてモールド成形することにより、既存の生産装
置を用いて容易に生産でき、したがって、発光ダイオー
ドの量産化を図ることができる。
In the light-emitting diode of the third embodiment, similarly to the first embodiment, the use of a concave reflecting mirror formed by pressing a metal plate makes the reflecting mirror resistant to temperature changes. As a result, wrinkles and the like are not generated on the concave surface of the reflecting mirror even under a high temperature condition, and the reflecting mirror is not damaged. Therefore, the light emitting diode of the third embodiment can be mounted in a reflow furnace using cream solder. Even when such a reflecting mirror is used, the light emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with the light transmitting material, and one surface of the light transmitting material is used as a radiation surface and molded. By molding, it can be easily produced using existing production equipment, and therefore, mass production of light emitting diodes can be achieved.

【0056】ところで、発光ダイオードの用途によって
は、厳しい配光制御が求められない場合がある。このよ
うな場合、反射鏡を略回転放物面形状等、滑らかな曲面
形状に形成するのではなく、各反射鏡片を数カ所折り曲
げることにより凹状の反射鏡を形成するようにしてもよ
い。以下に、このようにして作製された発光ダイオード
の具体例について説明する。
By the way, strict light distribution control may not be required depending on the application of the light emitting diode. In such a case, instead of forming the reflecting mirror into a smooth curved surface such as a paraboloid of revolution, a concave reflecting mirror may be formed by bending each reflecting mirror piece at several places. Hereinafter, a specific example of the light emitting diode manufactured as described above will be described.

【0057】図15は第三実施形態の第一変形例である
発光ダイオードの概略断面図、図16はその発光ダイオ
ードの概略背面図である。図15及び図16に示す発光
ダイオードは、反射鏡170の構造が第三実施形態のも
のと異なる。かかる反射鏡170は、六つの反射鏡片1
71,171,・・・ を有する。各反射鏡片171,17
1,・・・ は、略三角形状の金属片を一か所だけ折り曲げ
て形成したものであり、図16に示すように、背面から
見たときに略正六角形状となるように配置されている。
FIG. 15 is a schematic sectional view of a light emitting diode which is a first modification of the third embodiment, and FIG. 16 is a schematic rear view of the light emitting diode. The light emitting diode shown in FIGS. 15 and 16 differs from the light emitting diode of the third embodiment in the structure of the reflecting mirror 170. The reflecting mirror 170 includes six reflecting mirror pieces 1.
71, 171,... Each reflector piece 171, 17
Are formed by bending a substantially triangular metal piece at only one place, and are arranged so as to have a substantially regular hexagonal shape when viewed from the back as shown in FIG. I have.

【0058】また、図17は第三実施形態の第二変形例
である発光ダイオードの概略背面図である。図17に示
す発光ダイオードは、反射鏡180の構造だけが第三実
施形態のものと異なる。かかる反射鏡180は、四つの
反射鏡片181,181,181,182を有する。そ
のうち三つの反射鏡片181,181,181は平坦な
略台形状に形成されている。残り一つの反射鏡片182
は、略台形状の部分と、その略台形状の部分と連なる略
正方形状の部分とからなり、略台形状の部分と略正方形
状の部分との境界で折り曲げられている。各反射鏡片1
81,181,181,182は、図17に示すよう
に、背面から見たときに略正方形状となるように配置さ
れている。すなわち、反射鏡片182は、略正方形状の
部分の中心が発光素子の発光面の中心と対向する位置に
配置され、各反射鏡片181,181,181は、反射
鏡片182の略正方形状の部分の三つの辺と隣り合う位
置に配置される。
FIG. 17 is a schematic rear view of a light emitting diode according to a second modification of the third embodiment. The light emitting diode shown in FIG. 17 differs from that of the third embodiment only in the structure of the reflecting mirror 180. The reflecting mirror 180 has four reflecting mirror pieces 181, 181, 181, and 182. Three of the reflecting mirror pieces 181, 181, 181 are formed in a flat, substantially trapezoidal shape. One remaining reflector piece 182
Has a substantially trapezoidal portion and a substantially square portion connected to the substantially trapezoidal portion, and is bent at a boundary between the substantially trapezoidal portion and the substantially square portion. Each reflector piece 1
As shown in FIG. 17, 81, 181, 181, and 182 are arranged so as to be substantially square when viewed from the back. That is, the reflecting mirror piece 182 is disposed at a position where the center of the substantially square portion faces the center of the light emitting surface of the light emitting element, and each of the reflecting mirror pieces 181, 181 and 181 is formed of the substantially square portion of the reflecting mirror piece 182. It is arranged at a position adjacent to the three sides.

【0059】上記第一及び第二の変形例の発光ダイオー
ドでは、反射鏡片を数カ所で折り曲げることにより凹状
の反射鏡を形成しているので、反射鏡片の加工が容易に
行えるという利点がある。かかる発光ダイオードは、厳
しい配光制御が要求されない場合に用いるのに好適であ
る。 〔第四実施形態〕次に、本発明の第四実施形態について
図面を用いて説明する。図18は本発明の第四実施形態
である発光ダイオードの概略平面図、図19はその発光
ダイオードのD−D矢視方向概略断面図である。尚、第
四実施形態において、第一実施形態のものと同一の機能
を有するものには同一の符号を付すことにより、その詳
細な説明を省略する。
The light emitting diodes of the first and second modifications have the advantage that the reflector piece can be easily processed because the reflector piece is bent at several places to form a concave reflector. Such a light emitting diode is suitable for use when strict light distribution control is not required. [Fourth Embodiment] Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 18 is a schematic plan view of a light-emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention, and FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting diode in the direction of arrows DD. In the fourth embodiment, components having the same functions as those of the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

【0060】第四実施形態の発光ダイオード10dは、
図18及び図19に示すように、発光素子11と、リー
ド部121a,121bと、ワイヤ13と、凹状の反射
鏡19と、平板状の放射板23と、金属製の筐体部24
とを備える。この筐体部24は、上から見ると略正方形
状をしており、発光素子11、リード部12a,12b
の一部、ワイヤ13、反射鏡19及び放射板23を収納
するものである。
The light emitting diode 10d according to the fourth embodiment comprises:
As shown in FIGS. 18 and 19, the light emitting element 11, the lead portions 121a and 121b, the wire 13, the concave reflecting mirror 19, the flat radiation plate 23, and the metal housing portion 24 are provided.
And The housing part 24 has a substantially square shape when viewed from above, and includes the light emitting element 11 and the lead parts 12a and 12b.
, The wire 13, the reflecting mirror 19, and the radiation plate 23.

【0061】リード部12a1,121bは、発光素子
11に電力を供給するために用いられるものである。発
光素子11はリード部121a上にマウントされ、発光
素子11とリード121bとはワイヤ13により電気的
に接続されている。また、図18に示すように、リード
部121aは、光透過性材料14の左側から外部に引き
出されており、リード部121bは、光透過性材料14
の右側から外部に引き出されている。
The leads 12a1 and 121b are used to supply power to the light emitting element 11. The light emitting element 11 is mounted on the lead portion 121a, and the light emitting element 11 and the lead 121b are electrically connected by the wire 13. As shown in FIG. 18, the lead portion 121a is drawn out from the left side of the light transmitting material 14, and the lead portion 121b is connected to the light transmitting material 14
Is drawn out from the right side.

【0062】反射鏡19は、第一実施形態のものと同様
に、金属板(例えば銅合金板)をプレス加工して滑らか
な凹状に形成したものであり、その凹面上には、例えば
銀を材料として鍍金や蒸着等の表面加工が施されてい
る。ここでは、反射鏡19を略回転放物面形状に形成
し、その焦点に発光素子11の発光面を配置している。
しかし、第四実施形態では、第一実施形態のものとは異
なり、反射鏡19の端縁には突起部を形成していない。
As in the first embodiment, the reflecting mirror 19 is formed by pressing a metal plate (eg, a copper alloy plate) into a smooth concave shape, and for example, silver is formed on the concave surface. Surface processing such as plating and vapor deposition is performed as a material. Here, the reflecting mirror 19 is formed in a substantially paraboloid of revolution shape, and the light emitting surface of the light emitting element 11 is arranged at the focal point.
However, in the fourth embodiment, unlike the first embodiment, no projection is formed on the edge of the reflecting mirror 19.

【0063】この反射鏡19は、筐体部24内の底部に
固着されている。また、筐体部24の上部には、溝部が
形成されており、その溝部にリード部121a,121
bを挿入することにより、発光素子11、リード部12
1a,121bの一部及びワイヤ13が筐体部24内に
収納される。
The reflecting mirror 19 is fixed to the bottom in the housing 24. A groove is formed in the upper part of the housing 24, and the leads 121a and 121 are formed in the groove.
b, the light emitting element 11 and the lead 12
A part of the wires 1a and 121b and the wire 13 are housed in the housing 24.

【0064】放射板23は、反射鏡19で反射した光を
透過して外部に放射するものである。この放射板23の
材料としては、例えばガラスが用いられる。筐体部24
の上端部の内側には、段差部24aが形成されており、
この段差部24aに放射板23が嵌め込まれている。
The radiating plate 23 transmits the light reflected by the reflecting mirror 19 and radiates the light to the outside. As a material of the radiation plate 23, for example, glass is used. Case 24
A step portion 24a is formed inside the upper end portion of
The radiation plate 23 is fitted into the step 24a.

【0065】また、筐体部24の溝部を樹脂25で埋め
ると共に、放射板23を接着剤等で固着しており、これ
により、発光ダイオード10dは密閉構造とされてい
る。尚、第四実施形態では、筐体部24として金属製の
ものを用いている。この場合、リード部121a,12
1bと筐体部24とが接触しないように、例えばリード
部121a,121bと筐体部24との間に絶縁体を挿
入する。
The groove of the housing 24 is filled with the resin 25, and the radiating plate 23 is fixed with an adhesive or the like, so that the light emitting diode 10d has a sealed structure. In the fourth embodiment, a metal member is used as the housing portion 24. In this case, the lead portions 121a, 121a
For example, an insulator is inserted between the lead portions 121a and 121b and the housing portion 24 so that the housing 1 does not contact the housing 1b.

【0066】次に、第四実施形態の発光ダイオード10
dの製造方法について説明する。まず、リード部121
a上の所定位置に発光素子11をマウントし、発光素子
11とリード部121bとをワイヤ13でボンディング
する。次に、反射鏡19を筐体部24内に入れ、反射鏡
19の底部を筐体部24の底部に固着する。その後、リ
ード部121a,121bを筐体部24の溝部に挿入す
ると共に、放射板23を筐体部24の段差部24aに嵌
め込む。このとき、筐体部24内には乾燥した空気が入
るようにし、この状態で、放射面23と筐体部24とを
接着剤で接着すると共に、筐体部24の溝部を樹脂25
で塞ぐ。このように、筐体部24内に乾燥した空気を入
れて、筐体部24を完全に密閉するのは、発光素子11
が湿気により劣化するのを防止するためである。また、
塵や埃が内部に入るのを防止するためでもある。以上に
より、図18及び図19に示すような発光ダイオード1
0dが得られる。
Next, the light emitting diode 10 of the fourth embodiment
The method for manufacturing d will be described. First, the lead section 121
The light-emitting element 11 is mounted at a predetermined position on a, and the light-emitting element 11 and the lead portion 121b are bonded by the wire 13. Next, the reflecting mirror 19 is placed in the housing 24, and the bottom of the reflecting mirror 19 is fixed to the bottom of the housing 24. Thereafter, the leads 121a and 121b are inserted into the grooves of the housing 24, and the radiation plate 23 is fitted into the step 24a of the housing 24. At this time, dry air is allowed to enter the housing portion 24. In this state, the radiation surface 23 and the housing portion 24 are bonded with an adhesive, and the groove of the housing portion 24 is
Close with. As described above, the case in which dry air is introduced into the housing portion 24 and the housing portion 24 is completely sealed is formed by the light emitting element 11.
This is for preventing the deterioration of the film due to moisture. Also,
This is also to prevent dust and dirt from entering the inside. As described above, the light emitting diode 1 as shown in FIGS.
0d is obtained.

【0067】第四実施形態の発光ダイオードでも、第一
実施形態と同様に、金属板をプレス加工して形成された
凹状の反射鏡を用いたことにより、反射鏡は温度変化に
対して耐性があるので、高温の状況下でも反射鏡の凹面
に皺等が発生したり、反射鏡がダメージを受けることは
ない。このため、かかる発光ダイオードを、クリーム半
田を用いてリフロー炉により実装することができる。ま
た、既存の生産装置を用いて容易に生産でき、したがっ
て、発光ダイオードの量産化を図ることができる。
In the light-emitting diode of the fourth embodiment, similarly to the first embodiment, the use of the concave reflecting mirror formed by pressing the metal plate makes the reflecting mirror resistant to temperature changes. As a result, wrinkles and the like are not generated on the concave surface of the reflecting mirror even under a high temperature condition, and the reflecting mirror is not damaged. Therefore, such a light emitting diode can be mounted in a reflow furnace using cream solder. In addition, the light emitting diode can be easily produced using existing production equipment, and thus mass production of light emitting diodes can be achieved.

【0068】ところで、発光素子として、可視領域にお
ける短波長の光又は紫外線領域の波長の光を発するもの
を用いる場合、上記第一乃至第三の実施形態のように、
発光素子、リード部の一部及び反射鏡を、光透過性樹脂
としての透明エポキシ樹脂で封止することにすると、当
該発光素子の発する光によりエポキシ樹脂が劣化してし
まうという問題がある。しかし、第四実施形態の発光ダ
イオードでは、発光素子等を樹脂で封止していないの
で、かかる問題は生じない。しかも、このとき、ケース
内を密閉することにより、発光素子が湿気により劣化す
るのを防止することができる。
When a light-emitting element that emits light having a short wavelength in the visible region or light having a wavelength in the ultraviolet region is used as in the first to third embodiments,
When the light emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with a transparent epoxy resin as a light transmitting resin, there is a problem that the light emitted from the light emitting element deteriorates the epoxy resin. However, in the light emitting diode of the fourth embodiment, such a problem does not occur because the light emitting element and the like are not sealed with the resin. Moreover, at this time, by sealing the inside of the case, it is possible to prevent the light emitting element from being deteriorated by moisture.

【0069】特に、この場合、放射板の内面に蛍光体を
塗布することにより、白色光を発する発光ダイオードを
作製することができる。すなわち、発光素子として紫外
線を発するものを用いるときには、紫外線が蛍光体に当
たると、蛍光体から白色光が発生する。また、発光素子
として青色の光を発するものを用いるときには、この青
色光の一部は蛍光体を透過し、他の一部は蛍光体に吸収
されて蛍光体は黄色光を発する。そして、かかる青色光
と黄色光とが重なり合うことにより、白色光が外部に放
射される。ここで、蛍光体が青色の光を透過する割合
は、放射面に塗布する蛍光体の厚さにより変わる。とこ
ろで、蛍光体の劣化の主要因は、湿気によるものである
が、第四実施形態では、乾燥させた空気を筐体部内に封
入し、筐体部を密閉したことにより、かかる蛍光体の湿
気による劣化を軽減することができる。
In particular, in this case, a light emitting diode that emits white light can be manufactured by applying a phosphor to the inner surface of the radiation plate. That is, when an element that emits ultraviolet light is used as the light emitting element, when the ultraviolet light hits the phosphor, the phosphor emits white light. When a light-emitting element that emits blue light is used, part of the blue light passes through the phosphor, and the other part is absorbed by the phosphor, and the phosphor emits yellow light. When the blue light and the yellow light overlap, white light is emitted to the outside. Here, the rate at which the phosphor transmits blue light varies depending on the thickness of the phosphor applied to the radiation surface. By the way, although the main factor of the deterioration of the phosphor is due to moisture, in the fourth embodiment, the dried air is sealed in the casing and the casing is sealed, so that the moisture of the phosphor is reduced. Can be reduced.

【0070】ここで、発光素子として紫外線を発するも
のを用いる場合、紫外線は銀面での反射率があまりよく
ないので、反射鏡としては、その凹面を銀で鍍金したも
のを用いる代わりに、その凹面をアルミニウムで蒸着し
たものを用いることが好ましい。また、放射板の内面に
蛍光体を塗布する代わりに、放射板を形成するときに、
その内部に蛍光体を含ませるようにしてもよい。
In the case where a light emitting element that emits ultraviolet light is used, since the reflectance of the ultraviolet light on the silver surface is not very good, instead of using a mirror whose concave surface is plated with silver, the light emitting element is used. It is preferable to use one in which the concave surface is deposited with aluminum. Also, instead of applying the phosphor to the inner surface of the radiation plate, when forming the radiation plate,
A fluorescent material may be included therein.

【0071】尚、本発明は上記の各実施形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内において種々の変形
が可能である。
The present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the invention.

【0072】例えば、上記の各実施形態では、反射鏡と
して、金属板の凹面に鏡面加工を施した場合について説
明したが、金属板における光の反射率が十分高ければ、
当該金属板に必ずしも鏡面加工を施す必要はない。すな
わち、反射鏡として、金属板を凹状に加工した金属鏡を
用いてもよい。
For example, in each of the above embodiments, the case where the concave surface of the metal plate is mirror-finished as the reflecting mirror has been described. However, if the reflectance of light on the metal plate is sufficiently high,
The metal plate does not necessarily need to be mirror-finished. That is, a metal mirror obtained by processing a metal plate into a concave shape may be used as the reflecting mirror.

【0073】また、上記の各実施形態では、反射鏡とし
て金属板を加工したものを用いる場合について説明した
が、例えば、反射鏡として、白色のセラミックを用いて
もよいし、セラミック表面に鍍金や金属蒸着を施したも
のを用いてもよい。また、耐熱性の高い樹脂の表面に付
着強度を高めるアンダーコートを施し、そのコート面上
に金属蒸着等を施したものを用いてもよい。但し、反射
鏡を光透過性材料で封止する場合には、反射鏡を高温の
金型にセットしなければならないことや、反射鏡により
金型を傷める可能性を低くすべきという観点を考慮する
と、金属板を加工して形成した反射鏡を用いることが望
ましい。
In each of the above embodiments, the case where a metal plate is used as the reflecting mirror is described. However, for example, a white ceramic may be used as the reflecting mirror, or the surface of the ceramic may be plated or plated. A metal-deposited one may be used. Alternatively, an undercoat for increasing the adhesive strength may be applied to the surface of the resin having high heat resistance, and a metal surface or the like may be applied on the coated surface. However, when the reflector is sealed with a light-transmitting material, consideration must be given to the fact that the reflector must be set in a high-temperature mold and the possibility that the mold is damaged by the reflector should be reduced. Then, it is desirable to use a reflecting mirror formed by processing a metal plate.

【0074】また、上記の第三実施形態では、発光素
子、リード部の一部及び反射鏡を光透過性樹脂で封止す
る場合について説明したが、例えば、これらを光透過性
の低融点ガラスで封止してもよい。さらに、これらを必
ずしも樹脂等で封止する必要はない。樹脂封止しない場
合は、例えば、リード部及び反射鏡を固定治具等で保持
することになる。
In the third embodiment, the case where the light emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with the light transmitting resin has been described. May be sealed. Furthermore, it is not always necessary to seal them with a resin or the like. When resin sealing is not performed, for example, the lead portion and the reflecting mirror are held by a fixing jig or the like.

【0075】更に、上記の第四実施形態では、筐体部内
に乾燥した空気を封入した場合について説明したが、例
えば、筐体部内に不活性ガスを封入してもよい。これに
より、反射鏡が酸化してしまうのを抑えることができ
る。
Further, in the above-described fourth embodiment, a case has been described where dry air is sealed in the housing. For example, an inert gas may be sealed in the housing. This can prevent the reflection mirror from being oxidized.

【0076】[0076]

【発明の効果】以上説明したように本発明の発光ダイオ
ードによれば、金属板を凹状に加工して形成された反射
鏡を用いたことにより、反射鏡は温度変化に対して耐性
があるので、高温の状況下でも反射鏡の凹面に皺等が発
生したり、反射鏡がダメージを受けることはない。この
ため、かかる発光ダイオードを、クリーム半田を用いて
リフロー炉により実装することができる。したがって、
本発明の発光ダイオードは、表面実装部品として何ら制
限なく用いることができるので、特に多量に実装される
用途で使用するのに好適である。
As described above, according to the light emitting diode of the present invention, since the reflecting mirror formed by processing the metal plate into a concave shape is used, the reflecting mirror is resistant to a temperature change. Even under high temperature conditions, wrinkles and the like are not generated on the concave surface of the reflector, and the reflector is not damaged. Therefore, such a light emitting diode can be mounted in a reflow furnace using cream solder. Therefore,
Since the light emitting diode of the present invention can be used without any limitation as a surface mount component, it is particularly suitable for use in applications in which a large amount is mounted.

【0077】また、かかる反射鏡を用いた場合であって
も、光透過性材料によって発光素子とリード部の一部と
反射鏡とを封止すると共にその光透過性材料の一方の表
面を放射面としてモールド成形することにより、既存の
生産装置を用いて容易に生産でき、したがって、発光ダ
イオードの量産化を図ることができる。
Even when such a reflecting mirror is used, the light emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with the light transmitting material, and one surface of the light transmitting material is radiated. By molding as a surface, production can be easily performed using existing production equipment, and thus mass production of light emitting diodes can be achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第一実施形態である発光ダイオードの
概略平面図である。
FIG. 1 is a schematic plan view of a light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

【図2】その発光ダイオードのA−A矢視方向概略断面
図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the light emitting diode as viewed in the direction of arrows AA.

【図3】その発光ダイオードの概略背面図である。FIG. 3 is a schematic rear view of the light emitting diode.

【図4】その発光ダイオードをトランスファーモールド
法で製造するときの様子を説明するための概略部分拡大
断面図である。
FIG. 4 is a schematic partial enlarged cross-sectional view for explaining a state when the light emitting diode is manufactured by a transfer molding method.

【図5】本発明の第二実施形態である発光ダイオードの
概略平面図である。
FIG. 5 is a schematic plan view of a light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

【図6】その発光ダイオードのB−B矢視方向概略断面
図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view of the light emitting diode as viewed in the direction of arrows BB.

【図7】その発光ダイオードの概略背面図である。FIG. 7 is a schematic rear view of the light emitting diode.

【図8】その発光ダイオードをポッティングモールド法
で製造するときの様子を説明するための概略断面図であ
る。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view for explaining a state when the light emitting diode is manufactured by a potting mold method.

【図9】本発明の第三実施形態である発光ダイオードの
概略平面図である。
FIG. 9 is a schematic plan view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

【図10】その発光ダイオードのC−C矢視方向概略断
面図である。
FIG. 10 is a schematic sectional view of the light emitting diode as viewed in the direction of arrows CC.

【図11】その発光ダイオードの概略背面図である。FIG. 11 is a schematic rear view of the light emitting diode.

【図12】その発光ダイオードを第一の方法で製造する
ときに用いるリードフレームの一部についての概略平面
図である。
FIG. 12 is a schematic plan view of a part of a lead frame used when manufacturing the light emitting diode by the first method.

【図13】図12において扇形状部を折り畳んだ状態の
リードフレームの一部についての概略平面図である。
FIG. 13 is a schematic plan view of a part of the lead frame in a state where the fan-shaped portion in FIG. 12 is folded.

【図14】その発光ダイオードを第二の方法で製造する
ときに用いる二つのリードフレームの一部についての概
略平面図である。
FIG. 14 is a schematic plan view of a part of two lead frames used when manufacturing the light emitting diode by a second method.

【図15】第三実施形態の第一変形例である発光ダイオ
ードの概略断面図である。
FIG. 15 is a schematic sectional view of a light emitting diode which is a first modification of the third embodiment.

【図16】そのその発光ダイオードの概略背面図であ
る。
FIG. 16 is a schematic rear view of the light emitting diode.

【図17】第三実施形態の第二変形例である発光ダイオ
ードの概略背面図である。
FIG. 17 is a schematic rear view of a light emitting diode which is a second modification of the third embodiment.

【図18】本発明の第四実施形態である発光ダイオード
の概略平面図である。
FIG. 18 is a schematic plan view of a light emitting diode according to a fourth embodiment of the present invention.

【図19】その発光ダイオードのD−D矢視方向概略断
面図である。
FIG. 19 is a schematic cross-sectional view of the light-emitting diode as viewed in the direction of arrows DD.

【図20】第一の従来例である反射型の発光ダイオード
の概略断面図である。
FIG. 20 is a schematic cross-sectional view of a reflection type light emitting diode as a first conventional example.

【図21】第二の従来例である反射型の発光ダイオード
の概略断面図である。
FIG. 21 is a schematic sectional view of a reflection type light emitting diode as a second conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10a,10b,10c,10d 発光ダイオード 11 発光素子 12a,12b,120a,120b,121a,12
1b リード部 13 ワイヤ 14 光透過性材料 15,16,17,170,180,19 反射鏡 15a 突起部 16a 貫通孔 17a,17b,17c,17d,171,181,1
82 反射鏡片 21 放射面 22 絶縁物 23 放射板 24 筐体部 24a 段差部 25 樹脂 31 上金型 32 下金型 32a 溝部 40,40a,40b リードフレーム 41a,41b,41c,41d 扇形状部 42 連結部 42a 弧状連結部 42b 線状連結部 43 孔
10a, 10b, 10c, 10d Light emitting diode 11 Light emitting element 12a, 12b, 120a, 120b, 121a, 12
1b Lead portion 13 Wire 14 Light transmissive material 15, 16, 17, 170, 180, 19 Reflector 15a Projection 16a Through hole 17a, 17b, 17c, 17d, 171, 181, 1
82 Reflector piece 21 Radiating surface 22 Insulator 23 Radiating plate 24 Housing 24a Step 25 Resin 31 Upper mold 32 Lower mold 32a Groove 40, 40a, 40b Lead frame 41a, 41b, 41c, 41d Fan-shaped part 42 Connection Portion 42a Arc-shaped connection portion 42b Linear connection portion 43 hole

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ▲高▼橋 祐次 愛知県西春日井郡春日町大字落合字長畑1 番地 豊田合成株式会社内 (72)発明者 内田 浩二 埼玉県行田市富士見町1丁目20番地 岩崎 電気株式会社開発センター内 Fターム(参考) 5F041 AA31 DA12 DA17 DA44 DA59 EE23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor ▲ Taka ▼ Yuji Hashiga, Ochiai, 1-chome, Kasuga-cho, Nishi-Kasugai-gun, Aichi Prefecture Inside Toyoda Gosei Co., Ltd. (72) Inventor Koji Uchida 1-1-20 Fujimi-cho, Gyoda, Saitama Address Iwasaki Electric Co., Ltd. Development Center F-term (reference) 5F041 AA31 DA12 DA17 DA44 DA59 EE23

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設け
られた反射鏡と、前記発光素子、前記リード部の一部及
び前記反射鏡を封止する光透過性材料と、前記反射鏡で
反射した光を外部に放射する放射面とを備え、 前記反射鏡は、金属板を凹状に加工した金属鏡又は当該
金属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであり、前記放射
面は、前記発光素子の背面側に位置する前記光透過性材
料の表面であることを特徴とする発光ダイオード。
A light-emitting element; a lead portion for supplying power to the light-emitting element; a reflecting mirror provided to face a light-emitting surface of the light-emitting element; a light-emitting element; a part of the lead portion; A light-transmitting material for sealing the reflecting mirror, and a radiation surface for emitting light reflected by the reflecting mirror to the outside, wherein the reflecting mirror is a metal mirror formed by processing a metal plate into a concave shape or a concave surface of the metal mirror. A light emitting diode, wherein the light emitting surface is a surface of the light transmissive material located on the back side of the light emitting element.
【請求項2】 前記反射鏡の中央部に貫通孔を設けたこ
とを特徴とする請求項1記載の発光ダイオード。
2. The light emitting diode according to claim 1, wherein a through hole is provided in a central portion of said reflecting mirror.
【請求項3】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設け
られた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を外部に放射
する放射面とを備え、 前記反射鏡は、複数の金属片を組み合わせて凹状に加工
した金属鏡又は当該金属鏡の凹面に鏡面加工を施したも
のであることを特徴とする発光ダイオード。
3. A light-emitting element, a lead portion for supplying power to the light-emitting element, a reflecting mirror provided to face a light-emitting surface of the light-emitting element, and radiating light reflected by the reflecting mirror to the outside. A light-emitting diode, comprising: a radiation surface; and the reflecting mirror being a metal mirror processed into a concave shape by combining a plurality of metal pieces or a mirror-finished surface of the concave surface of the metal mirror.
【請求項4】 前記発光素子、前記リード部の一部及び
前記反射鏡は、光透過性材料により封止されており、且
つ、前記放射面は、前記発光素子の背面側に位置する前
記光透過性材料の表面であることを特徴とする請求項3
記載の発光ダイオード。
4. The light-emitting element, a part of the lead portion, and the reflecting mirror are sealed with a light-transmitting material, and the light-emitting surface is located on the back side of the light-emitting element. 4. The surface of a permeable material.
A light-emitting diode as described.
【請求項5】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設け
られた反射鏡と、前記反射鏡で反射した光を透過して外
部に放射する放射板と、前記発光素子、前記リードの一
部及び前記反射鏡を収納する筐体部とを備え、 前記反射鏡は金属板を凹状に加工した金属鏡又は当該金
属鏡の凹面に鏡面加工を施したものであり、且つ、前記
放射板を前記筐体部に取り付けると共に前記放射板と前
記筐体部とで囲まれる空間を密閉したことを特徴とする
発光ダイオード。
5. A light-emitting element, a lead for supplying power to the light-emitting element, a reflecting mirror provided to face a light-emitting surface of the light-emitting element, and an external light-transmitting light reflected by the reflecting mirror. A radiating plate, and a housing for housing the light emitting element, a part of the lead and the reflecting mirror, wherein the reflecting mirror is a metal mirror formed by processing a metal plate into a concave shape or a concave surface of the metal mirror. A light-emitting diode which has been mirror-finished, and wherein the radiation plate is attached to the housing and a space surrounded by the radiation plate and the housing is sealed.
【請求項6】 前記放射板の内部又は前記放射板の内面
に蛍光体を備えることを特徴とする請求項5記載の発光
ダイオード。
6. The light emitting diode according to claim 5, wherein a phosphor is provided inside the radiation plate or on an inner surface of the radiation plate.
【請求項7】 前記反射鏡は、前記リード部が作製され
る金属板材を用いて形成されたことを特徴とする請求項
1、2、3、4、5又は6記載の発光ダイオード。
7. The light emitting diode according to claim 1, wherein the reflecting mirror is formed using a metal plate material on which the lead portion is formed.
【請求項8】 前記反射鏡は、前記リード部が作製され
る金属板材とは別の金属板材を用いて形成されたことを
特徴とする請求項1、2、3、4、5又は6記載の発光
ダイオード。
8. The mirror according to claim 1, wherein the reflection mirror is formed using a metal plate material different from a metal plate material on which the lead portion is formed. Light emitting diode.
【請求項9】 発光素子と、前記発光素子に電力を供給
するリード部と、前記発光素子の発光面に対向して設け
られた反射鏡と、前記発光素子、前記リード部の一部及
び前記反射鏡を封止する光透過性材料と、前記反射鏡で
反射した光を外部に放射する放射面とを備え、 前記反射鏡は、セラミック又は樹脂を凹状に形成したも
のであり、前記放射面は、前記発光素子の背面側に位置
する前記光透過性材料の表面であることを特徴とする発
光ダイオード。
9. A light-emitting element, a lead for supplying power to the light-emitting element, a reflecting mirror provided to face a light-emitting surface of the light-emitting element, the light-emitting element, a part of the lead, and a light-emitting element. A light-transmitting material for sealing the reflector, and a radiation surface for radiating light reflected by the reflector to the outside, wherein the reflector is formed of ceramic or resin in a concave shape, and the radiation surface Is a surface of the light transmissive material located on the back side of the light emitting element.
JP37244099A 1999-12-28 1999-12-28 Light-emitting diode Pending JP2001189494A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37244099A JP2001189494A (en) 1999-12-28 1999-12-28 Light-emitting diode
EP00128513A EP1113506A3 (en) 1999-12-28 2000-12-27 Light emitting diode
US09/749,636 US6906459B2 (en) 1999-12-28 2000-12-28 Light emitting diode

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP37244099A JP2001189494A (en) 1999-12-28 1999-12-28 Light-emitting diode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001189494A true JP2001189494A (en) 2001-07-10
JP2001189494A5 JP2001189494A5 (en) 2007-01-11

Family

ID=18500447

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP37244099A Pending JP2001189494A (en) 1999-12-28 1999-12-28 Light-emitting diode

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2001189494A (en)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004311973A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and lighting device
US7029156B2 (en) 2001-12-05 2006-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and display
CN100373638C (en) * 2001-12-29 2008-03-05 杭州富阳新颖电子有限公司 LED and LED lamp thereof
JP2009054692A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 C I Kasei Co Ltd Light-emitting device, and manufacturing method therefor
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
US7932527B2 (en) 2003-03-27 2011-04-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
WO2015052995A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-16 シャープ株式会社 Semiconductor laser device and production method therefor
JP2021141174A (en) * 2020-03-04 2021-09-16 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7029156B2 (en) 2001-12-05 2006-04-18 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus and display
CN100373638C (en) * 2001-12-29 2008-03-05 杭州富阳新颖电子有限公司 LED and LED lamp thereof
JP2004311973A (en) * 2003-03-27 2004-11-04 Sanyo Electric Co Ltd Light emitting device and lighting device
US7932527B2 (en) 2003-03-27 2011-04-26 Sanyo Electric Co., Ltd. Light-emitting device and illuminator
US7607801B2 (en) 2003-10-31 2009-10-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting apparatus
JP2009054692A (en) * 2007-08-24 2009-03-12 C I Kasei Co Ltd Light-emitting device, and manufacturing method therefor
WO2015052995A1 (en) * 2013-10-07 2015-04-16 シャープ株式会社 Semiconductor laser device and production method therefor
JP2021141174A (en) * 2020-03-04 2021-09-16 ローム株式会社 Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
JP7413086B2 (en) 2020-03-04 2024-01-15 ローム株式会社 semiconductor light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100621154B1 (en) Manufacturing method of light emitting diode
US6886962B2 (en) Shielded reflective light-emitting diode
JP4088932B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus using the same
JP4804429B2 (en) Light emitting device and lighting apparatus using the same
KR101182742B1 (en) Semiconductor light emitting module and method for manufacturing the same
US20070194336A1 (en) Light emitting device package and method of manufacturing the same
JP2008117666A (en) Light-emitting device and backlight device using it
US20080101072A1 (en) Light emitter, image display, and fabrication method thereof
KR20140063852A (en) A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
KR20140006971A (en) A light emitting module, a lamp, a luminaire and a display device
JP2004206947A (en) Light emitting diode, lighting fixture and their process of manufacture
JP2007059612A (en) Light emitting diode
JP2003158302A (en) Light emitting diode
JP2009004443A (en) Led light-emitting device, led display device, and manufacturing method of led light-emitting device
JP4747704B2 (en) Method for manufacturing light emitting device with phosphor layer
JPH01130578A (en) Light emitting diode
JP2006310584A (en) Enameled substrate for mounting light-emitting element, and light source device
JP2001189494A (en) Light-emitting diode
JP2002111068A (en) Reflective light-emitting diode
JP2006278205A (en) Linear light source device and manufacturing method thereof
JP6173794B2 (en) Semiconductor light emitting device and lighting device using the same
KR20240021987A (en) laser packaging device
CN210325851U (en) LED packaging structure
JP2008016197A (en) Light-emitting diode mounting board, backlight equipped with light-emitting diode mounting board and light-emitting diode mounting method
US20100182791A1 (en) Package for light emitting element and light emitting device

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20061120

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20061120

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090202

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090826

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20091224